JPH0418264B2 - - Google Patents

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JPH0418264B2
JPH0418264B2 JP59254251A JP25425184A JPH0418264B2 JP H0418264 B2 JPH0418264 B2 JP H0418264B2 JP 59254251 A JP59254251 A JP 59254251A JP 25425184 A JP25425184 A JP 25425184A JP H0418264 B2 JPH0418264 B2 JP H0418264B2
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gas
ion
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gas ion
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Furankusu Korunerisu
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Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
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Publication of JPH0418264B2 publication Critical patent/JPH0418264B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4065Circuit arrangements specially adapted therefor

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第1空間中のガス成分の濃度を規定
するためのガス分析装置に関するものである。
この分析装置において、少なくとも壁の一部が
イオン導電性を示し外壁の少なくとも一部が分析
すべきガスを含む第1空間と接触する分離壁を有
する気密測定空間と、ガスイオン排出期間中はガ
スイオン排出電流を分離壁に周期的に供給して、
分離壁中のイオン電流によつてガス成分を測定空
間から除去し、ガスイオン充填期間時にはガスイ
オン排出電流と逆極性のガスイオン充填電流を分
離壁に周期的に供給して、ガス成分を測定空間へ
供給する制御ユニツトと、分離壁のそれぞれの側
に設けた、電極層に接続され、その外側電極層が
第1空間と接触している検知回路とを具え、この
検知回路は、電極層間の電圧が第1の参照値に達
したときガスイオン充填電流を遮断するガスイオ
ン充填中断信号を供給する第1電圧検知器と、電
極電圧が第2の参照値に達したときガスイオン排
出電流を遮断するガスイオン排出中断信号を供給
する第2電圧検知器とを具え、分離壁内の電荷が
ガス成分の濃度の目やすとなるよう構成されたも
のは公知である。
上述したようなガス分析装置は米国特許明細書
第4384935号より公知である。
分離壁中の電荷を測定する間、分離壁のインピ
ーダンスは電気抵抗分として作用するため、この
電荷は、供給あるいは排出された電荷として分離
壁の外側から測定され、あるいは測定される電流
と時間隔の積としてさらには一定電流のもとでの
時間隔として測定される。
しかしながら、温度、密封測定スペースの体
積、選択された測定電流、測定されるべき濃度の
範囲等の種々のパラメータが、測定時間隔が比較
的小さくなるような値をもつているときは、測定
結果はスイツチのオン−オフ時の過渡現象の影響
を大きく受ける。言い換えると、この分離壁は純
粋な抵抗として挙動していない。理論的に考え
て、分離壁の等価回路は抵抗分の他静電容量分を
含んでおり、そのためRC時定数と蓄積された電
荷の影響が生じる。
この等価回路は例えば0.1Hzから100kHzの間の
種々の周波数におけるインピーダンスを測定する
ことにより得ることができ、そのインピーダンス
は複素平面中に書くことができる。上述した内容
は、例えばA.D.Franklinによる「Journal of
the American Ceramic Society」Volume58,
No.11/12,November/December 1975,ペ
ージ465−473中の「Electrode Effects in the
Measurment of Ionic Conductivity」中にみる
ことができる。
分離壁の物理的モデルを考察することによりほ
とんどすべての状態において、空間電荷および電
極層と関連した空間電荷との間に存在する電界は
両電極層下側の分離壁材料中に発生することがわ
かる。
この空間すなわち電極層の電位は分離壁の各側
において、ガス成分の濃度はたは圧力に応じて変
化する。
分離壁の両電極層間の電位差はネルンストの法
則により、分離壁の両側におけるガス成分の圧力
の関係として示される。
圧力を変化させると、対応する電位変化は蓄積
されたり放出されたりして生じる空間電荷の変化
に対応することが望まれる分離壁を電極層を介し
て充填および排出電流を供給するための電源に接
続する場合には、電荷はその電流によつて供給さ
れたり排出されたりする。センサとして使用さ
れ、雰囲気すなわち測定空間との分子交換によつ
てほとんど無電解でのネルンスト電圧測定が行わ
れる分離壁の場合でも電荷は供給されたり排出さ
れたりする。
これらの電荷は、測定空間中の分子移動による
望ましい圧力変化には寄与しない。このことは一
定の充填および排出電流を供給する場合測定時間
の一部をなすむだ時間(dead time)において顕
著となる。すなわち、測定時間と測定されるべき
圧力との間の関係を示すグラフは、直線部以外に
むだ時間を表わす期間を含んでいる。これら二種
の変数の間の関係は2つの較正を行うことによつ
て見出すことができる。これには、2種の既知の
ガス試料を使用する必要があり、例えば二酸化ジ
ルコニアの分離壁で酸素を分析する場合はその一
つとして大気を使用することができる。しかしな
がら、実際はエージング現象によりむだ時間は変
化するため、面倒で高価な較正を繰り返し行なわ
なければならない。
本発明は上述した不具合を解消して、一回の較
正で補正が可能なガス分析装置を提供しようとす
るものである。
このため、本発明のガス分析装置はその検知回
路がさらに第3、第4、第5の電圧検知器を具え
ることを特徴とするものである。これら、第3、
4、5の電圧検知器は、電極電圧が各々、第3、
第4、第5の参照値に達したとき出力信号を供給
する。これらの参照値は第1および第2参照値の
間に存在し、第4参照値の2倍が第3参照値と第
5参照値の和に等しい関係である。一方、ガス成
分の濃度の測定には、第3および第4電圧検知器
が各々の出力信号を供給する瞬時によつて規定さ
れる第1の時間隔中に移動した電荷と、第4およ
び第5電圧検知器が各々の出力信号を供給する瞬
時によつて規定される第2の時間隔中に移動した
電荷との差を測定している。
そのため、むだ時間はほとんどゼロとなり、そ
の結果較正は装置の調整中に工場で行うことがで
きる一回の較正で十分となる。サービスステーシ
ヨンで行う再較正はほとんど必要がなくなり、ま
た再較正が必要な場合でもガス較正用試料例えば
酸素の測定の場合は大気を用いる簡単な方法で較
正を行うことができる。
本発明は、測定におけるスイツチのオン−オフ
時の過渡現象の影響をこれらの現象や影響がほと
んどないか変化しないで保たれている時に測定を
行い、その結果、測定値から適当な値を除くこと
によつて、これらの影響を補正することができる
という思想に基づいて成されたものである。その
ため、分離壁の見かけの容量による電荷変化は、
ある時間隔中に電圧変化Vを生ずるが、この電圧
変化は電荷変化が静電容量×電圧の変化と一致す
るという事実に基づき他の時間隔中に同じ電圧変
化Vを生ずる電荷変化によつて補償することがで
きる。
本発明によれば、ガスイオン充填期間中のみあ
るいはガスイオン排出期間中のみまたは両時間隔
中に測定を行うことができる。その測定は好適な
実施例では電流源、3個の電圧検知器を使用し、
1つの検知器の出力信号に対してパルス時間の測
定を行うことにより単純化される。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
第1図は本発明を適用することができる上述し
た米国特許明細書に示されたガス分析装置であ
る。
第1空間1は少なくとも部分的に遮へいされた
測定空間12を取り囲み、その測定空間の壁部分
3はイオン導電性を示す分離壁より構成されてい
る。イオンは、測定されるべきガス成分の帯電し
た原子または分子である。もう一方の壁部4は壁
部3と同一の組成から構成されている。残りの壁
部5は例えばプラチナ等の金属より構成され、多
孔性の電極層6,7が壁部5に接続されている。
分離壁3,4の外側にはそれぞれ同一組成の電極
層8,9が設けられている。上述した各部材は、
壁部に接続され、例えば環状の形状を有する端子
11と、電極層9と接続した端子12と、電極層
8と接続した端子13を有する測定装置10を構
成している。電流ユニツト14は端子11と12
に接続され、スイツチ15により分離壁4を介し
て正逆方向の電流を流している。時間間隔は、導
線17を介してスイツチ15を制御する検知回路
16によつて決定される。電流の向きに応じて、
ガス分子の供給と排出が電極層6と電極層9の両
層において起こる。そのため、空間2に対してガ
スが供給されたり排出されたりする。原理上主と
して、空間2内のガス成分の圧力は、第1空間1
中の圧力より高くなつたり低くなつたりする。し
かしながら、ネルンストの式に従う対数の形で表
わされるより急な電圧エツヂ部が存在するため、
圧力が第1空間1よりも低いようなシステムでも
このシステムはほとんどの場合使用し得る。
壁部3はセンサとして使用され、このセンサに
よつて電極層7,8の電圧を測定することによ
り、第1空間1中の圧力と測定空間2中の圧力と
の間の望ましい圧力比を決定することができる。
このため、検知回路16は(リング5を介して)
電極層8,7に接続されている端子13,11に
接続する。端子18では、パルス列を得ることが
でき、そのパルス持続期間からガス濃度を測定す
ることができる。
第2図において、センサ電圧Vbcを時間に対し
てプロツトしている。示された曲線は主としてネ
ルンストの式によつて与えられる対数関数の部分
であり、前記の米国特許明細書に示されたガス分
析装置や本発明の装置から得られるものである。
検知回路16中の第1の電圧検知器は、センサ電
圧Vbcがほぼゼロボルトである第1参照値V1にな
つた瞬時t0でスイツチ15のz位置で電流ユニツ
ト14から得られるガスイオン充填電流itをオフ
にして、スイツチ15のx位置において得られる
ガスイオン排出電流iaをオンにする。この電流
は、センサ電圧Vbcが第2参照値V2に達した時に
第2電圧検知器が切換え信号を発生する瞬時t1
で供給され続ける。導線17を介して、スイツチ
15はx位置からz位置まで切換えられ、次にガ
スイオン充填電流itが流れ始める。瞬時t2におい
ては、上述したt0に対する状態が再び現れる。図
において、オーバーシユートの影響が19と20
によつて示され、これらの部分はむだ時間部分を
構成し、RC時定数によつて表すことができる。
第2図から明らかなように、本発明によれば、こ
のオーバーシユート時間を、第3および第5参照
値V3とV5によつて求められる瞬時t3とt5の間に測
定時間隔を固定することによつて除去することが
できる。同様に測定は瞬時t6とt7の間でも行うこ
とができる。しかしながらむだ時間はなお完全に
除去できるわけではない。すなわち、ガスイオン
充填および排出電流の他に分離壁中の有効容量と
ネルンスト電圧の変化との積に対応する電荷変化
を表わす部分が除去されていない。このため、本
発明のガス分析装置においては、参照値V3とV5
のための電圧検知器の他に第4の電圧検知器を設
け、参照値V4に達する瞬時を検知している。こ
のとき、2V4=V3+V5あるいはV5−V4=V4−V3
の条件を満足する必要がある。時間間隔t4−t3
ら時間間隔t5−t4を減ずるか、時間間隔t7−t8
らt8−t6を減ずれば、ガス成分濃度の測定にほと
んど影響を与えない小さいむだ時間しか含まない
時間間隔を得ることができる。参照値V5を参照
値V2に一致させることにより、V3をV1に一致さ
せて測定をt0からt2の全範囲に亘つて行つた場
合、微小なむだ時間しか残らないことがわかる。
t4−t0とt2−−t8の和からt2−t4とt8−t1の和を減
算すると、その値はt9−t8からt8−t4を減算した
値と対応する。第2図において、オーバーシユー
ト部20におけるRC時定数が19におけるRC時
定数によつてキヤンセルされることは明らかであ
る。
第3A図は、測定装置の詳細な等価回路を示す
図で、上述した米国特許明細書に示された公知の
回路から得られる電気制御も合わせて示してい
る。
測定装置10の分離壁部4によつて、矢印21
で示される空間2(シンボルで表わしている)か
ら空間1へまたは空間1から空間2への、さらに
空間2から矢印22で示す任意の空間へまたは任
意の空間から空間2へのガス移動が行われる。壁
部内では、この移動はイオン電流によつて達成さ
れ、そのために必要な電荷の交換は端子11と1
2にまたはこれから供給される電流を介して行わ
れる。イオン電流は直列抵抗23と並列抵抗24
を流れると共にコンデンサ25を充電する。また
この電流は、必要なコンデンサ26の電荷を変化
させる。電流の大部分は直流抵抗27とネルンス
ト電圧を記号的に示すバツテリ28を経て電極層
6にまたはこれから流れる。スイツチ15を位置
yにすることによつて第1図に示されるように、
端子11,12間の電流がゼロの場合、コンデン
サ25は抵抗24を介して放電し、コンデンサ2
6の電圧はバツテリ28のネルンスト電圧に調整
され、その電荷を固定する。バツテリ28の電圧
は、ネルンストの式より電極層9及び空間2中の
ガス成分の圧力比に依存することは明らかであ
る。同様に、バツテリ29の電圧は、空間1およ
び空間2の間の圧力比に依存するネルンスト電圧
を示している。形状が壁4と同一の分離壁3はネ
ルンスト電圧を測定するセンサとして使われてい
る。この電圧はほぼ無電解の手法で測定されるの
で、端子11と13間の電気回路には何の電流も
流れない。しかしながら、分離壁3中には、イオ
ン電流が流れ、そのイオンは空間1中では矢印3
0および空間2中では矢印31に示すように電極
層8および7でも流れる。コンデンサ32の電荷
を空間2中の圧力変化によつて生ずるネルンスト
電圧の変化に適合するよう移動することにより、
イオン電流が流れる。この蓄積電荷の移動は測定
時間に顕著な影響を与える。主としてその理由は
抵抗33とコンデンサ32のRC時定数のためお
よび矢印31で示されるガス分子が矢印21で示
す供給および排出に対応するためである。もちろ
ん直列抵抗36が重要でないと共に抵抗34およ
びコンデンサ35は測定にはほとんど重要でな
い。
第1図に示すブロツクを第3A図にさらに詳し
く記載する。ここで、電流源37,38およびそ
れら制御点39の構成については、公知の文献を
参照されたい。本実施例では、スイツチ15を制
御導線17に接続したセツト、リセツト入力4
0,41を有するフリツプフロツプとして構成す
る。公知のように、壁部5は、端子11を介して
タツプ43を有する分圧器42、増幅器44、出
力用トランジスタ45,46によつて電位供給用
回路に対して固定電位になるよう保たれている。
電位レベルV1,V2,V3,V4、およびV5は分圧器
42上に現れる。またV1は0ボルトである。抵
抗R3とR3′およびR4とR4′はそれぞれ、ほぼ同一
値を持ち、さらに分圧器42は抵抗R1およびR2
も有している。第3A図において、検知回路16
は第3B図に示すように構成することもできる。
第3A図に示す例では、検知回路16は分圧器4
2のほか電位レベルV1からV5の検知のための複
数の電圧検知器47から51を具えている。各電
圧検知器の入力を端子13に接続して、センサ
電圧を受け、入力は各検知レベルに接続する。
電圧検知器47は、電位レベルV1=0となつた
ときにその出力に検知出力を発生し、その結果
“1”レベルの信号がフリツプフロツプ52のリ
セツト入力42に供給される。そのため、出力
“Q”には“0”レベルの信号が発生し、電流源
37はガスイオン排出信号を供給するためオンと
なり、ガスイオン充填電流itはオフとなる。続い
て、センサ電圧が電位レベルV3に達すると、電
圧検知器49は出力に検知出力を発生し、さら
にセンサ電圧が電位レベルV4,V5およびV2に達
すると電圧検知器51,50および48は出力
に“1”レベルの信号を出力しこれをフリツプフ
ロツプ52のセツト入力40に供給する。その結
果出力“Q”は“1”レベルの信号を出力し、電
流源38はオンとなり、ガスイオン排出電流ia
流れなくなる。その後、センサ電圧は上述した順
序と逆の順序で各電位レベルに到達する。電圧検
知器49,50,51の各出力では、電圧が
“0”レベルから“1”レベルおよびその逆に変
化して、第2図においてt3,t4,t5およびt6,t7
t8で示される瞬時を検知する。電圧検知器49,
50,51の各出力cに接続された時間隔測定装
置を持つデータ処理装置によつて、第1の時間隔
t4−t3またはt7−t8と第2の時間隔t5−t4またはt8
−t6さらにそれらの差を求めることができ、それ
が測定対象の濃度の測定結果を示すことになる。
第3B図は単純化した検知回路16を示してい
る。参照電位レベルV3,V5を検知する電圧検知
器49,50は除かれている。その機能は電圧検
知器47,48によつて果たされる。第3B図で
は瞬時t3とt0,t7とt2,t5およびt1とt6およびt1
一致する。上述したように第1時間隔と第2時間
隔との和を処理する場合には、t4からt8およびt8
からt9の間を測定することで十分となる。これら
の瞬時は、第3B図中の電圧検知器51の出力端
において検出されるので、この出力は第1図
の端子18をも構成する。第3B図において、ポ
テンシオメータR5によつて電位レベルV4を外部
から正確に調整して、正確に2V4=V1+V2の関
係を満たすことができるので、非線型性を補正す
ることができる。これらの非線型性は、測定装置
10の動作中に現れ、第3図に示す等価回路中に
示すことができない。このようなポテンシオメー
タR5はもちろん第3A図中の分圧器42中に含
ませることができるが、簡単のため図面では示し
ていない。また、第3B図と第3A図は同一であ
り、矢印の点でそれぞれを接続することができ
る。第3A図の制御点39には、さらに遅延回路
を設けることができ、その場合はガスイオン排出
および供給電流はガスイオン供給および排出電流
がオフになると同時にスイツチオンとなることは
ない。
本発明の上述した実施例では、ほぼ周囲雰囲気
の圧力と同様の圧力が空間2に存在している。し
かしながら本発明は、空間1より高い圧力が空間
2に存在する場合でも使用することができる。そ
のときは、上述したガスイオン供給電流とガスイ
オン排出電流の機能は、互いに交換される。すな
わちネルンスト電圧は負となる(第2図参照)。
また自然対数曲線のよりいつそうゆるやかな部分
を第2図と同一レベルすなわち負のレベルで使用
するが、より一層長い時間t0からt9となる(第2
図の曲線55を参照のこと)。第3A図において、
電源端子53が正のままであり、電源端子54が
負のままであれば、2,3の接続を変更する必要
がある。すなわち接続点56を出力に接続する
よう変更し、電圧検知器の入力を相互に交
換し、分圧器42を供給電流に対して逆の接続に
なるよう変更する必要がある。
酸素に対するガス分析装置を、実施例により説
明する。測定装置10は、例えば酸化イツトリウ
ムまたは酸化カルシウムを不純物として含む二酸
化ジルコニウムの分離壁3および4と、プラチナ
電極層6,7,8,9と、プラチナ・リング5を
具えている。空間2は円形でその直径は1.2mm、
その高さは40μmである。体積は4.3×10-11m3
ある。ガスイオン供給電流およびガス排出電流は
10μAになる。さらに、V1=0、V2=80、V3
4、V4=40そしてV5=76mVとする。測定装置
10の温度は700℃である。測定すべき好ましい
圧力範囲は、20mbar(2×103Pa)から208mbar
(2.08×104Pa)である。この後者の圧力は、大気
中の酸素の標準圧力を示している。この状態で公
知の時間測定法により時間隔を測定すると、t=
1.3+40Pとなり、ここでtは測定時間(秒)、1.3
はむだ時間(秒)でPは酸素圧力(bar)であ
る。このむだ時間は2つの較正点を用いることに
より除去することができる。しかしながら、この
時間は、やがては例えば0.8秒程度の値に変化す
る。これは12mbarの変化に対応し、20から
200mbarの測定範囲で正確な測定をするためには
大きすぎる値である。
もし、同一の測定装置に対して、V4を40mVの
かわりに34mVとして本発明による測定を行え
ば、最初t=0.06+26Pであり、やがてはt=−
0.05+26Pとなる。この変化は+2mbarからゼロ
を通つて−2mbarの変化に対応し、この程度の変
化であれば上述した測定範囲において正確な測定
をすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は既知の装置のブロツク回路図、第2図
はセンサ電圧の時間に対する波形図、第3A図お
よび第3B図は本発明のガス分析装置のより詳細
な回路図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも壁部の一部がイオン導電性を示
    し、少なくともその外壁の一部が分析すべきガス
    を含む第1空間と接触する分離壁を有する気密測
    定空間と、ガスイオン排出期間中はガスイオン排
    出電流を分離壁に周期的に供給して分離壁中のイ
    オン電流によつてガス成分を測定空間から除去
    し、ガスイオン充填期間時にはガスイオン排出電
    流と逆極性のガスイオン充填電流を周期的に分離
    壁に供給してガス成分を測定空間へ供給する制御
    ユニツトと、分離壁のそれぞれの側に設けた電極
    層に接続され、その外側電極層が第1空間と接触
    している検知回路とを具え、この検知回路が、電
    極層間の電圧が第1の参照値に達したときガスイ
    オン充填電流を遮断するガスイオン充填中断信号
    を供給する第1電圧検知器と、電極電圧が第2の
    参照値に達したときガスイオン排出電流を遮断す
    るガスイオン排出中断信号を供給する第2電圧検
    知器とを具え、分離壁内の電荷がガス成分の濃度
    の目やすとなるよう構成されたガス分析装置にお
    いて、 前記検知回路がさらに、電極電圧が各々、第1
    および第2の参照値の間に存在し第4参照値の2
    倍が第3参照値と第5参照値の和に等しい関係の
    第3、第4、第5参照値に達したときに出力信号
    を供給する第3、第4、第5の電圧検知器を具え
    る一方、ガス成分の濃度の測定としては、第3お
    よび第4電圧検知器が各々の出力信号を供給する
    瞬時によつて規定される第1の時間隔中に移動し
    た電荷と、第4および第5電圧検知器が各々の出
    力信号を供給する瞬時によつて規定される第2の
    時間隔中に移動した電荷との差電荷量を測定する
    ことを特徴とする、第1空間中のガス成分の濃度
    を測定するためのガス分析装置。 2 前記電荷差の測定をガスイオン排出時間隔の
    間およびガスイオン充填時間隔の間に行うことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガス分析
    装置。 3 ガスイオン排出および供給電流が同一の一定
    値と等しく、濃度の測定をガスイオン供給中に得
    られる第1時間隔とガスイオン除去中に得られる
    第1時間隔の和から、同様にして得られた第2時
    間隔同志の和を減ずることによつて得られた時間
    隔によつて行うことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のガス分析装置。 4 第1の電圧検知器が同時に第3の電圧検知器
    であり、第2の電圧検知器が同時に第5の電圧検
    知器になる一方、ガスイオン充填中断信号がガス
    イオン排出電流をオンとすると共にガスイオン排
    出中断信号がガスイオン充填電流をオンとし、さ
    らに濃度の測定を第4の電圧検知器の出力信号に
    よつて示される瞬時によつて規定される時間隔の
    間の差を求めることによつて行うことを特徴とす
    る特許請求の範囲第3項記載のガス分析装置。
JP59254251A 1983-12-06 1984-12-03 ガス分析装置 Granted JPS60135855A (ja)

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