JPH04179150A - 半導体封止用容器 - Google Patents

半導体封止用容器

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Publication number
JPH04179150A
JPH04179150A JP30426290A JP30426290A JPH04179150A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
case
radiation
sealing
ceramic
Prior art date
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Pending
Application number
JP30426290A
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English (en)
Inventor
Minoru Saito
実 齋藤
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体封止用容器に関し、特にα線等放射線
量の多い環境の中で用いる半導体封止用容器に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置は、気密性保持するなめ半導体封止用
金属容器または半導体封止用セラミック容器で外部から
保護されているものの、宇宙空間では放射線量は地上と
比較にならないくらい多い。また、原子炉に於けるα線
の放射量は炉内。
炉建屋内ても]万う1〜以上あり搭載された半導体装置
には一般には厚い遮蔽壁て外部の放射線から保持しなけ
ればならないのか現状である。
また、宇宙機器に於いては、許容搭載物の軽減が最大の
課題とされていることから、遮蔽なして使用できる半導
体装置の要求は大きい。通信衛星の将来としては、地上
局アンテナの小型軽量化。
情報量の増大、搭載燃料の長期化、充電可能なバッテリ
ー等により、大型化せさるを得ない方向にある。
〔発明か解決しようとする課題〕
ケイ素及びガリウムひ素化合物半導体を基板とする半導
体装置では、宇宙機器の場合、許容搭載物の軽減が最大
の課題であり遮蔽壁の型巣を軽減することが課題とされ
ており、また原子炉分野では、炉内等α線の放射量の多
く人間か入り込めない箇所での保守・点検・管理に使用
される半導体装置の耐放射線性が強く要求され遮蔽なし
て使用できる半導体装置開発か大きな課題となっていた
従来の半導体封止用金属容器または半導体封止用セラミ
ック容器には放射線を遮蔽する効果はなか−)/S0 本発明の[」的は、放射線に対して誤動作のない半導体
封止用容器を提供することにある。
1]課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置は、ケイ素及びガリウムひ素化合物
を基板とする半導体の気密性を保持する半導体封止用金
属容器及び゛半導体封止用セラミック容器に鉛層を多層
構造することにより、外部から侵入するα線または放射
線を遮蔽する構造となっている。半導体封止用金属容器
の場合は釦の蒸気圧か悪影響しなけれは従来使用されて
いる鉄・ニッケル・コバル暑・合金を使用せずに釦たけ
で半導体封止用金属容器を構成してもよい。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図である。金属容器の表面には鉛か鍍金金またはクラ
ラI・方式により2層化されている。
第2図は半導体封止用セラミック容器の断面図である。
セラミックの表面及び放熱板の裏面には鉛が鍍金または
クラット方式またはスパッタにより鉛層が形成されてい
る。尚、釦は蒸気圧か低いのて半導体チップのある半導
体封止用容器内側には層を形成しない方か好ましい。同
時にセラミックー鉛構造を用途によりセラミックー釦−
セラミック構造にすることも有効である。
〔発明の効果〕
以」−説明したように本発明は、半導体封止用容器表面
に放射線またはα線を遮蔽する鉛層を形成したので、放
射線またはα線に対して誤動作のない半導体装置を提供
することかできる。また宇宙機器用途については鉛の遮
蔽枚か不要になったことにより許容搭載物の重量を増す
ことも可能となる。同時に原子炉分野では装置が鉛の遮
蔽板が不要になったことによりより軽量化、小型化する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図、第2図は本発明の半導体封止用セラミック容器の
断面図、第3図は従来の半導体封止用セラミック容器の
断面図である。 ]・・・釦鉛層2・・・鉄・ニッケル・コバルト合金、
3・・半導体チップ、4・・・外部リード端子、5・・
・コバーカラス、6・・セラミック、7・・放熱板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  表面あるいは、多層構造の一層に鉛層を有することを
    特徴とする半導体封止用容器。
JP30426290A 1990-11-09 1990-11-09 半導体封止用容器 Pending JPH04179150A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108091637A (zh) * 2016-11-23 2018-05-29 南方电网科学研究院有限责任公司 一种igbt模块管壳及其制作方法
TWI692067B (zh) * 2018-03-15 2020-04-21 日商東芝記憶體股份有限公司 半導體裝置

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