JPS63184236A

JPS63184236A - カラ−受像管

Info

Publication number: JPS63184236A
Application number: JP1526687A
Authority: JP
Inventors: Kinji Kida; 木田　金治; Kazufumi Kobayashi; 小林　和文
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-01-27
Filing date: 1987-01-27
Publication date: 1988-07-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、シャドウマスク型カラー受像管に係わり、特
にそのシャドウマスクに関するものである。

（従来の技術）このようなカラー受像管のシャドウマスクは、受像管の
動作初期や部分的に高輝度の映像が映出され、特に、高
輝度映像部分が一定時間停止している時などにドーミン
グ現象を生じ５色純度を劣化させることが知られている
。

このようなカラー受像管のドーミングに対しては、ドー
ミングに伴う電子ビームのミスランディングを静電的に
補正して軽減しようとする提案がなされている０例えば
、特開昭６０−１４８０３６号公報あるいは特開昭６０
−１９５８４６号公報では、シャドウマスクの電子銃側
に酸化すず（ＳｎＯ，）を含む鉛はう酸塩ガラスを形成
するかあるいはさらにその上に低温！ｌ！層を設けるも
のがある。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、このＳｎＯ□を含む釦はう酸塩ガラスの場合、
その５ｎ０２の含有率を第３図（ａ）に示すように、ス
クリーンの中央部から周辺部まで略同−１例えハ１５ｗ
ｔ％に設定しているため、つまり中央部から周辺部まで
略々同一の導電率としているため十分に電子ビームのミ
スランディングを補正できなかった。すなわち、第３図
（ｂ）において、　シャドウマスク（３４）がドーミン
グ現象を生じていない状態での電子ビーム（３３）は、
蛍光体スクリーン（３２）の所定位置（：ｌ　３　ａ　
）にランディングする。ここで、仮にシャドウマスクに
入射する電子ビーム密度が増大し、シャドウマスクが加
熱されドーミング現象を生じた場合、即ち、シャドウマ
スクが（３５）に位置するような熱状態での電子ビーム
（３６）は、シャドウマスクのドーミングと共に管軸（
：Ｈ）方向に移動し、電子ビームのランディング地点も
位１ｉ！！、（３３ｏ）から位Ｉ［￥（３６ａ）へ移動
する。即ち、本来の位置（３３ａ）パランディングすべ
き電子ビームは、　ドーミング現象によって管軸側の位
［（３６ａ）にミスランディングし、位置（３３ａ）と
（３６ａ）のミスランディング量が各色発光蛍光体群の
配列によるランディング余裕度の限界を超えると色純度
の劣化を生ずることになる。

ここでこの従来例では、シャドウマスクの電子銃側主面
に電子吸収層が形成されているので、電子流密度に対応
して負に帯電することになる。そして、この負帯電に伴
いシャドウマスク（３５）の電子銃側近傍に破線で示す
等電位分布（３７）のような電界を生じ、この減速電界
で電子ビーム（３６）を管軸（３１）から遠ざける方向
に軌道（３８）を偏向する。

従って、ドーミング現象により所定のランディング位置
（３３ａ）より管軸（３１）方向に移動するはずの電子
ビームのランディング位置（３６ａ）を再び元のランデ
ィング位ｌ１ｌ（３３ａ）に戻すように相殺的に作用す
ることとなる。しかしながら、この等電位分布（３７）
は、電子吸収層のＳｎＯ□含有率、つまり導電率が略一
定のため、シャドウマスク（３５）に略平行に形成され
、その偏向能力は、ミスランディングした電子ビーム（
３６ａ）を元の位［（３３ａ）に完全に戻すことはでき
ず、例えば途中の位！（３８ａ）までしか補正できなか
った。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、シャ
ドウマスクのドーミングによる電子ビーｌ、ランディン
グ位置ずれをほぼ完全に所定の位置に戻して、色純度劣
化をさらに減少させるカラー受像管を得ることを目的と
するものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、シャドウマスクの主面有効部の電子銃側に電
子吸収層を形成し、この電子吸収層は主面有効部の中央
部と周辺部とで導電率が異なるカラー受像管である。

電子吸収層の導電率は、シャドウマスクの主面有効部の
周辺部より中央部の方を低くすることができる。

電子吸収層の導電率は、シャドウマスクの主面有効部の
周辺部から中央部に向かうに従って徐々に低くすること
ができる。

（作　用）このようなカラー受像管によれば、シャドウマスクがド
ーミング現象を起しても、管軸から遠ざかる方向により
強く偏向する減速電界を作るような電子吸収層をシャド
ウマスクに形成するため、ミスランディングした電子ビ
ームを元の位置に戻すように偏向するため１色ずれを生
じる可能性がさらに少なくなる。

（実施例）以下、図面を参照して本発明の一実施例につき、詳細に
説明する。第１図に示すように、実質的に矩形状のパネ
ル■と、漏斗状のファンネル■及びネック■から真空外
囲器が構成されている。そしてパネル■の内面には、赤
、緑及び青に夫々発光するストライブ状の蛍光体層から
なる蛍光体スクリーンに）が被着形成され、ネック■に
はパネル■の水平軸に沿って一列に配列され、赤、緑及
び青に対応する３本の電子ビーム■を射出するいわゆる
インライン型電子銃０が配設されている。また、蛍光体
スクリーンに）に近接対向した位置には、多数のスリッ
ト状の開孔が垂直方向に配列され、この垂直配列が水平
力向に多数配列されたシャドゥマスク■がマスクフレー
ム０によって支持固定されている。さらに、マスクフレ
ーム（ハ）は弾性部材■を介してパネル０）の直立縁部
内壁に埋め込まれたスタッドビン（１０）で係止される
ことにより、パネル内に支持されている。

３本のインライン配列の電子ビーム■は、ファンネル■
の外部の偏向装置（１２）によって偏向され、矩形状の
パネルＯ）に対応する矩形の範囲を走査し。

かつシャドウマスク■の開孔を介して色選別されてスト
ライプ状蛍光体層にランディングし、カラー映像を再現
させるようになっている。また、電子ビームは地磁気等
の外部磁界の影響を受はストライブ状蛍光体層に正確に
ランディングしない場合があり、再現映像の色純度が劣
化するのを防止するため、ファンネル■内部に強磁性金
属板よりなる磁気遮蔽体（１１）がフレーム（８）を介
して係止されている。ここで、シャドウマスク■の透孔
を通過する有効電子ビーム量は、その機構上約１／３以
下であり、残りの電子ビームはシャドウマスクに射突し
熱エネルギーに変換され、一般テレビの動作中では８０
″Ｃ程度までシャドウマスクを加熱させる。このシャド
ウマスクは厚さが０．２５ｍｍの冷間圧延鋼よりなり、
その電子銃側主面にＳ　ｎ　０２を含んだ例えば鉛はう
酸塩ガラスを主体とする被覆層が形成される。この被覆
層は、例えばＰｂＯ：約７５ｗｔ％、Ｂ、Ｏ：ｌ：約９
ｗｔ％、５ｉｎ２：約２ｗｔ％を少なくとも含む鉛はう
酸塩ガラスと、５ｎ０２：約９５ｗｔ％に５ｂ２ｏ、　
：約５ｗｔ％を添加したものからなるものである。この
ような、鉛はう酸塩ガラスをシャドウマスクの主面に形
成するに際し考慮すべきことは、シャドウマスク透孔の
目詰まりと形成膜厚の均一化である。従って、はけ塗り
はあまり好ましくない。簡便で量生性に富む方法として
は、例えばニトロセルロースを数％溶かした酢酸ブチル
アルコール溶液で溶かされたほう酸塩ガラスをスプレー
法で塗布する方法である。

このように、釦はう酸塩ガラスをシャドウマスクの主面
に形成した後、シャドウマスクを所定の枠台に載せて、
最高温度が約４４０℃でその保持時間が３５分以上ある
炉を通過させると、シャドウマスク■の電子銃側にガラ
ス化された鉛はう酸塩ガラス層が形成される。尚、この
鉛はう酸塩ガラス層は第２図（ａ）に示すように、Ｓｎ
Ｏ，含有率がスクリーンの周辺部では約１５ｗｔ％で中
央部にかけて徐々に減少し、中心付近では約１０ｖｔ％
とする。

このような構成によるカラー受像管を動作させ。

電子ビームが被覆層に射突した時の状態について、第２
図（ｂ）を用いて説明する。第２図（ｂ）において、シ
ャドウマスク（２４）がドーミング現象を生じていない
状態での電子ビーム（２３）は、スクリーン（２２）の
所定位ｈ”＜（２３ａ）にランディングする。ここで。

仮にシャドウマスクに入射する電子ビーム密度が増大し
、シャドウマスクが加熱されてドーミング現象を生じた
場合、すなわち、シャドウマスクが（２５）で表わされ
る位置にあるような熱状態での電子ビーム（２６）は、
シャドウマスクのドーミングと共に管軸（２１）方向に
移動し、電子ビームのランディング位置も（２３ａ）か
ら位［（２６ａ）へ移動する。すなわち、本来のランデ
ィング位［（２３ａ）へランディングすべき電子ビーム
は、ドーミング現象によって管軸側の位ｆｉ（２６ａ）
にミスランディングし、位［（２３ａ）と（２６ａ）の
ミスランディング量が各色発光蛍光体群の配列によるラ
ンディング余裕度の限界を超えると色純度の劣化を生ず
ることになる。

ここで本発明の場合、シャドウマスクの電子銃側主面に
は、電子吸収層が形成されているので電子流密度に対応
して負に帯電することになる。このことは、この電子吸
収層は電子の侵入する平均深さ程度又はそれ以上の厚さ
、本実施例では約３ａｍ以上を有すると共に一次電子エ
ネルギー、通常は２０ＫｓＶ乃至３０ＫｅＶに対し１以
下の二次電子放出係数を有することを意味する。そして
、この負の帯電によりシャドウマスク（２５）の電子銃
側近傍に減速電界の等電位分布（２７）が生じるが、電
子吸収層のが。

ＳｎＯ，含有キ〈クリーン周辺から中央にかけて徐々に
減少しているのに伴い、つまり導電率が序々に低下する
のに伴いこの等電位分布（２７）は、第２し１（ｂ）の
破線で示すようにシャドウマスク（２５）に対し斜めに
形成される。この等電位分布（２７）、換言すれば減速
電界により、電子ビーム（２６）は管軸（２１）より遠
ざかる方向に強く偏向されろ。従って、ドーミング現象
により所定のランディング位置（２３ａ）より管軸（２
１）方向に移動するはずの電子ビームのランディング位
［（２６ａ）を再び元のランディング位置（２３ａ）に
戻すように相殺的に作用することとなり、ドーミング現
象が生じても電子ビームのミスランディングを抑制減少
させることができる。

ここで、本発明者等が行なった実験の結果を示す、前述
の本発明による２１インチ型カラー受像管と、特開昭６
０−１４８０３６号公報による従来の２１インチ型カラ
ー受像管とを夫々同一条件で動作させた場合、シャドウ
マスクのドーミングに因°る電子ビームの移動量は、従
来形に比べ約２０％減少していることが判明した。

なお、上記実施例においては、電子吸収層の導電率を周
辺から中央に行くに従い徐々に低くするものについて説
明したが、本発明はこれに限らず。

例えば周辺から中央にかけて階段的に低くすることも可
能であり、要は電子銃側にできる減速電界の等電位分布
をシャドウマスクに対して斜めにして電子ビームが管軸
から遠ざかる方向に強く偏向される電界を作るように、
電子吸収層が形成されていれば良い。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、シャドウマスクのドー
ミングを効果的に抑制して色ずれや色むら等の色純度劣
化を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はシャドウマスク型カラー受像管の構成を示す概
略断面図、第２図は本発明によるシャドウマスクのドー
ミングによる電子ビー１１の移動を説明するための模式
図、第３図は従来のシャドウマスクのドーミングによる
電子ビームの移動を説明するための模式図である。０）・・・パネル　　　　　■・・・ファンネル■・・
・ネック　　　　　に）・・・スクリーン０・・・電子
銃 ■、　（２４）　、　（２５）　、　（３４）　、　（
３５）・・・シャドウマスク（２６）　、　（２８）　
、　（３６）　、　（３８）・・・電子ビーム第　　１
　　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）蛍光体スクリーンと、このスクリーンの蛍光体を
選択的に発光せしめる電子ビームを射出する電子銃と、
前記スクリーンに近接配置され、多数の透孔が穿設され
、かつ、前記電子銃側の主面に電子吸収層を有するシャ
ドウマスクとを備えてなるカラー受像管において、前記
電子吸収層は、前記シャドウマスクの主面有効部の中央
部と周辺部の導電率が異なることを特徴とするカラー受
像管。
（２）電子吸収層が、シャドウマスクの主面有効部の周
辺部より中央部の導電率が低い特許請求の範囲第１項記
載のカラー受像管。
（３）電子吸収層の導電率が、シャドウマスクの主面有
効部の周辺部から中央部に向かうに従って徐々に低くな
る特許請求の範囲第１項記載のカラー受像管。