JPS63160136A

JPS63160136A - カラ−受像管

Info

Publication number: JPS63160136A
Application number: JP30520386A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Tokita; 清時田; Kinji Kida; 木田　金治; Kazufumi Kobayashi; 小林　和文
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-12-23
Filing date: 1986-12-23
Publication date: 1988-07-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、シャドウマスク型カラー受像管に係わり、特
にそのシャドウマスクに関するものである。

（従来の技術）このようなカラー受像管のシャドウマスクは、受像管の
動作初期や部分的に高輝度の映像が映出され、特に、高
輝度映像部分が一定時間停止している時などにドーミン
グ現象を生じ１色純度を劣化させることが知られている
。

このようなカラー受像管のドーミングに対しては、ドー
ミングに伴う電子ビームのミスランディングを静電的に
補正して軽減しようとする提案がなされている。例えば
、特開昭６０−１４８０３６号公報あるいは特開昭６０
−１９５８４６号公報では、シャドウマスクの電子銃側
に酸化すず（ＳｎＯ□）を含む鉛はう酸塩ガラスを形成
するかあるいはさらにその上に低導電層を設けるものが
ある。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、このＳｎＯ２を含む鉛はう酸塩ガラスの場合、
その膜厚を第３図（８）に示すように、スクリーンの中
央部から周辺部まで略阿−９例えば２０即に設定してい
るため、十分に電子ビームのミスランディングを補正で
きなかった。すなわち、第３図（ｂ）において、シャド
ウマスク（３４）がドーミング現象を生じていない状態
での電子ビーム（３３）は。

蛍光体スクリーン（３２）の所定位［（３３ａ）にラン
ディングする。ここで、仮にシャドウマスクに入射する
電子ビーム密度が増大し、シャドウマスクが加熱されド
ーミング現象を生じた場合、即ち、シャドウマスクが（
３５）に位置するような熱状態での電子ビーム（３６）
は、シャドウマスクのドーミングと共に管軸（３１）方
向に移動し、電子ビームのランディング地点も位［（３
３ａ）から位［（３６ａ）へ移動する。即ち、本来の位
置（３３ａ）へランディングすべき電子ビームは、ドー
ミング現象によって管軸側の位［（３６ａ）にミスラン
ディングし、位１［（３３ａ）と（３６ａ）のミスラン
ディング量が各色発光蛍光体群の配列しこよるランデイ
ンク余裕度の限界を超えると色純度の劣化を生ずること
になる。

ここでこの従来例では、シャドウマスクの電子銃側主面
に電子吸収層が形成さ九ているので、電子流密度に対応
して負に帯電することになる。そして、この負帯電に伴
いシャドウマスク（３５）の電子銃側近傍に破線で示す
等電位分布（３７）のような電界を生じ、この減速電界
で電子ビーム（３６）を管軸（３］）から遠ざける方向
に軌道（３８）を偏向する。

従って、ドーミング現象により所定のランディング位１
ｉ（３３ａ）より管軸（３１）方向に移動するはずの電
子ビームのランディング位［（３６ａ）を再び元のラン
ディング位１ｉ（３３ａ）に戻すように相殺的に作用す
ることとなる。しかしながら、この等電位分布（３７）
は、電子吸収層の膜厚が略一定のため、シャドウマスク
（３５）に略平行に形成され、その偏向能力は、ミスラ
ンディングした電子ビーム（３６ａ）を元の位１ｌｌ（
３３ａ）に完全に戻すことはできず、例えば途中の位９
Ｋ（３８ＦＩ）までしか補正できなかった。

このような不都合を解消するためには、電子吸収層の絶
縁性を高めればその偏向能力は向上するが。

絶縁性が高すぎると帯電した電子吸収層の放ａｔ緩−３
・和が著しく遅れて逆に不要帯電となり、ミスランディン
グを助長させてしまうという致命的な欠点となってしま
う。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、シャ
ドウマスクのドーミングによる電子ビームランディング
位置ずれをほぼ完全に所定の位置に戻して、色純度劣化
をさらに減少させるカラー受像管を得ることを目的とす
るものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、シャドウマスクの主面有効部の電子銃側に電
子吸収層を形成し、この電子吸収層は主面有効部の中央
部と周辺部の厚さが異なるカラー受像管である。

電子吸収層の厚さは、シャドウマスクの主面有効部の中
央部より周辺部の方を薄くすることができる。

電子吸収層の厚さは、シャドウマスクの主面有効部の中
央部から周辺部に向かうに従って徐々に薄くすることが
できる。

一４＝（作用）このようなカラー受像管によれば、シャドウマスクがド
ーミング現象を起しても、管軸から遠ざかる方向により
強く偏向する減速電界を作るような電子吸収層をシャド
ウマスクに形成するため。

ミスランディングした電子ビームを元の位置に戻すよう
に偏向するため１色ずれを生じる可能性がさらに少なく
なる。

（実施例）以下１図面を参照して本発明の一実施例につき。

詳細に説明する。第１図に示すように、実質的に矩形状
のパネル０）と、漏斗状のファンネル■及びネック■か
ら真空外囲器が構成されている。そしてパネル■の内面
には、赤、緑及び青に夫々発光するストライプ状の蛍光
体層からなる蛍光体スクリーン（イ）が被着形成され、
ネック■にはパネル（１）の水平軸に沿って一列に配列
され、赤、緑及び青に対応する３本の電子ビーム■を射
出するいわゆるインライン型電子銃０が配設されている
。また。

蛍光体スクリーンに）に近接対向した位置には、多数の
スリット状の開孔が垂直方向番こ配列され、この垂直配
列が水平方向に多数配列さ九たシャドウマスク■がマス
クフレーム（８）によって支持固定されている。さらに
、マスクフレーム０は弾性部材０を介してパネル■の直
立縁部内壁に埋め込まれたスタッドビン（１０）で係止
されることにより、パネル内に支持されている。

３本のインライン配列の電子ビーム■は、ファンネル■
の外部の偏向装置（１２）によって偏向され、てストラ
イプ状蛍光体層にランディングし、カラー映像を再現さ
せるようになっている。また、電子ビームは地磁気等の
外部磁界の影響を受はストライプ状蛍光体層に正確にラ
ンディングしない場合があり、再現映像の色純度が劣化
するのを防止れている。ここで、シャドウマスク■の透
孔を通過する有効電子ビーム量は、その機構上約１／３
以下であり、残りの電子ビームはシャドウマスクに射突
し熱エネルギーに変換され、一般テレビの動作中では８
０℃程度までシャドウマスクを加熱させる。このシャド
ウマスクは厚さが０．２５＋＋ｗ＋＋の冷間圧延鋼より
なり、その電子銃側主面にＳｎＯ，を含んだ例えば鉛は
う酸塩ガラスを主体とする被覆層が形成される。この被
覆層は、例えばｐｂｏ　：約７５ｗｔ％、Ｂ２０ａ：約
９ｗｔ％、Ｓｉｎ□：約２ｗｔ％を少なくとも含む鉛は
う酸塩ガラスと、ＳｎＯ，：約９５ｗｔ％にｓｂ、ｏ３
：約５ｗイ添加したものとの重量比が９０％：１０％か
らなるものである。このような、鉛はう酸塩ガラスをシ
ャドウマスクの主面に形成するに際し考慮すべきことは
、シャドウマスク透孔の目詰まりと形成膜厚の均一化で
ある。従って、はけ塗りはあまり好ましくない。簡便で
量産性に富む方法としては、例えばニトロセルロースを
数％溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶かされた鉛
はう酸塩ガラスをスプレー法で塗布する方法である。

このように、鉛はう酸塩ガラスをシャドウマスクの主面
に形成した後、シャドウマスクを所定の枠台に載せて、
最高温度が約４４０℃でその保持時間が３５分以」二あ
る炉を通過させると、シャドウマスク０の電子銃側にガ
ラス化された鉛はう酸塩ガラス層が形成される。尚、こ
の鉛はう酸塩ガラス層は第２図（ａ）に示すように、膜
厚がスクリーンの中心では約２０１Ｊｎ周辺部にかけて
徐々に減少し、最外端部では約３卯とする。

このような構成によるカラー受像管を動作させ。

電子ビームが被覆層に射突した時の状態について、第２
図（ｂ）を用いて説明する。第２図（ｂ）において、シ
ャドウマスク（２４）がドーミング現象を生じていない
状態での電子ビーム（２３）は、スクリーン（２２）の
所定位置（２３ａ）にランディングする。ここで、仮に
シャドウマスクに入射する電子ビーム密度が増大し、シ
ャドウマスクが加熱されてドーミング現象を生じた場合
、すなわち、シャドウマスクが（２５）で表わされる位
置にあるような熱状態での電子ビーム（２６）は、シャ
ドウマスクのドーミングと共に管軸（２１）方向に移動
し、電子ビームのランディング位置も（２３ａ）から位
置（２６ａ）へ移動する。す−８＝なわち、本来のランディング位１ｉ１（２３ａ）ヘラン
ディングすべき電子ビームは、ドーミング現象によって
管軸側の位置（２６ａ）にミスランディングし、位置（
２３ａ）と（２６ａ）のミスランディング量が各色発光
蛍光体群の配列によるランディング余裕度の限界を超え
ると色純度の劣化を生ずることになる。

ここで本発明の場合、シャドウマスクの電子銃側主面に
は、電子吸収層が形成されているので電子流密度に対応
して負に帯電することになる。このことは、この電子吸
収層は電子の侵入する平均深さ程度又はそれ以上の厚さ
、本実施例では約３ｐ以上を有すると共に一次電子エネ
ルギー１通常は２０ＫｅＶ乃至３０ＫｅＶに対し１以下
の二次電子放出係数を有することを意味する。そして、
この負の帯電によりシャドウマスク（２５）の電子銃側
近傍に減速電界の等電位分布（２７）が生じるが、電子
吸収層の膜厚がスクリーン中心から周辺にかけて徐々に
減少しているのに伴い、この等電位分布（２７）は、第
２図（ｂ）の破線で示すように、シャドウマスク（２５
）に対し斜めに形成される。この等電位分布（２７）、
換言すれば減速電界により、電子ビーム（２６）は管軸
（２１）より遠ざかる方向に強く偏向される。従って、
ドーミング現象により所定のランディング位置（２３ａ
）より管軸（２１）方向に移動するはずの電子ビームの
ランディング位置（２６ａ）を再び元のランディング位
置（２３ａ）に戻すように相殺的に作用することとなり
、ドーミング現象が生じても電子ビームのミスランディ
ングを抑制減少させることができる。

ここで、本発明者等が行なった実験の結果を示す。前述
の本発明による２１インチ型カラー受像管と、特開昭６
０−１４８０３６号公報による従来の２１インチ型カラ
ー受像管とを夫々同一条件で動作させた場合、シャドウ
マスクのドーミングに因る電子ビームの移動量は、従来
形に比べ約２０％減少していることが判明した。

なお、上記実施例においては、電子吸収層を周辺に行く
に従い徐々に薄くするものについて説明したが、本発明
はこれに限られず、例えば中央から周辺にかけて段階的
に薄くすることも可能であり、要は電子銃側にできる減
速電界の等電位分布をシャドウマスクに対して斜めにし
て電子ビームが管軸から遠ざかる方向に強く偏向される
電界を作るように、電子吸収層が形成されていれば良い
。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、シャドウマスクのドー
ミングを効果的に抑制して色ずれや色むら等の色純度劣
化を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はシャドウマスク型カラー受像管の構成を示す概
略断面図、第２図は本発明によるシャドウマスクのドー
ミングによる電子ビームの移動を説明するための模式図
、第３図は従来のシャドウマスクのドーミングによる電
子ビームの移動製説明するための模式図である。 ■・・・パネル　　　　　■・・・ファンネル■・・・
ネック　　　　　に）・・・スクリーン０・・・電子銃 ■、　（２４）、（２５）、（３４）、（３５）・・・
シャドウマスク（２６）　、　（２８）　、　（３６）
　、　（３８）・・・電子ビーム第　　１　　図１′らのｉ自宛（オｇタ刊、ｆＬ）Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）蛍光体スクリーンと、このスクリーンの蛍光体を
選択的に発光せしめる電子ビームを射出する電子銃と、
前記スクリーンに近接配置され、多数の透孔が穿設され
、かつ、前記電子銃側の主面に電子吸収層を有するシャ
ドウマスクとを備えてなるカラー受像管において、前記
電子吸収層は、前記シャドウマスクの主面有効部の中央
部と周辺部の厚さが異なることを特徴とするカラー受像
管。
（２）電子吸収層が、シャドウマスクの主面有効部の中
央部より周辺部が薄い特許請求の範囲第１項記載のカラ
ー受像管。
（３）電子吸収層が、シャドウマスクの主面有効部の中
央部から周辺部に向かうに従って徐々に薄くなる特許請
求の範囲第１項記載のカラー受像管。