JPH04167296A - Semiconductor storage device - Google Patents

Semiconductor storage device

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Publication number
JPH04167296A
JPH04167296A JP2292855A JP29285590A JPH04167296A JP H04167296 A JPH04167296 A JP H04167296A JP 2292855 A JP2292855 A JP 2292855A JP 29285590 A JP29285590 A JP 29285590A JP H04167296 A JPH04167296 A JP H04167296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main memory
control
power source
block
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2292855A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takemi Kawaguchi
川口 武美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2292855A priority Critical patent/JPH04167296A/en
Publication of JPH04167296A publication Critical patent/JPH04167296A/en
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Abstract

PURPOSE:To suppress the electric energy consumption supplied from a power source and extend the service life of the power source by controlling the power source which is supplied to a main memory block which forms a main memory in conformity with a specified capacity required to the main memory. CONSTITUTION:N sets of power source control buffers 6 in a main memory (N stands for integer greater than 1) control the propriety of power supply in conformity with N sets of memory blocks 2 in the main memory 1 respectively and decides the location of a block 2 which stores no data in the main memory 1 based on the final address of input data. A buffer control section 5 transmits a specified control signal to a power source control buffer 6 responding to the block 2 in order to control the supply of a power source 7 to the block 2. This construction makes it possible to suppress the power consumption and extend the service life of the power source 7.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体記憶装置に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a semiconductor memory device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の半導体記憶装置においては、バック・ア
ッグ用のバッテリーの寿命の伸ばすために、低消費電力
モードが備えられており、CPUからアクセスをするこ
となく、長時間に亘すデータを保持しようとする場合、
前記低消費電力モードによる稼働により、数十分の一程
度まで消費電力を抑制することが可能となっている。
Conventionally, this type of semiconductor storage device has been equipped with a low power consumption mode to extend the life of the backup battery, which allows data to be retained for a long time without being accessed by the CPU. If you try,
By operating in the low power consumption mode, it is possible to suppress power consumption to about a few tenths.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来の半導体記憶装置においては、低消費電力
モードを備えてはいるものの、現時点におけるパーソナ
ル・データ入出力装置、例えば、電子手帳、電子電話帳
および電子フォーン・ダイヤラー等の場合には、主記憶
装置として、半導体記憶装置が主流になりつつある。ま
た、更には、記憶容量が増大傾向にあるため、記憶容量
の増大に伴ない、半導体記憶装置の数量が増加し、その
消費電力も対応して増大する傾向にある。このため、バ
ック・アップ用のバッテリーの寿命が低下し、大容量化
の進展に並行して、バッテリーの交換サイクルが短縮さ
れてゆくという欠点がある。
Although the above-mentioned conventional semiconductor memory devices are equipped with low power consumption modes, current personal data input/output devices such as electronic notebooks, electronic telephone directories, and electronic phone dialers are not equipped with low power consumption modes. Semiconductor storage devices are becoming mainstream as storage devices. Furthermore, since storage capacity tends to increase, the number of semiconductor memory devices increases as the storage capacity increases, and the power consumption thereof also tends to increase accordingly. For this reason, there is a drawback that the life of the backup battery is shortened, and the battery replacement cycle is shortened in parallel with the increase in capacity.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の半導体記憶装置は、N個(Nは1より大きい整
数)のメイン・メモリ・ブロックを備えて構成されるメ
イン・メモリと、前記N個のメイン・メモリ・ブロック
のそれぞれに対応して、電源供給の可否を制御するN個
の電源制御バッファと、前記メイン・メモリにおいて、
データが格納されていないメイン・メモリ・ブロックの
所在を入力データの最終アドレスにより判定し、当該メ
イン・メモリ・ブロックに対する電源の供給を制御する
ために、当該メイン・メモリ・ブロックに対応する電源
制御バッファに所定の制御信号を送出するバッファ制御
部と、を備えて構成される。
The semiconductor storage device of the present invention includes a main memory configured with N main memory blocks (N is an integer greater than 1), and a main memory that corresponds to each of the N main memory blocks. , N power control buffers that control whether or not power is supplied, and the main memory,
Power control for the main memory block in order to determine the location of the main memory block where no data is stored based on the final address of the input data, and to control the supply of power to the main memory block. and a buffer control section that sends a predetermined control signal to the buffer.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は、本発明の第1の実施例を示すブロック図である。第
1図に示されるように、本実施例は、複数のメイン・メ
モリ・ブロック2を含むメイン・メモリ1と、サブ・メ
モリ3と、DMA制御部4と、バッファ制御部5と、前
記複数のメイン・メモリ・ブロック2のそれぞれに対応
する複数の電源制御バッファ6と、電源7と、を備えて
構成される。また、第2図は、本実施例の動作手順を示
すフロー・チャート図である。以下、第1図および第2
図を参照して、本実施例の動作につき説明する。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the present embodiment includes a main memory 1 including a plurality of main memory blocks 2, a sub memory 3, a DMA control section 4, a buffer control section 5, and a plurality of main memory blocks 2. It is configured to include a plurality of power supply control buffers 6 corresponding to each of the main memory blocks 2, and a power supply 7. Further, FIG. 2 is a flow chart diagram showing the operating procedure of this embodiment. Below, Figure 1 and 2
The operation of this embodiment will be explained with reference to the drawings.

先ず、初期状態においては、バッファ制御部5の内部の
各レジスタをクリアしておき、その上、ST(サブ・メ
モリ・トップ・アドレス)レジスタに1を加算する。こ
の状態で初期値の設定は終了し、上位装置からのデータ
入力を待機する態勢となる。
First, in the initial state, each register inside the buffer control unit 5 is cleared, and then 1 is added to the ST (sub memory top address) register. In this state, the initial value setting is completed and the system is ready to wait for data input from the host device.

バス201を介してデータが入力されると、サブ・メモ
リ3の内部のアドレスST番地に、そのデータが書込ま
れる。そして、データ終了でない場合には、前記STレ
ジスタの値に1が加算され、データの入力およびサブ−
メモリ3のST番地に対する書込みが繰返して行われる
。そしてデータの終了が検出されると、前記STレジス
タの値がSE(サブ・メモリ・エンド・アドレス)レジ
スタに書込まれ、次いで、ME(メイン・メモリ・エン
ド・アドレス)レジスタと、前記SEレジスタの値が加
算されて、総合的な最終アドレス(メモリの容量)が求
められ、AT(最終アドレス)レジスタに書込まれる。
When data is input via bus 201, the data is written to address ST inside sub-memory 3. If the data is not completed, 1 is added to the value of the ST register, and data input and sub-
Writing to the ST address of the memory 3 is performed repeatedly. When the end of data is detected, the value of the ST register is written to the SE (sub memory end address) register, and then the value of the ST register is written to the ME (main memory end address) register and the SE register. The values of are added to obtain a comprehensive final address (memory capacity), which is written to the AT (final address) register.

次に、バッファ制御部5においては、前記ATレジスタ
内に書込まれている値により、メイン・メモリ1の最終
アドレスが求められているので、当該アドレスに対応す
るメイン・メモリ・ブロック2を摘出し、このメイン・
メモリ・ブロック2に対する電源バッファ6を解除する
ためのl1lal信号を出力する。この制御信号により
、該当するメイン・メモリ・ブロック2に対する電源供
給が開始され、複数のメイン・メモリ・ブロック2の内
、メイン・メモリ1の動作上必要な前記該当メイン・メ
モリ・ブロック2のみに電源が供給されて、その動作状
態が確保される。即ち、メイン・メモリ1に対しては、
動作上必要最低限の電源が供給される。
Next, in the buffer control unit 5, since the final address of the main memory 1 is determined from the value written in the AT register, the main memory block 2 corresponding to the address is extracted. And this main
Outputs the l1lal signal for releasing the power supply buffer 6 for the memory block 2. In response to this control signal, power supply to the corresponding main memory block 2 is started, and among the plurality of main memory blocks 2, only the corresponding main memory block 2 necessary for the operation of the main memory 1 is supplied with power. Power is supplied to ensure its operational state. That is, for main memory 1,
The minimum power required for operation is supplied.

次に、データ転送用のアドレスを、STレジスタおよび
MEレジスタのそれぞれに1を加算して設定する。この
段階までの準備過程が整備されると、DMA制御部4に
より、サブ・メモリ3に書込まれているデータ(ST番
地)が、メイン・メモリ1のアドレスME番地に転送さ
れる。この転送終了後において、STレジスタおよびM
Eレジスタのそれぞれに1が加算されてアドレス・アッ
プされ、データの転送が引続き継続される。このデータ
転送作業は、サブ・メモリ3のデータが全てアドレスS
T番地に転送されるまで繰返される。全てのデータ転送
が終了すると、STレジスタのデータはクリアされ、1
が代入されて、データの入力の初期状態に復帰する。こ
の動作は、入力データが終了するまで繰返される。
Next, addresses for data transfer are set by adding 1 to each of the ST register and ME register. When the preparation process up to this stage is completed, the DMA control unit 4 transfers the data (ST address) written in the sub memory 3 to the address ME in the main memory 1. After this transfer is completed, the ST register and M
One is added to each of the E registers to address up, and data transfer continues. In this data transfer work, all data in sub memory 3 is transferred to address S.
This is repeated until it is transferred to address T. When all data transfer is completed, the data in the ST register is cleared and becomes 1.
is assigned, and the initial state of data input is restored. This operation is repeated until the input data is completed.

次に、本発明の第2の実施例について説明する、第3図
は、本発明の第2の実施例を示すブロック図である。第
3図に示されるように、本実施例は、複数のメイン−メ
モリ・ブロック9を含むメイン・メモリ8と、バッファ
制御部10と、前記複数のメイン・メモリ・ブロック9
のそれぞれ対応する複数の電源制御バッファ11と、電
源12と、を備えて構成される。また、第4図は、本実
施例の動作手順を示すフロー・チャート図である。以下
、第3図および第4図を参照して、本実施例の動作につ
き説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, this embodiment includes a main memory 8 including a plurality of main memory blocks 9, a buffer control section 10, and a main memory block 9.
The power supply control buffer 12 includes a plurality of power supply control buffers 11 and a power supply 12, respectively corresponding to the power supply control buffers 11 and the power supply 12. Further, FIG. 4 is a flow chart diagram showing the operating procedure of this embodiment. The operation of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 3 and 4.

第3図より明らかなように、本実施例の第1の実施例と
の相違点は、本実施例においては、サブ・メモリおよび
DMA制御部が含まれていないことである。
As is clear from FIG. 3, the difference between this embodiment and the first embodiment is that this embodiment does not include a sub-memory and a DMA control section.

先ず、初期状態においては、バッファ制御部10の内部
の各レジスタをクリアしておく。次いで、上位装置から
のデータ入力を待機し、データが入力されると、メイン
・メモリ8の最後のアドレスが格納されているLAレジ
スタの値と、入力されたばかりのデータの入力アドレス
が格納されているIAアドレスの値の和は、メイン・メ
モリ8に対する書込みアドレスとして、WAアドレスに
書込まれる。
First, in the initial state, each register inside the buffer control section 10 is cleared. Next, it waits for data input from the host device, and when the data is input, the value of the LA register where the last address of main memory 8 is stored and the input address of the data that has just been input are stored. The sum of the values of the IA addresses is written to the WA address as the write address for the main memory 8.

次いで、バッファ制御部10においては、アドレスのチ
エツクが行われるが、メイン・メモリ・ブロック9ごと
にアドレスが決まっているので、WAアドレスの内容に
よって、新しいメイン・メモリ・ブロックを使用する必
要があるか否かが判断され、メモリの拡張を行う場合に
は、WAIT信号101が出力されて、上位装置に対す
るアラームが出される。そして、その間においては、第
1の実施例の場合と同様に、バッファ制御部lOより、
電源制御バッファ11を解除するための制御信号が出力
され、この制御信号により、該当するメイン・メモリ・
ブロック9に対する電源供給が開始されて、複数のメイ
ン−メモリ・ブロック9の内、メイン・メモリ1の動作
上必要な容量値に対応するメイン・メモリ・ブロックの
みが動作状態を確保される。
Next, the buffer control unit 10 checks the address, but since the address is determined for each main memory block 9, it is necessary to use a new main memory block depending on the contents of the WA address. If it is determined whether or not the memory is to be expanded, a WAIT signal 101 is output and an alarm is issued to the host device. During that time, as in the case of the first embodiment, the buffer control unit IO
A control signal for canceling the power supply control buffer 11 is output, and this control signal causes the corresponding main memory
Power supply to the block 9 is started, and only the main memory block corresponding to the capacity value required for the operation of the main memory 1 out of the plurality of main memory blocks 9 is kept in an operating state.

そして、W A T F、信号101が解除され、上位
装置に対するアラームが解除されるとともに、入力され
たデータは、アドレスWA番地に書込まれる。若しも、
アドレス・チエツクの際に、メモリの拡張を必要としな
いような場合には、直ちに、入力されたデータはアドレ
スWA番地に書込まれる。そして、データが終了でない
場合には、更に上位装置からのデータ入力を待機し、以
後、同様な動作が繰返される。
Then, the W A T F signal 101 is canceled, the alarm for the host device is canceled, and the input data is written to the address WA. Even if
At the time of address check, if memory expansion is not required, the input data is immediately written to address WA. Then, if the data is not completed, further data input from the host device is awaited, and the same operation is repeated thereafter.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したように、本発明は、パーソナル・
データ入出力装置に適用されて、メイン・メモリに求め
られる所要容量に対応して、メイン−メモリを形成する
メイン・メモリ・ブロックに対して供給される電源を制
御して供給電源の消費電力量を抑制することにより、電
源寿命の延命化を図ることができるという効果がある。
As explained above in detail, the present invention provides personal
Applied to data input/output devices, it controls the power supplied to the main memory blocks forming the main memory in accordance with the required capacity of the main memory, and reduces the power consumption of the supplied power. By suppressing this, it is possible to extend the life of the power supply.

【図面の簡単な説明】 第1図および第3図は、それぞれ本発明の第1および第
2の実施例を示すブロック図、第2図および第4図は、
それぞれ前記第1および第2の実施例における、動作手
順を示すフロー・チャート図である。 図において、1.8・・・・・・メイン・メモリ、2゜
9・・・・・・メイン・メモリ・ブロック、3・・・・
・・サブ・メモリ、4・・・・・・DMA制御部、5.
10・・・−・・バッファ制御部、6,11・・・・・
・電源制御バッファ、7,12・・・・・・電源。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 and FIG. 3 are block diagrams showing first and second embodiments of the present invention, respectively, and FIG. 2 and FIG.
FIG. 3 is a flow chart diagram showing the operating procedure in the first and second embodiments, respectively. In the figure, 1.8...Main memory, 2゜9...Main memory block, 3...
...Sub memory, 4...DMA control unit, 5.
10...--Buffer control unit, 6, 11...
- Power supply control buffer, 7, 12...Power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 N個(Nは1より大きい整数)のメイン・メモリ・ブロ
ックを備えて構成されるメイン・メモリと、 前記N個のメイン・メモリ・ブロックのそれぞれに対応
して、電源供給の可否を制御するN個の電源制御バッフ
ァと、 前記メイン・メモリにおいて、データが格納されていな
いメイン・メモリ・ブロックの所在を入力データの最終
アドレスにより判定し、当該メイン・メモリ・ブロック
に対する電源の供給を制御するために、当該メイン・メ
モリ・ブロックに対応する電源制御バッファに所定の制
御信号を送出するバッファ制御部と、 を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
[Scope of Claims] A main memory configured with N main memory blocks (N is an integer greater than 1), and a power source corresponding to each of the N main memory blocks. N power supply control buffers that control whether or not to supply power, and determining the location of a main memory block in which no data is stored in the main memory based on the final address of input data, and A semiconductor memory device comprising: a buffer control section that sends a predetermined control signal to a power control buffer corresponding to the main memory block in order to control power supply.
JP2292855A 1990-10-30 1990-10-30 Semiconductor storage device Pending JPH04167296A (en)

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