JPH04187873A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
イオンブレーティングやスパッタリング等の真空成膜操
作の際に用いられる真空排気装置に関するものである。
従来の真空排気装置の一例を示したものである。− 図において、各工程が行われるプロセスチャンバ80の
内部には、開閉弁81.82をそれぞれ介してためこみ
式クライオポンプ83およびターボ分子ポンプ(吐出し
式高圧真空ポンプ)84が並列に接続されている。
レッサ86を有するガス冷凍機85と、このガス冷凍機
85により80K(ケルビン)および20Kまでそれぞ
れ冷却される閃絡の80にパネルおよび20にパネルと
を備え、上記80にパネルでプロセスチャンバ80内の
ガス中の水(N20)を凝縮、除去し、20にパネルで
その他のガス(N2 、02 、 CO,A r等)
を凝縮、除去するように構成されており、水(H2O)
については同口径のターボ分子ポンプ84の7〜8倍の
排気速度を有している。ターボ分子ポンプ84は、補助
引きポンプ87とともに、上記水(N20)に限らず、
はとんど全種のガスを吸引、除去することが可能なもの
である。
ポンプ83による吸引口を内方から覆う位置には水冷バ
ッフル88が設けられ、これによって、上記プロセスチ
ャンバ80内の熱源からの輻射熱からクライオポンプ8
3の極低温面が保護されている。
ィングのサイクル工程の一例を第9図に基づいて説明す
る。
プロセスP1)とともに、双方の仕切り弁81,82を
開き、クライオポンプ83およびターボ分子ポンプ84
の双方でプロセスチャンバ80内を10 ’Tour台
まで真空排気しくプロセスP2)、さらにヒータの加熱
によってワークの予熱を行う(プロセスP3)。
の排気を行いながら、ボンバード(プロセスP4)およ
びコーティング(プロセスP5)を行い、その後、仕切
り弁81を開いて上記ターボ分子ポンプ84およびクラ
イオポンプ83の双方で排気しながらワークを冷却する
(プロセスP6)。上記プロセスP4.P5でターボ分
子ポンプ84のみの排気を行っているのは、このプロセ
スP4.P5で大量のプロセスガス(例えばTiN薄膜
コーティングを行う場合はN2ガス)が導入されるので
、上記仕切り弁81を開くと上記大量のプロセスガスを
クライオポンプ83の20にパネルが短時間で吸着し、
直ぐにオーバーフローしてしまい、再生が必要になるた
めである。
プロセスP7)、ワークを取出して(プロセスPa)プ
ロセスチャンバ80内の清掃を行う(プロセスPa)。
切り弁91を介してコールドトラップ92、ターボ分子
ポンプ96、および補助引きポンプ97が直列に接続さ
れており、コールドトラップ92およびターボ分子ポン
プ96は上下に並べて配列されている。コールドトラッ
プ92は、ドーナツ型の容器93を有し、この容器93
内に収容された液体窒素94によって、中央に配された
多数のシェブロン95を冷却し、これらシェブロン95
によって、通過する排ガス中の水分を凝縮、除去するよ
うに構成されている。
おける20にパネルのオーバーフローを防ぐために、上
記プロセスP 4 * P 5においてクライオポン
プ83を使用することができず、クライオポンプの特徴
である、水に対する高排気能力を活かすことができない
。すなわち、このクライオポンプ83は水に関して同口
径のターボ分子ポンプ84の7〜8倍の排気速度を有す
る一方、この水分は基板表面の汚染、ひいては膜質の低
下の原因となる重要な要素であるため、この水分を強力
に排気する上記クライオポンプ83の使用を制限するこ
とは多大なロスとなる。
クライオポンプ83とターボ分子ポンプ84とを並列に
接続して2つの仕切り弁81,82を設けなければなら
ないので、構造および操作が複雑となり、コスト高にも
なり易い。
ップ92が水分しか吸着しないので、このコールドトラ
ップ92とターボ分子ポンプ96を直列に接続して仕切
り弁91を1つで済ますことが可能だが、上記コールド
トラップ92は液体窒素を扱うものであるため、全体の
配置は第9図に示されるような垂直方向の配置、すなわ
ちドーナツ型の容器92の中にガスを通し、その下方か
らターボ分子ポンプ96で吸引を行う完全な直列配置に
自ずと限定されることになる。
到達するまでに、このガス中に含まれる水分の略100
%がコールドトラップ92で凝縮されてしまうので、タ
ーボ分子ポンプ96を水分の除去に寄与させることがで
きない。従って、上記第7図に示される装置のようにク
ライオポンプ83とターボ分子ポンプ84の双方で水分
の除去を行うものに比べ、この水分の除去に関しては効
率が悪くなる。
く真空排気を行うことができる装置を提供することを、
目的とする。
気を行う吐出し式真空ポンプと、この吐出し式真空ポン
プと上記プロセスチャンバとの間の通路を開閉する開閉
弁とを備えるとともに、この開閉弁と上記吐出し式真空
ポンプの間の位置で、かつ上記プロセスチャンバと吐出
し式真空ポンプとを直結する通路を残す位置に、運転圧
力下での水(H2O)の凝縮温度よりも低くかつ水
。
度をもつトラップを設けたものである(請求項1)。
見て死角となる位置に設けることにより、後述のように
、より優れた効果が得られる(請求項2)。
ップによって凝縮され、除去されるとともに、吐出し式
真空ポンプによっても直結通路を通じて排気される。す
なわち、上記水分は、常時トラップおよび吐出し式真空
ポンプの双方で排気されることになり、その他の成分は
吐出し式真空ポンプで排気される。しかも、上記トラッ
プにおける冷却温度は水分以外のガスの凝縮温度よりも
高く設定されているので、大量のプロセスガス等が導入
されても、これによってトラップにオーバーフローが生
じることがない。
バ内のヒータ等の熱源からの輻射熱がトラップまで届か
ないので、このトラップを保護するための水冷バッフル
等が不要になる。
る。
ングやスパッタリング等の工程が実行されるプロセスチ
ャンバであり、このプロセスチャンバ10の内部には、
仕切り弁(開閉弁)12およびL型マニホールド14を
介してターボ分子ポンプ16および補助引きポンプ18
が接続されている。上記し型マニホールド14は下向き
に配されており、このL型マニホールド14の下端部に
上記ターボ分子ポンプ16が取付けられている。
方に延びる導出管22を介してクライオトラップ20が
接続されている。
トラップケース24.1段冷凍機(1段膨脹室および1
段蓄冷器のみを備えた冷凍機)25、および伝熱リング
27を備え、上記トラップケース24が上記導出管22
に接続された状態で、このトラップケース24の中に伝
熱リング27が収納されている。この伝熱リング27は
、上記1段冷凍機25に接続されており、この伝熱リン
グ27の内側面には多数の凝縮パネル28が周方向に沿
って配設されている。
ムガスコンプレッサ30が接続され、この1段冷凍機2
5によって上記伝熱リング27が冷却されることにより
、この伝熱リング27に固定された各吸着パネル28が
所定温度に保持されるようになっている。
の凝縮温度よりも低く、かつ他のガスの凝縮温度よりも
高い温度に設定される。具体的に、この実施例では、T
iN薄膜等、窒化物プロセスの場合、水分の平衡蒸気圧
が約10〜1o−10Tor+となる温度(約130°
K)よりも低く、かつ窒素ガス(N ”)の平衡蒸気
圧が約10−9〜10” Torrとなる温度(約25
〜30K)よりも高い温度に設定される。
ンバーθ内から見て死角となる位置に設定されている。
のような角度で外側を覗いても上記クライオトラップ2
0の凝縮パネル28が見えることのないように上記導出
管22の導出寸法!(第3図)が設定されている。
おいて、停電時等、冷却能力が無くなった場合に液化し
た水分を取出すためのドレン口である。
分子ポンプ16を作動させてプロセスチャンバ10内の
ガスを吸引すると、このガス中の水分が導出管22を介
してクライオトラップ20により凝縮、除去されるが、
上記プロセスチャンバ10とターボ分子ポンプ16とを
直結する通路も確保されているので、上記クライオトラ
ップ20のみにより水分が除去されるわけではなく、一
部の水分はターボ分子ポンプ16によっても直接吸引、
除去される。すなわち、ガス中の水分はクライオトラッ
プ20およびターボ分子ポンプ16の双方で除去される
。
20で凝縮されずにこれをす通りし、専らターボ分子ポ
ンプ16によって吸引、除去される。クライオトラップ
20の凝縮パネル28の温度は水分しか凝縮しない温度
に設定されているためである。従って、プロセスチャン
バ10内に大量のプロセ゛スガスが導入されている場合
でも、クライオトラップ20にオーバーフローが生じる
ことはない。
るようなアークイオンプレーティング工程を実行する場
合でも、同図のプロセスP2〜P6までの工程でターボ
分子ポンプ16およびクライオトラップ20の双方によ
って不都合なく真空排気を行うことができ、真空排気効
率および水分除去の大幅な向上を図ることができる。ま
た、この配置では仕切り弁12が一つで十分であるため
、構造および操作手順が簡略化される。
見て死角となる位置にクライオトラップ20があるので
、プロセスチャンバ10内のヒータ等により発生する熱
はクライオトラップ20に輻射伝達されず、このため、
水冷バッフル等の特別な手段を用いなくてもクライオト
ラップ20を熱的に保護することができる。
すると、これに伴って同トラップ20の表面温度が上昇
するので、この温度が、水の平衡蒸気圧が10 ’To
tr台に達する温度(約130°C以上の温度)となっ
た時点で、クライオトラップ20の再生を行うことが望
ましい。その具体的な手順としては、まずヘリウムガス
コンプレッサ30および1段冷凍機25をオフに切換え
てクライオトラップ20を昇温させ、次いでターボ分子
ポンプ16および補助引きポンプ18を作動させて、ト
ラップ面から再放出されるガス(すなわち水蒸気)を吸
引、排出するようにすればよい。
えられる。例えば、第5図に示されるようにプロセスチ
ャンバ10にT型マニホールド32を配し、その上端に
クライオトラップ20を取付け、下端にターボ分子ポン
プ16を取付けるようにしても、クライオトラップ20
を上記死角に逃がすことができる。ただし、この構造の
場合、停電等のアクシデントによって冷却源が切られ、
クライオトラップ20の温度が常温近くまで戻ると、こ
のクライオトラップ20に凝縮されていた水分が液化し
、停止しているターボ分子ポンプ16に滴下するおそれ
があるのに対し、第1図〜第3図に示したようにクライ
オトラップ20を側方に逃がすようにすれば、ドレン口
26から水抜きを行うことが可能となるため、その分有
利となる。
うな凝縮パネル28を有するクライオトラップ20に代
えてクライオコイル36を用いている。このクライオコ
イル36は、上記実施例と同様の導出管22に接続され
たハウジング38内に収納され、その内部には冷凍機3
4で冷却された冷媒が循環されるようになっている。
を前記と同様の値に設定することにより、同じく優れた
効果を得ることができる。
上記ターボ分子ポンプ16の他、油拡散ポンプ等、種々
のガスを吸引、排気することができるポンプを用いるこ
とにより上記効果が得られるものである。
し式真空ポンプを接続し、両者の間の位置で、かつ両者
を直結する通路を残す位置にトラップを設け、このトラ
ップの凝縮部の温度を、運転圧力下での水分の凝縮温度
よりも低くかつ水分以外の使用ガスの凝縮温度よりも高
い温度としたものであるので、プロセスガス等の導入に
よるトラップのオーバーフローといった不都合を伴うこ
となく、常時トラップと吐出し式真空ポンプの双方でプ
ロセスチャンバ内の真空排気を行うことができ、これに
より真空排気効率および水分除去の大幅な向上を図ると
ともに、開閉弁を単一にすることを可能にして構造およ
び操作手順の簡略化を図ることができる効果がある。
上記プロセスチャンバ内から見て死角となる位置に設け
ることにより、水冷バッフル等の特別な手段を用いるこ
となく、上記トラップをプロセスチャンバ内のヒータ等
の熱源による輻射熱から保護することができる効果があ
る。
断面正面図、第2図は同装置の一部断面側面図、第3図
は同装置の断面平面図、第4図は同装置に設けられたク
ライオトラップの断面側面図、第5図は同クライオトラ
ップの他の配置例を示す一部断面正面図、第6図は第2
実施例における真空排気装置の一部断面正面図、第7図
は従来の真空配置装置の一例を示す断面正面図、第8図
は同装置において実行されるアークイオンブレーティン
グの工程を示すサイクル工程図、第9図は従来の真空排
気装置の他の例を示す断面正面図である。 10・・・プロセスチャンバ、12・・・仕切り弁(開
閉弁)、14・・・L型マニホールド、16・・・ター
ボ分子ポンプ(吐出し式真空ポンプ)、20・・・クラ
イオトラップ、22・・・導出管、28・・・凝縮パネ
ル、36・・・クライオコイル(トラップ)。 特許出願人 株式会社 神戸製鋼所代 理 人
弁理士 小谷 悦司同 弁理
士 長1) 玉箱 3 図 第 4 図 第 5 図 第 8 図 第 9 図 ソb 平成 3年 5月13日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、プロセスチャンバの内部に接続され、その排気を行
う吐出し式真空ポンプと、この吐出し式真空ポンプと上
記プロセスチャンバとの間の通路を開閉する開閉弁とを
備えるとともに、この開閉弁と上記吐出し式真空ポンプ
の間の位置で、かつ上記プロセスチャンバと吐出し式真
空ポンプとを直結する通路を残す位置に、運転圧力下で
の水(H_2O)の凝縮温度よりも低くかつ水(H_2
O)以外の使用ガスの凝縮温度よりも高い冷却温度をも
つトラップを設けたことを特徴とする真空排気装置。 2、請求項1記載の真空排気装置において、上記トラッ
プを、上記プロセスチャンバ内から見て死角となる位置
に設けたことを特徴とする真空排気装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2316278A JPH0774635B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 真空排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2316278A JPH0774635B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 真空排気装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04187873A true JPH04187873A (ja) | 1992-07-06 |
JPH0774635B2 JPH0774635B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18075328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2316278A Expired - Lifetime JPH0774635B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 真空排気装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0774635B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07279888A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Applied Materials Inc | 真空排気装置 |
JP2003065229A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Sony Corp | 真空排気装置及びそれを備えた真空処理装置 |
JP2011033007A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Shinmaywa Industries Ltd | 真空排気装置および真空排気装置の使用方法 |
KR20170083487A (ko) * | 2016-01-08 | 2017-07-18 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 크라이오펌프 |
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---|---|---|---|---|
JPS6352255U (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-08 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2316278A patent/JPH0774635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6352255U (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-08 |
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US10550830B2 (en) | 2016-01-08 | 2020-02-04 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Cryopump |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0774635B2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
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