JPH0416265B2 - - Google Patents

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JPH0416265B2
JPH0416265B2 JP13728490A JP13728490A JPH0416265B2 JP H0416265 B2 JPH0416265 B2 JP H0416265B2 JP 13728490 A JP13728490 A JP 13728490A JP 13728490 A JP13728490 A JP 13728490A JP H0416265 B2 JPH0416265 B2 JP H0416265B2
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JP
Japan
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steam
tank
level
temperature
sensor
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Expired
Application number
JP13728490A
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English (en)
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JPH0327867A (ja
Inventor
Kinzaburo Kimijima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Unisia Automotive Ltd
Original Assignee
Japan Electronic Control Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Control Systems Co Ltd filed Critical Japan Electronic Control Systems Co Ltd
Priority to JP13728490A priority Critical patent/JPH0327867A/ja
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、電子部品が取付けられたプリント基
板の半田付けを自動的に行う気相式半田リフロー
装置における蒸気レベル制御方法に関する。
<従来の技術> 従来の気相式半田リフロー装置としては、第3
図に示すようなものがある。
第4図に示すように基板31上に設けられた銅
製等のランド32a,32bには半田ペースト3
3を介して両端に電極34a,34bを有する部
品36が仮固定されている。
該基板31は基板搬送面39に沿つて第3図に
おいて右方より左方に搬送される。
該基板31はパネルヒータ、またはシーズヒー
タ等の熱源40を備えた予備加熱ゾーン41にて
常温より温度T1まで加熱され、その温度T1を保
持したまま蒸気槽42に搬送される。
予備加熱ゾーン41においては気相式半田リフ
ロー装置に入つてくる基板31を予熱して、部品
36が該蒸気相にて急加熱されることを緩和して
いる。
蒸気相42には、沸騰温度T2が半田ペースト
33の溶融温度T3より高温である例えばフツソ
系の不活性液43が満たされており、該不活性液
43は蒸気槽42の底面44に設けたヒータ45
により加熱される。
蒸気槽42には、該不活性液43を前記半田の
溶融温度T3より若干低い温度であるT5に常時保
持するための定温保持用ヒータ45aが、常時
ONの状態で、前記蒸気槽42全長に渡つて設け
られており、また、該蒸気槽42の下流側近傍に
設けられた蒸気センサ47によりON、OFF制御
され、ONとなつたとき前記不活性液43を半田
の溶融温度T3より若干高い温度である該不活性
液43の沸点T2まで更に加熱するコントロール
用ヒータ45bが蒸気槽42の下流側のみに設け
られている。
即ち、該不活性液43の気化した蒸気48は前
記基板搬送面39より上方に設けた蒸気センサ4
7により蒸気レベル46が検出されるが、蒸気セ
ンサ47が該蒸気レベル46を検出していない時
は、コントロール用ヒータ45bもONにして、
蒸気量を増加させる。一方、蒸気センサ47が該
蒸気レベル46を検出すると、コントロール用ヒ
ータ45bをOFFにして、定温保持用ヒータ4
5aのみで該蒸気レベル46を保持している。
また、該蒸気槽42には、前記コントロール用
ヒータ45bの搬送方向上流側の一端近傍、およ
び、蒸気槽42の搬送方向下流側の壁近傍に、前
記蒸気レベル46を一定にするために仕切板51
および仕切板52が設けられている。
該蒸気48は、該蒸気槽42の前後に設けられ
た冷却パイプ49,50により、沸点T2以下ま
で冷却され、前記不活性液43の状態に液化され
て回収される。
基板31は予備加熱ゾーン41にてT1まで加
熱され、蒸気槽42にてT2まで加熱されて、半
田ペースト33が溶融され、部品36が基板31
に半田付けされた状態で図示しない次工程に搬送
される。
<発明が解決しようとする課題> 第5図に示すように、基板31は部品36が該
蒸気槽42にて急加熱されることによつて生じる
熱ストレスを緩和するために、予備加熱ゾーン4
1において温度T1まで加熱され、その後蒸気槽
42に搬送されている。しかし、仕切板51より
下流側の蒸気48bは、該蒸気面46が定温保持
用ヒータ45aとコントロール用ヒータ45bと
によつてほぼ一定のレベルに保たれているにも関
わらず、仕切板51の上流側の該仕切板51をオ
ーバーフローした蒸気48aは、該蒸気の比重が
空気よりも大きいためそのレベルが急激に低下
し、蒸気48aと蒸気48bとが接している前記
仕切板51の上流において、蒸気のレベルが急勾
配となり、もつて蒸気48aと蒸気48bとが接
している前記仕切板51の上流において、急激な
温度勾配(15〜30℃/S)が生じることになる。
このような急激な温度勾配により、基板上の何
方か片方のランド(第4図において2点鎖線で示
すように例えば32b)に接している半田ペース
ト33のみが溶融して、他方の半田ペースト33
が溶融する以前に、片側の電極(例えば34b)
のみ基板31に半田され、跳ね上がる現象(以下
マンハツタン現象と称する)が生じる。
該マンハツタン現象は基板31のランド32の
大きさ、半田ペースト33の量、電極34の半田
のぬれ具合、部品36の重量によつても左右され
るが、前記温度勾配が該マンハツタン現象の発生
の有無には最も影響を与える。
即ち、前記マンハツタン現象は、赤外線ランプ
を多数配設してその複写熱により半田ペースト3
3を溶融する赤外線リフロー装置や、熱風を循環
させて多量の雰囲気を加熱して、該雰囲気の対流
により半田ペースト33を溶融する熱風式リフロ
ー装置においても発生するが、その発生率は気相
式リフロー装置の方が大きく、該リフロー装置の
後工程における手直しを必要としている。これは
他の装置に比較して、気相式リフロー装置におい
ては、前述の如く、蒸気槽42にて急激な温度勾
配を生じる急加熱が行われるため、部品36に熱
ストレスが発生し、該熱ストレスを緩和しきれて
いないことに起因している。
よつて、本発明では、一定レベルで搬送される
基板を緩やかな温度勾配にて加熱することによつ
て、半田ペーストをその溶融温度まで加熱して、
前記マンハツタン現象の発生を抑える蒸気槽内蒸
気レベル制御方法を提供することを目的としてい
る。
<課題を解決するための手段> このため、本発明は、蒸気槽内に基板を一定レ
ベルで搬送通過させ、該蒸気槽内の蒸気によつて
半田を加熱溶融して半田付けを行うよう構成され
た気相式半田リフロー装置における蒸気槽内蒸気
レベル制御方法であつて、前記蒸気槽を基板の搬
送方向に複数に分割し、各々の蒸気槽の蒸気レベ
ルを検出する蒸気センサを設け、該蒸気センサの
検出部を上流側ほど低く取付けることにより上流
側に位置する蒸気槽の蒸気レベルを低く制御する
方法とした。
<作用> そして、かかる方法では複数分割された蒸気槽
において、それぞれ独立して、より上流に位置す
る蒸気槽ほど蒸気レベルが低くなるように制御さ
れるので、その蒸気レベルの勾配を緩やかにする
ことができ、もつて基板の加熱に係わる温度勾配
を緩やかにすることができる。
<実施例> 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。
第1図において、基板31が一定レベルの基板
搬送面1に沿つて、フツソ系の不活性液14が満
たされている蒸気槽2に搬送通過されるのは、従
来と同様である。蒸気槽2には仕切板3,4,
5,6が設けられ、該蒸気槽2の搬送方向上流の
壁7とともに、該蒸気槽2が複数に分割され、加
熱槽10、予熱槽11、緩衝槽12,13が形成
される。
蒸気槽2には、該不活性液14を、前記半田の
溶融温度T3より若干低い温度であるT5に常時保
持するための定温保持用ヒータ18が、常時ON
の状態で前記蒸気槽2全長に渡つて設けられてお
り、さらに蒸気センサ17によりON、OFF制御
され、ONになつたときに前記不活性液14を、
半田の溶融温度T3より若干高い温度である該不
活性液14の沸点T2まで更に加熱するコントロ
ール用ヒータ19が、加熱槽10のみに設けられ
ている。
即ち、前記基板搬送面1より上方に設けた蒸気
センサ17により、該不活性液14の気化した蒸
気26の加熱槽蒸気レベル16が検出される。蒸
気センサ17により該蒸気レベル16が検出され
ない時は、コントロール用ヒータ19がONとな
り、蒸気量を増加させる。一方、蒸気センサ17
により該蒸気レベル16が検出されると、コント
ロール用ヒータ19はOFFとなり、定温保持用
ヒータ18のみで該蒸気レベル16が保持され
る。
また、予熱槽11の該液面15の上方にも、前
記基板搬送面1より上方で、かつ前記第1蒸気セ
ンサ17より下方に、第2蒸気センサ21が設け
られている。予熱槽11も第2蒸気センサ21に
より予熱槽蒸気レベル22が検出され、この予熱
槽蒸気レベル22を一定に保つために、前記蒸気
槽2全長に渡つて設けられて常時ONとなつてい
る定温保持用ヒータ18と、予熱槽11のみに設
けられるコントロール用ヒータ20と、が設けら
れている。
即ち加熱槽10においては、前記第1蒸気セン
サ17によつてコントロール用ヒータ19の
ON、OFFが制御され、加熱槽蒸気レベル16は
仕切板5と仕切板6との間でほぼ一定に制御され
る。また、予熱槽11においても、加熱槽10と
は別に、前記第2蒸気センサ21によつてコント
ロール用ヒータ20のON、OFFが制御され、予
熱槽蒸気レベル22は仕切板4と仕切板3との間
でほぼ一定に、かつ前記加熱槽序記レベル16よ
り低位のレベルに、制御される。
また、前記不活性液14の蒸気は仕切板3の上
流側に設けた冷却パイプ24、および仕切板6の
下流側に設けた冷却パイプ23により、沸点以下
の温度まで冷却されて、液化される。
一方、前記加熱槽蒸気レベル16と予熱槽蒸気
レベル22とは、仕切板4と仕切板5との間に位
置する緩衝槽12において、緩やかに連続する。
一方、前記加熱槽10と予熱槽11との間に位
置する緩衝槽12及び、予熱槽11の上流に位置
する緩衝槽13においては蒸気センサが設けられ
ていないため、加熱槽10及び予熱槽11よりオ
ーバーフローした蒸気が溜まり、該緩衝槽12,
13内の液面15において液化されることなく、
一時的に緩衝槽蒸気レベル25,27が高くなる
ことが考えられる。よつて、緩やかに該蒸気レベ
ル25,27を搬送方向に従つて高くなるように
するために、蒸気センサが設けられていない、緩
衝槽12および13に、冷却パイプ23,24に
より液化された前記不活性液14の沸点T2より
低温である再生液を、図示しないパイプ等で導
き、供給しても良い。これにより、低温の再生液
が該緩衝槽12,13に供給されることになり、
緩衝槽12の不活性液の温度を部分的に下げるこ
とが可能となる。よつて、該緩衝槽12,13内
の液面15に接触する該不活性液の蒸気は液化さ
れ、該緩衝槽12,13の緩衝槽蒸気レベル2
5,27の急激な変化を防止すること、および前
述した予熱槽蒸気レベル22を加熱槽蒸気レベル
16より低位に維持することが、より効果的にな
る。
かかる構成による方法によれば、加熱槽蒸気レ
ベル16、予熱槽蒸気レベル22とも一定のレベ
ルに維持され、かつ加熱槽10の上流側に位置す
るところの予熱槽11の予熱槽蒸気レベル22
は、加熱槽蒸気レベル16より低位のレベルに維
持される。よつて、基板搬送面1に沿つて蒸気槽
2に搬送されてきた基板は、加熱槽10に入る前
に、該加熱槽蒸気レベル16より低位の蒸気レベ
ルである予熱槽蒸気レベル22を有する予熱槽1
1を通ることになる。
従つて、基板はまず予熱槽11にて半田の溶融
温度より低い温度T4まで加熱され、その後、加
熱槽10にて半田溶融温度T2まで加熱されて半
田付けがなされたことになり、基板上の部品の温
度勾配は第2図に示すように急激とはならず、マ
ンハツタン現象の発生が抑えられる。よつて、気
相式半田リフロー装置の後工程における半田の手
直し等が不要となる。
尚、本実施例では加熱槽10の搬送方向上流の
蒸気槽2の中に仕切板3,4,5を設けて予熱槽
11を1槽と、該予熱槽蒸気レベル22を制御す
るための第2蒸気センサ21とを設けたが、予熱
槽は1槽でなくともよい。即ち、仕切板を該予熱
槽に対応する数だけ設けることにより、蒸気槽を
複数分割して、各蒸気槽の蒸気レベルを検出する
蒸気センサを各蒸気槽に設置する。このような構
成において、各蒸気槽蒸気レベルを、基板搬送方
向にしたがつて低位の高さから前記加熱槽蒸気レ
ベル16を越えないレベルまで、徐々に高くなる
よう制御することにより、半田の溶融温度まで加
熱していくような、本実施例より細かい蒸気レベ
ル制御方法を用いてもなんら問題はない。
<発明の効果> 以上説明したように、本発明によれば、気相式
半田リフロー装置における蒸気槽において、基板
の搬送方向に複数分割した蒸気槽の蒸気レベルを
上流側に位置するほど低く制御する方法としたた
め、一定レベルで搬送される基板を緩やかな温度
勾配にて加熱することが可能となる。よつて、基
板上の部品に与える急激な温度上昇による熱スト
レスが緩和されるので、マンハツタン現象の発生
が抑えられ、均一な半田付けが実現できる。従つ
て、品質の向上、後工程における手直し工数の低
減、工数低減による低価格化及び生産性の向上等
の種々の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す気相式半田リ
フロー装置の概略構成図、第2図は本発明の作用
説明図、第3図は従来の気相式半田リフロー装置
を示す概略構成図、第4図は搬送される基板を示
す側面図、第5図は従来の作用説明図である。 1……基板搬送面、2……蒸気槽、3,4,
5,6……仕切板、10……加熱槽、11……予
熱槽、14……不活性液、16……加熱槽蒸気レ
ベル、17……第1蒸気センサ、21……第2蒸
気センサ、22……予熱槽蒸気レベル、23,2
4……冷却パイプ、31……基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 蒸気槽内に基板を一定レベルで搬送通過さ
    せ、該蒸気槽内の蒸気によつて半田を加熱溶融し
    て半田付けを行うよう構成された気相式半田リフ
    ロー装置における蒸気槽内蒸気レベル制御方法で
    あつて、前記蒸気槽を基板の搬送方向に複数に分
    割し、各々の蒸気槽の蒸気レベルを検出する蒸気
    センサを設け、該蒸気センサの検出部を上流側ほ
    ど低く取付けることにより上流側に位置する蒸気
    槽の蒸気レベルを低く制御することを特徴とする
    蒸気槽内蒸気レベル制御方法。
JP13728490A 1990-05-29 1990-05-29 蒸気槽内蒸気レベル制御方法 Granted JPH0327867A (ja)

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JP13728490A JPH0327867A (ja) 1990-05-29 1990-05-29 蒸気槽内蒸気レベル制御方法

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JP13728490A JPH0327867A (ja) 1990-05-29 1990-05-29 蒸気槽内蒸気レベル制御方法

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JPH0327867A JPH0327867A (ja) 1991-02-06
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JP13728490A Granted JPH0327867A (ja) 1990-05-29 1990-05-29 蒸気槽内蒸気レベル制御方法

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