JPH04159521A - 半導体光スイッチ - Google Patents
半導体光スイッチInfo
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- JPH04159521A JPH04159521A JP28614190A JP28614190A JPH04159521A JP H04159521 A JPH04159521 A JP H04159521A JP 28614190 A JP28614190 A JP 28614190A JP 28614190 A JP28614190 A JP 28614190A JP H04159521 A JPH04159521 A JP H04159521A
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- waveguide
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、将来の光通信システムや光情報処理システム
において重要なエレメントとなる半導体光スィッチ、特
に方向性結合器型の半導体光スィッチに関する。
において重要なエレメントとなる半導体光スィッチ、特
に方向性結合器型の半導体光スィッチに関する。
光スィッチは将来の高速光通信システム、光情報処理シ
ステムのキーエレメントの１つと考えられ、各所で研究
開発が活発化してきている。光スィッチとしては、Ｌｉ
ＮｂＯ３等の誘電体を用いたものと、ＧａＡｓやＩｎＰ
の半導体を用いたものとが考えられているが、光アンプ
等の他の光素子やＦＥＴ等の電子回路との集積化が可能
で、小型化、多チャンネル化も容易な半導体光スィッチ
への期待が近年高まりつつある。
ステムのキーエレメントの１つと考えられ、各所で研究
開発が活発化してきている。光スィッチとしては、Ｌｉ
ＮｂＯ３等の誘電体を用いたものと、ＧａＡｓやＩｎＰ
の半導体を用いたものとが考えられているが、光アンプ
等の他の光素子やＦＥＴ等の電子回路との集積化が可能
で、小型化、多チャンネル化も容易な半導体光スィッチ
への期待が近年高まりつつある。
このような半導体光スィッチとしては、上記適用分野か
ら考えて、高速動作、低消費電力動作、低電圧動作、低
損失動作、高集積の容易性等が要求される。半導体光ス
ィッチの方式としては、これＪてに電流注入に伴うバン
ドフィリング効果もしくはフリーキャリアプラズマ効果
による屈折率変化を用いた全反射型スイッチ、電界印加
に伴う電気光学効果による屈折率変化を利用した方向性
結合器型スイッチ、多重量子井戸に電界を印加したとき
の励起子吸収ピークの移動に伴う屈折率変化を用いた全
反射型スイッチ等が試作検討されているが、電流注入全
反射型は動作速度が遅くまた消費電力が大きいという難
点があり、また多重量子井戸構造全反射型スイッチは本
質的に低損失化が困難であるという問題点がある。これ
に対して電気光学効果を用いた方向性結合器型スイッチ
は、全反射型に比べて素子長は長くなるものの、高速、
低消費電力動作が可能であり、また低損失であるという
利点も有している。
ら考えて、高速動作、低消費電力動作、低電圧動作、低
損失動作、高集積の容易性等が要求される。半導体光ス
ィッチの方式としては、これＪてに電流注入に伴うバン
ドフィリング効果もしくはフリーキャリアプラズマ効果
による屈折率変化を用いた全反射型スイッチ、電界印加
に伴う電気光学効果による屈折率変化を利用した方向性
結合器型スイッチ、多重量子井戸に電界を印加したとき
の励起子吸収ピークの移動に伴う屈折率変化を用いた全
反射型スイッチ等が試作検討されているが、電流注入全
反射型は動作速度が遅くまた消費電力が大きいという難
点があり、また多重量子井戸構造全反射型スイッチは本
質的に低損失化が困難であるという問題点がある。これ
に対して電気光学効果を用いた方向性結合器型スイッチ
は、全反射型に比べて素子長は長くなるものの、高速、
低消費電力動作が可能であり、また低損失であるという
利点も有している。
低損失性に関しては、近年Ｅ、Ｋａｐｏｎらによって波
長１．５２μｍにおいて０．１５ｄＢ／ｃｍという低損
失光導波路がＧａＡｓ／Ａ ｌＧａＡｓ系で実現できる
ことがアプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔ、ｔｅｒｓ）誌第５０巻
第２３号（１９８７）において報告されている。ＧａＡ
ｓおよびＡｌＧａＡｓのバンドキャップ波長は１．３μ
ｍ帯および１．５μｍ帯に比べて十分に短波長側にある
ため、上述のような低損失先導波路を実現することがで
きる。しがも、電気光学効果には波長依存性がほとんど
無いので、動作波長がバンドギャップから離れていても
屈折率変化はバンドギャップ近傍の場合と変わらない。
長１．５２μｍにおいて０．１５ｄＢ／ｃｍという低損
失光導波路がＧａＡｓ／Ａ ｌＧａＡｓ系で実現できる
ことがアプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔ、ｔｅｒｓ）誌第５０巻
第２３号（１９８７）において報告されている。ＧａＡ
ｓおよびＡｌＧａＡｓのバンドキャップ波長は１．３μ
ｍ帯および１．５μｍ帯に比べて十分に短波長側にある
ため、上述のような低損失先導波路を実現することがで
きる。しがも、電気光学効果には波長依存性がほとんど
無いので、動作波長がバンドギャップから離れていても
屈折率変化はバンドギャップ近傍の場合と変わらない。
したがって、ＧａＡｓ／Ａ ｌＧａＡｓ系光導波路は長
波長帯方向性結合器型スイッチ材料として非常に有望で
ある。
波長帯方向性結合器型スイッチ材料として非常に有望で
ある。
ところで、従来、方向性結合器型スイッチは素子長が数
ｍｍと長いという問題点があった。特に、マトリクス型
光スイッチのように光路の切り替えを行う素子において
は方向性結合器が数段にわたって結合されるため、方向
性結合器の素子長が光の入射方向のマトリクス光スイツ
チ全体の長さを飛躍的に増大させる要因となっていた。
ｍｍと長いという問題点があった。特に、マトリクス型
光スイッチのように光路の切り替えを行う素子において
は方向性結合器が数段にわたって結合されるため、方向
性結合器の素子長が光の入射方向のマトリクス光スイツ
チ全体の長さを飛躍的に増大させる要因となっていた。
このため、マトリクス光スィッチの形状は非常に縦横比
の大きな形状となっている。このマトリクス光スィッチ
の形状が非常に縦横比の大きな形状であるという問題は
方向性結合器の形状を曲線形状とすることで解決される
か、曲線形状の方向性結合器は、その曲率半径が小さく
なるのに従って２本の先導波路の伝搬定数差が大きくな
り、先導波路間での光の結合が生じなくなってしまう問
題点を有している。
の大きな形状となっている。このマトリクス光スィッチ
の形状が非常に縦横比の大きな形状であるという問題は
方向性結合器の形状を曲線形状とすることで解決される
か、曲線形状の方向性結合器は、その曲率半径が小さく
なるのに従って２本の先導波路の伝搬定数差が大きくな
り、先導波路間での光の結合が生じなくなってしまう問
題点を有している。
上述のような問題点を解決するなめに、本発明において
は、ｎ型（又はｐ型）半導体基板上に、ｎ型（又はｐ型
）半導体クラッド層、アンドープ半導体導波層、アンド
ープ半導体クラッド層、ｐ型く又はｎ型）半導体クラッ
ド層、ｐ型（又はｎ型）半導体キャップ層が順次積層さ
れた層構造を有し、前記ｐ型（又はｎ型）半導体キャッ
プ層。
は、ｎ型（又はｐ型）半導体基板上に、ｎ型（又はｐ型
）半導体クラッド層、アンドープ半導体導波層、アンド
ープ半導体クラッド層、ｐ型く又はｎ型）半導体クラッ
ド層、ｐ型（又はｎ型）半導体キャップ層が順次積層さ
れた層構造を有し、前記ｐ型（又はｎ型）半導体キャッ
プ層。
ｐ型（又はｎ型ン半導体クラッド層およびアンドープ半
導体クラッド層が一部除去されて、近接した２本のリブ
型光導波路が形成されており、前記２本のリブ型光導波
路が同一の中心点で、がっ、任意の曲率を持った曲線形
状を有し、内周側の光導波路の導波路幅が少なくとも外
周側の光導波路の導波路幅よりも広いことを特徴とする
方向性結合器型半導体光スィッチの構造を採用した。
導体クラッド層が一部除去されて、近接した２本のリブ
型光導波路が形成されており、前記２本のリブ型光導波
路が同一の中心点で、がっ、任意の曲率を持った曲線形
状を有し、内周側の光導波路の導波路幅が少なくとも外
周側の光導波路の導波路幅よりも広いことを特徴とする
方向性結合器型半導体光スィッチの構造を採用した。
本発明においては、方向性結合器の２本の近接した光導
波路は同一の中心点で、がっ、任意の曲率を持った曲線
形状をとっている。このとき素子長は、方向性結合器を
構成する光導波路が曲線光導波路であるなめに光の入射
方向の素子長を短くし、光の入射方向に垂直な方向に長
くなる。この事によって、前述のマトリクス光スィッチ
の全長を短くする事が可能であり、縦横比の小さなマト
リクス光スィッチが可能である。
波路は同一の中心点で、がっ、任意の曲率を持った曲線
形状をとっている。このとき素子長は、方向性結合器を
構成する光導波路が曲線光導波路であるなめに光の入射
方向の素子長を短くし、光の入射方向に垂直な方向に長
くなる。この事によって、前述のマトリクス光スィッチ
の全長を短くする事が可能であり、縦横比の小さなマト
リクス光スィッチが可能である。
また、前述の構造に加えて内周側の光導波路９の導波路
幅Ｗ２が少なくとも外周側の先導波路８の導波路幅Ｗ工
よりも広い構造をとっている（第２図（、ｄ）参照）。
幅Ｗ２が少なくとも外周側の先導波路８の導波路幅Ｗ工
よりも広い構造をとっている（第２図（、ｄ）参照）。
光導波路の幅Ｗ、、Ｗ２が同一の曲線導波路の場合（第
２図（ｂ））、外周の光導波路８を伝搬する光は内周の
導波路９を伝搬する光よりも光路が長くなることがら、
通常の直線光導波路によって構成された方向性結合器型
光スイッチと異なり、予め大きな伝搬定数差が生じてい
る。直線光導波路によって構成された方向性結合器型光
スイッチはく第２図＜ａ））、ある結合係数を有し、伝
搬定数（β）が同一の２本の直線光導波路の一方に電界
を印加し、電気光学効果にともなう屈折率変化によって
生じる伝搬定数差を用いてスイッチングを行っている。
２図（ｂ））、外周の光導波路８を伝搬する光は内周の
導波路９を伝搬する光よりも光路が長くなることがら、
通常の直線光導波路によって構成された方向性結合器型
光スイッチと異なり、予め大きな伝搬定数差が生じてい
る。直線光導波路によって構成された方向性結合器型光
スイッチはく第２図＜ａ））、ある結合係数を有し、伝
搬定数（β）が同一の２本の直線光導波路の一方に電界
を印加し、電気光学効果にともなう屈折率変化によって
生じる伝搬定数差を用いてスイッチングを行っている。
しかし、前述の曲線光導波路による方向性結合器の場合
、前記したように予め大きな伝搬定数差が生じており、
光導波路間での光の結合が生じないため、上述の原理に
よる光のスイッチングができない。ところが、前述の非
対称な導波路幅を採用すれば光導波路を曲線にした事に
よって生じた伝搬定数差を打ち消す事ができく第２図（
ｃ）、（ｄ）参照）、通常の直線光導波路を用いた方向
性結合器型光スイッチと同等のスイッチングを実現する
事が可能であり、同時に光の入射方向の素子長を短縮す
る事が可能である。
、前記したように予め大きな伝搬定数差が生じており、
光導波路間での光の結合が生じないため、上述の原理に
よる光のスイッチングができない。ところが、前述の非
対称な導波路幅を採用すれば光導波路を曲線にした事に
よって生じた伝搬定数差を打ち消す事ができく第２図（
ｃ）、（ｄ）参照）、通常の直線光導波路を用いた方向
性結合器型光スイッチと同等のスイッチングを実現する
事が可能であり、同時に光の入射方向の素子長を短縮す
る事が可能である。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるＧａＡｓ／Ａ Ｉ ＧａＡｓ非対
称曲線方向性結合器型半導体光スィッチの実施例を示す
斜視概略図である。第２図は導波路幅及び導波路形状を
変えたときの伝搬定数の大小関係を示す図である。第３
図は無電界時の光のスイッチングを示す図である。
称曲線方向性結合器型半導体光スィッチの実施例を示す
斜視概略図である。第２図は導波路幅及び導波路形状を
変えたときの伝搬定数の大小関係を示す図である。第３
図は無電界時の光のスイッチングを示す図である。
第１図においては、ｎ−ＧａＡｓ基板６上にｎ−ＡＩＧ
ａＡｓ（Ａｆｆｌの含有率−０，３〜０．５ ＞クラッ
ド層５ 、ＧａＡｓアンドープ導波層４ 、ＡｌＧａＡ
ｓ （Ａｊの含有率−０３〜０５）アンドープクラッド
層３、Ｐ−ＡＩＧａＡｓ（Ａｆｆｌの含有率−０，３〜
０，５）クラッド層２、ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１か
形成されている。
ａＡｓ（Ａｆｆｌの含有率−０，３〜０．５ ＞クラッ
ド層５ 、ＧａＡｓアンドープ導波層４ 、ＡｌＧａＡ
ｓ （Ａｊの含有率−０３〜０５）アンドープクラッド
層３、Ｐ−ＡＩＧａＡｓ（Ａｆｆｌの含有率−０，３〜
０，５）クラッド層２、ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１か
形成されている。
ここで、ストライプ状のリブ部を有し、曲率半径が５ｍ
ｍの２本の光導波路がｐ”−ＧａＡｓキャップ層１ 、
ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２と、さらに電気的分離を
行うためのＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３の一部
まで導波路パターンは残して除去される事によって形成
され、２本の曲率半径５ｍｍの曲線光導波路および前記
１−ＧａＡｓ半導体基板６の裏面に電極７が形成されて
いる。ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ＧａＡｓアンド
ープ導波層４ 、ＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３
、 Ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｐ”−ＧａＡｓ
キャップ層１の厚さは、それぞれ１〜２μｍ、０．２μ
ｍ、０．４μｍ、１０μｍ、０．２μｍ程度である。導
波路幅は内周側は１．５μｍ、外周側は１．０ ｕｍで
ある。また、素子の長さは光の入射方向に３８０μｍ程
度、入射方向に垂直な方向に２０μｍである。
ｍの２本の光導波路がｐ”−ＧａＡｓキャップ層１ 、
ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２と、さらに電気的分離を
行うためのＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３の一部
まで導波路パターンは残して除去される事によって形成
され、２本の曲率半径５ｍｍの曲線光導波路および前記
１−ＧａＡｓ半導体基板６の裏面に電極７が形成されて
いる。ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ＧａＡｓアンド
ープ導波層４ 、ＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３
、 Ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｐ”−ＧａＡｓ
キャップ層１の厚さは、それぞれ１〜２μｍ、０．２μ
ｍ、０．４μｍ、１０μｍ、０．２μｍ程度である。導
波路幅は内周側は１．５μｍ、外周側は１．０ ｕｍで
ある。また、素子の長さは光の入射方向に３８０μｍ程
度、入射方向に垂直な方向に２０μｍである。
次にＧａＡｓ／Ａ ｌＧａＡｓ非対称曲線方向性結合器
型光スイッチの製造方法を簡単に説明する。ｎ −Ｇａ
Ａｓ基板６上にＭＢＥ法もしくはＭＯＶＰＥ法を用いて
ｎ−ＡｌＧａＡｓ （Ａ Ｉ含有率＝０．３〜０．５
’）クラッド層５、ＧａＡｓアンドープ導波層４ 、Ａ
ｌＧａＡｓ （Ａ Ｉ２含有率＝０．３〜０．５ ’）
アンドープクラッド層３、ｐ−ＡＩＧａＡｓ（Ａｊ；Ｉ
含有率＝０．３〜０．５）クラッド層２、ｐ＋−ＧａＡ
ｓキャップ層１を順次成長する。その後、電極７を基板
全面に形成した後、通常のフォトリングラフィ法とエツ
チング法を用いて電極７を幅１．０〜１，５μｍ程度の
リブ形状に加工する。この後、再度通常のフォトリソグ
ラフィ法を用いてリブ部のマスキングを行い、リブ部以
外のＡ Ｉ ＧａＡｓアンドープクラッド層３、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層２、ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１
をＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３に至るまで反応
性イオンビームエツチング法により除去する。最後に、
ｎ−ＧａＡｓ基板６の裏面に電極７を形成する。
型光スイッチの製造方法を簡単に説明する。ｎ −Ｇａ
Ａｓ基板６上にＭＢＥ法もしくはＭＯＶＰＥ法を用いて
ｎ−ＡｌＧａＡｓ （Ａ Ｉ含有率＝０．３〜０．５
’）クラッド層５、ＧａＡｓアンドープ導波層４ 、Ａ
ｌＧａＡｓ （Ａ Ｉ２含有率＝０．３〜０．５ ’）
アンドープクラッド層３、ｐ−ＡＩＧａＡｓ（Ａｊ；Ｉ
含有率＝０．３〜０．５）クラッド層２、ｐ＋−ＧａＡ
ｓキャップ層１を順次成長する。その後、電極７を基板
全面に形成した後、通常のフォトリングラフィ法とエツ
チング法を用いて電極７を幅１．０〜１，５μｍ程度の
リブ形状に加工する。この後、再度通常のフォトリソグ
ラフィ法を用いてリブ部のマスキングを行い、リブ部以
外のＡ Ｉ ＧａＡｓアンドープクラッド層３、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層２、ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１
をＡｌＧａＡｓアンドープクラッド層３に至るまで反応
性イオンビームエツチング法により除去する。最後に、
ｎ−ＧａＡｓ基板６の裏面に電極７を形成する。
以上が本発明によるＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体非対
称曲線方向性結合器型光スイッチの実施例の構成及び製
造方法の一例である。第３図に外周側の光導波路に光を
入射したときの内周側の光導波路への光の結合状態を光
電力２１の大きさで示す。無電界時にも内周側の光導波
路から外周側の光導波路へと光の結合が生じ、通常の方
向性結合器動作が生じている。スイッチング時における
クロストークは一２０ｄＢ以上の値を示している。
称曲線方向性結合器型光スイッチの実施例の構成及び製
造方法の一例である。第３図に外周側の光導波路に光を
入射したときの内周側の光導波路への光の結合状態を光
電力２１の大きさで示す。無電界時にも内周側の光導波
路から外周側の光導波路へと光の結合が生じ、通常の方
向性結合器動作が生じている。スイッチング時における
クロストークは一２０ｄＢ以上の値を示している。
以上述べたように本発明によれば、方向性結合器型半導
体光スィッチの素子長を短縮でき、素子の高密度化を行
うことができる。なお、本発明は上記の実施例に限定さ
れるものではない。実施例としでは、ＧａＡｓ系の方向
性結合器型光スイッチを取り上げたが、これに限るもの
ではなく、ＩｎＰ系などの他の材料を用いた方向性結合
器型半導体スイッチに対しても本発明は適用化可能であ
る。
体光スィッチの素子長を短縮でき、素子の高密度化を行
うことができる。なお、本発明は上記の実施例に限定さ
れるものではない。実施例としでは、ＧａＡｓ系の方向
性結合器型光スイッチを取り上げたが、これに限るもの
ではなく、ＩｎＰ系などの他の材料を用いた方向性結合
器型半導体スイッチに対しても本発明は適用化可能であ
る。
第１図は本発明の一実施例であるＧａＡｓ／Ａ ｌＧａ
Ａｓ非対称曲級方向性結合器型半導体光スイッチの構造
を示す斜視概略図である。第２図（ａ）は導波路形状が
直線で、導波路幅が対称時の伝搬定数の大小関係を示す
図である。第２図（ｂ）は導波路形状が曲線で、導波路
幅が対称時の伝搬定数の大小関係を示す図である。第２
図（ｃ）は導波路形状が直線で、導波路幅が非対称時の
伝搬定数の大小関係を示す図である。第２図（ｄ）は導
波路形状が曲線で、導波路幅が非対称時の伝搬定数の大
小関係を示す図である。第３図は本発明による一実施例
における外周側の光導波路に光を入射した時の内周側の
光導波路への光の結合状態を光電力で示した図である。 １・・・第２導電型半導体キャップ層、２・・・第２導
電型半導体クラッド層、３・・・アンド−７半導体クラ
ッド層、４・・・アンドープ半導体導波層、５０．・第
１導電型半導体クラッド層、６・・・半導体基板、７・
・・電極、２１・・・光電力。
Ａｓ非対称曲級方向性結合器型半導体光スイッチの構造
を示す斜視概略図である。第２図（ａ）は導波路形状が
直線で、導波路幅が対称時の伝搬定数の大小関係を示す
図である。第２図（ｂ）は導波路形状が曲線で、導波路
幅が対称時の伝搬定数の大小関係を示す図である。第２
図（ｃ）は導波路形状が直線で、導波路幅が非対称時の
伝搬定数の大小関係を示す図である。第２図（ｄ）は導
波路形状が曲線で、導波路幅が非対称時の伝搬定数の大
小関係を示す図である。第３図は本発明による一実施例
における外周側の光導波路に光を入射した時の内周側の
光導波路への光の結合状態を光電力で示した図である。 １・・・第２導電型半導体キャップ層、２・・・第２導
電型半導体クラッド層、３・・・アンド−７半導体クラ
ッド層、４・・・アンドープ半導体導波層、５０．・第
１導電型半導体クラッド層、６・・・半導体基板、７・
・・電極、２１・・・光電力。
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板上に、第１導電型半導体クラッ
ド層、アンドープ半導体導波層、アンドープ半導体クラ
ッド層、第２導電型半導体クラッド層、第２導電型半導
体キャップ層が順次積層された層構造を有し、前記第２
導電型半導体キャップ層、第２導電型半導体クラッド層
およびアンドープ半導体クラッド層が一部除去されて、
近接した２本のリブ型光導波路が形成されており、前記
２本のリブ型光導波路が同一の中心点で、かつ、任意の
曲率を持った曲線形状を有し、内周側の光導波路の導波
路幅が少なくとも外周側の光導波路の導波路幅よりも広
いことを特徴とする半導体光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614190A JP2903694B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614190A JP2903694B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04159521A true JPH04159521A (ja) | 1992-06-02 |
| JP2903694B2 JP2903694B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=17700468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28614190A Expired - Lifetime JP2903694B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 半導体光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903694B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790718B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 고출력 반도체 레이저소자 |
| CN113272695A (zh) * | 2019-01-29 | 2021-08-17 | 国际商业机器公司 | 用于量子位-光学-cmos集成的波导结构 |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28614190A patent/JP2903694B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790718B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 고출력 반도체 레이저소자 |
| CN113272695A (zh) * | 2019-01-29 | 2021-08-17 | 国际商业机器公司 | 用于量子位-光学-cmos集成的波导结构 |
| US11730067B2 (en) | 2019-01-29 | 2023-08-15 | International Business Machines Corporation | Qubit-optical-CMOS integration using structured substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903694B2 (ja) | 1999-06-07 |
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