JPH04179150A - 半導体封止用容器 - Google Patents
半導体封止用容器Info
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- JPH04179150A JPH04179150A JP30426290A JP30426290A JPH04179150A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A
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- Japan
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- semiconductor
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- radiation
- sealing
- ceramic
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- Pending
Links
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体封止用容器に関し、特にα線等放射線
量の多い環境の中で用いる半導体封止用容器に関する。
量の多い環境の中で用いる半導体封止用容器に関する。
従来の半導体装置は、気密性保持するなめ半導体封止用
金属容器または半導体封止用セラミック容器で外部から
保護されているものの、宇宙空間では放射線量は地上と
比較にならないくらい多い。また、原子炉に於けるα線
の放射量は炉内。
金属容器または半導体封止用セラミック容器で外部から
保護されているものの、宇宙空間では放射線量は地上と
比較にならないくらい多い。また、原子炉に於けるα線
の放射量は炉内。
炉建屋内ても］万う１〜以上あり搭載された半導体装置
には一般には厚い遮蔽壁て外部の放射線から保持しなけ
ればならないのか現状である。
には一般には厚い遮蔽壁て外部の放射線から保持しなけ
ればならないのか現状である。
また、宇宙機器に於いては、許容搭載物の軽減が最大の
課題とされていることから、遮蔽なして使用できる半導
体装置の要求は大きい。通信衛星の将来としては、地上
局アンテナの小型軽量化。
課題とされていることから、遮蔽なして使用できる半導
体装置の要求は大きい。通信衛星の将来としては、地上
局アンテナの小型軽量化。
情報量の増大、搭載燃料の長期化、充電可能なバッテリ
ー等により、大型化せさるを得ない方向にある。
ー等により、大型化せさるを得ない方向にある。
ケイ素及びガリウムひ素化合物半導体を基板とする半導
体装置では、宇宙機器の場合、許容搭載物の軽減が最大
の課題であり遮蔽壁の型巣を軽減することが課題とされ
ており、また原子炉分野では、炉内等α線の放射量の多
く人間か入り込めない箇所での保守・点検・管理に使用
される半導体装置の耐放射線性が強く要求され遮蔽なし
て使用できる半導体装置開発か大きな課題となっていた
。
体装置では、宇宙機器の場合、許容搭載物の軽減が最大
の課題であり遮蔽壁の型巣を軽減することが課題とされ
ており、また原子炉分野では、炉内等α線の放射量の多
く人間か入り込めない箇所での保守・点検・管理に使用
される半導体装置の耐放射線性が強く要求され遮蔽なし
て使用できる半導体装置開発か大きな課題となっていた
。
従来の半導体封止用金属容器または半導体封止用セラミ
ック容器には放射線を遮蔽する効果はなか−）／Ｓ０ 本発明の［」的は、放射線に対して誤動作のない半導体
封止用容器を提供することにある。
ック容器には放射線を遮蔽する効果はなか−）／Ｓ０ 本発明の［」的は、放射線に対して誤動作のない半導体
封止用容器を提供することにある。
１］課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、ケイ素及びガリウムひ素化合物
を基板とする半導体の気密性を保持する半導体封止用金
属容器及び゛半導体封止用セラミック容器に鉛層を多層
構造することにより、外部から侵入するα線または放射
線を遮蔽する構造となっている。半導体封止用金属容器
の場合は釦の蒸気圧か悪影響しなけれは従来使用されて
いる鉄・ニッケル・コバル暑・合金を使用せずに釦たけ
で半導体封止用金属容器を構成してもよい。
を基板とする半導体の気密性を保持する半導体封止用金
属容器及び゛半導体封止用セラミック容器に鉛層を多層
構造することにより、外部から侵入するα線または放射
線を遮蔽する構造となっている。半導体封止用金属容器
の場合は釦の蒸気圧か悪影響しなけれは従来使用されて
いる鉄・ニッケル・コバル暑・合金を使用せずに釦たけ
で半導体封止用金属容器を構成してもよい。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図である。金属容器の表面には鉛か鍍金金またはクラ
ラＩ・方式により２層化されている。
面図である。金属容器の表面には鉛か鍍金金またはクラ
ラＩ・方式により２層化されている。
第２図は半導体封止用セラミック容器の断面図である。
セラミックの表面及び放熱板の裏面には鉛が鍍金または
クラット方式またはスパッタにより鉛層が形成されてい
る。尚、釦は蒸気圧か低いのて半導体チップのある半導
体封止用容器内側には層を形成しない方か好ましい。同
時にセラミックー鉛構造を用途によりセラミックー釦−
セラミック構造にすることも有効である。
クラット方式またはスパッタにより鉛層が形成されてい
る。尚、釦は蒸気圧か低いのて半導体チップのある半導
体封止用容器内側には層を形成しない方か好ましい。同
時にセラミックー鉛構造を用途によりセラミックー釦−
セラミック構造にすることも有効である。
以」−説明したように本発明は、半導体封止用容器表面
に放射線またはα線を遮蔽する鉛層を形成したので、放
射線またはα線に対して誤動作のない半導体装置を提供
することかできる。また宇宙機器用途については鉛の遮
蔽枚か不要になったことにより許容搭載物の重量を増す
ことも可能となる。同時に原子炉分野では装置が鉛の遮
蔽板が不要になったことによりより軽量化、小型化する
ことができる。
に放射線またはα線を遮蔽する鉛層を形成したので、放
射線またはα線に対して誤動作のない半導体装置を提供
することかできる。また宇宙機器用途については鉛の遮
蔽枚か不要になったことにより許容搭載物の重量を増す
ことも可能となる。同時に原子炉分野では装置が鉛の遮
蔽板が不要になったことによりより軽量化、小型化する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図、第２図は本発明の半導体封止用セラミック容器の
断面図、第３図は従来の半導体封止用セラミック容器の
断面図である。 ］・・・釦鉛層２・・・鉄・ニッケル・コバルト合金、
３・・半導体チップ、４・・・外部リード端子、５・・
・コバーカラス、６・・セラミック、７・・放熱板。
面図、第２図は本発明の半導体封止用セラミック容器の
断面図、第３図は従来の半導体封止用セラミック容器の
断面図である。 ］・・・釦鉛層２・・・鉄・ニッケル・コバルト合金、
３・・半導体チップ、４・・・外部リード端子、５・・
・コバーカラス、６・・セラミック、７・・放熱板。
Claims (1)
- 表面あるいは、多層構造の一層に鉛層を有することを
特徴とする半導体封止用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30426290A JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30426290A JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179150A true JPH04179150A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17930937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30426290A Pending JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04179150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091637A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种igbt模块管壳及其制作方法 |
| TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP30426290A patent/JPH04179150A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091637A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种igbt模块管壳及其制作方法 |
| TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
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