JPH04174923A

JPH04174923A - 変位センサ及び位置決め装置

Info

Publication number: JPH04174923A
Application number: JP26812890A
Authority: JP
Inventors: Isao Kitajima; 功朗北島; Hiroshi Sekii; 宏関井
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1990-07-06
Filing date: 1990-10-04
Publication date: 1992-06-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、光位置検出器（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ　５ｅｎｓ
ｉｔｉｖｅＤｅｖｉｃｅ）を用いた変位センサと、この
変位センサを用いた非接触式の位置決め装置に関する。

［背景技術］従来の光位置検出器（以下、ＰＳＤという。）を用いた
変位センサの一例としては、第１０図に示すような構造
の変位センサ５１がある。これは、センサヘッド部５２
内の投光側に発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ
等の発光素子５３と投光用レンズ５４を配置し、受光側
に集光用レンズ５５とＰＳＤ５８を配置したものであり
、対象物５７に向けて斜めに検出光５８を投射し、対象
物５７で反射された反射光５９を集光用レンズ５５で集
光させてＰＳＤ５ｅに入射させる。そして、検出光５８
の光軸と集光用レンズ５５の光軸とがθ＝９０°の角度
をなすように配置されている。

この変位センサ５１にあっては、対象物５７の変位量と
ＰＳＤ５６の受光面における入射点の変位量とが比例す
るので、対象物５７の変位量に対してリニアなＰＳＤ信
号出力が得られる。

しかしながら、この変位センサ５１にあっては、発光素
子５３とＰＳＤ５８をいずれも対象物５７の表面に対し
て斜めに配置しているので、検出距離りに比べて発光素
子５３とＰＳＤ５６の距離Ｓが長くなり、センサヘッド
部５２が大きくなるという欠点があった。

また、第１１図に示すものは、別な従来例の変位センサ
６１であって、対象物６２に対して垂直に検出光６３を
投射させるように発光素子６４と投光用レンズ６５を配
置し、ＰＳＤ６６の受光面６７を検出光６３の光軸と垂
直に配置し、対象物６２の表面で反射した反射光６８を
ＰＳＤ６６に集光させるための集光用レンズ６９を検出
光６３の光軸と平行となるように配置したものである。

この変位センサ６１では、検出光６３の光軸とＰＳＤ６
８の受光面６７とが垂直になっていたので、対象物６２
の変位量とＰＳＤ６６の受光面６７における入射点の変
位量とが比例せず、対象物６２の変位量に対してリニア
なＰＳＤ信号出力を得ることができず、補正回路を必要
とした。さらに、対象物６２の表面で反射した反射光６
８を集光用レンズ６９で集光させた焦点からなる焦点面
７０は、第１１図に示すようにＰＳＤ６６の受光面６７
になく、反射光６８を常にＰＳＤ６６の受光面６７に焦
点を結ばせることができなかった。

第１２図は、さらに別な従来例の変位センサ７１を示す
概略図である。この変位センサ７１では、対象物７２の
表面に対して垂直に検出光７３を投射させるように発光
素子７４と投光用レンズ７５を配置し、ＰＳＤ７６の受
光面７７を検出光７３の光軸と垂直に配置し、対象物７
２の表面で反射した反射光７８の焦点が常にＰＳＤ７６
の受光面７７に位置するように集光用レンズ７９を傾か
せたものである。しかしながら、この変位センサ７１で
も、検出光７３の光軸とＰＳＤ７６の受光面７７とが垂
直になっていたので、第１２図に示すように、対象物７
２がａｌ及びａ２だけ移動した時、ＰＳＤ７ｅの受光面
７７における焦点位置の変位量ｂ１及びｂ２は、であり、対象物の変位量に対してリニアなＰＳＤ信号出
力を得ることができなかフた。

次に、位置決め装置の背景技術について説明する。例え
ば、光磁気ディスクにおけるディスク８１に対する磁気
ヘッド８２の位置決め方式を第１３図に示す。これは、
フォーカスエラ一方式と呼ばれるものであって、書き込
み用レーザーダイオードから出射されたレーザー光８３
をレンズ系８４でディスク８１に集光させ、このレーザ
ー光８３の焦点誤差でディスク８１との距離を検出し、
この検出信号を磁気ヘッド８２ヘフイードバツクさせて
磁気ヘッド８２がディスク８１に対して一定距離となる
ように位置決め制御している。

しかしながら、このようなフォーカスエラ一方式では、
合焦点位置が限定されるので、ディスクとレーザーダイ
オードとを予め正確に位置決めしておく必要があった。

このため、レーザーダイオード等の組み込み精度が要求
され、磁気ディスクの組立てに手間がかかつていた。

゛また、第１４図に示す磁気ヘッドの位置決め方式は、
例えば第１０図に示したような発光素子９１とＰＳＤ９
２とからなる変位センサ９３を用いて磁気ヘッド８２の
絶対位置を検出し、これから磁気ヘッド８２とディスク
８１との距離ｄを計算して磁気ヘッド８２の位置を間接
的に検知している。

しかしながら、このような方式では、磁気ヘッド８２と
ディスク８１との距離ｄを計算によって間接的に求めて
いるので、位置決め誤差が大きいという欠点があった。

また、インパクトドツトプリンタにおいては、紙に対す
る印字ヘッドの位置決めを行なわせる必要がある。この
ため、従来にあっては、−旦印字ヘッドを紙に押し当て
て位置決めし、そこから−定距離印字ヘッドを後退させ
ることにより印字ヘッドを紙から一定距離に位置決めす
る方式が主流となっている。

しかしながら、このような方式では、印字ヘツドを紙に
押し当ててから再び後退させるというストロークの大き
な動作を行なっており、また、印字へ・ソドが紙に当た
った時に検出する機構や印字ヘッドか紙に当接した時に
止まるよう印字ヘッドの前進を空送り（もしくは、空回
り）させるような機構等が必要であるため、その構成が
複雑となっていた。

［発明が解決しようとする課題］本発明は斜上の各従来例の欠点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、対象物の変位量とリニ
アなＰＳＤ信号出力を得ることができる高精度で小型の
変位センサを提供することにある。

さらに、その目的とするところは、位置決め精度が高く
、組み込み時に対象物との位置決め設定を行なう必要が
なく、コンパクトで構造の簡単な位置決め装置を提供す
ることにある。

［課題を解決するための手段］本発明の変位センサは、対象物に対してほぼ垂直に検出
光を投射させるための発光素子と、対象物で反射された
反射光を集光させるための集光素子と、受光面が前記検
出光の光軸と平行となるように配置された光位置検出器
とからなることを特徴としている。

さらに、上記集光素子を、その光軸か前記検出光の光軸
と垂直となるように配置し、集光素子で集光された反射
光が前記光位置検出器の受光面に焦点を結ぶようにして
もよい。

また、本発明の位置決め装置は、発光素子、集光素子及
び光位置検出器を同一の基台上に集積した上記変位セン
サを用いて対象物までの距離を検出させるようにしたこ
と？特徴としている。

［作用］本発明の変位センサにあっては、ＰＳＤの受光面を検出
光の光軸と平行に配置したので、対象物の変位量に対し
てリニアなＰＳＤ信号出力を得ることができる。この結
果、ＰＳＤ信号出力を補正回路等によって処理する必要
かなくなり、高精度の変位センサな得ることができた。

また、発光素子は、対象物に対して検出光を垂直に投射
させるようになっているので、変位センサを小型化する
ことができる。

さらに、上記集光素子を、その光軸か前記検出光の光軸
と垂直となるように配置し、集光素子で集光された反射
光が前記晃位置検出器の受光面に焦点を結ぶようにすれ
ば、変位センサの分解能が向上する。

また、本発明の位置決め装置にあっては、上記変位セン
サを用いているので、構造が簡単で、高精度かつコンパ
クトな位置決め装置を製作することができる。しかも、
上記の発光素子と集光素子と光位置検出器とをステムや
ヒートシンク等の基台に集積しであるので、対象物まで
の距離と出力との関係が定まっており、位置決め装置を
光磁気ディスク等の機器に組み込む際に位置決めのため
の初期設定作業を行なう必要がない。また、直接対象物
までの距離を検出することができるので、誤差が小さく
、より高精度で位置決めを行なうことができる。

［実施例］第１図に示すものは、本発明の第一実施例の変位センサ
１である。ヒートシンクブロック２の上面には、半導体
レーザや発光ダイオード等の発光素子３が搭載されてお
り、ヒートシンクブロック２の前面には投光用フレネル
レンズ４を設けられたレンズ基板５が取り付けられてい
る。この発光素子３は、投光用フレネルレンズ４の光軸
６上に配置されており、発光素子３から放射された光は
投光用フレネルレンズ４で収束させられ、対象物７に向
けて垂直に出射される。また、ヒートシンクブロック２
の下方において、ヒートシンクブロック２を設けられて
いるベースプレート８がら突設されたＰＳＤ取付台９の
上面には、ＰＳＤＩＯが取り付けられており、ＰＳＤＩ
Ｏの受光面１１は投光用フレネルレンズ４の光軸６と平
行となるように配置されている。さらに、ヒートシンク
ブロック２の下面にはガラスもしくは光学樹脂製の透明
なレンズ基板１２が取り付けられており、レンズ基板の
ヒートシンクブロック２前面よりも前方へ突出した部分
の下面には、透過型の集光用フレネルレンズ１３が設け
られている。この実施例では、集光用フレネルレンズ１
３の光軸１４は、投光用フレネルレンズ４の光軸６及び
ＰＳＤＩＯの受光面１１と垂直な方向を向いており、Ｐ
ＳＤｌｏと集光用フレネルレンズ１３を結ぶ方向と投光
用フレネルレンズ４の光軸６とが交差する箇所と投光用
フレネルレンズ４の間の距離がほぼ目的とする検出範囲
となるようにしである。更に、投光用フレネルレンズ４
の光軸６上から出た光線は、集光用フレネルレンズ１３
で集光され、ＰＳＤＩＯの受光面１１に焦点を結ぶよう
に配置しである（すなわち、光軸６上の点光源は、受光
面１１上に結像される）。

なお、第１図では、ステムやキャップ等のケース部分は
、省略されている。

しかして、発光素子３から放射された検出光１５は、投
光用フレネルレンズ４で収束させられて対象物７の表面
に照射される。対象物７の表面で反射された反射光１６
は、集光用フレネルレンズ１３で集光され、ＰＳＤｌｏ
の受光面１１の上に焦点を結乙”’、ＰＳＤ１０によっ
て反射光１６の焦点位置（入射位置）か検出され、対象
物７の変位量（あるいは、検出距離）が検出される。例
えば、Ａ、Ｂ及びＣの位置にある対象物７の表面で反射
された反射光１６は、それぞれ受光面１１のａ、ｂ及び
Ｃの位置に焦点を結び、このａ位置とｂ位置の距離ΔＱ
１、ｂ位置とＣ位置の距離△Ｑ２によって対象物７の変
位量ΔＬｌ　＋△Ｌ２が求められる。

ここで、本発明にあっては、検出光１５の光軸（投光用
フレネルレンズ４の光軸）６とＰＳＤＩＯの受光面１１
とが平行になっているので、対象物７の変位量△Ｌｌ＋
　△Ｌ２と受光面１１における焦点位置のずれΔＱ　Ｉ
ｒΔＱ２は比例しており、ΔΩｌ：△Ｑ２二△Ｌ１：Δ
Ｌ２となっている。すなわち、対象物７で反射した反射光１
６のうち集光用フレネルレンズ１３を通過する光束の中
心光線（集光用フレネルレンズ１３の中心を通過する光
線；−点鎖線で示しである。）は集光用フレネルレンズ
１３を直進するから、第１図から明らかなように対象物
７の変位量と受光面１１における焦点位置の変位量とは
比例する。

したがって、本発明にあっては、ＰＳＤ信号出力と検出
距離とのりニアリティが良好となり、高精度の変位セン
サを製作することができる。

しかも、この実施例では、集光用フレネルレンズ１３の
光軸か、投光用フレネルレンズ４の光軸６及び受光面１
１と垂直な方向を向いているので、対象物７からの反射
光１θを常に受光面１１で焦点を結ばせるようにＰＳＤ
ｌｏを配置することができ、ＰＳＤＩＯの分解能も向上
し、高精度の変位センサを得ることかできる。

第２図はこのような構造の変位センサ１を用いて検出距
離りとＰＳＤ信号出力との関係を実測した結果を示して
いる。第２図の横軸は、検出距離してあり、第３図（ａ
）に示すように、変位センサ１の前に上質紙１７を立て
、投光用フレネルレンズ４から上質紙１７までの距ＭＬ
を測ったものである。また、第２図の縦軸は、ＰＳＤ信
号出力でアッテ、第３図（ｂ）ノ、Ｊ：ウニ、ＰｓＤｌ
ｏの２つの電極１８’、１９に接続されたリート線２ｏ
、２１に流れる電流ＩＡ、ｌの差（Ｉ　Ａ−Ｉ　１１）
を全電流（丁。＋ｒ、）で割った値（Ｉ、−ＩＳ）／Ｃ
ＩＡ＋Ｉ［ｌ）である。このようにして検出距離りとＰ
ＳＤ信号出力との関係を求めたところ、第グ図に示すよ
うに良好なリニアリティが得られた。特に、Ｌ＝２．０
〜３　、６　ｍｍの範囲で優れたリニアリティを示して
いる。

また、検出距離りを大ぎくする場合には、集光用フレネ
ルレンズ１３とＰＳＤＩＯの受光面１１を結ぶ方向と投
光用フレネルレンズ４の光軸６のなす角度が小さくなる
ように位置関係を変更するだけでよく、変位センサーの
外形寸法が大きくなることがない。

第４図は、本発明の第二実施例の変位センサ２２を示す
断面図である。ステム２３の前面に設けられたヒートシ
ンクブロック２の上面に発光素子３が設けられ、ヒート
シンクブロック２の前面には、投光用フレネルレンズ４
が設けられたレンズ基板５が取り付けられている。また
、ヒートシンクブロック２の下面には、受光面１１を下
にしてＰＳＤＩＯが取り付けられており、ＰＳＤＩＯの
受光面１１は検出光１５の光軸と平行となるように配置
されている。さらに、ヒートシンクブロック２の下方で
は、ＰＳＤＩＯと対向させるようにして透明なレンズ基
板１２が設けられており、レンズ基板１２の上面に集光
用フレネルレンズ１３が設けられており、集光用フレネ
ルレンズ１３の光軸は投光用フレネルレンズ４の光軸６
と垂直に配置され、レンズ基板１２の下面には集光用フ
レネルレンズ１３と平行に対向させて反射面２４が形成
されている。また、この変位センサ２２は、ステム２３
に固着されたキャップ２５によって覆われており、キャ
ップ２５の窓は、ガラヌ板２６によって塞がれている。

しかして、発光素子Ｓがら出射された検圧光１５を対象
物７に照射させると、対象物７の表面で反射された反射
光１６は集光用フレネルレンズ１３で集光され、ついで
反射面２４で上方へ反射され、ＰＳＤＩＯの受光面１１
に焦点が結ばれる。

この実施例でも、対象物７で反射された反射光１６は、
検出距離によらず、ＰＳＤＩＯの受光面１１に焦点か結
ばれる。また、ＰＳＤＩＯの受光面１１上の焦点の変位
量は、対象物７の変位量と比例するので、ＰＳＤ信号出
力のりニアリティにも優れている。さらに、この実施例
では、レンズ基板１２を取り付ける前にＰＳＤＩＯをヒ
ー）・シンクブロック２の下面に取り付けているので、
ＰＳＤＩＯのワイヤーホンティング作業か容易になる。

第５図は、本発明の第三実施例の変位センサ２７を示す
断面図である。ステム２３の前面に設けられたヒートシ
ンクブロック２の上面に発光素子３が設けられ、ヒート
シンクブロック２の前面に投光用フレネルレンズ４が設
けられたレンズ基板５が取り付けられている。また、ヒ
ートシンクブロック２の下面には、受光面１１を下にし
てＰＳＤＩＯが取り付けられており、ＰＳＤＩＯの受光
面１１は投光用フレネルレンズ４の光軸６と平行となる
ように配置されている。さらに、ヒートシンクブロック
２の下方には、ＰＳＤＩＯと対向させるようにして透明
なレンズ基板１２が配設されている。レンズ基板１２の
下面には、反射型フレネルレンズ２８が設けられており
、反射型フレネルレンズ２８の光軸は投光用フレネルレ
ンズ４の光軸６と垂直な方向を向いている。

しかして、対象物７の表面で反射された反射光１６は反
射型フレネルレンズ２８によって上方へ反射させられる
と同時に集光され、ＰＳＤＩＯの受光面１１に焦点を結
ばれる。なお、この実施例でも、レンズ基板１２を後付
けすることにより、ＰＳＤＩ　Ｏのワイヤーボンディン
グが容易になる。

第６図に示すものは、本発明の第四実施例の変位センサ
２９である。この実施例では、発光素子３を搭載された
ヒートシンクブロック２の前方に縦に長い透明なレンズ
基板３ｏを配置し、レンズ基板３０の前面に発光素子３
と対向させて投光用フレネルレンズ４を一体に設け、レ
ンズ基板３゜の前面の投光用フレネルレンズ４の下方に
は、集光用フレネルレンズ３１が一体に設けられている
。

さらに、ヒートシンクブロック２の下面側のＰｓＤ取付
台９の上面にはＰＳＤＩＯが搭載されており、ＰＳＤＩ
Ｏの受光面１１は上方に向けられている。したがって、
この実施例では、ＰＳＤＩＯの受光面１１は投光用フレ
ネルレンズ４の光軸６と平行となっており、集光用フレ
ネルレンズ３１の光軸も投光用フレネルレンズ４の光軸
６と平行になっている。

この実施例では、集光用フレネルレンズ３１の光軸は、
検出光１５の光軸６と垂直でなく、平行となっているの
で、第一の実施例のように、対象物７の位置に拘らず常
に受光面１１の上に焦点を結ぶということはないが、Ｐ
ＳＤＩＯの受光面１１が検出光１５の光軸６と平行にな
っているので、Ｐ’　Ｓ　Ｄ信号出力は対象物７の変位
量に対してリニアとなる。すなわち、このような場合も
、各反射光１６の中心光線（集光用フレネルレンズ３１
の中心を通過した光線ニー点鎖線で示す。）に着目する
と、反射光１６の中心光線と受光面１１との交点の変位
量は、対象物７の変位量と比例するためである。

第７図に示すものは、本発明の第五実施例の変位センサ
３２であり、ヒートシンクブロック２の前方に配置され
た縦長の透明なレンズ基板３０の上下に光軸か平行とな
るように投光用フレネルレンズ４と集光用フレネルレン
ズ３１を設けてあり、ヒートシンクブロック２の下面に
ＰＳＤｌｏを取り付け、下面側を向けたＰＳＤＩＯの受
光面１１が検出光１５の光軸６と平行となるようにしで
ある。さらに、ヒートシンクブロック２の下方に受光面
１１と平行となるようにして反射板３３を設けである。

しかして、対象物７の表面で反射された反射光１６は、
集光用フレネルレンズ３１で集光され、反射板３３の上
面で上方へ反射させられ、ＰＳＤｌｏの受光面１１に入
射させられる。この実施例においても、検出光１５の光
軸６と受光面１１とが平行となっているので、ＰＳ・Ｄ
信号出力は対象物７の変位量に対してリニアとなる。

第８図に示すものは、前記のような発光素子３、集光素
子（集光用フレネルレンズ１３１反射型フレネルレンズ
２８等）及びＰＳＤＩＯをステム２３やヒートシンクブ
ロック２、ＰＳＤ取付台９等の一体となフた同一の基台
に集積された変位センサを利用した位置決め装置の一実
施例である。この位置決め装置４１は、例えば光磁気デ
ィスクの磁気ヘッドやインパクトドツトプリンタの印字
ヘッド等の位置決めの必要な位置決め制御物４２を、デ
ィスクや紙等の対象物４３に対して所定距離となるよう
に位置決めさせることができる。すなわち、この実施例
では、変位センサ４４と磁気ヘッドや印字ヘッド等の位
置決め制御物４２とを同一面上に並べて一緒に動くよう
に配置しである。従って、変位センサ４４によってディ
スクや紙等の対象物４３までの距！Ｄ＠＝検出すれば、
直接に位置決め制御物４２と対象物４３との距離を検知
することができる。そして、変位センサ４４からの検出
信号を位置決め制御物４２ヘフイードバツクさせ、対象
物４３までの距離を検出しながら位置決め制御物４２を
適当なアクチュエータで動かすことにより、所定距離に
位置決めさせることができ、誤差が極めて小さく高精度
の位置決めを実現できる。しかも、対象物４３に非接触
で位置決めできるうえ、変位センサ４４が小さいのでコ
ンパクトに構成できる。

また、第９図に示すものは、本発明の位置決め装置４５
の別な実施例である。この実施例では、ディスクや紙等
の対象物４３を挟んで画側に磁気ヘッドや印字ヘッド等
の位置決め制御物４２と変位センサ４４とが配置されて
おり、位置決め制御物４２と変位センサ４４とは、常に
一定距離を保って動くようになっている。従って、位置
決め制御物４２と変位センサ４４との距離や対象物４３
の厚みが知れていれば、変位センサ４４から対象物４３
までの距離りを検出することにより、位置決め制御物４
２と対象物４３との距離を知ることができ、この距離が
所定距離となるように位置決め制御物４２の位置決めを
高精度に行なうことができる。また、この変位センサは
、初めから基台に集積されているので、対象物４３まで
の距離と検出信号との関係は初めから定まっているので
、フォーカスエラ一方式のように組み込み時に位置決め
設定作業を厳密に行なうことを要しない。

［発明の効果］本発明の変位センナによれば、ＰＳＤの受光面を検出光
の光軸と平行に配置することにより、対象物の変位量に
対してリニアなＰＳＤ信号出力な持つ高精度で、かつ小
型の変位センサを製作することができる。

加えて、集光、素子を、その光軸が前記検出光の光軸と
垂直となるように配置すれば、反射光が光位置検出器の
受光面に焦点を結ぶので、変位センサの分解能が向上さ
せることができる。

また、本発明の位置決め装置によれば、構造が簡単で、
高精度かつコンパクトな位置決め装置を提供できる。し
かも、直接対象物までの距Ｎ？検出することができるの
で、誤差が小さく、より高精度の位置決めが可能になる
。また、位置決めのための初期設定作業を機器への組み
込み時に行なう必要がなく、位置決め装置の機器への組
み込み、もしくは機器の組立てが容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の変位センサの一実施例を示す側面図、
第２図は同上の変位センサにおける検出距離とＰＳＤ信
号出力との関係を示す図、第３図（ａ）　（ｂ）は同上
の測定方法を示す説明図、第４図は本発明の変位センサ
の第二の実施例を示す断面図、第５図は本発明の変位セ
ンサの第三の実施例を示す断面図、第６図は本発明の変
位センサの第四の実施例を示す断面図、第７図は本発明
の変位センサの第五の実施例を示す断面図である。第８
図は本発明の位置決め装置の一実施例を示す概略図、第
９図は本発明の位置決め装置の別な実施例を示す概略図
である。第１０図は従来の変位センサを示す概略図、第
１１図は別な従来の変位センサの構成を示す図、第１２
図はさらに別な従来の変位センサの構成を示す図、第１
３図は磁気ヘッドの位置決めを行なわせるための従来の
位置決め装置を示す概略図、第１４図は別な従来の位置
決め装置を示す概略図である。２・・・ヒートシンクブロック３・・・発光素子４・・・投光用フレネルレンズ６・・投光用フレネルレンズの光軸７・・・対象物８・・・ベースプレート９・・・ＰＳＤ取付台１０・・・光位置検出器（ＰＳＤ）１１・・・受光面１２・・・レンズ基板１３．３１・・・集光用フレネルレンズ１５・・・検出
光１Ｇ・・・反射光２３・・・ステム４２・・・位置決め制御物４３・・・対象物４４　　（１，２２，２７，２９，３２）・・・変位セ
ンサ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）対象物に対してほぼ垂直に検出光を投射させるた
めの発光素子と、対象物で反射された反射光を集光させるための集光素子
と、受光面が前記検出光の光軸と平行となるように配置され
た光位置検出器とからなる変位センサ。
（２）前記集光素子を、その光軸が前記検出光の光軸と
垂直となるように配置し、集光素子で集光された反射光
が前記光位置検出器の受光面に焦点を結ぶようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の変位センサ。
（３）発光素子、集光素子及び光位置検出器を同一の基
台上に集積した請求項１又は２に記載の変位センサを用
いて対象物までの距離を検出させるようにしたことを特
徴とする位置決め装置。