JPH04172191A - レーザーマーキング方法 - Google Patents
レーザーマーキング方法Info
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- JPH04172191A JPH04172191A JP2297586A JP29758690A JPH04172191A JP H04172191 A JPH04172191 A JP H04172191A JP 2297586 A JP2297586 A JP 2297586A JP 29758690 A JP29758690 A JP 29758690A JP H04172191 A JPH04172191 A JP H04172191A
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- Japan
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- wafer
- laser beam
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- fine powder
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Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レーザーによるマーキング方法に関し、ドツト周囲への
微粉の付着を解消させて、マーキング後の基板面を清浄
に保つことを目的とし、基板を液体に浸し、該基板表面
にレーザービームを照射してドツト記号を描くようにし
たことを特徴とする。
微粉の付着を解消させて、マーキング後の基板面を清浄
に保つことを目的とし、基板を液体に浸し、該基板表面
にレーザービームを照射してドツト記号を描くようにし
たことを特徴とする。
本発明はレーザーによるマーキング方法に関し、例えば
、半導体装置の製造方法においてウェハーに識別記号を
記入する方法に関している。
、半導体装置の製造方法においてウェハーに識別記号を
記入する方法に関している。
例えば、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体デバイスは数十枚の
ウェハーで１０ツト（Ｌｏｔ）を構成し、１０ツトを製
造単位としてウェハー個りにロフト記号、ウェハ一番号
、更には製造工場記号１月や週の記号などの識別記号を
記入しており、その識別記号によって不良品の解析など
をおこなっている。
ウェハーで１０ツト（Ｌｏｔ）を構成し、１０ツトを製
造単位としてウェハー個りにロフト記号、ウェハ一番号
、更には製造工場記号１月や週の記号などの識別記号を
記入しており、その識別記号によって不良品の解析など
をおこなっている。
また、従来はウェハー試験で不良チップにインク・マー
キングをしていたが、最近ではウェハー試験の結果をマ
ツプに記録してマツプと照らし合わすマツプシステムが
採られており、その場合にもウェハーの識別記号が必要
になる。
キングをしていたが、最近ではウェハー試験の結果をマ
ツプに記録してマツプと照らし合わすマツプシステムが
採られており、その場合にもウェハーの識別記号が必要
になる。
そのようなウェハーに識別記号を記入することをマーキ
ング（ｍａｒｋｉｎｇ） 、またはナンバリング（ｎｕ
ｍｂｅｒｉｎｇ）と言い、その記号はウェハーの周辺部
の一定位置、例えば、ＯＦ（オリエンテーションフラッ
ト）ラインを基準にした定位置に記入されている。
ング（ｍａｒｋｉｎｇ） 、またはナンバリング（ｎｕ
ｍｂｅｒｉｎｇ）と言い、その記号はウェハーの周辺部
の一定位置、例えば、ＯＦ（オリエンテーションフラッ
ト）ラインを基準にした定位置に記入されている。
このようなウェハーの記号の記入方法は、レーザーマー
キング装置を用いておこなわれており、第３図にそのレ
ーザーマーキング装置の要部図を示している。図中の記
号１はウェハー、２は炭酸ガスレーザーなどを用いたレ
ーザー発振器、３゜４は反射ミラー、５はガルバノメー
タ駆動部、６はガルバノミラ−９７は収束レンズ、Ｂは
レーザービームで、レーザー発振器２からレーザー光を
発射してガルバノミラ−６に入射させ、それを反射ミラ
ーで複数回反射させて収束レンズ７で収束して、収束し
た微細なレーザービームＢでウェハー１を照射して食刻
している。その際、ガルバノメータ駆動部５によってガ
ルバノミラ−６から反射するビームをスキャンニングし
てドツト記号を描くわけである。即ち、数字やアルファ
ベット等の記号は多数のドツトの集合体で描いている。
キング装置を用いておこなわれており、第３図にそのレ
ーザーマーキング装置の要部図を示している。図中の記
号１はウェハー、２は炭酸ガスレーザーなどを用いたレ
ーザー発振器、３゜４は反射ミラー、５はガルバノメー
タ駆動部、６はガルバノミラ−９７は収束レンズ、Ｂは
レーザービームで、レーザー発振器２からレーザー光を
発射してガルバノミラ−６に入射させ、それを反射ミラ
ーで複数回反射させて収束レンズ７で収束して、収束し
た微細なレーザービームＢでウェハー１を照射して食刻
している。その際、ガルバノメータ駆動部５によってガ
ルバノミラ−６から反射するビームをスキャンニングし
てドツト記号を描くわけである。即ち、数字やアルファ
ベット等の記号は多数のドツトの集合体で描いている。
第４図はそのドツト記号と従来の問題点を説明する図で
、同図（ａ）は例として°ＯＦ’字のドツト記号をウェ
ハー１の周縁部分に描いたウェハーの部分平面図、同図
（ｂ）は１つのドツトｄの平面図で、同図（Ｃ）は１つ
のドツトｄの断面図である。
、同図（ａ）は例として°ＯＦ’字のドツト記号をウェ
ハー１の周縁部分に描いたウェハーの部分平面図、同図
（ｂ）は１つのドツトｄの平面図で、同図（Ｃ）は１つ
のドツトｄの断面図である。
このようなドツト記号は数字やアルファベットなどの所
定記号を５×７ドツトや７×９ドツトで予め作成してお
き、キー人力すれば制御系（図示せず）によって自動的
に所望のドツト記号が描かれるのであるが、第４図（ｂ
）、 （Ｃ）に図示しているように、レーザー照射して
ドツトを食刻すると、溶融して跳ね上がった微粉がドソ
）ｄの周囲に被着する欠点がある。ドツトｄの直径５０
〜１００ μｍφ程度の窪みであるから微粉はそれより
小さくて、多数個が白濁状に観察される程度であるが、
レーザー照射時に蒸気になって舞い上がったウェハー材
料（シリコンなど）が静電気を帯びたウェハーに引き寄
せられると推考され、このような微粉はエツチングして
も除き難く、その後は次第に剥がれて拡散して、ウェハ
ーの品質・製造歩留を低下させる原因になる。
定記号を５×７ドツトや７×９ドツトで予め作成してお
き、キー人力すれば制御系（図示せず）によって自動的
に所望のドツト記号が描かれるのであるが、第４図（ｂ
）、 （Ｃ）に図示しているように、レーザー照射して
ドツトを食刻すると、溶融して跳ね上がった微粉がドソ
）ｄの周囲に被着する欠点がある。ドツトｄの直径５０
〜１００ μｍφ程度の窪みであるから微粉はそれより
小さくて、多数個が白濁状に観察される程度であるが、
レーザー照射時に蒸気になって舞い上がったウェハー材
料（シリコンなど）が静電気を帯びたウェハーに引き寄
せられると推考され、このような微粉はエツチングして
も除き難く、その後は次第に剥がれて拡散して、ウェハ
ーの品質・製造歩留を低下させる原因になる。
本発明はそのようなドツト周囲への微粉の付着を解消さ
せて、マーキング後のウェハー面を清浄に保つことを目
的としたレーザーマーキング方法を提案するものである
。
せて、マーキング後のウェハー面を清浄に保つことを目
的としたレーザーマーキング方法を提案するものである
。
その課題は、基板を液体に浸し、該基板にレーザービー
ムを照射してドツト記号を描くようにしたマーキング方
法によって解決される。
ムを照射してドツト記号を描くようにしたマーキング方
法によって解決される。
即ち、本発明は、ドツト記号を描く基板を液体中に配置
して、上からレーザービームを照射してドツト記号を記
入する。そうすると、微粉が被着しない。
して、上からレーザービームを照射してドツト記号を記
入する。そうすると、微粉が被着しない。
その際、基板を浸たす液体で汚染されないように、清浄
で、且つ、反応しない液体を使用する必要がある。
で、且つ、反応しない液体を使用する必要がある。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるマーキング方法を示す図で、記
号１はウェハー（基板）、１０は純水、１１は容器、Ｂ
はレーザービームである。容器１１に入れた純水１０に
、例えば口径８インチφのウェハー１を浸し、その上か
らレーザービームＢを照射してドツト記号を描く。且つ
、ウェハーＩを覆う純水１０の厚さは１〜２ｍｍにして
、ドツト記号が描けるようにレーザー出力を調整する。
号１はウェハー（基板）、１０は純水、１１は容器、Ｂ
はレーザービームである。容器１１に入れた純水１０に
、例えば口径８インチφのウェハー１を浸し、その上か
らレーザービームＢを照射してドツト記号を描く。且つ
、ウェハーＩを覆う純水１０の厚さは１〜２ｍｍにして
、ドツト記号が描けるようにレーザー出力を調整する。
そのように、純水１０中のウェハー１にレーザービーム
Ｂを照射してドツト記号を記入すれば、瞬時のドツト照
射による溶融によって発生した蒸気（微粉）は純水中で
遊離した微粉になり、ウェハー面に付着することがない
。第２図は本発明にかかるマーキングによるドツトを示
す図で、同図（ａ）はドツトＤの平面図、同図（ｂ）は
ドツトＤの断面図、図のように微粉が付着することなく
極めて清浄に窪みが作成される。
Ｂを照射してドツト記号を記入すれば、瞬時のドツト照
射による溶融によって発生した蒸気（微粉）は純水中で
遊離した微粉になり、ウェハー面に付着することがない
。第２図は本発明にかかるマーキングによるドツトを示
す図で、同図（ａ）はドツトＤの平面図、同図（ｂ）は
ドツトＤの断面図、図のように微粉が付着することなく
極めて清浄に窪みが作成される。
従って、本発明にかかるレーザーマーキング方法はウェ
ハーを清浄に保持するために極めて有効な方法である。
ハーを清浄に保持するために極めて有効な方法である。
なお、上記実施例はウェハーを純水に浸した例であるが
、純水以外の清浄な液体を使用してもよい。その際、そ
の液体はウェハーに化学反応を起こしたり、ウェハーを
汚染したり、また、レーザー照射によって着火したりし
ないものを選択する必要がある。
、純水以外の清浄な液体を使用してもよい。その際、そ
の液体はウェハーに化学反応を起こしたり、ウェハーを
汚染したり、また、レーザー照射によって着火したりし
ないものを選択する必要がある。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば基板（
ウェハー）に微粉を付着させることなく、レーザーマー
キングをおこなうことができ、ウェハーの製造歩留・品
質の向上に大きく役立つものである。
ウェハー）に微粉を付着させることなく、レーザーマー
キングをおこなうことができ、ウェハーの製造歩留・品
質の向上に大きく役立つものである。
且つ、本発明にかかるレーザーマーキング方法は半導体
のウェハーに限るものではなく、他の基板にも適用でき
ることは当然である。
のウェハーに限るものではなく、他の基板にも適用でき
ることは当然である。
第１図は本発明にかかるマーキング方法を示す図、
第２図は本発明にかかるマーキングによるドツトを示す
図、 第３図はレーザーマーキング装置の要部図、第４図はド
ツト記号と従来の問題点を説明する図である。 図において、 １はウェハー（基板）、 ｌＯは純水、 １１は容器、 Ｂはレーザービーム、 ｄ、Ｄはドツト を示している。 第４図
図、 第３図はレーザーマーキング装置の要部図、第４図はド
ツト記号と従来の問題点を説明する図である。 図において、 １はウェハー（基板）、 ｌＯは純水、 １１は容器、 Ｂはレーザービーム、 ｄ、Ｄはドツト を示している。 第４図
Claims (1)
- 基板を液体に浸し、該基板表面にレーザービームを照射
してドット記号を描くようにしたことを特徴とするレー
ザーマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297586A JPH04172191A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | レーザーマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297586A JPH04172191A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | レーザーマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172191A true JPH04172191A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17848475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2297586A Pending JPH04172191A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | レーザーマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172191A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008229722A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーマーキング方法、レーザーマーキング装置 |
| US8256530B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-09-04 | Japan Drilling Co., Ltd. | Method of processing rock with laser and apparatus for the same |
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2297586A patent/JPH04172191A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| US8256530B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-09-04 | Japan Drilling Co., Ltd. | Method of processing rock with laser and apparatus for the same |
| JP2008229722A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーマーキング方法、レーザーマーキング装置 |
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