JPH04196424A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JPH04196424A JPH04196424A JP32808690A JP32808690A JPH04196424A JP H04196424 A JPH04196424 A JP H04196424A JP 32808690 A JP32808690 A JP 32808690A JP 32808690 A JP32808690 A JP 32808690A JP H04196424 A JPH04196424 A JP H04196424A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はＬＳＩの高信頼性を可能にする半導体装置の洗
浄方法。
浄方法。
［従来の技術］
ＭＯＳＦＥＴからなるＬＳＩの洗浄方法において、ＬＳ
Ｉ基板の洗浄はＨＦで自然酸化膜を除去後、アンモニア
過水洗浄し水洗しているが８１基板表面の化学的酸化膜
中には微量金属、パーティクルが存在する。
Ｉ基板の洗浄はＨＦで自然酸化膜を除去後、アンモニア
過水洗浄し水洗しているが８１基板表面の化学的酸化膜
中には微量金属、パーティクルが存在する。
［発明が解決しようとする課題］
従来の方法では、ＨＦ、アンモニア過水洗浄により八ε
、Ｆｅ等の微量金属汚染を誘発する。またＨＦ洗浄だけ
ではパーティクルが増大し、ゲート膜耐圧やＴＤＤＢ特
性に影響を及ぼし、ＬＳＩの信頼性が損われた。
、Ｆｅ等の微量金属汚染を誘発する。またＨＦ洗浄だけ
ではパーティクルが増大し、ゲート膜耐圧やＴＤＤＢ特
性に影響を及ぼし、ＬＳＩの信頼性が損われた。
本発明は従来の欠点を補うため、アンモニア過水からの
金属汚染を希薄ＨＦ／Ｈ２０で除去し、ドライ洗浄する
ことで汚染、パーティクルの少ない高信頼性ＬＳＩを可
能にする半導体装置の提供を目的とする。
金属汚染を希薄ＨＦ／Ｈ２０で除去し、ドライ洗浄する
ことで汚染、パーティクルの少ない高信頼性ＬＳＩを可
能にする半導体装置の提供を目的とする。
［課題を解決するための手丁没１
アンモニア過水洗浄により、ウェハー表面へのパーティ
クルを抑制する。アンモニア過水から取り込まれる金属
物質を希薄１−ＩＦ／Ｈ２０溶液でライトエッチするこ
とにより、ウェハー表面上の金属汚染を除去する。この
時アンモニア過水洗浄で形成された自然酸化膜は残存し
ている。最終的に、ＨＦドライ洗浄により自然酸化膜を
除去し、パーティクル付着と金ＪＩＥ汚染の少ないウェ
ハー表面とすることができる。
クルを抑制する。アンモニア過水から取り込まれる金属
物質を希薄１−ＩＦ／Ｈ２０溶液でライトエッチするこ
とにより、ウェハー表面上の金属汚染を除去する。この
時アンモニア過水洗浄で形成された自然酸化膜は残存し
ている。最終的に、ＨＦドライ洗浄により自然酸化膜を
除去し、パーティクル付着と金ＪＩＥ汚染の少ないウェ
ハー表面とすることができる。
［実 施 例］
第１図〜第３図を用いて本発明の実施例を示す、第１図
は、アンモニア過水洗浄により約１０程度度の酸化１１
ｉ１が形成される。金属物質特に八ε、Ｆｅはこの酸化
膜中に酸化物２として５ｉＯ１表面近傍に存在している
。ウェハー表面は親水性であり、パーティクル付着が少
ない、第２図は希薄ＨＦ／Ｈ２Ｏ（１： ４００室温１
０秒）で酸化膜１をエツチングする。成長した酸化膜１
をライトエツチングすることにより、初期に汚染した５
ｉＯ＝表面のＡＩ２やＦｅの金属酸化物２を除去できる
。また水洗浄により残った金属化合物をある程度流し落
とす。ウェハー表面は酸化膜が残存するため親水性であ
り、パーティクルが付着し難い状態である。第３図はＨ
Ｆ蒸気による気相ドライ洗浄後の断面図である。希薄Ｈ
Ｆ／Ｈ２Ｏでエツチングし残った酸化ＩＩＩを完全に除
去することが出来る。従って、金属汚染、自然酸化膜及
びパーティクルの少ない清浄な表面となり得る。
は、アンモニア過水洗浄により約１０程度度の酸化１１
ｉ１が形成される。金属物質特に八ε、Ｆｅはこの酸化
膜中に酸化物２として５ｉＯ１表面近傍に存在している
。ウェハー表面は親水性であり、パーティクル付着が少
ない、第２図は希薄ＨＦ／Ｈ２Ｏ（１： ４００室温１
０秒）で酸化膜１をエツチングする。成長した酸化膜１
をライトエツチングすることにより、初期に汚染した５
ｉＯ＝表面のＡＩ２やＦｅの金属酸化物２を除去できる
。また水洗浄により残った金属化合物をある程度流し落
とす。ウェハー表面は酸化膜が残存するため親水性であ
り、パーティクルが付着し難い状態である。第３図はＨ
Ｆ蒸気による気相ドライ洗浄後の断面図である。希薄Ｈ
Ｆ／Ｈ２Ｏでエツチングし残った酸化ＩＩＩを完全に除
去することが出来る。従って、金属汚染、自然酸化膜及
びパーティクルの少ない清浄な表面となり得る。
［発明の効果］
本発明の洗浄方法により得られたＬＳＩは、汚染やパー
ティクルが激減し、ゲート前洗浄、Ｓｉ−エピタキシャ
ル前洗浄、コンタクトホール形成後の洗浄において高信
頼性ＬＳＩを可能にする半導体装置の提供が可能となる
。
ティクルが激減し、ゲート前洗浄、Ｓｉ−エピタキシャ
ル前洗浄、コンタクトホール形成後の洗浄において高信
頼性ＬＳＩを可能にする半導体装置の提供が可能となる
。
第１区、第２区及び第３図はウェハー洗浄表面の断面図
である。 １・・・自然／化学的酸化膜 ２・・・金属汚染物質（金属酸化ｌｌり３・・・５ｉｎ
２／Ｓｉ界面 ４・・・シリコン基板 ５・・・シリコン表面
である。 １・・・自然／化学的酸化膜 ２・・・金属汚染物質（金属酸化ｌｌり３・・・５ｉｎ
２／Ｓｉ界面 ４・・・シリコン基板 ５・・・シリコン表面
Claims (1)
- ＭＯＳＦＥＴからなるＬＳＩの洗浄方法において、Ｌ
ＳＩ基板の洗浄で、アンモニア過水洗浄によりパーティ
クル付着を抑制し、アンモニア過水洗浄からの金属汚染
を、希薄ＨＦ／Ｈ＿２Ｏ溶液でライトエッチすることに
より除去する。その後自然／化学酸化膜を気相ドライ洗
浄にて除去することを特徴とする半導体装置の洗浄方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808690A JPH04196424A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808690A JPH04196424A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196424A true JPH04196424A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18206352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32808690A Pending JPH04196424A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7938911B2 (en) * | 2007-07-04 | 2011-05-10 | Siltronic Ag | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32808690A patent/JPH04196424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7938911B2 (en) * | 2007-07-04 | 2011-05-10 | Siltronic Ag | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution |
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