JPH04186430A - Address forming system for control storage device - Google Patents

Address forming system for control storage device

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JPH04186430A
JPH04186430A JP31643090A JP31643090A JPH04186430A JP H04186430 A JPH04186430 A JP H04186430A JP 31643090 A JP31643090 A JP 31643090A JP 31643090 A JP31643090 A JP 31643090A JP H04186430 A JPH04186430 A JP H04186430A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
storage device
control
control storage
addresses
Prior art date
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Pending
Application number
JP31643090A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kumagai
熊谷 多加史
Takashi Nagai
隆 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH04186430A publication Critical patent/JPH04186430A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To rapidly execute processing within the range of addresses overlappedly held in each mounting unit of a control storage device by constituting the control storage device of plural mounting units and overlappedly holding a prescribed range of addresses in each mounting unit. CONSTITUTION:Each of semiconductor chips 1 to 3 to be plural mounting units is constituted of an address overlapping register 14 for overlappedly holding the prescribed range of addresses and a selector 15 for selecting address data. Data for one word, e.g. address data indicating the succeeding address in control data, are stored in the chip 1 and its partial addresses are overlappedly stored also in the chips 2, 3. In the case of forming addresses within overlapped b bits, the b bits of the overlapped addresses are read out from a RAM 12, selected by the selector 15 and then stored in the register 14. Since the succeeding address is formed in the chip 1 and said operation is executed in the same mounting unit, rapid operation can be executed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、制御記憶装置におけるアドレス生成方式に関
し、特に小規模な情報処理装置において、アドレスデー
タの一部重複保持によって高速動作か可能とされる制御
記憶装置のアドレス生成方式に適用して有効な技術に関
する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an address generation method in a control storage device, and particularly in a small-scale information processing device, high-speed operation is possible by partially overlapping address data. This invention relates to a technique that is effective when applied to an address generation method for a control storage device.

[従来の技術] 一般に、情報処理装置は少なくとも制御記憶装置を備え
、制御記憶装置に格納されたデータ(マイクロ命令)を
読み出し、情報処理装置から成される装置の制御を行っ
ている。
[Prior Art] Generally, an information processing device includes at least a control storage device, and reads data (microinstructions) stored in the control storage device to control a device made up of the information processing device.

また、このような情報処理装置においては益々高速化の
傾向にあり、それに伴い制御記憶装置も高速化が要求さ
れている。たとえば、高速化の処理技術としては半導体
メモリの高速化か考えられるが、半導体メモリの容量ま
たは経済面における制約か大きい。
Further, there is a trend toward faster speeds in such information processing devices, and accordingly, there is a demand for faster speeds in control storage devices as well. For example, one conceivable way to increase the speed of processing is to increase the speed of semiconductor memory, but this is largely due to limitations in the capacity or economics of semiconductor memory.

また、特公昭56−12903号公報に記載されるよう
に、半導体メモリの所定の範囲を高速にし、高速と低速
とを併用するという処理技術も開示されている。しかし
ながら、この併用処理においても高速化の要求に対して
は自ずと限界かある。
Further, as described in Japanese Patent Publication No. 56-12903, a processing technique is disclosed in which a predetermined range of a semiconductor memory is made high speed and high speed and low speed are used together. However, even in this combined processing, there is a limit to the demand for higher speed.

以上のように、制御記憶装置の高速化には種々の障害か
あり、たとえばその理由の一つにアドレスの生成処理か
挙げられる。
As described above, there are various obstacles to increasing the speed of the control storage device, and one of the reasons is the address generation process.

一般的に制御記憶装置のアドレスの生成は、前に読み出
されたデータにより指定され、読み出されたデータをア
ドレスラッチに格納するループ処理か行われている。こ
の場合に、制御記憶装置は複数の実装基板または半導体
チップで作られるのか一般的である。
In general, the generation of the address of the control storage device is specified by previously read data, and a loop process is performed in which the read data is stored in an address latch. In this case, the control memory device is generally made of a plurality of mounting boards or semiconductor chips.

[発明が解決しようとする課題] ところが、前記のような従来技術においては、次のアド
レスがループ処理によって生成されるために、ループの
遅延時間(実装デイレイ)か制御記憶装置の読み出しサ
イクルの高速化を妨げる要因となることがある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-mentioned conventional technology, since the next address is generated by loop processing, the delay time of the loop (implementation delay) or the high speed of the read cycle of the control storage device is It may become a factor that hinders the

また、制御記憶装置か複数の実装基板または半導体チッ
プで作られる場合には、構成上における実装的な広がり
か大きく、実装デイレイの短縮には自ずと制約ができて
しまう。
Furthermore, if the control memory device is made of a plurality of mounting boards or semiconductor chips, there is a large scope for mounting the structure, which naturally limits the reduction of the mounting delay.

従って、従来のアドレス生成方式においては、高速化が
要求される情報処理装置に良好に適用てきないという問
題かある。特に、小規模な情報処理装置においては大き
な課題となっている。
Therefore, the problem with the conventional address generation method is that it cannot be well applied to information processing devices that require high speed. In particular, this is a big problem in small-scale information processing devices.

そこで、本発明の目的は、制御データの格納範囲を確保
し、所定範囲のアドレスデータの重複保持によって高速
動作か可能とされる制御記憶装置のアドレス生成方式を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an address generation method for a control storage device that secures a storage range for control data and enables high-speed operation by duplicating address data in a predetermined range.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[課題を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
[Means for Solving the Problems] Among the inventions disclosed in this application, a brief overview of typical inventions is as follows.

すなわち、本発明の制御記憶装置のアドレス生成方式は
、少なくとも制御命令を格納する制御記憶装置を備え、
この制御記憶装置から読み出された制御命令中の情報を
もとに次に読み出すべき制御命令のアドレスを生成する
制御記憶装置のアドレス生成方式であって、制御記憶装
置か複数の実装単位によって構成され、実装単位毎にア
ドレスの所定の範囲を重複して保持するものである。
That is, the address generation method for a control storage device of the present invention includes a control storage device that stores at least a control instruction,
An address generation method for a control storage device that generates the address of the next control instruction to be read based on the information in the control instruction read from the control storage device, and is configured by the control storage device or multiple implementation units. A predetermined range of addresses is held redundantly for each implementation unit.

この場合に、重複して保持された範囲以上のアドレスを
指定する時は、制御命令の読出しを1回止め、実装単位
間でアドレス転送を行ってアドレスの指定を行うように
するものである。
In this case, when specifying an address beyond the overlapped range, the reading of the control command is stopped once and the address is transferred between mounting units to specify the address.

また、重複して保持された範囲以上のアドレスを指定す
る時は、指定するアドレスを読み出す1回前の制御命令
のアドレスを指定するものである。
Furthermore, when specifying an address beyond the overlapped range, the address of the control instruction immediately before reading the specified address is specified.

[作用] 前記した制御記憶装置のアドレス生成方式によれば、制
御記憶装置の複数の実装単位毎にアドレスの所定の範囲
を重複して保持することにより、制御記憶装置の各実装
単位内において、重複して保持されたアドレス範囲内の
処理を高速に行うことかてきる。これにより、制御記憶
装置の全体的な高速化を実現することがてきる。
[Operation] According to the above-described control storage device address generation method, by duplicating and holding a predetermined range of addresses for each of a plurality of control storage device mounting units, within each control storage device mounting unit, Processing within the address range that is held redundantly can be performed at high speed. This makes it possible to achieve overall speeding up of the control storage device.

また、重複して保持された所定範囲以上のアドレスを指
定する時に、制御命令の読出しを1回止めて実装単位間
でアドレス転送を行ってアドレスを指定するか、または
指定するアドレスを読み出す1回前の制御命令のアドレ
スを指定することにより、各実装単位間においても十分
な処理速度を得ることかできる。これにより、指定頻度
の少ない所定範囲外のアドレス生成においても、従来の
処理速度を確保することかできる。
In addition, when specifying an address exceeding a predetermined range that is held overlappingly, either stop reading the control command once and transfer the address between implementation units to specify the address, or read the specified address once. By specifying the address of the previous control instruction, sufficient processing speed can be obtained even between each implementation unit. This makes it possible to maintain the conventional processing speed even when generating addresses outside the predetermined range that are rarely specified.

[実施例コ 第1図は本発明の制御記憶装置のアドレス生成方式の一
実施例である制御記憶装置を示す構成図、第2図は本実
施例の制御記憶装置における制御データの1ワ一ド分を
示す説明図、第3図(a)〜(C)は本実施例における
動作を示すタイムチャートである。
[Embodiment] Fig. 1 is a block diagram showing a control storage device which is an embodiment of the address generation method of the control storage device of the present invention, and Fig. 2 is a block diagram showing one word of control data in the control storage device of this embodiment. FIGS. 3A to 3C are time charts showing operations in this embodiment.

まず、第1図により本実施例の制御記憶装置の構成を説
明する。
First, the configuration of the control storage device of this embodiment will be explained with reference to FIG.

本実施例の制御記憶装置は、複数の実装単位として3つ
の半導体チップ1,2.、.3か実装される制御記憶装
置とされ、たとえば半導体チップ1か、重複分を除いた
アドレスをラッチするアドレスレジスタ11と、制御プ
ログラムを格納するRAM12と、読み出しデータを格
納するデータレジスタ13と、本発明の特徴であるアド
レスの所定範囲を重複して保持するアドレス重複レジス
タ14と、アドレスデータを選択するセレクタ15とか
ら構成され、半導体チップ2.3も同様の構成となって
いる。
The control storage device of this embodiment includes three semiconductor chips 1, 2 . ,. For example, the semiconductor chip 1 includes an address register 11 that latches addresses excluding duplicates, a RAM 12 that stores a control program, a data register 13 that stores read data, and It consists of an address duplication register 14 that holds a predetermined range of addresses in duplicate, which is a feature of the invention, and a selector 15 that selects address data, and the semiconductor chip 2.3 has a similar structure.

そして、以上のように構成される制御記憶装置において
、制御データの1ワ一ド分、たとえば第2図に示すよう
に制御データの次のアドレスを示すアドレスデータは半
導体チップlに格納され、その一部のアドレスが重複し
て半導体チップ2゜3にも保持されている。
In the control storage device configured as described above, one word of control data, for example address data indicating the next address of the control data as shown in FIG. 2, is stored in the semiconductor chip l. Some addresses are duplicated and also held in the semiconductor chip 2.3.

この場合に、制御記憶の容量をアドレス付けするのに必
要なビット数をCビットとすると、これかアドレスデー
タのビット幅となり、Cビットの内、重複して保持され
るビット数かbヒント、残りかCビットとなる。
In this case, if the number of bits required to address the control memory capacity is C bits, then this is the bit width of the address data, and the number of bits that are held redundantly among C bits is b hint, The remaining bit is C bit.

次に、本実施例の作用について第3図に基づいて説明す
る。
Next, the operation of this embodiment will be explained based on FIG. 3.

まず、アドレスの生成か重複分のbピット内で行われる
場合には、第3図(a)に示すように重複分のアドレス
のbビットかRAM12より読み出され、セレクタ15
で選択された後にアドレス重複レジスタ14へ格納され
る。
First, when an address is generated in the b pit of the overlapped portion, the b bit of the overlapped address is read out from the RAM 12 and selected by the selector 15, as shown in FIG. 3(a).
After being selected, the address is stored in the address duplication register 14.

これにより、次のアドレスか半導体チップ1内で生成さ
れ、この動作か同−実装単位内で行われるので高速動作
か可能となる。また、この処理は他の実装単位である半
導体チップ2.3内でも同じように高速処理される。
As a result, the next address is generated within the semiconductor chip 1, and this operation is performed within the same packaging unit, making high-speed operation possible. Further, this processing is similarly performed at high speed within the semiconductor chip 2.3 which is another packaging unit.

一方、重複分のbビットより大きい範囲にアドレス付け
する場合には、データレジスタ13より他の各半導体チ
ップ2,3ヘアドレスデータか送出され、aビット分は
アドレスレジスタ11へ格納され、bビット分はセレク
タ15を介してアドレス重複レジスタ14へ格納される
On the other hand, when addressing a range larger than the overlapping b bits, address data is sent from the data register 13 to each of the other semiconductor chips 2 and 3, the a bits are stored in the address register 11, and the b bits are is stored in the address duplication register 14 via the selector 15.

たとえば、第3図fb)に示すように読出しを1回止め
、半導体チップ1〜3間でアドレス転送を行ってアドレ
スの指定、すなわちアドレスの生成処理を2サイクルか
ける方法があり、この場合には半導体チップ1〜3内で
の処理に比べて時間か必要となるものの、特にビット数
か節約される入出力処理なとで有効である。
For example, as shown in Fig. 3 fb), there is a method in which reading is stopped once and addresses are transferred between semiconductor chips 1 to 3 to designate the address, that is, to generate the address for two cycles. Although it requires more time than processing within the semiconductor chips 1 to 3, it is particularly effective in input/output processing where the number of bits can be saved.

また、第3図(C)のように1回前の読み出しデータで
aビット分のアドレスをアドレスレジスタ11て用意す
る方法については、2サイクル処理に比べて高速処理が
可能となるので、命令処理なとに特に有効である。
Furthermore, as shown in FIG. 3(C), the method of preparing a bit worth of addresses in the address register 11 from the previous read data enables faster processing than 2-cycle processing, so the instruction processing It is especially effective.

このように、次のアドレスが所定の範囲外で生成される
場合においては、データの流れが各半導体チップ1〜3
間を渡ることによって実装デイレイか大きくなり、半導
体チップ1〜3内での処理速度に比べて遅延されるもの
の、この動作はbビット分の容量を越えた時にだけ起こ
るものであり、従って速度上の低減はほとんど無視する
ことができる。
In this way, when the next address is generated outside the predetermined range, the data flow is changed to each semiconductor chip 1 to 3.
Although this increases the mounting delay and delays it compared to the processing speed within the semiconductor chips 1 to 3, this operation only occurs when the capacity for b bits is exceeded, and therefore the speed is reduced. The reduction is almost negligible.

従って、本実施例の制御記憶装置によれば、従来のアド
レスレジスタ11に加えてアドレス重複レジスタ14を
備えることにより、各半導体チップ1〜3内においてア
ドレスの所定の範囲を重複して保持することができるの
で、アドレス範囲内の処理を高速に行うことかできる。
Therefore, according to the control storage device of this embodiment, by providing the address duplication register 14 in addition to the conventional address register 11, it is possible to hold a predetermined range of addresses redundantly in each semiconductor chip 1 to 3. , processing within the address range can be performed at high speed.

また、所定の範囲を越えたアドレスの指定においても、
指定頻度か少ないために無視することか可能となるので
、従来の処理速度を確保することかできる。
Also, when specifying an address that exceeds the specified range,
Since the frequency of specification is low, it is possible to ignore it, so the conventional processing speed can be maintained.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.

たとえば、本実施例の制御記憶装置については、複数の
実装単位として3つの半導体チップ1,2゜3か実装さ
れる場合について説明したか、本発明は前記実施例に限
定されるものてはなく、たとえば2つ、4つ以上の半導
体チップか実装される場合、または半導体チップに代え
て実装基板か実装単位とされる場合などについても広く
適用可能である。
For example, with regard to the control storage device of this embodiment, the case where three semiconductor chips 1,2°3 are mounted as a plurality of mounting units has been described, but the present invention is not limited to the above embodiment. It is widely applicable, for example, to cases where two, four or more semiconductor chips are mounted, or when a mounting board or a mounting unit is used instead of a semiconductor chip.

また、第2図における重複するビット数については、必
要とされる処理速度、データ領域などを考慮して所定の
範囲に設定することが望ましい。
Further, the number of overlapping bits in FIG. 2 is desirably set within a predetermined range in consideration of the required processing speed, data area, etc.

[発明の効果コ 本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
[Effects of the Invention] Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical inventions are briefly explained below.

(1)、制御記憶装置が複数の実装単位によって構成さ
れ、これらの実装単位毎にアドレスの所定の範囲を重複
して保持することにより、制御記憶装置の各実装単位内
において、重複して保持されたアドレス範囲内の処理を
高速に行うことかできるので、制御記憶装置の全体的な
高速化を実現することができる。
(1) The control storage device is configured with multiple implementation units, and by overlappingly retaining a predetermined range of addresses for each of these implementation units, it is possible to maintain redundant addresses within each implementation unit of the control storage device. Since processing within the specified address range can be performed at high speed, the overall speed of the control storage device can be increased.

(2)1重複して保持された所定範囲以上のアドレスを
指定する時には、制御命令の読出しを1回止めて実装単
位間でアドレス転送を行ってアドレスを指定するか、ま
たは指定するアドレスを読み出す1回前の制御命令のア
ドレスを指定することにより、各実装単位間においても
十分な処理速度を得ることかできるので、指定頻度の少
ない所定範囲外のアドレス生成においても従来の処理速
度を確保することかできる。
(2) When specifying an address exceeding a predetermined range that is held in duplicate, stop reading the control command once and transfer the address between implementation units to specify the address, or read the specified address. By specifying the address of the previous control instruction, sufficient processing speed can be obtained even between each implementation unit, so the conventional processing speed can be maintained even when generating addresses outside the predetermined range, which are rarely specified. I can do it.

(3)、前記(1)および(2)により、所定範囲のみ
のアドレスデータの重複によって制御データの格納範囲
が確保され、かつ十分な高速動作か可能とされ、特に小
規模な情報処理装置に良好に適用できる制御記憶装置の
アドレス生成方式を得ることかてきる。
(3) According to (1) and (2) above, the storage range of control data is secured by duplication of address data only within a predetermined range, and sufficient high-speed operation is possible, especially for small-scale information processing equipment. It is possible to obtain a control storage address generation scheme that is well applicable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の制御記憶装置のアドレス生成方式の一
実施例である制御記憶装置を示す構成図、第2図は本実
節゛例の制御記憶装置における制御データの1ワ一ド分
を示す説明図、 第3図(al〜(C)は本実施例における動作を示すタ
イムチャートである。 1〜3・・・半導体チップ(実装単位)、11・・・ア
ドレスレジスタ、I2・・・RAM、13・・・データ
レジスタ、14・・・アドレス重複レジスタ、15・・
・セレクタ。 代理人 弁理士  筒 井 大 和
FIG. 1 is a block diagram showing a control storage device which is an embodiment of the address generation method of the control storage device of the present invention, and FIG. 2 shows one word of control data in the control storage device of this practical example. 3 (al to (C) are time charts showing the operation of this embodiment. 1 to 3...Semiconductor chip (mounting unit), 11...Address register, I2...・RAM, 13...Data register, 14...Address duplication register, 15...
·selector. Agent Patent Attorney Daiwa Tsutsui

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、少なくとも制御命令を格納する制御記憶装置を備え
、該制御記憶装置から読み出された制御命令中の情報を
もとに次に読み出すべき制御命令のアドレスを生成する
制御記憶装置のアドレス生成方式であって、前記制御記
憶装置が複数の実装単位によって構成され、該実装単位
毎にアドレスの所定の範囲を重複して保持することを特
徴とする制御記憶装置のアドレス生成方式。 2、前記重複して保持された範囲以上のアドレスを指定
する時に、前記制御命令の読出しを1回止め、前記実装
単位間でアドレス転送を行ってアドレスの指定を行うこ
とを特徴とする請求項1記載の制御記憶装置のアドレス
生成方式。 3、前記重複して保持された範囲以上のアドレスを指定
する時に、指定するアドレスを読み出す1回前の制御命
令のアドレスを指定することを特徴とする請求項1記載
の制御記憶装置のアドレス生成方式。
[Claims] 1. Control that includes a control storage device that stores at least a control instruction, and generates the address of the control instruction to be read next based on information in the control instruction read from the control storage device. An address generation method for a storage device, wherein the control storage device is constituted by a plurality of mounting units, and each mounting unit holds a predetermined range of addresses in duplicate. method. 2. When specifying an address beyond the overlapped range, the reading of the control command is stopped once, and the address is transferred between the mounting units to specify the address. 1. Address generation method of control storage device according to 1. 3. Address generation for the control storage device according to claim 1, characterized in that when specifying an address beyond the overlapped range, the address of a control instruction immediately before reading the specified address is specified. method.
JP31643090A 1990-11-21 1990-11-21 Address forming system for control storage device Pending JPH04186430A (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128139A (en) * 1984-06-22 1986-02-07 インタ−ナシヨナル コンピユ−タ−ズ リミテツド Data memory

Patent Citations (1)

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JPS6128139A (en) * 1984-06-22 1986-02-07 インタ−ナシヨナル コンピユ−タ−ズ リミテツド Data memory

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