JPH0418523A - 液晶ライトバルブ表示装置 - Google Patents
液晶ライトバルブ表示装置Info
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- JPH0418523A JPH0418523A JP2123274A JP12327490A JPH0418523A JP H0418523 A JPH0418523 A JP H0418523A JP 2123274 A JP2123274 A JP 2123274A JP 12327490 A JP12327490 A JP 12327490A JP H0418523 A JPH0418523 A JP H0418523A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は液晶ライトバルブ表示装置に関し、詳しくは液
晶ライトバルブ表示装置の遮光膜を形成する遮光層に関
する。
晶ライトバルブ表示装置の遮光膜を形成する遮光層に関
する。
［従来の技術］
液晶ライトバルブ表示装置において、表示品質の低下を
防ぐため、対向して設けられた透明ガラス基板の一方の
内面に遮光層が形成されている。
防ぐため、対向して設けられた透明ガラス基板の一方の
内面に遮光層が形成されている。
従来、この遮光層の形成方法は以下のようにしておこな
われていた。すなわち、透明ガラス基板上に透明電極膜
を形成し、この透明電極膜上面にフォトレジストをスピ
ンコード法もしくはロールコータ法により全面に均一に
塗布し、ブレベーク処理後マスク露光法により所定のパ
ターンを焼き付は露光、現像リンスおよびボストベーク
処理後、フォトレジスト層をマスクとして露出している
透明電極膜をエツチング除去しフォトレジスト層を除去
して所定のパターン形成を行なう。
われていた。すなわち、透明ガラス基板上に透明電極膜
を形成し、この透明電極膜上面にフォトレジストをスピ
ンコード法もしくはロールコータ法により全面に均一に
塗布し、ブレベーク処理後マスク露光法により所定のパ
ターンを焼き付は露光、現像リンスおよびボストベーク
処理後、フォトレジスト層をマスクとして露出している
透明電極膜をエツチング除去しフォトレジスト層を除去
して所定のパターン形成を行なう。
さらに、液晶ライトバルブ表示装置として表示品質を高
めるためドツトマトリックス表示の境界部に格子状の遮
光性プラクマトリックスパターンを上記透明電極部に形
成する。この格子状遮光性パターン形成は、感光性アク
リル樹脂にカーボン微粉末、赤色顔料、緑色顔料及び青
色顔料を分散したブラックレジストを上記透明電極膜上
面にスピンコータ法により全面に均一に塗布し、ブレベ
ーク処理後マスク露光法により所定のパターンを焼き付
は露光、現像リンスしてボストベーク処理のフォト・リ
ソグラフィ法にて所定のブラックマトリックスパターン
を形成する。
めるためドツトマトリックス表示の境界部に格子状の遮
光性プラクマトリックスパターンを上記透明電極部に形
成する。この格子状遮光性パターン形成は、感光性アク
リル樹脂にカーボン微粉末、赤色顔料、緑色顔料及び青
色顔料を分散したブラックレジストを上記透明電極膜上
面にスピンコータ法により全面に均一に塗布し、ブレベ
ーク処理後マスク露光法により所定のパターンを焼き付
は露光、現像リンスしてボストベーク処理のフォト・リ
ソグラフィ法にて所定のブラックマトリックスパターン
を形成する。
［発明が解決しようとする課題］
上記の如き従来の液晶ライトバルブ表示装置の形成方法
による格子状の遮光性パターン形成部の周囲は液晶配向
が乱れ表示ムラ及び遮光不良が生じ、コントラスト低下
により表示品質が劣り良好でない。
による格子状の遮光性パターン形成部の周囲は液晶配向
が乱れ表示ムラ及び遮光不良が生じ、コントラスト低下
により表示品質が劣り良好でない。
また、透明電極膜の電極パターン間で遮光性ブラックレ
ジスト層によりライン間リーク不良が生じる欠点を有し
ている。さらに、配向処理時の圧力により遮光層の一部
が欠損あるいは傷が生じ、遮光性不良が生じる欠点があ
った。
ジスト層によりライン間リーク不良が生じる欠点を有し
ている。さらに、配向処理時の圧力により遮光層の一部
が欠損あるいは傷が生じ、遮光性不良が生じる欠点があ
った。
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、表示品質に
優れ、かっ歩留り向上が図れ、しがも遮光特性の良好な
高コントラスト表示を可能にすることができる液晶ライ
トバルブ表示装置を提供することを目的とする。
優れ、かっ歩留り向上が図れ、しがも遮光特性の良好な
高コントラスト表示を可能にすることができる液晶ライ
トバルブ表示装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明は上記した課題を解決するための手段として遮
光層を不透明金属膜を用い、これをフォト・リソグラフ
ィ法により格子状に形成するとともに、不透明金属膜と
透明電極膜とのリーク不良防止のため絶縁層として透明
なシラン化合物を介在させるという手段を講じた。
光層を不透明金属膜を用い、これをフォト・リソグラフ
ィ法により格子状に形成するとともに、不透明金属膜と
透明電極膜とのリーク不良防止のため絶縁層として透明
なシラン化合物を介在させるという手段を講じた。
具体的に述べると、本発明は透明基板と、該基板の一方
の面に格子状に形成された不透明金属層からなる遮光層
と、該遮光層上に絶縁層である透明なシラン化合物がこ
の遮光層の格子間を全面に被うようにして形成され、不
透明金属層の遮光層と透明電極膜がリークしないことを
特徴とする液晶ライトバルブ表示製雪を提供する。
の面に格子状に形成された不透明金属層からなる遮光層
と、該遮光層上に絶縁層である透明なシラン化合物がこ
の遮光層の格子間を全面に被うようにして形成され、不
透明金属層の遮光層と透明電極膜がリークしないことを
特徴とする液晶ライトバルブ表示製雪を提供する。
［作 用１
遮光層が不透明金属層からなるため遮光性の著しい改善
を図ることができた。
を図ることができた。
さらに、遮光層の平坦化により、遮光層周辺の液晶配向
状態が安定し、配向の乱れによる表示ムラ及び遮光不良
が解消でき良好な表示品質の向上ならびに高コントラス
ト表示が実現できる。
状態が安定し、配向の乱れによる表示ムラ及び遮光不良
が解消でき良好な表示品質の向上ならびに高コントラス
ト表示が実現できる。
以下、この発明を図示の実施例を参照して説明する。
［実施例１１
第１図は本発明に係わる液晶ライトバルブ表示装置の断
面を模式的に示すものであって、例えばガラスからなる
透明基板１と、その一方の面に格子状に形成された不透
明金属層からなる遮光層３と、この遮光Ｍ３の上面に絶
縁Ｍである透明なシラン化合物４、透明電極ｌ！５とが
らなっている。
面を模式的に示すものであって、例えばガラスからなる
透明基板１と、その一方の面に格子状に形成された不透
明金属層からなる遮光層３と、この遮光Ｍ３の上面に絶
縁Ｍである透明なシラン化合物４、透明電極ｌ！５とが
らなっている。
なお、対向しているガラスからなる透明基板２と、その
一方の面に二端子アクティブマトリックス素子（ＭＩＭ
）６が形成されている。
一方の面に二端子アクティブマトリックス素子（ＭＩＭ
）６が形成されている。
次に、第２図に示すように、透明基板１の一方の面に例
えばＣｒ３’の金属をスパッタ法により１０００人〜１
５００人の均一な不透明金属膜３′を全面に形成する。
えばＣｒ３’の金属をスパッタ法により１０００人〜１
５００人の均一な不透明金属膜３′を全面に形成する。
この不透明金属膜３′上面にフォトレジストをスピンコ
ータあるいはロールコータにて均一に塗布し、ブレベー
ク処理後マスク露光法により露光、現像リンスおよびボ
ストベーク処理により所定パターンのフォトレジスト層
７を形成する。
ータあるいはロールコータにて均一に塗布し、ブレベー
ク処理後マスク露光法により露光、現像リンスおよびボ
ストベーク処理により所定パターンのフォトレジスト層
７を形成する。
次に、このフォトレジスト層７をマスクとして露出する
部分の金属膜３′をエツチング除去し。
部分の金属膜３′をエツチング除去し。
フォトレジスト層７を除去して、第３図の如く、格子状
パターンの遮光層３を形成する。
パターンの遮光層３を形成する。
次に、第４図に示すように、遮光層３の上面に絶縁層と
なるシラン化合物４であるあＯＣＤ （東京応化（株）
）をスピンコータにより均一に塗布し、ベーク処理後、
膜厚が３０００人程度になるように全面に形成した。
なるシラン化合物４であるあＯＣＤ （東京応化（株）
）をスピンコータにより均一に塗布し、ベーク処理後、
膜厚が３０００人程度になるように全面に形成した。
さらに、第５図に示すように、絶縁層であるシラン化合
物４の上面に透明電極１１１（ＩＴＯ）５であるＩＴＯ
をスパック法により全面に形成した後、この透明電極Ｉ
ＩＩ ５の上面にフォトレジストをスピンコータあるい
はロールコータにて均一に塗布し、ブレベーク処理後マ
スク露光法により露光、現像リンスおよびボストベーク
処理により所定パターンのフォトレジスト層を形成し、
このフォトレジスト層をマスクとして露出しているＩＴ
Ｏ膜をエツチング除去し、フォトレジスト層を除去して
第６図に示す如く、ストライブ状の透明電極５を形成す
る。
物４の上面に透明電極１１１（ＩＴＯ）５であるＩＴＯ
をスパック法により全面に形成した後、この透明電極Ｉ
ＩＩ ５の上面にフォトレジストをスピンコータあるい
はロールコータにて均一に塗布し、ブレベーク処理後マ
スク露光法により露光、現像リンスおよびボストベーク
処理により所定パターンのフォトレジスト層を形成し、
このフォトレジスト層をマスクとして露出しているＩＴ
Ｏ膜をエツチング除去し、フォトレジスト層を除去して
第６図に示す如く、ストライブ状の透明電極５を形成す
る。
最後に第１図に示すように、例えば二端子アクティブ素
子を形成した透明基板との組み合わせにより液晶ライト
バルブ表示装置が形成される。
子を形成した透明基板との組み合わせにより液晶ライト
バルブ表示装置が形成される。
［実施例２］
第１図は本発明に係わる液晶ライトバルブ表示装置の断
面を模式的に示すものであって、例えばガラス基板から
なる透明基板１と、その一方の面に格子状に形成された
不透明金属層からなる遮光層３と、この遮光層３の上面
に絶縁層である透明なシラン化合物４．透明電極膜５と
からなっている。
面を模式的に示すものであって、例えばガラス基板から
なる透明基板１と、その一方の面に格子状に形成された
不透明金属層からなる遮光層３と、この遮光層３の上面
に絶縁層である透明なシラン化合物４．透明電極膜５と
からなっている。
なお、対向しているガラスからなる透明基板２と、その
一方の面に二端子アクティブマトリックス素子（ＭＩＭ
）６が形成されている。
一方の面に二端子アクティブマトリックス素子（ＭＩＭ
）６が形成されている。
次に、第２図に示すように、透明基板１の一方の面に例
えばＮｉ３’の金属をスパッタ法により１０００人〜２
０００人の均一な不透明金属膜３′を全面に形成する。
えばＮｉ３’の金属をスパッタ法により１０００人〜２
０００人の均一な不透明金属膜３′を全面に形成する。
この不透明金属膜３′の上面にフォトレジストをスピン
コータあるいはロールコータにて均一に塗布し、ブレベ
ーク処理後マスク露光法により露光、現像リンスおよび
ボストベーク処理により所定パターンのフォトレジスト
層７を形成する。
コータあるいはロールコータにて均一に塗布し、ブレベ
ーク処理後マスク露光法により露光、現像リンスおよび
ボストベーク処理により所定パターンのフォトレジスト
層７を形成する。
次に、このフォトレジスト層７をマスクとして露出する
部分の金属膜３゛をエツチング除去し、フォトレジスト
層７を除去して、第３図に示す如く、格子状パターンの
遮光層３を形成する。
部分の金属膜３゛をエツチング除去し、フォトレジスト
層７を除去して、第３図に示す如く、格子状パターンの
遮光層３を形成する。
次に、第４図に示すように、遮光層３の上面に絶縁層と
なる透明なシラン化合物４であるセラノ−Ｉ−５Ｇ、セ
ラメートＺＱ、あるいはセラメートＴＡ（触媒化成工業
（株））をスピンコータにより均一に塗布し、ベーク処
理後、膜厚がｌＬＬｍ程度になるように全面に形成した
。
なる透明なシラン化合物４であるセラノ−Ｉ−５Ｇ、セ
ラメートＺＱ、あるいはセラメートＴＡ（触媒化成工業
（株））をスピンコータにより均一に塗布し、ベーク処
理後、膜厚がｌＬＬｍ程度になるように全面に形成した
。
さらに、第５図に示すように、絶縁層である透明なシラ
ン化合物４の上面に透明電極膜（ＩＴＯ）５であるＩＴ
Ｏをスパッタ法により全面に形成した後、この透明電極
膜（ＩＴＯ）５の上面にフォトレジストをスピンコータ
あるいはロールコーにて均一に塗布し、ブレベーク処理
後マスク露光法により露光、現像リンスおよびボストベ
ーク処理により所定パターンのフォトレジスト層を形成
し、このフォトレジスト層をマスクとして露出している
ＩＴＯＩＩｉ５をエツチング除去し、フォトレジスト層
を除去して、第６図に示す如く、ストライブ状の透明電
極５を形成する。
ン化合物４の上面に透明電極膜（ＩＴＯ）５であるＩＴ
Ｏをスパッタ法により全面に形成した後、この透明電極
膜（ＩＴＯ）５の上面にフォトレジストをスピンコータ
あるいはロールコーにて均一に塗布し、ブレベーク処理
後マスク露光法により露光、現像リンスおよびボストベ
ーク処理により所定パターンのフォトレジスト層を形成
し、このフォトレジスト層をマスクとして露出している
ＩＴＯＩＩｉ５をエツチング除去し、フォトレジスト層
を除去して、第６図に示す如く、ストライブ状の透明電
極５を形成する。
最後に第１図に示すように２例えば二端子アクティブマ
トリックス素子を形成した透明基板との組み合わせによ
り液晶ライトバルブ表示装置が形成される。
トリックス素子を形成した透明基板との組み合わせによ
り液晶ライトバルブ表示装置が形成される。
［発明の効果］
本発明によれば、遮光層として不透明金属膜をエツチン
グによりパターン化して透明電極を形成する際に、遮光
層と透明電極膜とのリーク不良が防止でき、しかも耐酸
性、耐アルカリ性及び耐薬品性に冨んだ遮光層を形成す
ることができる。
グによりパターン化して透明電極を形成する際に、遮光
層と透明電極膜とのリーク不良が防止でき、しかも耐酸
性、耐アルカリ性及び耐薬品性に冨んだ遮光層を形成す
ることができる。
したがって、本発明によれば極めて良好な遮光性及び良
好な液晶配向を有する高信頼性ならびに高コントラスト
の表示品質にすぐれる液晶ライトバルブ表示装置を提供
することができる。
好な液晶配向を有する高信頼性ならびに高コントラスト
の表示品質にすぐれる液晶ライトバルブ表示装置を提供
することができる。
第１図は本発明に係わる液晶ライトバルブ表示装置の一
例を模式的に示す断面図、第２図から第５図は本発明の
遮光層の製造例を工程順に示す模式断面図、第６図は本
発明に係わる遮光層および透明電極を示す模式平面図、
第７図は従来例の液晶ライトラルブ表示装置の一例を模
式的に示す断面図である。 １ 、２、２１゜ ３、３′ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ５、２４ ・ ・ ６、２５ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・２３ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・透明基板 ・遮光層 ・シラン化合物 ・透明電極膜 ・二端子アクティブ マトリックス素子 ・フォトレジスト層 ・着色ブラック遮光 層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）￥２０ ′１３１か 嘆ム１ｂ
例を模式的に示す断面図、第２図から第５図は本発明の
遮光層の製造例を工程順に示す模式断面図、第６図は本
発明に係わる遮光層および透明電極を示す模式平面図、
第７図は従来例の液晶ライトラルブ表示装置の一例を模
式的に示す断面図である。 １ 、２、２１゜ ３、３′ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ５、２４ ・ ・ ６、２５ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・２３ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・透明基板 ・遮光層 ・シラン化合物 ・透明電極膜 ・二端子アクティブ マトリックス素子 ・フォトレジスト層 ・着色ブラック遮光 層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）￥２０ ′１３１か 嘆ム１ｂ
Claims (5)
- （１）透明基板と該基板の一方の面に格子状にフォト・
リソグラフィ法でパターン形成された遮光層と、この遮
光層の格子を被うような透明なシラン化合物からなる保
護層及び透明電極膜がこの順で積層したことを特徴とす
る液晶ライトバルブ表示装置。 - （２）フォト・リソグラフィ法でパターン形成された層
が不透明金属層であることを特徴とする請求項１記載の
液晶ライトバルブ表示装置。 - （３）不透明金属層がＣｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｕから
なる金属を主成分とすることを特徴とする請求項１記載
の液晶ライトバルブ表示装置。 - （４）シラン化合物が一般式ＲＳｉ（ＯＲ′）ｎ（式中
、ＲおよびＲ′は同一または異なる有機基を示す）で表
わされるオルガノシランであり、その膜厚が０．１μｍ
〜２μｍ程度であることを特徴とする請求項１記載の液
晶ライトバルブ表示装置。 - （５）二端子アクティブマトリックスおよび単純マトリ
ックスからなることを特徴とする請求項１記載の液晶ラ
イトバルブ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123274A JPH0418523A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶ライトバルブ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123274A JPH0418523A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶ライトバルブ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418523A true JPH0418523A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14856510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123274A Pending JPH0418523A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 液晶ライトバルブ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0418523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06119714A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Yamaha Corp | ディジタルオーディオテープ再生装置 |
| US9983042B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus for detecting liquid level |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123274A patent/JPH0418523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06119714A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Yamaha Corp | ディジタルオーディオテープ再生装置 |
| US9983042B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus for detecting liquid level |
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