JPH04156432A - 半導体レーザ光増幅器 - Google Patents

半導体レーザ光増幅器

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JPH04156432A
JPH04156432A JP27939890A JP27939890A JPH04156432A JP H04156432 A JPH04156432 A JP H04156432A JP 27939890 A JP27939890 A JP 27939890A JP 27939890 A JP27939890 A JP 27939890A JP H04156432 A JPH04156432 A JP H04156432A
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JP
Japan
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lens
parallel
light
semiconductor laser
laser element
Prior art date
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Pending
Application number
JP27939890A
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English (en)
Inventor
Yasuaki Tamura
安昭 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光信号を直接増幅する偏波無依存型の半導体
レーザ光増@器に関するものである。
(従来の技術) 半導体レーザを用いた光増幅器のうち進行波型光増幅器
はファブリペロ−型光増幅器に比して増幅可能な光信号
波長帯域が広く、捷た低雑音であるため、将来の光通信
産業分野への幅広い応用が期待されている。
この進行波型、光増幅器は半導体レーザ素子の入出力端
面を無反射処理することにより光増幅機能を得ているも
ので、半導体レーザ素子端面の片端面に注入された光信
号は素子内で徐々に増幅され、他端面に出力として現わ
れる。
しかし、この種の半導体デバイスは、その増幅特性に入
力信号光の偏波依存性をもっており、任意の偏波面に対
して一様の増幅度をもたないので、増幅器の適用範囲が
狭く々る。このため、実際の適用に於ては偏波無依存性
をもった増幅器が強く望まれていた。
第2図はこの問題を解決するために提案された従来の半
導体光増幅器の一例である( ELEC’l’RONI
C8L訂T照S  24 C17) (1988−8)
 P、1075−1076)。この半導体光増幅器は、
半導体レーザ素子110片側に光カプラlθを5他の側
に非相反偏波回転素子14と反射鏡15をそれぞれ配置
し、信号光の往復路に90°の偏波回転を与えることで
その光増幅度の偏波無依存化を実現したものである。な
お、1ノは評価用治具として使う偏波制御器、13は半
導体レーザ素子12から非相反偏波回転素子14に出射
される信号光を平行ビームに変換し、非相反偏波回転素
子14から出射される信号光を半導体レーザ素子12に
結合させるレンズである。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記構成の半導体光増幅器では光増幅度
の偏波無依存化は果されてt・るものの次のような欠点
があった。
(a)信号光の入出力の結合方法として光力グラを使用
しているため、入出力の結合において本質的に過剰損失
が発生し、理想的な場合でも6 dBの損失は免れない
(b)  半導体レーザ素子の片面には非相反偏波回転
素子を介して反射鏡が配置されているため、自己発振が
起シやすく、特性が不安定になる。
これを避けるためには半導体レーザ素子の端面における
無反射化をより完全に施す必要があるが、技術的に難し
い。
tc+  半導体レーザ素子内には往路、復路の両光信
号がある遅延時間をもってそれぞれ存在し、その遅延時
間は半導体レーザ素子端面と反射鏡とを往復する光通過
時間によって決定される。したがって、入力信号光が大
のとき、すなわち半導体光増幅器が飽和領域にて動作す
るとき、出力信号光にパターン効果が大きく発生してし
捷う。
(d)  構成上、非相反偏波回転子を使用するので構
成が複雑になり、コストも高くなる。捷だ形状も犬にな
る。
本発明は、以上に述べた欠点を除するためになされたも
のであって、入出力結合系による過剰損失の発生の除去
、増幅特性の安定化、構成の小形・簡易化および低価格
化を可能とする偏波無依存型の半導体レーザ光増幅器を
提供することを目的とする。
(課題を解決するだめの手段) 本発明は上記目的を達成するため、入力用光ファイパと
出力用光ファイバと第1のレンズと第2の1/ンズと複
屈折性平行平板と半導体レーザ素子とからなり、前記複
屈折性結晶平行平板はi1MJ記入力用光ファイバから
の光を互いに偏波面が直交する2つの平行光に分離し、
前記第1のレンズは前記2つの平行光を前記半導体レー
ザ素子の端面に結合し、前記半導体レーザ素子はその接
合面が前記第1のレンズからの2つの平行光を含む面に
対して45°傾けた面内に含1れるように配置されてい
て前記2つの平行光を増幅し、前記第2のレンズは前記
半導体レーザ素子からの光を前記出力用光ファイバに結
合するようにしたものである。
jだ、本発明は、入力用光ファイバと出力用光ファイバ
と第1のレンズと第2のレンズと第3のレンズと第4の
レンズと複屈折性結晶平行平板と半導体レーザ素子とか
らなり、前記第1のレンズは前記入力用光ファイバから
の光を平行光に変換し、前記複屈折性結晶平行平板は前
記平行光を互いに偏波面が直交する2つの平行光に分離
し、前記第2のレンズは前記2つの平行光を前記半導体
レーザ素子の端面に結合し、前記半導体レーザ素子はそ
の接合面がi′lI記第2のレンズからの2つの平行光
を含む面に対して・15°傾けた面内に含まれるように
配置されていて前記2つの平行光を増幅し、前記第3の
レンズは前記半導体レーザ素子からの光を犯行光に変換
し、前記第4のレンズは前記平行光を前記出力用光ファ
イバに結合するように1−だものである。
また、本発明は前記各半導体レーザ光増幅器の出力側に
複屈折性結晶平行平板を追加したものである。
(作用) 複屈折性結晶平行平板はその光軸方向と光入射方向とが
一致しないように形成されているので、入射光は互いに
偏波面が直交する2つの平行光に分離され、半導体レー
ザ素子の端面に結合される。
この半導体レーザ素子は、その接合面が前記2つの平行
光を含む面に対し45°傾けた面内に含捷れるように配
置されている。従って、前記2つの平行光は、それぞれ
半分の成分は前記接合面に平行な偏波面に対する光増幅
度で増幅され、残り半分の成分は前記接合面に垂直な偏
波面に対する光増幅度で増幅されることとなるので、結
局入力用光ファイバからの光はその偏波面に関係なく一
定の光増幅度で増幅され、出力用光ファイバから出力さ
れる。
また、)Y、アイソレータを用いれば、外部からの光反
射による戻り光を吸収し、動作を安定化することができ
る。
また、人、出力側両方に複屈折性結晶モ行モ板を設けれ
ば、偏波無依存性の双方向伝送月光増幅器として機能さ
せることができる。
(実施例) 第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図である。第
1図において、半導体レーザ素子1の入射側には入射側
ファイバ6からの出射光を半導体レーザ素子1の入射端
面7に結合するための結合用レンX’ 2+−’7が配
置され、半導体レーザ素子lの出射側には出射光を出射
側ファイバ9の端面に結合するだめの結合用レンズ4.
5が配置されて℃・る。
丑だ結合用レンズ3,2との間には゛V゛行平行形板形
状屈折性結晶板8が次に述べる角度方向に配置されてい
る。すなわち、複屈折性結晶板8の平板面ば、その平板
面に対する垂線が複屈折性結晶の光軸と一致しない方向
になるように研磨されており、該複屈折f1結晶板8は
、上記垂直方向に任意の偏波面をもつ光を入射させた1
時に形成されろ異常光線と常光線とを含む面が半導体レ
ーザ素子ノの接合面と45°交差するように配置されて
いる。
第3図は上述した複屈折性結晶板と」!導体レーザ素子
接合面との相対角度配ヱI゛の関係を示す図である。同
図にお℃・て、複屈折性結晶板8(−」、ぞ(つ結晶軸
16が複屈折性結晶板への入射光〕7の方向と一3′ケ
しないように配置されている。従って、前記入射光17
は任意の偏波面をもつとき2つの直交した偏波にそれぞ
れ分割される。すなわち、常光線18と異常丸線J9と
に分割される。こねらの2つの光線ls、J9を含む而
20(′f、、複屈折性結晶板8の後方に配置されて(
・る半導体レーザ(lO) 素子lの接合面21と45°交差するように複屈折性結
晶板8と半導体レーザ素子1とが配置されている。
次に、上記構成を有する本実施例に係る半導体レーザ光
増幅器の偏波無依存効果を順を追って説明する。
まず、第1図に於て、入射側ファイバ6から出射された
任意の偏波面をもつ光は結合用レンズ3によシ平行ビー
ムに変換され、複屈折性結晶板8に入射する。ここで、
入射光、複屈折性結晶板8゜結晶の光軸などの相対位置
関係は第3図により説明した如くなっているので、入射
光は互いに直交した偏波面をもつ2つの光ビームに分割
され、しかも、この2つの光ビームは互いに平行に出射
する。たとえば、複屈折性結晶板として方解石、ルチル
結晶を用いた場合、複屈折性結晶板の光軸方向と入射光
の入射方向とが大略45°傾いて2つのビーム間隔が最
大に離れた状態になっても、この2つのビーム間隔(は
複屈折性結晶の厚みの大略1/10であることは衆知の
如くである。たとえば、複屈折性結晶の厚みが0.1.
 mmの場合には、上記のビーム間隔は0.01胴とな
る。
複屈折性結晶板8から出射された上記の2つのビームは
結合用レンズ2により集光され、いずれの光も半導体レ
ーザ素子lの入射端面7に殆んど損失なく結合される。
ここで、2つのビームが1つの半導体レーザ素子の端面
に効率よく結合する事実は、すでにJOURNAL O
F LIGHTWAVE TEcHNoLOGY。
VOL、LT−4、NO,7(1986−7)ノP、 
 8.4.1−845に詳しく述べられている。
すなわち、2つのシングルモードファイバ間をそれぞれ
コリメータレンズを用いて光結合する場合に、2つのビ
ームが平行である限りこれらのビーム間隔が数IQμm
離れていても、その結合特性は殆んど劣化しないことが
実験的にも確認されている。
次に、偏波無依存効果を第4図の説明図を用いて説明す
る。
すでに説明したように、複屈折性結晶板から出射した2
つの直交した信号光、すなわちp偏波面22をもつ光と
S偏波面23をもつ光は半導体レーザ素子の入射端面7
に集光される。そして、半導体レーザ素子の接合面に平
行な面24は、これらの光に対して45°傾いた状態に
ある。半導体レーザ素子の入力端面7に集光される光を
81n、そのp偏波面成分をSp + s偏波面成分を
S、とするとS、   =S   +S In      p      8 の関係が成立する。この中で、S、成分にのみ着目する
と、p偏波面22と接合面に平行な面24とは45°傾
いているので、S、成分のうち半分の光が接合面に平行
な偏波に対する光増幅効果を得る。
また残り半分の光は接合面に垂直な偏波に対する光増幅
効果を得る。
すなわち、接合面に平行な偏波光に対する光量・幅度を
GTE%接合面に垂直な偏波光に対する光増幅度をGT
Mとすれば、S、成分の光はΣS、(GT、+GTM) なる光量に増幅される。
同様にS 成分の光は 1SB(GTE+GTM) なる光量に増幅される。したがって、全体の出力光S。
utは Soい、=帆(GTP、+GTM)十寺S、(曙十G、
イ)一百(s、+s、)(GT、+GTM)一フ(GT
z’−GTM)Sin となる。
ここに、光増幅度は半導体レーザ素子固有の、接合面に
平行な偏波光に対する増幅度GTP、と接合面に垂直な
偏波光に対する増幅度GTMの平均値に相当し、偏波面
に対し無依存になることがわかる。
半導体レーザ素子lで増幅された信号光はレンズ4,5
を介して出力側ファイバ9の端面に結合される。
以上、説明したように本実施例によれは(、)  いか
なる偏波面をもつ入力信号光に対しても光増幅度は一定
になり、使用する半導体レーデ素子そのもの光増幅度の
偏波依存性が大きくても、小さくても関係な(・。
(b)  入出力結合系に、光カノラや光ザーギュレー
タなどを使用していないので過剰損失の発生がない。
(c)  半導体レーザ素子内に光信号を往復させるこ
となく、片方向通過のみによって利得を’44ffi−
ている3、つまり、外部反射鏡を用いないので寄生発振
を低くおさえることができ、特性が安定になる。
(d)  構成が極めて簡易、小形となり、低価格にな
る。
等の効果を得ることができる。
第5図は本発明の第2の実施例を示す構成図であって、
(a) 、 fb)共に第1図に示す第1の実施例の構
成に加えて、その入出力側に光アイソレータ25 、2
6をそれぞれ挿入したものである。
この光アイソレータ25,26により、光増幅器の人、
出力部に存在する光コネクタなどからの光反射による戻
り光を吸収し、増幅動作を安定化させることができる。
第6図は本発明の第3の実施例を示す構成図であって、
入出力側にそれぞれ複屈折性結晶板8゜27を設けるこ
とにより偏波無依存性の双方向伝送用光増幅器として機
能させるものである。
また、前述の第1の実施例の構成を示す第1図にお見・
て、結合レンズ3,5を省略し、入射側ファイバ6から
の光をjM接接層屈折性結晶板8入射し、半導体レーザ
素子lからの光を結合レンズ4により出射側ファイバ9
に結合してもよい。これにより、より一層の小型化を図
ることができる。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように本発明によれは、入出力系
に光カプラや光ザーキュレータなどを使用してい々いの
で過剰損失の発生がなく、外部反射鏡を用いないので安
定な増幅特性を得ることができる。
また、上記光カプラ、光ザーキュレータ、外部反射説を
用いないので構゛成が簡易で小形となり、低価格化する
ことが可能となる。
まだ、入出力側に光アイソレータを挿入することにより
、光コネクターなどからの光反射による戻り光を吸収し
、増幅動を安定化を図ることができる。
さらに、入出力側にそれぞれ複屈折性結晶平行板を設け
ることにより、偏波無依存性の双方向伝送用光増幅器と
して機能させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第]の実施例を示す構成図、第2図は
従来の偏波無依存型半導体光増幅器の構成図、第3図は
複屈折性結晶板と半導体レーザ素子接合面との相対角度
配置を示す図、第4図は偏波無依存効果の説明図、第5
図は本発明の第2の実施例の構成図、第6図は本発明の
第3の実施例の構成図である。 1・・・半導体レーザ素子、2〜5・・・結合用レンズ
、6・・入射側ファイバ、7・・・入射端面、8,27
・・・複屈折性結晶板、9・・出射側ファイバ、25゜
26・光アイソレータ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力用光ファイバと出力用光ファイバと第1のレ
    ンズと第2のレンズと複屈折性平行平板と半導体レーザ
    素子とからなり、 前記複屈折性結晶平行平板は前記入力用光ファイバから
    の光を互いに偏波面が直交する2つの平行光に分離し、 前記第1のレンズは前記2つの平行光を前記半導体レー
    ザ素子の端面に結合し、 前記半導体レーザ素子はその接合面が前記第1のレンズ
    からの2つの平行光を含む面に対して45゜傾けた面内
    に含まれるように配置されていて前記2つの平行光を増
    幅し、 前記第2のレンズは前記半導体レーザ素子からの光を前
    記出力用光ファイバに結合する ことを特徴とする半導体レーザ光増幅器。
  2. (2)前記第2のレンズと前記出力用光ファイバとの間
    に前記複屈折性結晶平行平板と同等の第2の複屈折性結
    晶平行平板を設け、双方向性を持たせたことを特徴とす
    る請求項1記載の半導体レーザ光増幅器。
  3. (3)入力用光ファイバと出力用光ファイバと第1のレ
    ンズと第2のレンズと第3のレンズと第4のレンズと複
    屈折性結晶平行平板と半導体レーザ素子とからなり、 前記第1のレンズは前記入力用光ファイバからの光を平
    行光に変換し、 前記複屈折性結晶平行平板は前記平行光を互いに偏波面
    が直交する2つの平行光に分離し、前記第2のレンズは
    前記2つの平行光を前記半導体レーザ素子の端面に結合
    し、 前記半導体レーザ素子はその接合面が前記第2のレンズ
    からの2つの平行光を含む面に対して45゜傾けた面内
    に含まれるように配置されていて前記2つの平行光を増
    幅し、 前記第3のレンズは前記半導体レーザ素子からの光を平
    行光に変換し、 前記第4のレンズは前記平行光を前記出力用光ファイバ
    に結合することを特徴とする半導体レーザ光増幅器。
  4. (4)前記第1のレンズと前記第2のレンズとの間と前
    記第3のレンズと前記第4のレンズとの間に両方または
    いずれか片方に光アイソレータを設けたことを特徴とす
    る請求項3記載の半導体レーザ光増幅器。
  5. (5)前記第3のレンズから前記第4のレンズに至る光
    の径路中に前記複屈折性結晶平行平板と同等の第2の複
    屈折性結晶平行平板を設け、双方向性を持たせたことを
    特徴とする請求項3または請求項4記載の半導体レーザ
    光増幅器。
JP27939890A 1990-10-19 1990-10-19 半導体レーザ光増幅器 Pending JPH04156432A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339451A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及び半導体増幅装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339451A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及び半導体増幅装置

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