JPH04204272A - Semiconductor characteristic measuring device - Google Patents

Semiconductor characteristic measuring device

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Publication number
JPH04204272A
JPH04204272A JP2337435A JP33743590A JPH04204272A JP H04204272 A JPH04204272 A JP H04204272A JP 2337435 A JP2337435 A JP 2337435A JP 33743590 A JP33743590 A JP 33743590A JP H04204272 A JPH04204272 A JP H04204272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
relays
tester
test head
semiconductor element
relay
Prior art date
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Pending
Application number
JP2337435A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Fukai
深井 陽一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2337435A priority Critical patent/JPH04204272A/en
Publication of JPH04204272A publication Critical patent/JPH04204272A/en
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Abstract

PURPOSE:To respectively independently control relays which exceed the number of relay bits in a test by controlling a highly precise power source set in a test in accordance with a program and inputting arbitrary voltage into an A/D convertor set on a test head to control its output data. CONSTITUTION:A plurality of output terminals of an A/D convertor 10 are connected to relays 5a to pair and a plurality of the relays 5a are driven respectively independently. A power source 7 and an oscillator in a tester 2 are controlled in accordance with a program to input specified input into a semiconductor element 4. Next, the output values from the semiconductor element 4 are read in a measuring device 8 in the ester 2 and it is judged whether the read values are within a specified range in accordance with the program to complete measurement operation of an item. Measurement items determining the operation from the changing-over of the relays 5, 5a to discrimination are performed and the operation of characteristic measurement of the semiconductor element 4 is completed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は独立に制御しなければならないリレーの数に
比ベテスターか保有するリレーヒツトの数か少ない半導
体素子特性測定装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor device characteristic measuring device that has a small number of relays in a tester compared to the number of relays that must be independently controlled.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種の半導体素子特性測定装置の従来例を第2図に模
式化して示す。この測定装置はテストヘッドlとテスタ
2と、これらを接続するケーブル3とから構成される。
A conventional example of this type of semiconductor device characteristic measuring apparatus is schematically shown in FIG. This measuring device is composed of a test head 1, a tester 2, and a cable 3 connecting these.

特性を測定すべき半導体素子4は固定台(図示していな
い)上に保持されている。前記テストヘッド1上には半
導体素子4の特性を測定する測定回路を構成するのに必
要な多数のリレー5と各種能動素子・受動素子(図示し
ていない)が半導体素子4の近傍に配設されている。前
記テスタ2中にはレリー5を制卸するレリービット6と
各種電源7と各種発振器(図示していない)と半導体素
子4の圧力値を測定するための電圧計や電流計のような
複数の測定器8か配設されている。
The semiconductor element 4 whose characteristics are to be measured is held on a fixed stand (not shown). On the test head 1, a large number of relays 5 and various active and passive elements (not shown) necessary for constructing a measurement circuit for measuring the characteristics of the semiconductor element 4 are arranged near the semiconductor element 4. has been done. The tester 2 includes a relay bit 6 for controlling the relay 5, various power supplies 7, various oscillators (not shown), and a plurality of measuring devices such as a voltmeter and an ammeter for measuring the pressure value of the semiconductor element 4. There are 8 containers installed.

テストヘッド1上に配設されたリレー5はケーブル3を
介してテスタ2の各リレービット6に原則として1対1
で接続されている。
In principle, a relay 5 installed on the test head 1 is connected to each relay bit 6 of the tester 2 one to one via a cable 3.
connected with.

次に第2図を用いてこの半導体素子特性測定装置の動作
について説明する。まずプログラムで前記テスタ2中の
リレービット6を制御しテストヘッドl上のリレー5を
切り換えて、半導体素子4の特性を測定する為の測定回
路を設定する。測定回路設定後、テスタ2中の電源7や
発振器(図示していない)をプログラムで制御し、所定
の入力を半導体素子4に入力する。そして、半導体素子
4からの出力値をテスタ2中の測定器8て読み取り、読
み取った値をプログラム中で規定の範囲内に入っている
かとうか判定する。
Next, the operation of this semiconductor device characteristic measuring apparatus will be explained using FIG. First, a program controls the relay bit 6 in the tester 2, switches the relay 5 on the test head 1, and sets a measuring circuit for measuring the characteristics of the semiconductor element 4. After setting the measurement circuit, the power supply 7 and oscillator (not shown) in the tester 2 are controlled by a program, and predetermined inputs are input to the semiconductor element 4. Then, the output value from the semiconductor element 4 is read by the measuring device 8 in the tester 2, and it is determined whether the read value is within a specified range in the program.

以降、リレー5の切り換えから判定まての動作を決めら
れた測定項目数分行い、1つの半導体素子4の特性測定
の動作は終了する。
Thereafter, operations from switching to determination of the relay 5 are performed for a predetermined number of measurement items, and the operation of measuring the characteristics of one semiconductor element 4 is completed.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の半導体素子特性装置は以上のように構成されてい
るのて、それぞれ独立して制御可能なリレー5の数はテ
スタ2か保有するリレービット6の数だけてあった。
Since the conventional semiconductor device characteristic apparatus is constructed as described above, the number of independently controllable relays 5 is equal to the number of relay bits 6 possessed by the tester 2.

その為、テスタが保有するリレービットの数を越えるリ
レーを使用することはできず、これを理由にテスト項目
数やテスト内容に制約かかかり、製品の品質を保証する
のに十分なテストか行えないなとの問題点があった。
Therefore, it is not possible to use relays that exceed the number of relay bits that the tester possesses, which limits the number of test items and test content, making it difficult to conduct sufficient tests to guarantee product quality. There was a problem with that.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たちのて、テストヘッドl上に配置された、テスタ2の
保有するリレービット6の数を越えるリレー5をそれぞ
れ独立に制御することか可能な半導体素子特性測定装置
を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to independently control the relays 5 arranged on the test head l, which exceed the number of relay bits 6 possessed by the tester 2. The purpose of this invention is to obtain a semiconductor device characteristic measuring device that is possible.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係る半導体素子特性測定装置は、特性を測定
すべき半導体素子の近傍に配置され、その測定時条件を
設定する周辺回路が配設されたテストヘッドと、前記半
導体素子からの出力値を測定する測定器が配設されたテ
スタと、このテスタ及び前記テストヘッドを接続するケ
ーブルとを備えてなる半導体素子特性測定装置において
、前記テスタ中にプログラム的に制御可能な高精度の電
源を、前記テストヘット上にA/Dコンバータをそれぞ
れ配設したことを特徴とするものである。
A semiconductor device characteristic measuring device according to the present invention includes a test head that is placed near a semiconductor device whose characteristics are to be measured, and is provided with a peripheral circuit for setting measurement conditions, and a test head that measures an output value from the semiconductor device. In a semiconductor device characteristic measuring device comprising a tester equipped with a measuring instrument for measurement and a cable connecting the tester and the test head, a programmably controllable high-precision power source is provided in the tester, The test head is characterized in that an A/D converter is provided on each of the test heads.

〔作用〕[Effect]

この発明における半導体素子特性測定装置は、テスタ中
に配設された高精度電源をプログラム的に制御し、任意
の電圧をテストヘッド上に配設されたA/Dコンバータ
に入力しその出力データを制御することにより、前記テ
ストヘッド上に配置された、テスタか保有するリレービ
ットの数を越えるリレーそれぞれ独立に制御することを
可能にする。
The semiconductor device characteristic measuring device according to the present invention programmatically controls a high-precision power supply disposed in a tester, inputs an arbitrary voltage to an A/D converter disposed on a test head, and outputs the output data. By controlling the tester, it is possible to independently control each of the relays arranged on the test head, which exceeds the number of relay bits possessed by the tester.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.

第1図は本発明の一実施例としての半導体素子特性測定
装置の構成を模式化して示した説明図である。この図は
従来例で示した第2図に対応しており、第1図において
第2図と互いに同一もしくは相当する部品、部分には同
一符号を付している。
FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a semiconductor device characteristic measuring apparatus as an embodiment of the present invention. This figure corresponds to FIG. 2 shown in the conventional example, and parts and portions in FIG. 1 that are the same or corresponding to those in FIG. 2 are given the same reference numerals.

第1図に示すように、この測定装置は特性を測定すべき
半導体素子4の近傍位置に配置され、その測定時条件を
設定する周辺回路を構成するのに必要な多数のリレー5
と各種能動素子・受動素子(図示していない)か配設さ
れたテストヘッド1と、前記リレー5をプログラム的に
制御するリレービット6と同しくプログラム的に制御で
きる各種電源7、各種発振器(図示していない)と、半
導体素子4からの出力値を測定するための電圧計や電流
計のような複数の測定器8が配設されたテスタ2と、前
記テストヘッドlとテスタ2を接続するケーブル3を備
えている。前記リレー5はケーブル3を介して前記リレ
ービット6とl対lて対応している。
As shown in FIG. 1, this measuring device is placed in the vicinity of a semiconductor element 4 whose characteristics are to be measured, and includes a large number of relays 5 necessary for configuring a peripheral circuit for setting measurement conditions.
and a test head 1 equipped with various active and passive elements (not shown), a relay bit 6 for programmatically controlling the relay 5, various power supplies 7 that can be programmatically controlled in the same way, and various oscillators ( (not shown) and a tester 2 equipped with a plurality of measuring instruments 8 such as voltmeters and ammeters for measuring output values from the semiconductor element 4, and the test head l and the tester 2 are connected. It is equipped with a cable 3 for The relay 5 corresponds to the relay bit 6 via the cable 3 in one-to-one correspondence.

さらに、前記テストヘッドl上には半導体素子4の特性
を測定する周辺回路を構成するのに必要で、前記リレー
ビット6の数を越えるリレー5aと、A/Dコンバータ
lOが配設され前記テスタ2中にはプログラム的に制御
可能な高精度の電源9か配設されている。前記リレー5
aは前記AIDコンバータ10の出力に!対Iで接続さ
れており、A/Dコンパ−夕10の入力はケーブル3を
介してテスタ2中の高精度電源9に接続されている。
Furthermore, relays 5a which are necessary for configuring a peripheral circuit for measuring the characteristics of the semiconductor element 4 and which exceed the number of relay bits 6, and an A/D converter 1O are arranged on the test head 1. A high-precision power source 9 that can be controlled programmatically is disposed inside the power source 2 . Said relay 5
a is the output of the AID converter 10! The input of the A/D comparator 10 is connected to a high precision power source 9 in the tester 2 via a cable 3.

次に第一図を用いてこの半導体素子特性測定装置の動作
について説明する。ここては、テスタ2中のリレーピッ
ト6の数を越えてテストヘッドl上に配設されたリレー
5aの数を16個とし、またテストヘッドl上に配設さ
れたA/Dコンバータ10は16ビツトのパラレルデー
タ出力のA/Dコンバータであるという一例に基づいて
説明を行う。
Next, the operation of this semiconductor device characteristic measuring apparatus will be explained using FIG. Here, the number of relays 5a arranged on the test head l is set to 16, which exceeds the number of relay pits 6 in the tester 2, and the A/D converter 10 arranged on the test head l is set to 16. An explanation will be given based on an example of an A/D converter that outputs 16-bit parallel data.

まず半導体素子4の特性を測定する為の測定回路を、テ
ストヘッドl上のリレー5.5aを切り換えて設定する
。リレー5の切り換えはプログラムでテスタ2中のリレ
ーピット6を制御して行う。
First, a measuring circuit for measuring the characteristics of the semiconductor element 4 is set by switching the relay 5.5a on the test head l. The relay 5 is switched by controlling the relay pit 6 in the tester 2 using a program.

リレー5aの切り換えは、まずプログラムでテスタ2中
の高精度の電源9を制御して任意の電圧値を設定し、テ
ストヘッドl上に配設されたA/Dコンバータ10(こ
こでは16ビツトのA/Dコンバータ)に入力する。A
/DコンバータlOは入力された電圧値の大きさにより
16個の出力端子より 65536通りのパラレル出力
のデジタルパターンを出力する。
To switch the relay 5a, first control the high-precision power supply 9 in the tester 2 using a program to set an arbitrary voltage value, and then use the A/D converter 10 (here, a 16-bit one) installed on the test head l. A/D converter). A
The /D converter IO outputs 65,536 parallel output digital patterns from 16 output terminals depending on the magnitude of the input voltage value.

出力されるデジタルパターンかLowレベルOvHig
hレベル5Vのデジタルパターンであるとすれば、A/
DコンバータlOの16個の出力端子を1対1てリレー
5aに接続することにより、16個のリレー5aをそれ
ぞれ独立に駆動させることかできる。ここてはA/Dコ
ンバータ10の出力端子の電流ドライブ能力は十分高い
ものと仮定しているか、ドライブ能力が不足する場合に
は、A/DコンバータlOとリレー5aの間にバッファ
ーを入れる。
Output digital pattern or Low level OvHigh
If it is a digital pattern with h level 5V, A/
By connecting the 16 output terminals of the D converter IO to the relays 5a on a one-to-one basis, the 16 relays 5a can be driven independently. Here, it is assumed that the current drive capability of the output terminal of the A/D converter 10 is sufficiently high, or if the drive capability is insufficient, a buffer is inserted between the A/D converter IO and the relay 5a.

以上の測定回路の設定後、テスタ2中の電源7や発振器
(図示していない)をプログラムで制御し、所定の入力
を半導体素子4に入力する。そして、半導体素子4から
の出力値をテスタ2中の測定器8て読み取り、読み取っ
た値が規定の範囲内に入っているかどうかプログラム中
で判定し、1つの項目の測定動作は終了する。以降、リ
レー5.5aの切り換えから判定まての動作を決められ
た測定項目数分行い、1つの半導体素子4の特性測定の
動作は終了する。
After setting up the measurement circuit as described above, the power supply 7 and oscillator (not shown) in the tester 2 are controlled by a program, and predetermined inputs are input to the semiconductor element 4. Then, the output value from the semiconductor element 4 is read by the measuring device 8 in the tester 2, and it is determined in the program whether the read value is within a specified range, and the measurement operation for one item is completed. Thereafter, operations from switching of the relay 5.5a to determination are performed for a predetermined number of measurement items, and the operation of measuring the characteristics of one semiconductor element 4 is completed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によればテスタ中に高精度の電
源を、テストヘッド上にA/Dコンバータをそれぞれ配
設したことによりテスタか保有するリレーピットの数を
越えるi大し−を独立に制御することか可能となったた
め、リレーピットか足りないことを理由にテスト項目数
・テスト内容に制約がかかることがなくなり、より製品
の高品質を保証することか可能になるという効果かある
As described above, according to the present invention, by disposing a high-precision power supply in the tester and an A/D converter on the test head, the tester can be independently operated by more than the number of relay pits it has. Since it is now possible to control the number of test items and test contents due to a lack of relay pits, there is no longer a restriction on the number of test items and test contents, which has the effect of making it possible to further guarantee the high quality of the product. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第4図はこの発明の一実施例による半導体素子特性測定
装置の構成を模式化して示す説明図、第2図は従来の半
導体素子特性測定装置の構成を模式化して示す説明図で
ある。 図においてlはテストヘッド、2はテスタ、3はケーブ
ル、4は半導体素子、5はリレー、6はリレーピット、
7は電源、8は測定器、9は高精度の電源、10はA/
Dコンバータである。 なお、図中の同一符号は、同一もしくは相当部分を示し
ている。
FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a semiconductor device characteristic measuring device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a conventional semiconductor device characteristic measuring device. In the figure, l is a test head, 2 is a tester, 3 is a cable, 4 is a semiconductor element, 5 is a relay, 6 is a relay pit,
7 is a power supply, 8 is a measuring device, 9 is a high precision power supply, 10 is an A/
It is a D converter. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  特性を測定すべき半導体素子の近傍位置に、前記半導
体素子の特性を測定する測定回路の設定に必要な多数の
レリーと各種受動素子・能動素子を配設したテストヘッ
ドと、前記リレーを制御するリレービットと、前記半導
体素子の出力値を測定する測定器と、各種電源及び発振
器を配設したテスターと前記テストヘッドとテスターを
接続するケーブルとから構成される半導体素子特性測定
装置において、前記リレービットの数を越えるリレーを
それぞれ独立に制御する為に、前記テスター中にプログ
ラム的に制御可能な高精度の電源を前記テストヘッド上
にA/Dコンバータをそれぞれ配設したことを特徴とす
る半導体素子特性測定装置。
A test head is provided near a semiconductor element whose characteristics are to be measured, and a test head is provided with a large number of relays and various passive and active elements necessary for setting up a measurement circuit for measuring the characteristics of the semiconductor element, and a test head that controls the relays. In a semiconductor device characteristic measuring device comprising a relay bit, a measuring device for measuring the output value of the semiconductor device, a tester equipped with various power sources and oscillators, and a cable connecting the test head and the tester, the relay In order to independently control relays exceeding the number of bits, a programmably controllable high-precision power source is provided in the tester, and an A/D converter is provided on the test head, respectively. Device characteristic measurement device.
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