JPH04180571A - 無電解鍍金方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は無電解鍍金方法に関し、特にガラス、セラミッ
ク、プラスチック、ゴムなどからなる絶縁性基板あるい
はアルミ、アルミ合金、チタン、タンタル、タングステ
ン等の弁作用金属又はその合金からなる基板への無電解
鍍金に関する。

従来の技術 従来、ガラス、セラミック、プラスキックなどの絶縁性
基板への鍍金は、基板が電気伝導性を持たないため、こ
うした基板への鍍金には無電解鍍金方法が用いられてい
る。

絶縁性基板への無電解鍍金を行うに際しては、該基板を
良く洗浄し、その表面の油脂分を除去した後、基板表面
を機械的に、あるいは化学的にエツチングすることによ
り、その表面を粗面化し、鍍金される金属の密着強度を
高めている。例えばセラミックへの無電解鍍金に際して
は脱脂後、はうフッ酸溶液中で化学的にエツチングした
後、フッ酸が残存しないように充分に水洗する必要があ
る。然る後、塩化錫水溶液中に浸漬し、その表面に錫化
合物を付着させる（センシタイジング処理工程）、続い
て、センシタイジング処理を行ったセラミック基板をバ
ラジニウム／塩酸水溶液中に浸漬し、錫化合物をバラジ
ュウム触媒に置換（アクティベーティング処理工程）し
た後、無電解鍍金液中で金属を化学的に析出させている
。

一方、アルミ、チタン、タンタル、タングステンおよび
これら金属の合金など弁作用金属上への鍍金において、
これら金属へ直接電気鍍金することは極めて困難であり
、こうした基板への鍍金に際しても、電気鍍金を行う前
に、無電解鍍金方法が用いられている。

この理由としては、これら金属の表面には酸化アルミ、
酸化チタン、酸化タンタル、酸化タングステンなどの不
導体皮膜（金属酸化物層）が形成されており、鍍金浴中
で電気鍍金を行うために、これら金属をマイナスにして
通電すると、表面に形成されている不導体皮膜によって
電流の流れが阻害されるためである。

これら金属に、高い負電圧を印加して電解すると鍍金浴
中では水の分解が起こり、水素ガス発生反応が中心とな
って起こる。その結果、電極／鍍金俗界面では水素ガス
発生に伴って、鍍金浴がアルカリ性となる。多くの弁作
用金属はアルカリに溶ける性質を有するため所望とする
金属の析出は起こりにくいものとなる。また析出が認め
られても、極めて密着性の悪いものとなる。

従って、このような金属に鍍金を行う為の方法として、
従来より電解鍍金を行う前に、銅、ニッケル等の金属を
基板表面に予め、無電解鍍金により析出させる方法が用
いられてきた。これら金属への無電解鍍金するための方
法について、鍍金基板としてアルミへの鍍金を例にとり
、以下に概略説明する。

まず、アルミ表面に形成されている酸化皮膜を機械的に
研磨、あるいは化学的にエツチングし除去した後、塩化
錫溶液中に浸漬することにより、アルミ表面に塩化錫を
付着させる。しかる後、塩化バラジニウム、塩化白金な
ど触媒溶液中にアルミを浸漬し、塩化錫とこれら触媒金
属を置換させる。その後、無電解鍍金液中に浸漬し所望
の金属（たとえば銅、ニッケル、金等）を析出させる。

更に、必要に応じこの上に電気鍍金を行っている。

発明が解決゛しようとするｔｌｌＮ ガラス、゛、セラミック、プラスチック等の絶縁性基板
、あ゛るいはアルミ、チタン、タングステン等の弁作用
金属又はこれらの合金からなる金属基板への無電解鍍金
においては基板と鍍金した金属との密着性が悪いという
問題がある。すなわち、前者の場合、塩化錫の基板表面
に対する濡れ性が悪く結合面積が少なくなっているので
密着性が悪くなり、これを改善するためには基板表面を
機械的に、あるいは化学的に粗面化してアンカー効果の
増大を図る必要がある。また後者の場合には、その表面
に金属酸化物を始めとする不導体皮膜が存在し、塩化錫
との結合が非常に困難となるので、前記不導体皮膜を完
全に除去した後、その表面に塩化錫を析出させバラジニ
ウムと置換し鍍金しなければ、基板面と鍍金面での密着
性が極めて悪くなる。

またこうした無電解鍍金法において基板を化学的に粗面
化したり、不導体皮膜を除去する際に用いられる薬品（
例えばフッ酸、硝酸等）が少しでも基板表面内部に存在
すれば、鍍金表面から腐蝕が進行し易く、防蝕効果に劣
るものとなっていた。又シラットプラスト等の８！械的
手段を用いて上記のことを行う場合には、粉塵公害等の
問題が住じ、得策ではない。

本発明の第１の目的は鍍金基板の粗面化処理や酸化物（
不導体皮膜）除去工程を除いて、しかも種々の基板に対
して密着性に冨んだ無電解鍍金を可能とするものであり
、また本発明の第２の目的はホトレジストを用いること
なくパターン鍍金を行わせることにある。　　゛ 課題を解決するための手段 本願の第１発明は上記目的を達成するため、例えば鍍金
基板表面に塩化錫水溶液を用いたセンシタイジング処理
を酢酸錫もしくは、これらに酢酸亜鉛を加えた有機溶媒
を用い、その加熱酸化により酸化錫あるいは酸化錫・酸
化亜鉛を主体とする金属化合物層を設け、しかる後、金
属触媒を含むアクティベータ溶液中で化学的に、その表
面に触媒金属を析出させ、しかる後無電解鍍金すること
を特徴とするものであり、具体的には特許請求の範囲第
１項、第２項に記載するものである。

本願の第２発明は、上記第１及び第２の目的を達成する
ため、錫酸化物あるいは複合金属酸化物を形成した鍍金
基板を電解液中で紫外光を照射することにより、照射部
位の酸化錫もしく一″！該酸化物の複合酸化物を溶出さ
せ、その後該基板をアクティベータ溶液に浸漬する二と
５二より、未露光部位にのみ触媒金属を析出させ、その
後無電解鍍金することを特徴とするものであり、具体的
には特許請求の範囲第３項に記載するものである。

本発明で対象とする鍍金基板はガラス、セラミック、プ
ラスチック、ゴムなどの絶縁性基板、あるいはアルミ、
チタン、タングステン、モリブテン、タンタル、アルミ
合金等の弁作用金属もしくはこれらの合金からなる金属
基板である。

作用 一般に、前記絶縁性基板の表面は親水性に欠けるもので
あり、また前記金属基板の表面には耐蝕性に冨む金属酸
化物で被覆されている。そして、これら金属酸化物は電
気的に絶縁性であり、その表面層は緻密な微細孔が多数
存在する。例えばアルミ表面には酸化アルミが存在し、
この酸化アルミはアルミ基板にまで到達しない蜂の巣構
造の微細孔を有する極めて薄い皮膜がその表面に存在し
ている。

従って、こうした基板表面を塩化錫水溶液でセンシタイ
ジング処理を施しても、その表面が疎水性であるため、
錫の付着状態が悪く、また、これら金属表面の微細孔内
器＝腐蝕性の強酸が残存し易い状態であるため、耐蝕性
に欠ける鍍金となる。

本発明では、例えば酢酸錫、酢酸亜鉛等をアルコール、
酢酸ブチルなどの有機溶媒に溶かしたものに、上記鍍金
基板を浸漬するため、容易シニ絶縁性基板表面あるいは
前記金属表面内部に、有機金属を付加あるいは含浸させ
ることが可能となる。

然る後、これら基板を熱分解法によって加熱することに
より、細孔内あるいは粒子間内部に進入した酢酸錫ある
いは酢酸亜鉛が熱分解され、酸化錫あるいは酸化錫亜鉛
合金を、基板に存在する微細孔内あるいはセラミックを
形成するセラミック粒子間内に密着良く形成させる二と
が可能となり、後続するアクティベーティング工程にお
いて置換するバラジュウム等の触媒金属の鍍金基板への
付着が密着良く行えるものとなる。

この基板を用い、無電解鍍金を行うと、鍍金された金属
は基板酸化物の細孔内部から成長が期待され、その結果
、極めて密着性に冨んだ鍍金が可能となる。更に耐蝕性
に冨む酸化物層が、そのまま存在している結果、極めて
耐蝕性に冨んだ鍍金が可能となるものである。

ここで錫化合物のみを溶かした有機溶媒を用い、基板を
処理しても、密着性の良い鍍金が可能であるが、有機亜
鉛の存在はフラックス的作用を行うので更に密着性を向
上させる作用が存在する。

一方、こうした金属酸化物あるいは複合酸化物はｎ型半
導体としての性質を有している。一般に、半導体金属に
そのバンドエネルギー以上の光を照射すると照射した光
エネルギーは半導体内部でホールと電子に分かれる（電
荷分ｔｉｌｌ）。

電解液中で半導体に光を照射すると、ｎ型半導体の場合
、生成したホールは半導体自身を酸化し、その際、用い
る電解液のｐＨによって、容易に該半導体を溶出させる
。従って、ｎ型の場合、照射されていない部分は、その
ままの状態で残る。ここで、用いる錫・亜鉛酸化物はｎ
型半導体であり、こうした酸化物を電解液中で紫外光を
照射することにより、光の未露光部位にこれら金属酸化
物を残存させることができる。こうした基板を塩化バラ
ジュウム塩化白金等からなるアクティベータ中に浸漬す
ることにより、その未露光部位にバラジュウム等の触媒
金属を析出させることができる。その結果、光パターン
に応じた金属を無電解鍍金することが可能となる。

実施例 本発明の無電解鍍金方法について、その詳細を以下に説
明する。

第１図〜第５図は本発明の工程を示したものである。図
中１は鍍金基板でセラミック、ガラス、プラスチックな
どの絶縁性基板、あるいはアルミまたはその合金などを
始めとする弁作用金属である。鍍金基板がアルミの場合
には、通常そ、の表面には酸化アルミ２が存在する。こ
の酸化アルミ２の存在は耐蝕性、密着性を上げるうえで
も好ましいものであり、予め陽極酸化によってアルマイ
ト処理を施すことは好ましい。

こうした鍍金基板をフロンなどの有機溶媒で、脱脂した
後、酸化錫あるい１ま錫・亜鉛複合酸化物３を、これら
金属を含む金属化合物８熔解り戸＝有機溶媒に基板ｌを
浸漬し、それを熱分解させることにより、これら酸化物
３を基板表面に形成した。

錫・亜鉛酸化物の形成は所定モル比星で酢酸錫と酢酸亜
鉛を混合したものを所定モルの割合で有機溶媒中に溶か
したものに咳ｉ（資）金基板を浸漬後、所定温度（例え
ば４００°Ｃ）のオーブンで所定時間加熱酸化し、酢酸
錫・酢酸亜鉛を酸化錫・酸化亜鉛を主体とする複合金属
酸化物に加勢分解させた。ここで加熱酸化によって、形
成する酸化錫・酸化亜鉛とは必ずしも完全にこれら金属
酸化物に分解させる必要がなく、他の中間状態の金属酸
化物が存在していても、特に支障が無い。

従って、プラスチック等、高温加熱が不可能なものに関
しては１５０°Ｃ位でも可能である。但し、この加熱温
度は析出させた金属の基板に対する密着性に影響を与え
、望ましくは、有機錫あるいは亜鉛の熱分解温度以上と
する二ｔが望ましいことは当然である。

また、紫外光を用いパターン状に無電解鍍金するにはで
きる限り、基板表面に付着させる錫もしくは亜鉛は、：
れら金属酸化物そのもの番：変化させる二とが好ましい
。

酢酸錫あるいは酢酸亜鉛等の有機金属化合物を溶解さセ
る有機溶媒としては、エチルアルコールのみならずイソ
プロピルアルコール、ブタノール、酢酸ブチル、酢酸エ
チルなど、これら有機錫化合物あるいは有機亜鉛化合物
を溶解させ得る有機溶媒は全て用いる二とができ、その
選択は対象とする鍍金基板材料によって換える事が可能
である。

鍍金基板に錫酸化物あるいは錫・亜鉛複合酸化物層を形
成した後、続いて、塩化バラジュウム／塩酸溶液等より
なるアクティベータ溶液に浸漬し、その表面にパラジュ
ウム等の触媒金属４を付着させた２ 続いて、該基板を無電解鍍金処理：例えば１５分間浸漬
し、無電解ｔｉ４５を析出させた。なお必要に応じて電
気鍍金シこよる５Ｐ１６を析出させる二とにより、強力
な密着性と耐蝕性を有する鍍金ができる。

以下、本発明の詳細を更に実施例１〜１６に基き具体的
に説明する。

実施例１ 鍍金基板としてアルミ＋ｆｉ　（厚さ０．５ｍｍ、幅１
ｃｍ、長さ５ｃｍ）を用い、該アルミをフロン洗浄剤で
洗浄後、蓚酸アルマイト溶液中で２５Ｖの直ｉｔ圧を印
加し、アルミ表面に酸化アルミを電解酸化により形成し
た８続いて０．０５ｍｃｌ酢酸錫／エタノールに溶解し
た有機溶液中で真空含浸した後、１５分間浸漬しアルミ
板を有機溶液より取り出し、３５０°Ｃのオーブン中で
３０分間加熱することによって酢酸錫を酸化錫を主体と
する化合物に熱分解した。

以後、通常の無電解鍍金処理を行った。即ち、ｌＸｌ０
−３モルの塩化バラジュム／塩酸溶液中に浸漬し、その
表面をバラジュウムで置換するアクティベーティング処
理を行い、無電解銅鍍金を行った。さらに、二の析出し
た胴上にピロリン酸銅よりなる電解鍍金液中で約１０ミ
クロンの厚さの銅を電解析出させた。

鍍金し７た銅のアルミ板への密着強度を調べるため引っ
張り強度試験を行った結果、４ｒｎｒｎ２当り２．７ｋ
ｇの強さを持つことが判った。又、耐蝕性を調べるため
、ｌ’ｌ　ｉｉ金を行ったアルミ板を４８７Ｍ試験を行
った。４８７Ｍ試験に用いた溶液は５％塩化ナトリウム
溶液を酢酸にてｐＨ＝３．２に調整したものを用い、こ
の溶液による塩霧試験を６０°Ｃの基で行った。結果は
５００時間経過後、何らアルミの腐蝕は認められなかっ
た。

本発明の効果を澗ぺるために、酸化アルミラミ解酸化に
より形成した後、塩化錫塩酸酸性水溶液を用い基板表面
をセンシタイジイング処理を行う通常の無電解鍍金処理
を施し、銅を同様にして析出させた。二のものについて
の密着強度試験を行った結果、０．０１ｋｇの強度しか
示さず実用性の極めて低い状態であることが判明した。

実施例２ 鍍金基板としてアルミ板（厚さ０．５ｍｍ、幅１ｃｍ、
長さ５ｃｍ）を用い、該アルミをフロン洗浄剤で洗浄後
、蓚酸アルマイト溶液中で２５ｙの直流電圧を印加し、
アル３表面に酸化アルミを電解酸化により形成した。続
いて酢酸錫・酢酸亜鉛を１：０．２のモル比率で混合し
たものを０゜０５モルとなるようエタノールに溶解した
有機溶液中で真空含浸した後、１５分間浸漬しアルミ板
を有機溶液より取り出し、３５０°Ｃのオーブン中で３
０分間加熱し酢酸錫・酢酸亜鉛を錫・亜鉛複合金［酸化
物を主体とする化合物に熱分解した。

以後、通常無電解鍍金処理を行った。即ち、ｌＸｌ０−
”モルの塩化パラジュム／塩酸溶液中に浸漬し、その表
面をバラジュウムで置換するアクティベーティング処理
を行い、無電解銅鍍金を行った。さらに、この析出した
胴上にピロリン鍍銅よりなる電解鍍金液中で約１０ミク
ロンの厚さの銅を電解析出させた。

鍍金した銅のアルミ板への密着強度を調べるため引っ張
り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り３．３ｋｇの強
さを持つことが判った。又耐蝕性を調べるため、銅鍍金
を行ったアルミ板を４８７Ｍ試験を行った。へＳＴＭ試
験に用いた溶液は５％塩化ナトリウム溶液を酢酸にてｐ
Ｈ＝３．２に調整したものを用い、この溶液による塩霧
試験を６０゛Ｃの基で行った。結果は５００時間経過後
、何らアルミの腐蝕は認められなかった。

実施例３ 鍍金基板としてチタン板（厚さ０６３ｍｍ、幅１ｃｍ、
長さ５ｃｍ）を用い、該チタンをフロン洗浄剤で洗浄後
、■規定硫酸溶液中でＩＯＶの直流電圧を印加し、チタ
ン表面に酸化チタンを電解酸化により形成した。続いて
０．０５ｍｏｌ酢酸錫・酢酸亜鉛／エタノール中で、１
５分間浸漬した後、チタン板を酢酸錫・酢酸亜鉛溶液よ
り取り出し、３７０℃のオーブン中で３０分間加熱し酢
酸錫・酢酸亜鉛を錫・亜鉛複合金属酸化物に熱分解した
。

以後、バラジュウム処理を行い、通常の無電解鍍金処理
を行った。さらに、この析出した胴上にビロリン酸銅よ
りなる電解鍍金液中で約１０ミクロンの厚さの銅を電解
析出させた。

鍍金した銅のチタン板への密着強度を調べるため引っ張
り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り２．５ｋｇの強
さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、チタンに酸化チタンを電
解酸化により形成した後、塩化錫・塩酸水溶液中で錫を
置換する通常の無電解鍍金処理を施し、銅を同様にして
析出させたものについての密着強度試験を行った結果、
０．０２ｋｇの強度しか示さず、実用性の極めて低い状
態であることが判明した。

実施例４ 鍍金基板としてタングステン板（厚さ０．３ｍｍ、幅１
ｃｍ、長さ５ｃｍ）を用いた以外、実施例３と同様にし
て無電解鍍金を行った。

鍍金した銅のタングステン板への密着強度を調べるため
引っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り１．８ｋ
ｇの強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、タングステンに酸化タン
グステンを電解酸化により形成した後、通常の無電解鍍
金処理を施し、銅を同様にして析出させた。二の鍍金に
関し、密着強度試験を行った結果、０，０１ｋｇの強度
しか示さず実用性の極めて低い状態である二とが判明し
た。

実施例５ 鍍金基板としてアルミダイキャスト（厚さ２ｍｍ、輻１
ｃｍ、長さ５ｃｍ）を用いた以外実施例３と同様にして
鍍金を行った。但し、電解による表面酸化は１規定硫酸
溶液中で５■の直流電圧を印加し、アルミダイキャスト
表面にアルミナを含む酸化物層を電解酸化により形成し
た。　鍍金した銅のアルミダイキャストへの密着強度を
調べるため引っ張り強度試験を行った結果、４ｍｒｒ＋
”当り２．８ｋｇの強さを持つ二とが判った。

本発明の効果を調べるためＬ臥アルミダイキャスト酸化
物を電解酸化により形成した後、通常の無電解鍍金処理
を施し、銅を同様にして析出させたものについての密着
強度試験を行った結果、０．００５ｋｇの強度しか示さ
ず実用性の極めて低い状態であることが判明した。

実施例６ 鍍金基板としてアルミナを主体とするセラミ・ツク（厚
さ１ｍｍ、Ｉｇｌｃｍ、長さ２ｃｍ）を用い、該セラミ
ックスをフロン洗浄剤で洗浄後、続いて０．０５ｍｏｌ
酢酸錫・酢酸亜鉛／エタノール中で真空含浸した後、１
５分間浸漬乙、セラミック板を酢酸亜鉛溶液より取り出
し、３８０　’Ｃのオープン中で３０分間加熱し酢酸錫
・酢酸亜鉛を錫・亜鉛複合金属酸化物に熱分解した。

以後、パラジュウム処理を行い、通常無電解鍍金処理を
行った５さらに、この析出した胴上にピロリン鍍銅より
なる電解鍍金液中で約１０ミクロンの厚さの銅を電解析
出させた。

鍍金した銅のセラミックスへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り３．１ｋｇ
の強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるためｌこ、アルミナセラミック基
板に通常の無電解鍍金処理を施し、銅を同様にして析出
させたものについての密着強度試験を行った結果、セラ
ミック表面の粗面化処理を行っていないため０．０１ｋ
ｇの強度しか示さず、本発明による鍍金方法が優れた密
着強度を示すことが判明した。

実施例７ 鍍金基板としてシリコンカーバイトを主体とするセラミ
ック（１”ｊさ１ｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用い
た以外実施例６と全く同様にして無電解ｗｉＩａ金と電
解銅鍍金を行った。

鍍金した銅のセラミックへの密着強度を調べるため引っ
張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り２．８ｋｇの
強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、シリコンカーバイト表面
を粗面化しないで、通常の無電解鍍金処理を施し、銅を
同様にして析出させたもの６二ついての密着強度試験を
行った結果、０．０７ｋｇの強度しか示さず本発明によ
る鍍金方法が優れた密着強度を示すことが判明した。

実施例８ 鍍金基板としてチタン酸バリウムを主体とするセラミッ
ク（厚さＩｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用いた以外
実施例６と全く同様にして無電解銅鍍金と電解銅鍍金を
行った。

鍍金した銅のセラミックへの密着強度を調べるため引っ
張り強度試験を行った結果、４ｍｍ２当り２．７ｋｇの
強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、チタン酸バリウム表面を
粗面化することなく、通常の無電解鍍金処理を施し、銅
を同様にして析出させたものについての密着強度試験を
行った結果、Ｏ，１ｋｇの強度しか示さず本発明による
鍍金方法が優れた密着強度を示すことが判明した。

実施例９ 鍍金基板として鉛ガラスを主体とする非晶質セラミック
（厚さ１ｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用いた以外実
施例６と全く同様にして無電解銅鍍金と電解銅鍍金を行
った。

鍍金した銅のセラミックへの密着強度を調べるため引っ
張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り３．１ｋｇの
強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、ガラス表面を粗固化する
ことなく、通常の無電解鍍金処理を施し、銅を同様にし
て析出させたものについての密着強度試験を行った結果
、０．６ｋｇの強度しか示さず本発明による鍍金方法が
優れた密着強度を示す二とが判明した。

実施例１０ 鍍金基板としてポリプロピにンからなるプラスチック（
厚さ１ｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用い、該プラス
チックをフロン洗浄側で洗浄後、続いて０．０５ｍ０１
酢酸錫・酢酸亜鉛／酢酸ブチル溶媒中に１０分間浸漬し
た後、プラスチックを酢酸錫・酢酸亜鉛溶液より取り出
し、１４０℃のオーブン中で３０分間加熱し酢酸錫・酢
酸亜鉛を酸化錫・酸化亜鉛複合金属酸化物に熱分解した
。

以後、通常無電解鍍金処理を行った。さらに、二の析出
した胴上にピロリン鍍銅よりなる電解鍍金液中で約１０
ミクロンの厚さの銅を電解析出させた。

鍍金した銅のプラスチックへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り１．８ｋｇ
の強さを持つ二とが判った。

本発明の効果を調べるために、ポリプロピレン樹脂表面
を粗面化する二となく、通常の無電解鍍金処理を施し、
銅を同Ｌｆｆｉ　”：　Ｉ、て析出させたちのについて
の密着強度試験を行った結果、０．１ｋｇの強度しか示
さず本発明による鍍金方法か優れた密着強度を示すこと
が判明した。

実施例１１ 鍍金基板としてフッ素樹脂がちなるプラスチック（厚さ
１ｍｍ、輻１ｃｍ、長さ２ｃｍ＞を用いた以外実施例１
０と全く同様にしてｍｔ解ｔ’ｉ’４鍍金と電解銅鍍金
を行った。

鍍金した銅のプラスチックへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り２．０ｋｇ
の強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、フッ素樹脂表面を粗面化
する二となく通常の無電解鍍金処理を施し、銅を同様に
して析出させたものについての密着強度試験を行った結
果、０．０８ｋｇの強度しか示さず本発明による鍍金方
法が優れた密着強度を示すことが判明した。

実施例１２ 鍍金基板としてポリカーボネート樹脂からなるプラスチ
ック（厚さ１ｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用いた以
外実施例１０と全く同様にして無電解銅鍍金と電解ｗ４
鍍金を行った。

鍍金した銅のプラスチックへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り１．８ｋｇ
の強さを持つことが判った。

本発明の効果を調べるために、ポリカーボネートの表面
を粗面化することなく通常の無電解鍍金処理を施し、銅
を同様にして析出させたものについての密着強度試験を
行った結果、０．０７ｋｇの強度しか示さず本発明によ
る鍍金方法が優れた密着強度を示すことが判明した。

実施例１３ 鍍金基板として塩化ビニール樹脂からなるプラスチック
（厚さ１ｍｍ、幅１ｃｍ、長さ２ｃｍ）を用いた以外実
施例１０と全く同様にして無電解銅鍍金と電解銅鍍金を
行った。

鍍金した銅のプラス千７りへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り１．７ｋｇ
の強さを持つ二とが判った。

本発明の効果を調べるために、塩化ビニールの表面を粗
面化する二となく通常の無電解鍍金処理を施し、銅を同
様にして析出させたものについての密着強度試験を行っ
た結果、０．０７ｋｇの強度しか示さず本発明による鍍
金方法が優れた密着強度を示すことが判明した。

実施例１４ 鍍金基板としてガラスフィラーを含むエポキシ樹脂から
なるプラスチック（厚さ１ｍｍ、＠１ｃｍ、長さ２ｃｍ
）を用いた以外実施例１０と全く同様にして無電解ｗ４
鍍金と電解銅鍍金を行った。

鍍金した銅のプラスチックへの密着強度を調べるため引
っ張り強度試験を行った結果、４ｍｍ”当り１．８ｋｇ
の強さを持つことか判った。

本発明の効果を調べ−るために、エポキシ樹脂の表面を
粗面化することなく通常の無電解鍍金処理を施し、銅を
同様にして析出させたものについての密着強度試験を行
った結果、０．０３ｋｇの強度しか示さず本発明０二よ
る鍍金方法が優れた密着強度を示す二とが判明した５ 実施例１５ 鍍金基板としてアルミナセラミνり基Ｗｉ、（Ｉｆさ０
．５ｍｍ、＠３　ｃｍ、長さ５ｃｍ）を用い、該基板を
フロン洗浄剤で洗浄後、続いて０．０５ｍ０１！￥酸錫
・酢酸亜鉛／エタノール中で真空含浸した後、１５分間
放置しセラミック板を酢酸錫・酢酸亜鉛溶液より取り出
し、３５０　’Ｃのオープン中で３０分間加熱し酢酸亜
鉛・酢酸錫を酸化錫・酸化亜鉛複合金属酸化物に熱分解
した。

咳５Ｆ１．にステンレス製のホトマスクを当てがい、ｐ
Ｈ＝３．５０稙酸熔液中に浸漬し、紫外光をホトマスク
に１０分間照射した。その後、硫＃溶液より取り出し、
水洗後、塩化バラジュウムの溶液中に浸漬し、アクティ
ベーティング処理を行い、その表面にパラジュウムを置
換し無電解銅鍍金を行った。その結果、光照射部位には
銅が析出せず、未露光部位りこのみ銅をパターン状に析
出させることができた。

実施例１６ 鍍金基板としてポリプロピレンＩＦＭＱＦｆ基板（Ｉｖ
さ１．５ｍｍ、幅２ｃｍ、長さ４ｃｍ）を用い、該基板
をフロン洗浄剤で洗浄後、続いて０．０５ｍ０１酢酸錫
・酢酸亜鉛／エタノール中に、１５分間浸漬し、該樹脂
基板を酢酸錫・酢酸亜鉛溶液より取り出し、１３０℃の
オーブン中で３０分間加熱し酢酸錫・酢酸亜鉛を酸化錫
・酸化亜鉛の複合金属酸化物に熱分解した。

該基板にステンレス製のホトマスクを当てがい、ＰＨ＝
３．５の硫酸溶液中に浸漬し、紫外光をホトマスクに１
０分間照射した。その後、硫酸溶液より取り出し、水洗
後、塩化バラジュウムの溶液中に浸漬し、アクティベー
ティング処理を行い、その表面にバラジュウムを置換し
無電解銅鍍金を行った。その結果、光照射部位には銅が
析出せず、未露光部位にのみ銅をパターン状に析出させ
ることができた。

上記実施例１〜１６では複合金属酸化物層とじて錫・亜
鉛からなる２種の金属複合酸化物を開示したが、少なく
とも錫化合物を含む多種複合金属酸化物の使用、および
これら金属酸化物を設けた後、従来通り、塩化錫溶液中
に鍍金基板を浸漬し、次いで無電解鍍金用アクティベー
タ溶液によるアクティベーティング処理を行い、その後
無電解鍍金することは、その基板表面が、既に親水性を
有した状態となっているため、密着性のよい鍍金が可能
となり、こうした方法は本発明の範晴に属するものであ
る。

更に、上記実施例では、酸化錫および酸化亜鉛の形成に
ついて、これら金属の酢酸塩／有機溶媒を用い、該酢酸
塩の熱分解による形成方法についてのみ記載したが、他
のこれら金属の無機塩、例えば塩化錫や塩化亜鉛を各種
有機溶媒（例えば、エチルアルコール、アセトン、酢酸
エチル等）に溶解し、これを熱分解法によりこれら金属
酸化物を形成することが可能であることは当然である。

発明の効果 以上のように本発明は、有ＩＲ錫化合物を主体とする金
属化合物を溶解せしめた有機溶媒を用い、該溶媒の熱酸
化により酸化錫層、あるいは酸化錫と酸化亜鉛からなる
複合金属酸化物層をセラミック、ガラス、プラスチック
等の絶縁性基板、あるいはアルミ、チタン等の弁作用金
属又はこれらの合金からなる金属基板に形成することに
より、従来の方法に比べ、極めて密着性に冨み、且つ耐
蝕性に優れた鍍金が可能となる。

又これら金属酸化物あるいはその複合金１１ｉ酸化物層
の形成は紫外光の照射に史上、て無電解鍍金が可能とな
り、パターン状鍍金が可能となって、プリント基板に応
用した際には、耐久性に優れたプリント基板が得らる。

又セラミックコンデンサ更にマイクロ波素子用電極とし
て用いた際には、析出させた電極金属がセラミック内に
強く噛み込むため、優れた電気的特性、例えばインピー
ダンス特性あるいは誘！損率などの特性を向上させるこ
とが可能となる。

更にオプティカルファイバあるいは各種ガラス繊維、プ
ラスチック繊維の表面を容易に金属でコ−ティングでき
ることから、本発明は特に電子部品シ：Ｐいての利用範
囲が広がり、極めて工業的価値の高い技術となるもので
ある。

【図面の簡単な説明】 第１図〜第５図は本発明の鍍金工程の１例を示したもの
である。 １・・鍍金基板 ２・・基板酸化物 ３・・複合金属酸化物層 ４・・触媒金属 ５・・無電解銅 ６・・電解銅。 代理人　弁理士　　石　原　　勝 、／′ （３）（：’ｌ　　　　　　（１１

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも錫化合物を含む有機溶媒を用い、該溶
   媒の熱分解法により、少なくとも酸化錫を含む金属化合
   物層を鍍金基板上に設けて後、無電解鍍金用アクティベ
   ータ溶液中で触媒金属を前記金属化合物層の少なくとも
   表面部分と置換堆積し、しかる後無電解鍍金することを
   特徴とする無電解鍍金方法。
2. （２）少なくとも錫化合物を含む有機溶媒として有機錫
   、有機亜鉛を含んだことを特徴とする請求項１記載の無
   電解鍍金方法。
3. （３）少なくとも錫化合物を含む有機溶媒を用い、該溶
   媒の熱分解法により、少なくとも酸化錫を含む金属化合
   物層を鍍金基板上に設けて後、該基板を電解液中で紫外
   光を照射することにより、光照射部位のみの金属化合物
   層を溶出させ、然る後アクティベーティング処理を行う
   ことにより、未露光部位に残存する前記金属化合物層の
   少なくとも表面部分と触媒金属とを置換させ、その後無
   電解鍍金することを特徴とする無電解鍍金方法。
4. （４）鍍金基板がセラミック、ガラス、プラスチック等
   の絶縁性基板であることを特徴とする請求項１、２、又
   は３記載の無電解鍍金方法。
5. （５）鍍金基板がアルミ、チタン、タングステン、モリ
   ブデン、タンタル等の弁作用金属、若しくはその合金の
   金属基板であることを特徴とする請求項１、２、又は３
   記載の無電解鍍金方法。