JPH04162530A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04162530A JPH04162530A JP28969790A JP28969790A JPH04162530A JP H04162530 A JPH04162530 A JP H04162530A JP 28969790 A JP28969790 A JP 28969790A JP 28969790 A JP28969790 A JP 28969790A JP H04162530 A JPH04162530 A JP H04162530A
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- insulating film
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- metal wiring
- metal interconnection
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置
用の表面保護膜の製造方法に関する。
用の表面保護膜の製造方法に関する。
半導体装置用の表面保護膜としては、下層にＰＳ Ｇ
（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜
、上層にプラズマＣＶＤ法による窒化膜（以下プラズマ
窒化膜と称する）からなる２層膜が用いられてきた（例
えば日経マイクロデバイス１９８８年６月号ｐｐ、３３
〜４６）。
（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜
、上層にプラズマＣＶＤ法による窒化膜（以下プラズマ
窒化膜と称する）からなる２層膜が用いられてきた（例
えば日経マイクロデバイス１９８８年６月号ｐｐ、３３
〜４６）。
その製造工程について第３図（ａ）〜（ｃ）を参照して
説明する。
説明する。
はじめに第３図（ａ）に示すように、半導体基板１の表
面の下地絶縁膜２に金属配線３を形成したのち、ＣＶＤ
法により全面に厚さ０，２〜０゜８μｍのＰＳＧ膜１膜
上０長させる。
面の下地絶縁膜２に金属配線３を形成したのち、ＣＶＤ
法により全面に厚さ０，２〜０゜８μｍのＰＳＧ膜１膜
上０長させる。
つぎに第３図（ｂ）に示すように、プラズマ窒化ＦｙＡ
１１を成長させる。
１１を成長させる。
つぎに第３図（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
ーによりプラズマ窒化膜１１とＰＳＧ膜１膜上０選択的
にエツチングして、ワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
ーによりプラズマ窒化膜１１とＰＳＧ膜１膜上０選択的
にエツチングして、ワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
この方法では表面保護膜となっているＰＳＧ膜およびプ
ラズマ窒化膜のステップカバレージが悪く、耐湿性も悪
かつな。そのため金属配線側壁の表面保護膜の薄いとこ
ろや応力が集中しているところから水分が浸入してリー
ク電流の増大や、金属腐食が発生して配線のショートや
オープンなどのデバイス不良の原因となっていた。
ラズマ窒化膜のステップカバレージが悪く、耐湿性も悪
かつな。そのため金属配線側壁の表面保護膜の薄いとこ
ろや応力が集中しているところから水分が浸入してリー
ク電流の増大や、金属腐食が発生して配線のショートや
オープンなどのデバイス不良の原因となっていた。
さらにＥＰＲＯＭ （紫外線消去続出専用メモリ）にお
いては、フローティング（浮遊）ゲートに蓄積された電
荷の消失を生じる。
いては、フローティング（浮遊）ゲートに蓄積された電
荷の消失を生じる。
耐湿性を向上させるために金属配線側壁の表面 ゛保護
膜のステップカバレッジを改善した製造方法が、Ｉ Ｒ
Ｐ Ｓ （Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、 １９８９．
ｐｐ、１２２〜１２６）に示されている。
膜のステップカバレッジを改善した製造方法が、Ｉ Ｒ
Ｐ Ｓ （Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、 １９８９．
ｐｐ、１２２〜１２６）に示されている。
その製造方法について第４図（ａ）〜（ｄ）を参照して
説明する。
説明する。
はじめに第４図（ａ）に示すように、半導体基板１の表
面の下地絶縁膜２に金属配線３を形成したのち、プラズ
マＣＶＤ法により厚さ約０．７μｍのＳ ｉ ＯＮ （
５ｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔ、ｒｉｄｅ）膜１２を成
長させる。
面の下地絶縁膜２に金属配線３を形成したのち、プラズ
マＣＶＤ法により厚さ約０．７μｍのＳ ｉ ＯＮ （
５ｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔ、ｒｉｄｅ）膜１２を成
長させる。
つぎに第４図（ｂ）に示すように、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−
ｏｎ−ｇｌａｓｓ ）膜１３を平坦なリファレンスウェ
ーハ上で厚さが約０．２〜０．３μｍとなる条件で塗布
する。
ｏｎ−ｇｌａｓｓ ）膜１３を平坦なリファレンスウェ
ーハ上で厚さが約０．２〜０．３μｍとなる条件で塗布
する。
つぎに第４図（Ｃ）に示すように、プラズマエツチング
によりＳＯＧ膜１３をエツチバ・ンクして、金属配線３
の側壁部や狭い隙間のみにＳＯＧ膜１３を残す。
によりＳＯＧ膜１３をエツチバ・ンクして、金属配線３
の側壁部や狭い隙間のみにＳＯＧ膜１３を残す。
つぎに第４図（ｄ）に示すように、ＳＯＧ膜１３を約３
７０°Ｃでアニールしたのち、プラズマＣＶＤ法により
厚さ約１’、２μｍの５ｉＯＮ膜１４を成長させ、つづ
いてＣＶＤ法によりＰＳＧ膜１５を成長させる。
７０°Ｃでアニールしたのち、プラズマＣＶＤ法により
厚さ約１’、２μｍの５ｉＯＮ膜１４を成長させ、つづ
いてＣＶＤ法によりＰＳＧ膜１５を成長させる。
ここでは金属配線３の側壁にはＳＯＧ膜１３が残ってい
るため、表面保護膜を構成している５ｉＯＮ膜１４およ
びＰＳＧ膜１５のカバレッジが改善されている。
るため、表面保護膜を構成している５ｉＯＮ膜１４およ
びＰＳＧ膜１５のカバレッジが改善されている。
従来技術による表面保護膜には、以下に述べる３つの欠
点があった。
点があった。
第１に耐湿性を向上させるためには十分な平坦性を実現
しなけばならないが、そのためには金属配線の側壁に十
分厚＜ＳＯＧ膜を残さなければならない、しかしながら
ＳＯＧ膜を厚く塗布すると、焼き固めてアニールすると
きにクラックが入り易く製造条件の制御が難しい。
しなけばならないが、そのためには金属配線の側壁に十
分厚＜ＳＯＧ膜を残さなければならない、しかしながら
ＳＯＧ膜を厚く塗布すると、焼き固めてアニールすると
きにクラックが入り易く製造条件の制御が難しい。
第２にＳＯＧ膜は多量の水分を含有しているが、金属配
線３を形成したウェーハ上に塗布されているため、焼き
固めに用いることのできるアニール温度は、金属配線の
ストレスマイルレーションを避けるため４００’Ｃ以下
にしなければならない。この温度ではＳＯＧ膜中に含有
する水分を完全に除去することはできず、ＥＰＲＯＭの
蓄積電荷の消失を完全に阻止することができない。
線３を形成したウェーハ上に塗布されているため、焼き
固めに用いることのできるアニール温度は、金属配線の
ストレスマイルレーションを避けるため４００’Ｃ以下
にしなければならない。この温度ではＳＯＧ膜中に含有
する水分を完全に除去することはできず、ＥＰＲＯＭの
蓄積電荷の消失を完全に阻止することができない。
第３にプラスチックモールド（樹脂封止）パッケージに
組み込んだあとの温度サイクルによる不良発生という問
題がある（例えば儒学技報Ｒ７９−２３、ｐｐ、５７〜
６４〉。この現象はチップサイズの大きいもので顕在化
してくる。
組み込んだあとの温度サイクルによる不良発生という問
題がある（例えば儒学技報Ｒ７９−２３、ｐｐ、５７〜
６４〉。この現象はチップサイズの大きいもので顕在化
してくる。
そのメカニズムについて、図面を用いて説明する。第５
図（ａ）は第３図（ａ）〜（ｃ）の場合の応力の状態を
示し、第５図（ｂ）は第４図〈ａ）〜（ｄ）の場合の応
力の状態を示す。
図（ａ）は第３図（ａ）〜（ｃ）の場合の応力の状態を
示し、第５図（ｂ）は第４図〈ａ）〜（ｄ）の場合の応
力の状態を示す。
半導体基板１より熱膨張係数が大きいモールド樹脂１６
は、冷却時にチップ中心に向って収縮する。このときチ
ップ上で凸部になっている金属配線３とこれを覆う表面
保護膜はモールド樹脂からせん断応力を受ける（チップ
中心で小さく、チップ外周で大きい）。
は、冷却時にチップ中心に向って収縮する。このときチ
ップ上で凸部になっている金属配線３とこれを覆う表面
保護膜はモールド樹脂からせん断応力を受ける（チップ
中心で小さく、チップ外周で大きい）。
この応力が表面保護膜にクラックを発生したり、金属配
線をずらせたりして、デバイス不良の原因になっている
。
線をずらせたりして、デバイス不良の原因になっている
。
本発明の半導体装置の製造方法は、金属配線を覆って第
１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の表面を研
削加工して平坦化する工程と、全面に第２の絶縁膜を形
成する工程と、ワイヤボンディング用スルーホールを開
口する工程とを含んでいる。
１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の表面を研
削加工して平坦化する工程と、全面に第２の絶縁膜を形
成する工程と、ワイヤボンディング用スルーホールを開
口する工程とを含んでいる。
本発明の第１の実施例について、第１図（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
はじめに第１図（ａ）に示すように、下地絶縁膜２が形
成された半導体基板１に金属配線３を形成したのち、プ
ラズマＣＶＤ法により厚さ２〜５μｍのプラズマ酸化膜
４を成長させる。
成された半導体基板１に金属配線３を形成したのち、プ
ラズマＣＶＤ法により厚さ２〜５μｍのプラズマ酸化膜
４を成長させる。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、プラズマ酸化膜４の
金属配線３の上での厚さが０．５〜１゜０μｍになるま
で表面から研削加工する。その結果ウェー八表面は完全
に平坦化される。
金属配線３の上での厚さが０．５〜１゜０μｍになるま
で表面から研削加工する。その結果ウェー八表面は完全
に平坦化される。
つぎに第１図（ｃ）に示すように、耐湿性膜としてプラ
ズマＣＶＤ法により厚さ０．２〜０．５μｍのプラズマ
窒化膜５を成長させる。
ズマＣＶＤ法により厚さ０．２〜０．５μｍのプラズマ
窒化膜５を成長させる。
下地のプラズマ酸化膜４が研削加工により完全に平坦化
されているため、プラズマ窒化膜５は均質になり、十分
な耐湿性が得られる。
されているため、プラズマ窒化膜５は均質になり、十分
な耐湿性が得られる。
つぎに第１図（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ
ーによりプラズマ窒化膜５とプラズマ酸化膜４とを選択
的にエツチングしてワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
ーによりプラズマ窒化膜５とプラズマ酸化膜４とを選択
的にエツチングしてワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
ＳＯＧ膜を使わないので水分の問題がない。
さらにチップ表面は完全に平坦化されているため、プラ
スチックパッケージに組み込んでもせん断路力を受けな
い。したがって温度サイクリングに対する耐性が非常に
高い。
スチックパッケージに組み込んでもせん断路力を受けな
い。したがって温度サイクリングに対する耐性が非常に
高い。
つぎに本発明の第２の実施例について、第２図（ａ）〜
（ｅ）を参照して説明する。
（ｅ）を参照して説明する。
はじめに第２図（ａ）に示すように、下地絶縁膜２が形
成された半導体基板１に金属配線３を形成したのち、バ
イアススパッタ法により厚さ０゜５〜１．０μｍのスパ
ッタ酸化膜７を堆積する。
成された半導体基板１に金属配線３を形成したのち、バ
イアススパッタ法により厚さ０゜５〜１．０μｍのスパ
ッタ酸化膜７を堆積する。
つぎに第２図（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法に
より厚さ２〜４μｍのプラズマ酸化膜８を成長させる。
より厚さ２〜４μｍのプラズマ酸化膜８を成長させる。
つぎに第２図（Ｃ）に示すように、スパッタ酸化膜７の
金属配線３の上での厚さが０．５〜１．０μｍになるま
で表面から研削加工する。その結果ウェーハ表面は完全
に平坦化される。
金属配線３の上での厚さが０．５〜１．０μｍになるま
で表面から研削加工する。その結果ウェーハ表面は完全
に平坦化される。
つぎに第２図（ｄ）に示すように、耐湿性膜としてプラ
ズマＣＶＤ法により厚さ０．２〜０． ５μｍのプラズ
マ窒化膜９を成長させる。
ズマＣＶＤ法により厚さ０．２〜０． ５μｍのプラズ
マ窒化膜９を成長させる。
つぎに第２図（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ
ーによりプラズマ窒化膜９とスパッタ酸化膜７とを選択
的にエツチングしてワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
ーによりプラズマ窒化膜９とスパッタ酸化膜７とを選択
的にエツチングしてワイヤボンディング用スルーホール
６を開口する。
スパッタ酸化膜は段差部で順テーパーの形に成長するた
め、間隔の狭い金属配線間でもボイド（空隙）の発生は
なく、均一に成長する利点がある。
め、間隔の狭い金属配線間でもボイド（空隙）の発生は
なく、均一に成長する利点がある。
金属配線を覆って第１の絶縁膜を成長させてから、研削
加工して第１の絶縁膜の表面を完全に平坦化することに
より、耐湿性膜である第２の絶縁膜を完全に平坦に成長
させることができる。
加工して第１の絶縁膜の表面を完全に平坦化することに
より、耐湿性膜である第２の絶縁膜を完全に平坦に成長
させることができる。
その結果プラスチックモールド樹脂からせん断路力を受
けることがなくなり、温度サイクル耐性が著しく向上す
る。
けることがなくなり、温度サイクル耐性が著しく向上す
る。
さらに完全に平坦な耐湿性膜を重ねて、強い耐湿能力を
備えることにより、信頼性の高い半導体装置が実現され
た。
備えることにより、信頼性の高い半導体装置が実現され
た。
第１図＜ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を工程順
に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の
実施例を工程順に示す断面図、第３図（ａ） 〜（ｃ）
、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来技術による半導体装置の
製造方法を示す断面図、第５図（ａ）、（ｂ）は表面保
護膜がモールド樹脂から受ける応力を示す模式図である
。 １・・・半導体基板、２・・・下地絶縁膜、３・・・金
属配線、４・・・プラズマ酸化膜、５・・・プラズマ窒
化膜、６・・・ワイヤボンディング用スルーホール、７
・・・スパッタ酸化膜、８・・・プラズマ酸化膜、９・
・・プラズマ窒化膜、１０・・・ＰＳＧ膜、１１・・・
プラズマ窒化膜、１２・・・５ｉＯＮ膜、１３・・・Ｓ
ＯＧ膜、１４・・・５ｉＯＮ膜、１５・・・ＰＳＧ膜、
１６・・・モールド樹脂。
に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の
実施例を工程順に示す断面図、第３図（ａ） 〜（ｃ）
、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来技術による半導体装置の
製造方法を示す断面図、第５図（ａ）、（ｂ）は表面保
護膜がモールド樹脂から受ける応力を示す模式図である
。 １・・・半導体基板、２・・・下地絶縁膜、３・・・金
属配線、４・・・プラズマ酸化膜、５・・・プラズマ窒
化膜、６・・・ワイヤボンディング用スルーホール、７
・・・スパッタ酸化膜、８・・・プラズマ酸化膜、９・
・・プラズマ窒化膜、１０・・・ＰＳＧ膜、１１・・・
プラズマ窒化膜、１２・・・５ｉＯＮ膜、１３・・・Ｓ
ＯＧ膜、１４・・・５ｉＯＮ膜、１５・・・ＰＳＧ膜、
１６・・・モールド樹脂。
Claims (1)
- 半導体装置のウェーハプロセスにおいて、金属配線を
形成したのち、全面に第１の絶縁膜を堆積する工程と、
該第１の絶縁膜の表面を研削加工して平坦化する工程と
、全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、フォトリソグ
ラフィーにより該第２の絶縁膜と前記第１の絶縁膜とを
選択エッチングして前記金属配線に達するワイヤボンデ
ィング用スルーホールを開口する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28969790A JPH04162530A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28969790A JPH04162530A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162530A true JPH04162530A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17746575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28969790A Pending JPH04162530A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162530A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130732A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5488010A (en) * | 1991-02-08 | 1996-01-30 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating sidewall charge-coupled device with trench isolation |
| US5492864A (en) * | 1993-10-14 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Method and equipment for manufacturing a semiconductor device |
| US8993875B2 (en) | 2008-07-02 | 2015-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar battery module and method for manufacturing the same |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP28969790A patent/JPH04162530A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5488010A (en) * | 1991-02-08 | 1996-01-30 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating sidewall charge-coupled device with trench isolation |
| US5492864A (en) * | 1993-10-14 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Method and equipment for manufacturing a semiconductor device |
| JPH07130732A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8993875B2 (en) | 2008-07-02 | 2015-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar battery module and method for manufacturing the same |
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