JPH04171632A - カラー受像管及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、カラー受像管に係り、特に色純度の劣化を防
止するシャドウマスクを備えたカラー受像管及びその製
造方法に関するものである。

（従来の技術） 一般にシャドウマスク型カラー受像管は、第５図に示す
ように、受像管のパネル１内面に形成された各色の発光
領域を持つ蛍光スクリーン２と、多数の透孔３が穿設さ
れ曲面状の有効面を有するシャドウマスク４と、このシ
ャドウマスク４を周辺で保持するマスクフレーム５と、
複数の電子ビーム６を射出する電子銃７とを備え、シャ
ドウマスク４は、マスクフレーム５に設けられたホルダ
ー８を介してパネル１の直立端部内壁に埋設されたスタ
ッドピン９に係止されることにより、パネルｊ内面に支
持されている。カラー受像管は、電子ビーム６を前記シ
ャドウマスク４の有効面の透孔３を通過させて前記蛍光
スクリーン２の決められた発光領域上に電子ビーム６が
射突するようにしてカラー画像を表示するものである。

このようなカラー受像管では、その構造上電子ビーム６
の１／３以上がシャドウマスク４の透孔３以外の領域に
衝突し、シャドウマスク４を熱膨張させるいわゆるドー
ミング現象か起こり、その結果とじて電子ビーム６の発
光領域へのランディング位置がずれて色純度劣化を起こ
すことがある。

このようなドーミング現象によるミスランディングを抑
えるために、従来、シャドウマスクにセラミック層また
は電子吸収層を形成する提案が成されている。例えば、
特開昭６０−５４１３９号公報にはシャドウマスクの電
子銃側の主面にセラミック層を形成してシャドウマスク
に残留引張り応力を内在させてシャドウマスクのドーミ
ングを抑え、また、熱伝導率の低減によりシャドウマス
クそのものの温度上昇を抑制するものが記載され、また
特公昭５７−１８８２４号公報には電子ビームが射突す
る蛍光スクリーンの表面の非発光領域に対応して低い導
電率の電子吸収層を形成し、電子吸収層を負に帯電させ
て静電的に電子ビームの軌道を修正するものが記載され
ている。

しかしながら、シャドウマスクの電子銃側主面にセラミ
ック層を形成するだけではミスランディングの抑制とい
う意味では未だ不十分である。−方、蛍光スクリーンの
非発光領域に電子吸収層を形成するものは第一にドーミ
ング現象によるランディング後に負帯電による減速電界
が作用し始めるので時間の遅れを伴うこと、第二に電子
吸収層の負帯電部分はミスランディングを生じた部分の
みて、減速電界としては小面積で不十分であること、第
三に動作初期のドーミングによるミスランディングに対
しては有効でないこと、第四に形成方法は作業的にも精
度的にも量産に不向きという問題がある。

このようにシャドウマスクの電子銃側主面あるいは蛍光
スクリーンの非発光領域にセラミック層あるいは電子吸
収層を形成するだけでは、ドーミング現象によるミスラ
ンディングに即座に対応して色純度劣化を補正すること
ができない、あるいは補正作用を及ぼす部分が小さすぎ
るなどの理由で十分にミスランディングを補正できない
という問題がある。

そこで特開昭６２−１８８１３５号公報には第６図に示
すように、シャドウマスク４の透孔３の壁面にも電子吸
収層を形成するものが提案されている。すなわちシャド
ウマスク４と管軸との交点をシャドウマスク中心とする
と、シャドウマスク４の透孔３のシャドウマスク中心側
の壁面（以下、中心側壁面１０ａと称する）に、または
中心側壁面１０ａとこの中心側壁面］Ｏａに対向する周
辺側壁面１ｔｌｂとに電子ビームの電子流密度に応じて
帯電し電子ビームを静電的に偏向する電子吸収層１１を
形成している。

この電子吸収層は以下のようにして形成されている。

すなわち、熱膨張係数が１．２　Ｘ　１Ｏ−５１０Ｃと
大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延網からなる厚
さＯ，Ｉ　ｍｍ−０，３ｍｍの薄板に通常のエツチング
手段により多数の透孔を形成し、プレスにより所定の形
状に成型する。そして、パネルとファンネルとが封着さ
れる前に、ニトロセルローズを数％溶かした酢酸ブチル
アルコール溶液で溶かされた結晶性鉛はう酸塩ガラスを
シャドウマスクの電子銃側の主面と透孔の中心側壁面に
スプレー塗布し、この結晶性鉛はう酸塩ガラスを塗布し
たシャドウマスクをパネル内に装着する。その後、パネ
ルとファンネルを所定の枠台に載せて、最高温度が約４
００℃でその保持時間が３５分以上ある炉を通過させて
鉛はう酸塩ガラスを結晶化させることにより、導電率か
１０−１Ω−’、ｍ−’の低導電率の鉛はう酸塩ガラス
層を電子吸収層としてシャドウマスクの電子銃側の主面
と透孔の中心側壁面に形成する。

上記のようにシャドウマスクの電子銃側主面と透孔の壁
面とに電子吸収層をスプレーする場合、第７図に示すよ
うに、シャドウマスク４の電子銃側に位置するスプレー
装置１２ａにより電子銃側主面１０ｃの電子吸収層１１
を形成し、蛍光スクリーン側のスプレー装置１２ｂをシ
ャドウマスク４の周辺側から中心側に傾けることにより
透孔３の中心側壁面１０ａに電子吸収層を塗布形成して
いた。

しかしながら、上述の特開昭６２−１８８１３５号公報
に示されるようなカラー受像管を動作させた場合でも、
ドーミング現象の時間的経過に伴いランディングがずれ
てくる。以下シャドウマスクのドーミングによる電子ビ
ームの軌道の変化について第８図乃至第１０図を用いて
説明する。第８図において、シャドウマスク４がドーミ
ング現象を生じていない状態での電子ビームは蛍光スク
リーン２の所定位置にランディングするように構成され
ている。ここで、仮にシャドウマスク２に入射する電子
ビームの電子流密度が増大し、シャドウマスクが加熱さ
れドーミング現象を生じ第８図の破線に示す位置に移動
した場合、電子ビームの蛍光スクリーンへの本来のラン
ディング地点へランディングすべき電子ビームＡ、Ｂは
ドーミング現象によってビームＤＡＩ、ＤＢＩへと移動
し、シャドウマスク中心側の地点にミスランディングす
る。

このミスランディング量が各色発光蛍光体群の配列によ
るランディング余裕度の限界を越えると色純度の劣化を
生ずることになる。上記第８図に示　　。

すドーミング現象は主に動作初期の段階で起こる。

この動作初期の段階では、画面中央部、周辺部ともにド
ーミングによるビームの移動方向は同じであり、これは
透孔３の中心側壁面１０ａに形成された電子吸収層１１
の働きにより補正される。すなわち、電子吸収層１１は
電子流密度に応じて帯電するので、透孔３の中心側壁面
１０ａの表面に帯電した負電荷の働きにより、ドーミン
グによって移動した電子ビームは管軸から遠さかる方向
に軌道を曲げられる。

その後動作時間が経つにつれてシャドウマスクの熱がマ
スクフレームへと伝わり第９図に示すように、マスクフ
レーム５が熱膨張を起こすようになる。このときの状態
を第９図の破線で表す。シャドウマスク４の周辺部はマ
スクフレーム５の膨張により周辺方向に引っ張られる。

その結果、画面中央部のビームＡは動作初期のドーミン
グと同じビームＤＡ２方向へ移動し、画面周辺部のビー
ムＢはビームＤＢ２方向へと移動する。このビームの移
動は第１０図に示すように電子吸収層の働きにより、中
央部のビームＤＡ２、周辺部のビームＤＢ２ともに同方
向、つまりＡ２、Ｂ２方向に移動する。しかし、動作初
期と時間が経過した後とでは画面周辺部でのドーミング
によるビームの移動方向が逆方向であるため、時間が経
過したときでは電子吸収層の働きがミスランディングを
助長する方向となる。実際、動作初期のドーミング現象
の持続時間は短いので、上述の画面周辺でのミスランデ
ィングが主たる問題となる。

（発明が解決しようとする課題） 上述のようにシャドウマスクの透孔の中心側壁面または
中心側壁面とこれに対向する周辺側壁面とに電子吸収層
を形成するだけではランディングのずれに対する補正と
しては不十分で、画面周辺部における補正作用が動作初
期とその後の状態とで異なるという問題点があった。

そのためホルダーにバイメタルを用いることにより品位
の向上を図る方法もあるが、 １、熱伝導による補正動作のため補正開始が遅れる ２、マスク剛性を保つため、材厚の厚いフレームが必要
となり、その結果フレームの熱容量が増大し、上記１が
助長される ３、パネル、フレーム、マスク系の温度変化以外に環境
温度の変化にも対応するため、不必要な補正すなわち誤
動作を生じる という問題点がある。

さらに電子吸収層を塗布形成する際には、マスクを挟ん
で両側からスプレーするため、マスク面での乱流が大き
すぎ、所定の領域以外に形成されたり、均一に形成され
ない等の問題がある。また、電子吸収層の構成材料は高
価な重金属を含むため、両側からスプレーすることは余
分なスプレー流も多くなり、コストや環境の面でも問題
かある。

また、蛍光スクリーンをパネル内面に形成する際に補正
レンズを用いて露光焼付けを行うが、ドーミングによる
ミスランディングの方向がシャドウマスクの中央部と周
辺部とで異なるので、電子ビーム軌道の予想が困難であ
り、所望のレンズ形状の設計が困難となっていた。

本発明は上記問題点に鑑み、画面周辺部と中央部とでの
補正動作が共にドーミングによるビームのミスランディ
ングを補正する方向とし、色純度劣化の少ないカラー受
像管を提供することを目的とする。さらに、上記カラー
受像管を容易に製造する方法を提供するこきを目的とす
る。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上述の問題点を解決するため、本発明は、パネル内面に
形成された蛍光スクリーンと、この蛍光スクリーンに近
接対向して配置され多数の透孔の穿設されたシャドウマ
スクと、このシャドウマスクを介して前記蛍光スクリー
ンの蛍光体を選択発光せしめる電子ビームを射出する電
子銃とを少なくとも備え、前記シャドウマスクの少なく
とも各透孔の壁面に電子流密度に応じて帯電し電子ビー
ムを偏向する電子吸収層を有するカラー受像管において
、前記透孔の壁面に形成される電子吸収層の層厚が、シ
ャドウマスク中央部ではシャドウマスク中心側壁面の層
厚が対向する周辺側壁面の層厚より大きく、シャドウマ
スク周辺部では前記周辺側壁面の層厚が対向する前記中
心側壁面の層厚より大きくなっていることを特徴とする
。

また、パネル内面に形成された蛍光スクリーンと、この
蛍光スクリーンに近接対向して配置され多数の透孔の穿
設されたシャドウマスクと、このシャドウマスクを介し
て前記蛍光スクリーンの蛍光体を選択発光せしめる電子
ビームを射出する電子銃とを少なくとも備え、前記シャ
ドウマスクの少なくとも各透孔の壁面に電子流密度に応
じて帯電し電子ビームを偏向する電子吸収層を有するカ
ラー受像管の製造方法において、前記電子吸収層の構成
材料を含む溶液のスプレーを前記シャドウマスクの電子
銃側で且つシャドウマスク周辺側から行い、前記スプレ
ーによるスプレー流の傾角と前記透孔の壁面の傾角とを
略一致させることにより前記電子吸収層を形成すること
を特徴とする。

（作用） カラー受像管の動作初期におけるドーミング現象はシャ
ドウマスクの蛍光スクリーン側への熱膨張であり、その
結果画面中央部、周辺部ともにビームがシャドウマスク
中心側へミスランディングするのに対して、時間がある
程度経過したときの通常の動作状態におけるドーミング
現象ではマス１　　クフレームの熱膨張も伴うためシャ
ドウマスク周辺部が周辺方向へ引っ張られるため、シャ
ドウマスク周辺部と中央部とではミスランディングの方
向が逆となる。

本発明では、上記のようにミスランディングの方向が逆
となるシャドウマスクの周辺部において、シャドウマス
クの透孔の周辺側壁面の電子吸収層の層厚を中心側壁面
より厚くすることにより、対向する壁面の電子吸収層間
で帯電量の差を生じさせ、電位差により静電的にビーム
を偏向させる。

なお、中央部においては、中央側壁面の電子吸収層の作
用を大きくすることによりミスランディングの補正をす
る。

さらに、本発明においては、電子吸収層を塗布形成する
スプレー装置はシャドウマスクの電子銃側に位置し、シ
ャドウマスク周辺から中心に向かってスプレーするよう
になっている。このスプレーによる透孔を通過する分流
は透孔の壁面に沿って流れる。すなわち、シャドウマス
ク中心を境にしてスプレー流を発生させるスプレー装置
のある側では分流の流れる壁面が中心側壁面、スプレー
装置のない側では周辺側壁面になるようにスプレー装置
によるスプレー流の傾角を決定する。さらに、シャドウ
マスクの中央部と周辺部とての対向する壁面間の電子吸
収層の層厚分布も、スプレー流の流量やスプレー領域の
制御により行なう。

（実施例） 以下、本発明の一実施例につき、図面を用いて詳細に説
明する。

本発明によるカラー受像管の全体構成は第４図に示すも
のと同一であり、前面部の外形が実質的に矩形上のパネ
ル１と、漏斗状のファンネル及びネックからなる真空外
囲器により構成されている。

そしてパネル１の内面には赤、緑及び青色にそれぞれ発
光するストライプ状の蛍光体層からなる蛍光スクリーン
２が被着形成されており、ネックにはパネル１の水平軸
に沿って一列に配列され、赤、緑、及び青に対応する３
本の電子ビーム６を射出するいわゆるインライン型電子
銃７が配設されている。また、蛍光スクリーン２に近接
対向する位゛　　　　置には、多数のスリット状の透孔
３が垂直方向に配列され、この垂直配列が水平方向に多
数配列された曲面状のシャドウマスク４がマスクフレー
ム５によって支持固定されている。さらにマスクフレー
ム５はホルダー８を介してパネル１の直立端部内壁に埋
め込まれたスッタドピン９で係止されることにより、パ
ネル内に支持されている。３本のインライン配列の電子
ビーム６は、ファンネルの外部の偏向装置（図示してな
い）によって偏向され、矩形状のパネル１に対応する矩
形状の範囲を走査し、かつシャドウマスク４の透孔３を
通ることにより選択されてストライプ状の蛍光体層にラ
ンディングし、カラー画像を再現させるようになってい
る。

蛍光スフ【〕−ンに近接対向して配設されるシャドウマ
スクは、熱膨張係数か１．２　Ｘ　１０−５／℃と大き
い鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延網からなる厚さＯ
，１ｍｍ〜０．３ｍｍの薄板から形成され、第１図に示
すように、電子銃側主面１０Ｃ１少なくとも各透孔３の
シャドウマスク４の中心側壁面１０ａ及び中心側壁面１
０ａに対向する周辺側壁面１０ｂとには例えば酸化鉛（
Ｐ　ｂ　Ｏ）を約７０重量％含む低導電性の結晶性鉛は
う酸塩ガラスからなる電子吸収層１１が高温加熱処理に
よって封着接合されている。

この電子吸収層１１の透孔３の壁面における層厚分布は
第２図に示すようになっている。すなわち、シャドラマ
ラフ中央部では中心側壁面１［１ａの層厚が周辺側壁面
１０ｂの層厚より大きく、シャドウマスク周辺部では周
辺側壁面］Ｏｂの層厚が中心側壁面１０ａの層厚より大
きくなっている。ここでシャドウマスクの中央部及び周
辺部とは、通常の動作状態でのドーミングによる電子ビ
ームの移動方向が動作初期のドーミングによる移動と同
じ方向となる領域が中央部、逆方向になる領域が周辺部
である。

このようなカラー受像管を動作させた場合のシャドウマ
スクのドーミングによる電子ビームの軌道の変化及びそ
の補正作用について第９図、第１図及び第２図を用いて
説明する。第９図において、シャドウマスク４がドーミ
ング現象を生じていない状態での電子ビームＡ、　　Ｂ
は蛍光スクリーン２の所定位置にランディングするよう
に構成されている。ここで、実質的なカラー受像管の動
作状態で、シャドウマスク４に入射する電子流密度が増
大し、シャドウマスク４が加熱されドーミング現象を生
じた場合、電子ビームによるシャドウマスク４の熱膨張
だけでなく、マスクフレーム５の熱膨張も起こり、シャ
ドウマスク４は第９図の破線で示す状態となる。この結
果、電子ビームＡ、　　ＢはＤＡ２．ＤＢ２へと移動し
、シャドウマスク４の中央部と周辺部とで逆方向へミス
ランディングする。このミスランディング量が各色発光
蛍光体群の配列によるランディング余裕度の限界を越え
ると色純度の劣化を生ずることになる。

ここで本発明の場合第１図に示すように、シャドウマス
ク４の透孔３の壁面１０ａ、　１０ｂに電子吸収層１１
が形成され、その一部がシャドウマスク４の電子ビーム
が射突する電子銃側主面１０ｃにあるので、電子ビーム
を偏向走査した場合、電子流密度に応じて負に帯電する
ことになる。このことは、この電子吸収層１１が電子の
侵入する平均深さ程度またはそれ以上の厚さ、本実施例
では約１０μｍを有すると共に、−次電子エネルギー、
通常はｌ０ｋｅ■乃至３０ｋｅＶに対し二次電子放出係
数を有していることを意味する。第２図に示すようにシ
ャドウマスク中央部では中心側壁面１０ａの方が周辺側
壁面１０ｂより厚く形成されているため、シャドウマス
ク中央部では中心側壁面１０ａに帯電する負電荷の方が
多くなる。この負に帯電、特に透孔の中心側壁面１０ａ
の表面に帯電した負電荷は、第１−図の破線で示すドー
ミングによって移動した電子ビームをシャドウマスク中
心より遠ざける方向に軌道を曲げて実線ＡＯの如く偏向
させる。従って、ドーミング現象により所定のランディ
ング地点よりシャドウマスク中心方向に移動しようとす
る電子ビームのランディング地点を再び元のランディン
グ地点に戻すように相殺的に作用することとなり、ドー
ミング現象が生じても電子ビームのミスランディングを
抑制減少させることかできる。またシャドウマスク周辺
部では周辺側壁面１０ｂの方が中心側壁面１０ａより厚
く形成されているため、シャドウマスク周辺部では周辺
側壁面１０ｂに帯電する負電荷の方が多くなる。よって
、同様の作用によりドーミングによって移動したビーム
をシャドウマスク中心方向に曲げて実線ＢＯの如く偏向
させる。この偏向方向は第１０図に示すドーミングによ
るビームの移動方向と逆であり、ミスランディングを抑
制減少することができる。

このように、電子吸収層がシャドウマスクの透孔の壁面
に形成され、シャドウマスクの中央部と周辺部とで対向
する壁面間の層厚を変えているので、通常の動作時にお
けるフレームの熱膨張による画面周辺部の色純度劣化に
対しても、電子流密度に対応して負に帯電し、電子吸収
層の低熱伝導性を利用したドーミング抑制作用と協調し
てより有効に作用する。

また、電子吸収層には受像管が動作している限り常に電
子ビーム及びスクリーン面等からの二次電子が射突して
いるので、従来の例えば特公昭５７−１８８２４号公報
に示されているようなスクリーンの非発光領域に電子吸
収層を形成したものに比べてその作用面積は非常に大き
く、また抑制作用の生ずる時間的遅れはほとんどない。

上述のようにシャドウマスクの透孔の壁面に形成される
電子吸収層の層厚を制御することにより、負の帯電によ
る電子ビームの軌道変化の制御が可能となる。よって、
露光レンズの設計も容易にすることができる。

上述の電子吸収層は、以下のようにして形成される。パ
ネルとファンネルとが封着される前に、ニトロセルロー
ズを数％溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶かされ
た結晶性鉛はう酸塩ガラスをシャドウマスクの中心側壁
面に塗布し、この結晶性鉛はう酸塩ガラスを塗布したシ
ャドウマスクをパネル内に装着する。その後、パネルと
ファンネルを所定の枠台に載せて、最高温度が約４００
°Ｃでその保持時間が３５分以上ある炉を通過させて鉛
はう酸塩ガラスを結晶化させることにより、導電率が１
０−’Ω−’、ｍ””の低導電率の鉛はう酸塩ガラス層
をシャドウマスクの透孔の中心側壁面と周辺側壁面とに
形成する。

この電子吸収層の塗布方法としては、例えば通常のエツ
チング手段により多数の透孔を形成し、プレス成形した
後、スプレー塗布により形成することができる。

以下、スプレ一方法について第３図及び第４図を用いて
詳細に説明する。第３図に示すように、電子吸収層の構
成材料を含む溶液をスプレーするスプレー装置３０ａ、
　３０ｂはシャドウマスク４の電子銃側に位置し、シャ
ドウマスク４の周辺側から中心側に向かってスプレーす
るようになっている。

このスプレー装置３０ａによるスプレー流３１は、シャ
ドウマスク４の電子銃側主面１０ｃに衝突する分流３２
と透孔３の壁面１０ａ、　］Ｏｂに沿って流れる分流３
３とに分かれる。分流３３の流れる壁面はシャドウマス
ク中心を境にしてスプレー装置３０ａに近い半分の領域
と遠い半分の領域とで異なる。スプレー装置３０ａに近
い半分の領域では、分流３３は中心側壁面］Ｏａに沿っ
て流れ、スプレー装置３０ａに遠い半分の領域では、周
辺側壁面１０ｂに沿って流れる。

換言すれば、この様にシャドウマスク中心を境にして分
流３３の流れる壁面が中心側壁面］Ｏａと周辺側壁面１
０ｂとになるようにスプレー装置３０ａによるスプレー
流３１の傾角を決定すれば良い。さらに、電子吸収層の
層厚分布の制御もスプレー装置３０ｇのノズル形状を変
えてスプレー流３１．３２．３３を調整したり遮蔽板等
で部分的にスプレー領域を制限したりすることによりで
きる。尚、第３図にはスプレー装置３０ｂによるスプレ
ー流を図示していないが、スプレー装置３０ａと同様で
ある。

本実施例では、シャドウマスク４周辺に３０ａ、　３０
ｂと２つのスプレー装置を備え、それぞれのスプレー装
置に対して上述のような制御を行うことにより、第４図
（ａ）及び（ｂ）に示すように、マスクの中央部と周辺
部とで、対向する壁面間の層厚を変えている。尚、第４
図（ａ）及び（ｂ）において、実線はスプレー装置３０
ａにより形成される電子吸収層の層厚分布を表し、破線
はスプレー装置３０ｂにより形成される電子吸収層の層
厚分布を表している。

上述のように本発明によると、電子銃側からのスプレー
だけで電子吸収層を形成することができるので、スプレ
ー流の乱流を小さくして品位の向上を図ることができる
。また、スプレー流を効率よく使用しているので、高価
な材料を無駄にすること無くコスト及び環境面での改善
を図ることもできる。

尚、本実施例では電子吸収層を塗布形成する際、スプレ
ー装置によるスプレー流を調整することにより対向する
壁面間における層厚の制御を行っているが、本発明を応
用することにより、中心側壁面だけに電子吸収層を形成
することも可能である。

また、電子吸収層は本実施例に限定されないし、セラミ
ック層の塗布形成にも応用できる。

さらに、本実施例は、スリット状の透孔について説明し
ているが、ドツト状の透孔にも実施できることは言うま
でもない。

［発明の効果］ 本発明によると、電子吸収層がシャドウマスクの透孔の
壁面に形成され、シャドウマスクの中央部と周辺部とで
対向する壁面間の層厚を変えているのて、画面全域で電
子吸収層の負の帯電によるビームの偏向作用か有効に働
き、色純度の劣化を抑制することができる。　さらに本
発明は、電子銃側からのスプレーだけで電子吸収層を形
成することができるので、スプレー流の乱流を小さくし
て品位の向上を図ることかできる。また、スプレー流を
効率よく使用しているので、高価な材料を無駄にするこ
と無くコスト及び環境面での改善を図ることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるカラー受像管のシャドウマスクの
一実施例を示す拡大簡略図、第２図は第】図における透
孔の壁面での電子吸収ＪＲＯ層厚分布を示す図、第３図
は本発明による電子吸収層の形成方法を示す模式図、第
４図は第３図におけるスプレー装置と電子吸収層の層厚
の関係を示す図、第５図はカラー受像管の全体構成を示
す模式断面図、第６図は従来のカラー受像管におけるシ
ャドウマスクを示す拡大簡略図、第７図は第６図に示す
電子吸収層の形成方法を示す模式図、第８図は動作初期
のドーミングによるビームの移動を説明するための模式
図、第９図は通常動作状態のドーミングによるビームの
移動を説明するための模式図、第１０図は第６図に示す
シャドウマスクの作用を説明するための模式図である。 ３・・・透孔 ４・・・シャドウマスク １０ａ・・・中心側壁面 １０ｂ・・・周辺側壁面 １０ｃ・・・電子銃側主面 １１・・・電子吸収層 ３０ａ、　３０ｂ・・・スプレー装置 ３１、３２．３３・・・スプレー流 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）パネル内面に形成された蛍光スクリーンと、この
   蛍光スクリーンに近接対向して配置され多数の透孔の穿
   設されたシャドウマスクと、このシャドウマスクを介し
   て前記蛍光スクリーンの蛍光体を選択発光せしめる電子
   ビームを射出する電子銃とを少なくとも備え、前記シャ
   ドウマスクの少なくとも各透孔の壁面に電子流密度に応
   じて帯電し電子ビームを偏向する電子吸収層を有するカ
   ラー受像管において、 前記透孔の壁面に形成される電子吸収層の層厚が、シャ
   ドウマスク中央部ではシャドウマスク中心側壁面の層厚
   が対向する周辺側壁面の層厚より大きく、シャドウマス
   ク周辺部では前記周辺側壁面の層厚が対向する前記中心
   側壁面の層厚より大きくなっていることを特徴とするカ
   ラー受像管。
2. （２）パネル内面に形成された蛍光スクリーンと、この
   蛍光スクリーンに近接対向して配置され多数の透孔の穿
   設されたシャドウマスクと、このシャドウマスクを介し
   て前記蛍光スクリーンの蛍光体を選択発光せしめる電子
   ビームを射出する電子銃とを少なくとも備え、前記シャ
   ドウマスクの少なくとも各透孔の壁面に電子流密度に応
   じて帯電し電子ビームを偏向する電子吸収層を有するカ
   ラー受像管の製造方法において、 前記電子吸収層の構成材料を含む溶液のスプレーを前記
   シャドウマスクの電子銃側で且つシャドウマスク周辺側
   から行い、前記スプレーによるスプレー流の傾角と前記
   透孔の壁面の傾角とを略一致させることにより前記電子
   吸収層を形成することを特徴とするカラー受像管の製造
   方法。