JPH04154647A - Transparent electrically conductive laminate - Google Patents

Transparent electrically conductive laminate

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JPH04154647A
JPH04154647A JP27524090A JP27524090A JPH04154647A JP H04154647 A JPH04154647 A JP H04154647A JP 27524090 A JP27524090 A JP 27524090A JP 27524090 A JP27524090 A JP 27524090A JP H04154647 A JPH04154647 A JP H04154647A
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JP
Japan
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film
transparent
transparent conductive
refractive index
conductive laminate
Prior art date
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Application number
JP27524090A
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Japanese (ja)
Inventor
Takuji Oyama
卓司 尾山
Koichi Suzuki
巧一 鈴木
Yasuhiko Akao
安彦 赤尾
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To form an undercoat layer, providing a transparent electrically conductive laminate having large area free from color unevenness. by sputtering method in a short time by making a transparent film having specific film thickness and low refractive index and a transparent film having high refractive index between a transparent electrically conductive film and a transparent substrate. CONSTITUTION:In a laminate wherein a transparent electrically conductive film 11 (refractive index n: >=1.8 and thickness d: >=0.15mum) is formed on a transparent substrate 10 such as glass substrate, a transparent film 12 having low refractive index (n=1.35-1.55, d=0.045-0.075mum) is arranged in such a way that the transparent film having low refractive index is brought into contact with the transparent electrically conductive film 11 between the transparent substrate 10 and the transparent electrically conductive film 11 and further a transparent film 13 having high refractive index (n=1.8-2.5, d=0.015-0.045mum) is laid so that this film is contacted with the transparent substrate 10 to give a transparent electrically conductive laminate.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は透明導電性積層体に関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a transparent conductive laminate.

[従来の技術] 従来より、ガラス表面に透明導電膜を形成し、表示用の
電極や低放射ガラスとして用いることが行なわれている
0例えば、イオンブレーティング法によりガラス基板上
に形成されたインジウム・スズ酸化物(ITO)は液晶
等の表示素子の透明電極として多く用いられている。
[Prior Art] Conventionally, a transparent conductive film is formed on a glass surface and used as a display electrode or low-emission glass.For example, indium film formed on a glass substrate by ion blating method - Tin oxide (ITO) is often used as a transparent electrode for display elements such as liquid crystals.

また、スプレー法によりガラス基板上に形成されたフッ
素ドープ酸化スズ(SnO,: F )膜やアンチモン
ドープ酸化スズ(SnOa:Sb )膜は、住宅用の低
放射ガラスとして用いられている。また、最近透明導電
膜の新たな用途として、建築用の電極遮蔽ガラスや自動
車用の電熱風防窓、民生用の太陽電池用透明導電基板な
どが考えられるようになってきた。これらは、いずれも
大面積ガラス基板が要求される用途である。
Furthermore, fluorine-doped tin oxide (SnO,:F) films and antimony-doped tin oxide (SnOa:Sb) films formed on glass substrates by a spray method are used as low-emission glass for housing. Recently, new applications for transparent conductive films have been considered, such as electrode shielding glass for buildings, electrically heated windshield windows for automobiles, and transparent conductive substrates for consumer solar cells. These are all applications that require large-area glass substrates.

ところが、透明導電膜を構成する材料には、ITOlS
nOa : F 、 5nOz:Sbやアルミニウムド
ープ酸化亜鉛(ZnO:Al)などがあるが、これらの
透明酸化物材料はいずれも屈折率が1.8〜2.2とガ
ラスに比べて大きいため、干渉条件を満たす波長での反
射率が大きくなってしまう。
However, the material constituting the transparent conductive film is ITOlS.
There are nOa:F, 5nOz:Sb and aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al), but all of these transparent oxide materials have a refractive index of 1.8 to 2.2, which is larger than glass, so interference may occur. The reflectance at wavelengths that satisfy the conditions becomes large.

即ち、これらの透明酸化物をガラス基板上にある程度以
上の膜厚に形成した場合、分光反射(透過)スペクトル
に極大極小の波(リップル)が現われるのである。この
ため、大面積のガラス基板にこれらの薄膜を形成した場
合、面内の膜厚変動(ムラ)により反射(透過)極大の
波長がずれ反射(透過)色の色ムラとなって目に感知さ
れることになる。
That is, when these transparent oxides are formed on a glass substrate to a certain thickness or more, maximum and minimum waves (ripples) appear in the spectral reflection (transmission) spectrum. For this reason, when these thin films are formed on a large-area glass substrate, due to in-plane film thickness variations (unevenness), the wavelength of the maximum reflection (transmission) shifts, resulting in color unevenness in the reflected (transmission) color that can be perceived by the eye. will be done.

ガラス面上での膜厚分布は膜の形成手法にもよるが例え
ばlmX1mのガラスを考えた場合、蒸着やCVDでは
±50%以内に抑えることは極めて高度な技術を要する
のが現状である。
Although the film thickness distribution on the glass surface depends on the method of film formation, for example, when considering glass of 1 m x 1 m, the current situation is that extremely advanced technology is required to suppress the film thickness distribution to within ±50% using vapor deposition or CVD.

我々の研究によれば、この程度の膜厚分布を仮定すると
、前記の透明導電膜が約0.15μm以上ガラス基根上
基板上された場合、面内の色ムラが問題となるレベルに
達する。一方、膜厚を厚(してゆくと反射(透過)色の
彩度が減少し始める。約0.6μm以上の厚みで鮮やか
さは減少してゆ(が、色ムラとして判別されるレベルを
超える為には3μm以上好ましくは5μm以上の膜厚が
必要である。
According to our research, assuming this level of film thickness distribution, when the transparent conductive film described above is deposited on a substrate on a glass base to a thickness of approximately 0.15 μm or more, in-plane color unevenness reaches a level that becomes a problem. On the other hand, as the film thickness increases, the saturation of the reflected (transmitted) color begins to decrease.At a thickness of approximately 0.6 μm or more, the vividness decreases (but the level at which it can be recognized as color unevenness begins to decrease). In order to exceed this, a film thickness of 3 μm or more, preferably 5 μm or more is required.

また、例え、膜厚分布を極めて均一にコントロールする
ことができたとしても1分光スペクトルにおける大きな
リップルは残るので3μm以下の膜厚では鮮やかな色彩
として目に感知されることになる。これが大面積ガラス
に形成されると、ガラス面と視線のなす角(視角)によ
り、極大反射(透過)波長がずれ色彩が変化するためや
はり色ムラとして感知されることになる。従って、分光
スペクトルにおけるリップル自体を小さく抑えることが
望ましいのである。
Further, even if the film thickness distribution could be controlled extremely uniformly, a large ripple in the 1-minute spectrum would remain, so a film thickness of 3 μm or less would be perceived as a vivid color by the eye. If this is formed on a large area of glass, the maximum reflection (transmission) wavelength will shift depending on the angle (viewing angle) between the glass surface and the line of sight, causing a change in color, which will also be perceived as color unevenness. Therefore, it is desirable to suppress the ripple itself in the optical spectrum to a small level.

膜厚が0.15μmよりも薄い場合には、膜厚分布の変
化量が±75人程席上なるので膜厚変動による面内の色
ムラはほとんど感知されないが、視角による色ムラはや
はり問題となる。
When the film thickness is thinner than 0.15 μm, the amount of change in film thickness distribution is about ±75 people, so in-plane color unevenness due to film thickness variation is hardly perceivable, but color unevenness due to viewing angle is still a problem. becomes.

このように、透明導電膜をガラス基板上のある程度以上
厚く形成する場合、面内の膜厚変動や視角の変化により
、ガラスに色ムラが観測され、商品性を著しく損なう場
合がある。これを防止する為に、これまでにい(つかの
提案がなされている。特公昭63−39535には、透
明導電膜とガラス基板との間にn =1.7〜1.8の
層を残波長に相当する厚みに形成する方法が示されてい
る。又、同公報には透明導電膜とガラス基板との間にn
=1.6〜1.7の号波長に相当する厚みの贋とn =
 1.8〜1.9の属波長に相当する厚みの層をガラス
基板側からこの順に連続して形成する方法が示されてい
る。
As described above, when a transparent conductive film is formed to be thicker than a certain level on a glass substrate, color unevenness may be observed on the glass due to in-plane film thickness fluctuations or changes in viewing angle, which may significantly impair marketability. In order to prevent this, several proposals have been made so far. Japanese Patent Publication No. 63-39535 proposes a layer with n = 1.7 to 1.8 between the transparent conductive film and the glass substrate. A method of forming the film to a thickness corresponding to the residual wavelength is shown.The same publication also describes a method of forming the film to a thickness corresponding to the residual wavelength.
= Counterfeit with a thickness corresponding to the wavelength of 1.6 to 1.7 and n =
A method is shown in which a layer having a thickness corresponding to a wavelength of 1.8 to 1.9 is successively formed in this order from the glass substrate side.

又、特開平1−201046には、透明導電膜とガラス
基板との間にn=1.7〜1.8の層を形成する現実的
な手段としてStCmOy膜を形成する手法が開示され
ている。これは板ガラスの製造工程としてフロート法を
想定し、スズ窓中でシランと不餡和炭化水素化合物と二
酸化炭素の混合ガスをガラス表面に当てるというもので
基本的には常圧CVDにより中間屈折率透明膜を形成す
る方法である。
Furthermore, JP-A-1-201046 discloses a method of forming a StCmOy film as a practical means of forming a layer with n=1.7 to 1.8 between a transparent conductive film and a glass substrate. . This method assumes a float method as a manufacturing process for plate glass, in which a mixed gas of silane, unsaturated hydrocarbon compound, and carbon dioxide is applied to the glass surface in a tin window. This is a method of forming a transparent film.

いずれの場合も透明導電膜の下地となる層の膜厚は、可
視光の%波長に相当する膜厚が最低でも必要である。こ
の為、いずれの場合も形成手段としては、常圧CVDが
実施例として記載されている。常圧CVDによる成膜は
大量のガラスを製造プロセス中に連続で(いわゆるオン
ラインで)処理する場合に、特にコストの点で非常に有
力な手法であると言われている。しかし、一方で多品種
少量生産や多層成膜には不向きという欠点がある。
In either case, the thickness of the underlying layer of the transparent conductive film must be at least equivalent to % wavelength of visible light. Therefore, in both cases, atmospheric pressure CVD is described as the forming means in the embodiments. Film formation by atmospheric pressure CVD is said to be a very effective method, especially in terms of cost, when a large amount of glass is processed continuously (so-called on-line) during a manufacturing process. However, on the other hand, it has the disadvantage that it is not suitable for high-mix, low-volume production or multilayer film formation.

このため、現在の建築用や自動車用の熱線反射ガラスは
スパッタリング方式による製造方式をとる場合が多い。
For this reason, current heat-reflecting glass for buildings and automobiles is often manufactured using a sputtering method.

又、表示用の透明導電基板の場合も品質の点から真空プ
ロセスを取るのが普通である。真空プロセスによる利点
は、高品質、多品種少量生産や多層成膜が容易、膜厚の
制御性に優れることなどが挙げられるが、大面積基板へ
の均一コーティングを考えた場合、インラインのスパッ
タリング方式が最も優れていると言える。又、蒸着やプ
ラズマCVDなと他の真空プロセスとの組み合わせが装
置設計上容易であるという利点もある。このため、前記
のような下地層は、スパッタリング方式により形成でき
ることが望ましいのである。
Furthermore, in the case of transparent conductive substrates for display purposes, a vacuum process is usually used from the viewpoint of quality. Advantages of the vacuum process include high quality, ease of high-mix low-volume production, ease of multilayer film formation, and excellent controllability of film thickness.However, when considering uniform coating on large-area substrates, in-line sputtering method can be said to be the best. Another advantage is that it is easy to combine vapor deposition or plasma CVD with other vacuum processes in terms of equipment design. For this reason, it is desirable that the base layer as described above can be formed by a sputtering method.

一方、スパッタリング法の欠点は、成膜速度が遅いこと
でスパッタリングの成膜速度を向上させるための研究が
盛んに行なわれているのが現状である。中でも、酸化物
被膜を金属ターゲットからの反応性スパッタリングによ
り形成する際の成膜速度が著しく遅いのが二〇万式の最
大の欠点である。我々は、別に安定で耐久性に優れ、か
つ成膜速度の速い中間屈折率透明材料を見出し、これを
上記の下地層として用いることを提案しているが、生産
タクト上、更に望ましい解決方法が求められていた。
On the other hand, a drawback of the sputtering method is that the film formation rate is slow, and currently, research is being actively conducted to improve the film formation rate of sputtering. Among them, the biggest drawback of the 200,000 type is that the film formation rate is extremely slow when forming an oxide film by reactive sputtering from a metal target. We have found a transparent material with an intermediate refractive index that is stable, durable, and has a fast film formation rate, and have proposed using it as the base layer, but in terms of production tact, there is a more desirable solution. It was wanted.

[発明の解決しようとする課題] 本発明の目的は、前述の問題点を解決し、色ムラの防止
された大面積透明導電性積層体を得るための下地層を真
空プロセス、特にスパッタリング法により、従来よりも
短時間で形成する方法を新規に提供することを目的とす
るものである。
[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to obtain a large-area transparent conductive laminate in which color unevenness is prevented by forming a base layer by a vacuum process, particularly by a sputtering method. The purpose of this invention is to provide a new method for forming the film in a shorter time than conventional methods.

[課題を解決する為の手段] この為1本発明は屈折率が1.8以上で厚みが0.15
μm以上の透明導電膜が透明基板上に形成された積層体
において、該透明導電膜と該透明基板の間にn = 1
.35〜1.55の低屈折率透明膜をn d = 0.
045〜0.075 u mの膜厚に該透明導電膜と接
するように、かつn = 1.8〜2.5の高屈折率透
明膜をn d = 0.015〜0.045 u mの
膜厚に該透明基板と接するように形成したことを特徴と
する透明導電性積層体を提供するものである。
[Means for solving the problem] For this reason, the present invention has a refractive index of 1.8 or more and a thickness of 0.15.
In a laminate in which a transparent conductive film of μm or more is formed on a transparent substrate, n = 1 between the transparent conductive film and the transparent substrate.
.. 35 to 1.55 low refractive index transparent film with n d = 0.35 to 1.55.
A high refractive index transparent film with a film thickness of 0.045 to 0.075 um and n = 1.8 to 2.5 is in contact with the transparent conductive film and a film thickness of nd = 0.015 to 0.045 um. The present invention provides a transparent conductive laminate characterized in that the transparent conductive laminate is formed so as to be in contact with the transparent substrate.

第1図は本発明の透明導電積層体の一別の断面図である
FIG. 1 is another cross-sectional view of the transparent conductive laminate of the present invention.

本発明の透明導電膜11としては、ITOlSnow 
: F 、 Snow:Sb 、 ZnO:Alなどが
代表的に用いられるが、本発明の範囲はこれに限定され
るものではない。これらは、建築用ヒートミラー、太陽
電池用透明導電基板、表示用透明導電基板、電磁遮蔽ガ
ラス、自動車用や航空機用又は車輌用電熱風防ガラス、
紫外線カツトガラス等として利用することができる。
As the transparent conductive film 11 of the present invention, ITOlSnow
:F, Snow:Sb, ZnO:Al, etc. are typically used, but the scope of the present invention is not limited thereto. These include heated mirrors for architecture, transparent conductive substrates for solar cells, transparent conductive substrates for displays, electromagnetic shielding glass, electric heated windshield glass for automobiles, aircraft, and vehicles.
It can be used as UV cut glass, etc.

本発明のn = 1.35〜1.55の透明薄膜12と
してはMgF、、SiO□やこれらの混合物又は5i(
hを主成分とした複合酸化物例えばZr5txOy 、
Ti5ixOy等を用いることができるが本発明の範囲
はこれに限定されるものではない、特にスパッタリング
で成膜することを考慮すると耐久性も兼ね備えたSiO
□や5L(hを主成分とした複合酸化物例えばZr5t
xOyが有利である。
The transparent thin film 12 with n = 1.35 to 1.55 of the present invention may include MgF, SiO□, a mixture thereof, or 5i(
Composite oxides mainly composed of h, such as Zr5txOy,
Ti5ixOy, etc. can be used, but the scope of the present invention is not limited thereto.In particular, considering that the film is formed by sputtering, SiO, which also has durability, can be used.
□ or 5L (composite oxide containing h as the main component, such as Zr5t
xOy is advantageous.

本発明のn=1.8〜2.5の透明薄膜13としては、
zrOs、 Ti0z、TazOs、ZnO,In20
a、5nOa、ITO等多数の候補があるが、それでも
本発明の範囲はこれに限定されるものではない、特にス
パッタリングで成膜することを考えた場合には、価格、
耐久性等をも考慮して選択する必要があり、TiO□、
 SnO□等が有力である、一方、生産性を考えた場合
には、後段の透明導電膜と同じ材料を用いることで、プ
ロセスを共通化することができる可能性も検討の価値が
ある。
As the transparent thin film 13 of the present invention with n=1.8 to 2.5,
zrOs, Ti0z, TazOs, ZnO, In20
Although there are many candidates such as a, 5nOa, and ITO, the scope of the present invention is not limited thereto.Especially when considering film formation by sputtering, price,
It is necessary to select considering durability etc., TiO□,
SnO□, etc. are promising. On the other hand, when considering productivity, it is also worth considering the possibility that the process can be standardized by using the same material as the transparent conductive film in the subsequent stage.

[作用] そもそも色ムラの発現する原因は透明基板上に該基板よ
り十分大きな屈折率を有する透明薄膜が形成された場合
に、該高屈折率薄膜の上下界面における光の干渉作用で
ある。このため、分光スペクトル中に反射(透過)率の
極大・極小(リップル)を生じる。ここで該高屈折率薄
膜の膜厚が変化すると、この極大・極小の位置(波長)
が変化し色調の変化となって観測されるのである。ある
いは視角が変化した場合も同様に、分光スペクトル中の
極大・極小の位置(波長)の変化が色調の変化となって
観測される。
[Function] The cause of color unevenness is the interference effect of light at the upper and lower interfaces of the high refractive index thin film when a transparent thin film having a sufficiently larger refractive index than the substrate is formed on a transparent substrate. Therefore, maximums and minimums (ripples) of reflection (transmittance) occur in the optical spectrum. Here, when the film thickness of the high refractive index thin film changes, the position (wavelength) of the maximum and minimum
This change is observed as a change in color tone. Similarly, when the viewing angle changes, changes in the positions (wavelengths) of the maximum and minimum in the spectroscopic spectrum are observed as changes in color tone.

本発明において、該高屈折率薄膜11と該透明基板10
の間に形成される低/高屈折率の透明膜は、この該高屈
折率膜と該透明基板との界面における反射を防止する働
きをする。この結果、等価的には、この界面が消失した
ことになり、該高屈折膜内における光の干渉作用がな(
なり、反射(透過)におけるリップルが消失するのであ
る。従って、膜厚、視角の変化に伴う色調変化も感知さ
れなくなる。
In the present invention, the high refractive index thin film 11 and the transparent substrate 10
A low/high refractive index transparent film formed between the two layers functions to prevent reflection at the interface between the high refractive index film and the transparent substrate. As a result, equivalently, this interface has disappeared, and the interference effect of light within the high refractive film has disappeared (
Therefore, ripples in reflection (transmission) disappear. Therefore, changes in color tone due to changes in film thickness and viewing angle are no longer perceived.

一般に薄膜内の干渉作用による反射率は、振幅反射率に
ついては r + + r * eXl)(−iδ)1 +r+ 
 rx  exp(−iδ)と表わされる、ここでrl
は空気/薄膜界面のフレネル係数、r、は薄膜/基板界
面のフレネル係数、δは薄膜層内での位相差で ん n:薄膜の屈折率 d:薄膜の膜厚 θ:薄膜内の光の進行方向と基板面の法線とのなす角 λ:真空中での光の波長 と表わされる。今、透明基板、透明薄膜を考えているの
でr+、r2.δはいずれも実数となる。測定にかかる
反射率は、エネルギー反射率であり、それは振幅反射率
の絶対値の2乗である。ここでl r+ rx  I<
<1が成立する場合には分母を1と近似して R= l r l ” 〜l rI+r2exp(−i
  δ)12= l rll”+ lr*12+21r
+I r*1cosδと書ける。これは膜厚変動による
(即ちδの変化による)リップルの大きさが41r、I
ralであることを示している。つまり、リップルの大
きさは薄膜の上下界面におけるフレネル係数の積に比例
するのである。従って、上下どちらかの界面におけるフ
レネル係数をゼロにすることができればリップルは消失
することになる。界面のフレネル係数をゼロにすること
は、この界面を反射防止することに他ならない。反射防
止膜の最も単純なものは単層の反射防止膜であり、これ
は界面を形成している2種類の材料の屈折率の積の平方
根(中間屈折率になる)の屈折率を有する材料を、反射
防止したい波長の馬の光学的厚みに形成することにより
達成される。これが、前記した従来技術におけるリップ
ル抑制ガラスに用いられている下地層の意味である。
In general, the reflectance due to interference in a thin film is r + + r * eXl) (-iδ)1 + r+ for amplitude reflectance.
Denoted as rx exp(-iδ), where rl
is the Fresnel coefficient of the air/thin film interface, r is the Fresnel coefficient of the thin film/substrate interface, δ is the phase difference within the thin film layer n: the refractive index of the thin film d: the thickness of the thin film θ: the amount of light within the thin film Angle λ between the traveling direction and the normal to the substrate surface: Expressed as the wavelength of light in vacuum. I'm currently thinking about transparent substrates and transparent thin films, so r+, r2. Both δ are real numbers. The reflectance measured is the energy reflectance, which is the square of the absolute value of the amplitude reflectance. Here l r+ rx I<
<1, the denominator is approximated to 1 and R= l r l ” ~ l rI+r2exp(-i
δ)12=l rll”+lr*12+21r
It can be written as +I r*1cosδ. This is because the ripple size due to film thickness variation (i.e., due to change in δ) is 41r, I
ral. In other words, the magnitude of the ripple is proportional to the product of the Fresnel coefficients at the upper and lower interfaces of the thin film. Therefore, if the Fresnel coefficient at either the upper or lower interface can be made zero, the ripple will disappear. Setting the Fresnel coefficient of the interface to zero is nothing but making this interface antireflective. The simplest type of anti-reflection coating is a single-layer anti-reflection coating, which is made of a material that has a refractive index that is the square root of the product of the refractive indices of the two materials that form the interface (an intermediate refractive index). This is achieved by forming the optical thickness of the wavelength corresponding to the wavelength to be prevented from reflecting. This is the meaning of the underlayer used in the ripple suppressing glass in the prior art described above.

本発明においては、この中間屈折率の属λ層の代わりに
低/高屈折率の透明2層膜とすることにより、全体の膜
厚を薄くすることを意図している。即ち、中間屈折率単
層膜では、光学膜厚で0.13μm程度必要だったもの
が、低/高2層膜とすることにより請求の範囲第1項に
記載の通り、2層の合計でも0.065〜0.12μm
とすることができるのである。
In the present invention, the overall film thickness is intended to be reduced by using a transparent two-layer film having a low/high refractive index instead of the λ layer having an intermediate refractive index. In other words, an intermediate refractive index single-layer film required an optical film thickness of about 0.13 μm, but by creating a low/high two-layer film, the total thickness of the two layers can be reduced as described in claim 1. 0.065-0.12μm
It is possible to do this.

かかる透明導電性積層体を、薄膜が形成されている側を
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう1枚のガ
ラス基板と積層した合わせガラスとして構成することも
できる。
Such a transparent conductive laminate can also be constructed as a laminated glass laminated with another glass substrate via a plastic interlayer, with the side on which the thin film is formed facing inside.

この反射防止作用は、厳密には特定の単一の波長(主波
長)でしか成立しないので、他の周辺の波長においては
反射防止効果は完全ではな(、若干のリップルが残存す
る。故に、上に述べた色調変化も若干残存し、感知され
る場合がある。
Strictly speaking, this anti-reflection effect only exists at a specific single wavelength (dominant wavelength), so the anti-reflection effect is not perfect at other surrounding wavelengths (some ripples remain. Therefore, Some of the color changes mentioned above may also remain and be perceivable.

そこで、更に効果的にリップルを防止する方法として、
該高屈折率膜の上層にも反射防止層を設けることが考え
られる。こうすることにより、該高屈折率薄膜の上下界
面とも消失することになり、残存リップルを更に低下さ
せることができる。
Therefore, as a more effective way to prevent ripples,
It is conceivable to provide an antireflection layer also on the upper layer of the high refractive index film. By doing so, both the upper and lower interfaces of the high refractive index thin film disappear, and the residual ripple can be further reduced.

第2図は本発明の透明導電性積層体の別の一例の断面図
であり、20はガラス基板、21は高屈折率透明導電膜
(第1図の11と同じ薄膜)、22は低屈折率透明下地
膜(第1図の12と同じ薄膜)、23は高屈折率透明下
地膜(第1図の13と同じ薄膜)、24は低屈折率透明
上層膜である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of another example of the transparent conductive laminate of the present invention, in which 20 is a glass substrate, 21 is a high refractive index transparent conductive film (the same thin film as 11 in FIG. 1), and 22 is a low refractive index transparent conductive film. 23 is a high refractive index transparent base film (the same thin film as 13 in FIG. 1), and 24 is a low refractive index transparent upper film.

この低屈折率透明上層膜の屈折率は空気(屈折率=1.
0)/透明導電膜(屈折率= n c )界面の反射防
止条件によりn+=  1.0Xneであれば、この上
層膜をn+d+=4λ、の光学膜厚に形成することによ
り、え、におけるこの界面の反射率を完全にOにするこ
とができる。即ちλ1におけるリップルをOにできる。
The refractive index of this low refractive index transparent upper layer film is air (refractive index = 1.
If n+=1.0Xne due to the anti-reflection condition at the 0)/transparent conductive film (refractive index = n c ) interface, then by forming this upper layer film to an optical thickness of n+d+ = 4λ, this in E. The reflectance of the interface can be made completely O. That is, the ripple at λ1 can be reduced to O.

このようにして形成された透明導電性積層体は、該高屈
折率透明導電膜の上下界面における反射率lr、l、I
r21が共に低(抑えられたことになり、結果として反
射(透過)スペクトルにおけるリップルをほぼ完全に消
失させることが可能となる。
The transparent conductive laminate thus formed has reflectances lr, l, and I at the upper and lower interfaces of the high refractive index transparent conductive film.
r21 is both low (suppressed), and as a result, it is possible to almost completely eliminate ripples in the reflection (transmission) spectrum.

又、上記透明上層膜24(屈折率n l +光学膜厚n
、d、)による反射防止の主波長(λ1=4n+d+)
と上記透明下地2層膜22(屈折率n l +光学膜厚
n1di)及び23(屈折率n3+光学膜厚n1di)
による反射防止の主波長(λ2 :これは数式で表現す
るのは難しい。第1図の構成で分光反射(透過)スペク
トルを測定し、リップルの最も小さくなっている波長を
え、とする)を適当にずらすことにより、残存リップル
が十分に抑制されている波長範囲を拡大することができ
、光彩防止効果を更に高めることができる。
Further, the transparent upper layer film 24 (refractive index n l + optical film thickness n
, d, ) is the main wavelength for antireflection (λ1=4n+d+)
and the transparent base two-layer film 22 (refractive index n l + optical film thickness n1di) and 23 (refractive index n3 + optical film thickness n1di)
The dominant wavelength for anti-reflection (λ2: This is difficult to express mathematically. Measure the spectral reflection (transmission) spectrum with the configuration shown in Figure 1, and choose the wavelength at which the ripple is the smallest.) By appropriately shifting, the wavelength range in which residual ripples are sufficiently suppressed can be expanded, and the anti-glare effect can be further enhanced.

例えば、λ1≧0.55μmかつえ、50.55μm、
又はえ、50.55μmかつえ2≧0.55μmとする
ことにより、可視域の広い波長範囲にわたって残存リッ
プルを十分に抑制することができる。
For example, λ1≧0.55μm and 50.55μm,
Alternatively, by setting the thickness to 50.55 μm and 2≧0.55 μm, residual ripples can be sufficiently suppressed over a wide wavelength range in the visible region.

この際、λ1とλ2が0.05μm以上異なっていると
なお好ましい。これは、上層膜によりλ付近の波長のリ
ップルを抑制し、下地膜によりえよ付近の波長のリップ
ルを抑制することができる為である。
In this case, it is more preferable that λ1 and λ2 differ by 0.05 μm or more. This is because the upper film can suppress ripples at wavelengths near λ, and the base film can suppress ripples at wavelengths near λ.

又、特にある特定の波長範囲に相当する色調を嫌うよう
な場合には、その波長範囲内に2−の波長を設定し、こ
れらがえ2、λ2に相当するように上層膜及び下地2層
膜の屈折率及び層厚を調整してやることができる。例え
ば、赤斉統の色調を嫌う場合にはえ、 =0.58μm
、え2=0.65μm等とすることにより、この範囲の
泗長域のリップルを抑制することができる。
In addition, if you particularly dislike the color tone that corresponds to a certain wavelength range, set the wavelength 2- within that wavelength range, and add the upper layer film and the base 2 layer so that these correspond to 2 and λ2. The refractive index and layer thickness of the film can be adjusted. For example, if you dislike the color tone of red Qi-tong,
, E2=0.65 μm, etc., it is possible to suppress ripples in the length range in this range.

かかる、透明導電性積層体を薄膜が形成さtている側を
内側にして、プラスチック中間膜を介してもう1枚のガ
ラス基板と積層した合わせガラスとして構成することも
できる。第3図は、本発明の透明導電性積層体(合わせ
ガラス)の−例の断面図である。30はガラス基板、3
1は高屈折率透明導電膜(第1図11.第2図2と同じ
)、32は低屈折率透明下地膜(第1図12、第2図2
2と同じ)、33は高屈折率透明下地膜(第1図13、
第2図23と同じ)、34は透明上層膜(第2図24と
同じ)、35はプラスチック中間膜である。
Such a transparent conductive laminate can also be constructed as a laminated glass with the side on which the thin film is formed facing inside and laminated with another glass substrate with a plastic interlayer interposed therebetween. FIG. 3 is a sectional view of an example of a transparent conductive laminate (laminated glass) of the present invention. 30 is a glass substrate, 3
1 is a high refractive index transparent conductive film (FIG. 1 11, same as FIG. 2 2), 32 is a low refractive index transparent base film (FIG. 1 12, FIG. 2 2)
2), 33 is a high refractive index transparent base film (Fig. 1 13,
23), 34 is a transparent upper layer film (same as in FIG. 2 24), and 35 is a plastic intermediate film.

この場合には、上層膜と接するのは空気でなくプラスチ
ック中間膜であるため、この界面における反射防止条件
が第2図の場合とは異なってくる。故に、第2図の積層
体をそのままプラスチック中間膜で合わせた場合、該上
層膜による反射防止の効果は相対的に減じることになる
。この場合には、透明上層膜34を高屈折率透明導電膜
31とプラスチック中間膜35との界面の反射を抑制す
るために、屈折率n =+= 1.65〜1.8、光学
膜厚n d =0.1〜0.18μmであるように変更
したほうがリップル防止の観点からは望ましい。
In this case, since it is not air but the plastic intermediate film that is in contact with the upper layer film, the antireflection conditions at this interface are different from those shown in FIG. 2. Therefore, if the laminate shown in FIG. 2 is combined with a plastic interlayer film as is, the antireflection effect of the upper layer film will be relatively reduced. In this case, in order to suppress reflection at the interface between the high refractive index transparent conductive film 31 and the plastic intermediate film 35, the transparent upper layer film 34 has a refractive index n = + = 1.65 to 1.8 and an optical film thickness. From the viewpoint of ripple prevention, it is preferable to change the value so that n d =0.1 to 0.18 μm.

第4図は、本発明の透明導電性積層体(合わせガラス)
の別の一例の断面図である。40はガラス基板、41は
高屈折率透明導電膜、42は低屈折率透明導電膜、43
は高屈折率透明膜、44はプラスチック中間膜である。
Figure 4 shows the transparent conductive laminate (laminated glass) of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of another example of FIG. 40 is a glass substrate, 41 is a high refractive index transparent conductive film, 42 is a low refractive index transparent conductive film, 43
4 is a high refractive index transparent film, and 44 is a plastic intermediate film.

この例では高屈折率透明導電膜41とプラスチック中間
膜44との界面の反射を防止するため、第1図の下地2
層膜を順序を逆にして、該高屈折率透明導電膜41の上
に形成している。
In this example, in order to prevent reflection at the interface between the high refractive index transparent conductive film 41 and the plastic intermediate film 44,
The layers are formed on the high refractive index transparent conductive film 41 in reverse order.

又、これらの場合も第2図の例と同様に高屈折率透明導
電膜の上下界面における反射防止の主波長を適当にずら
すことにより残存リップルが十分抑制されている波長範
囲を拡大できる。
Also in these cases, the wavelength range in which residual ripples are sufficiently suppressed can be expanded by appropriately shifting the dominant wavelengths for antireflection at the upper and lower interfaces of the high refractive index transparent conductive film, as in the example shown in FIG.

[実施例] 実施例1 ガラス基板を真空槽内にセットし、l X to−’T
orrまで排気した後Arと酸素の混合ガスを導入して
I X 10−3〜I X 10−”Torrの圧力中
でチタンのターゲットをDCスパッタしてTi(hの膜
をガラス基板上に120人形成した。この膜の屈折率は
2.4でありn d = 0.029μmに相当する。
[Example] Example 1 A glass substrate was set in a vacuum chamber, and
After exhausting the air to a temperature of 100 mA orr, a mixed gas of Ar and oxygen was introduced, and a titanium target was DC sputtered at a pressure of I x 10 -3 to I x 10 -'' Torr to form a Ti (h) film on a glass substrate at 120 m The refractive index of this film is 2.4, which corresponds to n d =0.029 μm.

次いで同じ<Arと酸素の混合ガスの1×10″3〜I
X 10−”Torrの圧力中でZr: Si= 1 
: 9の合金ターゲットをDCスパッタしてZr5ix
Oyの膜を40O人形成した。この膜の屈折率は1.5
2であり、n d = 0.061μmに相当する。こ
の上にイオンブレーティングによりITO薄膜をaoo
o人形成した。別に同様にして成膜したITo膜の屈折
率を測定したところ2.0であった。これをサンプルl
とした(第1図の構成)。このサンプルの分光反射/透
過特性を第8図の81に示した。このグラフからリップ
ル防止の主波長え。
Then the same <1×10″3~I of a mixed gas of Ar and oxygen
Zr: Si=1 at a pressure of X 10-”Torr
: Zr5ix by DC sputtering 9 alloy target
400 Oy films were formed. The refractive index of this film is 1.5
2, which corresponds to n d = 0.061 μm. On top of this, a thin ITO film is applied by ion blasting.
Formed o people. Separately, the refractive index of an ITo film formed in the same manner was measured and found to be 2.0. Sample this
(configuration shown in Figure 1). The spectral reflection/transmission characteristics of this sample are shown at 81 in FIG. From this graph, determine the dominant wavelength for ripple prevention.

=0.63μmに相当する。=0.63 μm.

実施例2 サンプル1の上に蒸着によりSiO□膜を900人形成
した。別に同様にして成膜した5iOa薄膜の屈折率は
1.47であり、nd=0.13μm、λ、=0.52
μmに相当する。これをサンプル2とした(第2図の構
成)。
Example 2 900 SiO□ films were formed on Sample 1 by vapor deposition. Separately, the refractive index of a 5iOa thin film formed in the same manner was 1.47, nd = 0.13 μm, λ, = 0.52
Corresponds to μm. This was designated as sample 2 (configuration shown in Figure 2).

実施例3 サンプル1の上にZr: Si= 1 : 9の合金タ
ーゲットを用いArと酸素の混合ガスのI X 10−
”〜l X 10−”Torrの圧力中でDCスパッタ
リングによりZr5ixC1yの膜を800人形成した
。この膜の屈折率は1.52であり、nd=0.12μ
m、λ、=0.49μmに相当する。これをサンプル3
とした(第2図の構成)。
Example 3 Using a Zr:Si=1:9 alloy target on sample 1, a mixed gas of Ar and oxygen was applied to I
800 films of Zr5ixC1y were formed by DC sputtering under a pressure of "~l x 10-" Torr. The refractive index of this film is 1.52, and nd=0.12μ
m, λ, corresponds to =0.49 μm. This is sample 3
(configuration shown in Figure 2).

実施例4 サンプルをPVB (ポリビニルブチラール)の中間膜
を用い合わせガラスとしこれをサンプル4とした(第3
図の構成)。
Example 4 The sample was laminated glass using a PVB (polyvinyl butyral) interlayer film, and this was designated as sample 4 (3rd sample).
Figure configuration).

実施例5 サンプル1の上にZr: Si= l : 2の合金タ
ーゲットを用いArと酸素の混合ガスのI X to−
3〜I X 10−”Torrの圧力中でDCスパッタ
リングによりZr5ixOyの膜を700人形成した。
Example 5 Using an alloy target of Zr:Si=l:2 on sample 1, IXto- of a mixed gas of Ar and oxygen was applied.
700 films of Zr5ixOy were formed by DC sputtering at a pressure of 3 to 10-'' Torr.

この膜の屈折率は1.74であり、nd=0.12μm
、λ1:0.49μmに相当する。この試料をPVBの
中間膜を介し、もう1枚のガラスと接着して合わせガラ
スを作成した。これをサンプル5とした(第3図の構成
)。
The refractive index of this film is 1.74, and nd=0.12μm
, λ1: corresponds to 0.49 μm. This sample was bonded to another glass via a PVB interlayer to create a laminated glass. This was designated as sample 5 (configuration shown in FIG. 3).

実施例6 サンプル1の上に実施例1と同じ条件で、まずZr5x
xOyの膜を300人形成した。この膜の屈折率は1.
52であり、nd=0.046μmに相当する。次いで
Ti0iの膜を90人形成した。この膜の屈折率は2.
4であり、nd=0.022 μmに相当する。これは
下地膜の374の膜厚なのでリップル防止の主波長は、
え、=0.47μmに相当する。これをPVBの中間膜
を介し、もう1枚のガラスと接着しサンプル6とした(
第4図の構成)。
Example 6 First, Zr5x was applied on sample 1 under the same conditions as Example 1.
300 people formed a film of xOy. The refractive index of this film is 1.
52, which corresponds to nd=0.046 μm. Next, 90 people formed TiOi films. The refractive index of this film is 2.
4, which corresponds to nd=0.022 μm. Since this is the film thickness of the base film of 374 mm, the main wavelength for ripple prevention is:
Eh, it corresponds to =0.47 μm. This was bonded to another glass via a PVB interlayer to form sample 6 (
(Configuration in Figure 4).

比較例1 ガラス基板50上にイオンブレーティングによりITO
薄膜51を8000人形成した。この膜の屈折率は2.
0であった。これをサンプル7とした(第5図の構成)
Comparative Example 1 ITO was deposited on the glass substrate 50 by ion blasting.
8,000 people formed the thin film 51. The refractive index of this film is 2.
It was 0. This was designated as sample 7 (configuration shown in Figure 5)
.

比較例2 ガラス基板上にZr:5i=1:2の合金ターゲットを
用いArと酸素の混合雰囲気のl X 10−”〜I 
X 10−”Torrの圧力中でDCスパッタリングに
よりZr5txOyの膜62を900人形成した。この
膜の屈折率はl、74であり、n d = 0.16μ
m、λ1=0.63μmに相当する。この上にイオンブ
レーティングによりITO薄膜61を8000人形成し
た。これをサンプル8とした(第6図の構成)。
Comparative Example 2 An alloy target of Zr:5i=1:2 was used on a glass substrate in a mixed atmosphere of Ar and oxygen.
A Zr5txOy film 62 was formed by DC sputtering under a pressure of
m, corresponds to λ1=0.63 μm. 8,000 ITO thin films 61 were formed on this by ion blasting. This was designated as sample 8 (configuration shown in FIG. 6).

比較例3 サンプル7をPVBの中間膜72を介し、もう1枚のガ
ラス70と接着して合わせガラスを作成した。これをサ
ンプル9とした(第7図の構成)。
Comparative Example 3 Sample 7 was bonded to another glass 70 via a PVB interlayer 72 to create a laminated glass. This was designated as sample 9 (configuration shown in FIG. 7).

サンプル1.2.3の分光反射スペクトルを第8図に示
す0図中81.82.83がサンプル1.2.3に対応
する。サンプル7の分光反射スペクトルを示した第1O
図のlotに比べ本発明による透明下層膜を施した場合
(81)には明らかにリップルが抑制されており光彩防
止効果のあることが見てとれる。更に透明上層膜を施す
と(82,83)リップル抑制の効果が著しくなる。
The spectral reflection spectrum of sample 1.2.3 is shown in FIG. 8, and 81.82.83 in figure 0 corresponds to sample 1.2.3. 1st O showing the spectral reflection spectrum of sample 7
It can be seen that ripples are clearly suppressed in the case (81) in which the transparent underlayer film according to the present invention is applied compared to the lot shown in the figure, and there is an effect of preventing glare. Furthermore, when a transparent upper layer film is applied (82, 83), the effect of suppressing ripples becomes remarkable.

サンプル8の分光反射スペクトルを示した第1O図の1
02に比べても本発明の透明下層膜を施した場合(81
)には、下層膜の膜厚が薄いのにもかかわらず同等の性
能を示していること、及び更に本発明の透明上層膜を施
すと(82,83)優れた性能を示すことが分かる。
1 in Figure 1O showing the spectral reflection spectrum of sample 8
Compared to 02, when the transparent underlayer film of the present invention was applied (81
) shows equivalent performance despite the lower film thickness being thinner, and when the transparent upper film of the present invention is further applied (82, 83), it can be seen that excellent performance is shown.

サンプル4.5.6の分光反射スペクトルを第9図に示
す0図中91.92.93がサンプル4.5.6に対応
している。サンプル9の分光反射スペクトルを示した第
1O図の103に比べ本発明による透明下層膜を施した
場合(91)にはリップルの抑制効果が鮫測され、更に
透明上層膜を施すと(92,93)効果が更に大きくな
ることが分かる。
The spectral reflection spectrum of sample 4.5.6 is shown in FIG. 9, and 91.92.93 in FIG. 0 corresponds to sample 4.5.6. Compared to 103 in Figure 1O, which shows the spectral reflection spectrum of sample 9, when the transparent lower layer film according to the present invention was applied (91), the effect of suppressing ripples was observed to be the same, and when the transparent upper layer film was further applied (92, 93) It can be seen that the effect becomes even greater.

[発明の効果] 以上、実施例からもわかるように本発明はガラス基板に
高屈折率の透明導電膜をある程度以上の厚みに形成した
場合に分光スペクトルに発現するリップルを抑制する効
果がある。
[Effects of the Invention] As can be seen from the Examples above, the present invention has the effect of suppressing ripples that appear in the optical spectrum when a transparent conductive film with a high refractive index is formed on a glass substrate to a certain thickness or more.

これにより、高屈折率透明導電膜の膜厚ムラや視角変化
による色ムラ(光彩)を防止する効果が得られる。この
ことは、特に大面積のガラス基板に本発明が適用された
場合、顕著な効果を有するものである。
This provides the effect of preventing unevenness in film thickness of the high refractive index transparent conductive film and unevenness in color (glow) due to changes in viewing angle. This has a remarkable effect especially when the present invention is applied to a large-area glass substrate.

又、本発明においては、分光スペクトルにおけるリップ
ルを抑制する為に高屈折率透明導電膜の(上)下界面に
おける反射を防止しているので、全体としての反射率レ
ベルが下がり、透過率を上げることができる。このこと
は一般的にガラス基板に要求される“高い透過率”に合
致する。特に表示用の透明導電性基板においては1画面
の見やすさの点で高透過率が要求されるので、本発明は
有効である。又、太陽電池用透明導電性基板においては
、低抵抗と共に変換効率向上のためにやはり高透過率が
要求されるので本発明は有効である。又、自動車用の電
熱風防窓においても、外観の一様性と共に安全性確保の
ために高透過率が望まれており、本発明を適用すること
が有効である。又、電磁遮蔽ガラスにおいてもガラスの
透視性を損なわないために高透過率が要請されており、
本発明が有効である。
In addition, in the present invention, reflection at the (upper) and lower interfaces of the high refractive index transparent conductive film is prevented in order to suppress ripples in the spectral spectrum, so the overall reflectance level is reduced and the transmittance is increased. be able to. This meets the "high transmittance" generally required of glass substrates. In particular, the present invention is effective in transparent conductive substrates for display, since high transmittance is required from the viewpoint of ease of viewing one screen. Furthermore, the present invention is effective in transparent conductive substrates for solar cells, which require not only low resistance but also high transmittance in order to improve conversion efficiency. Also, in electric heated windshield windows for automobiles, high transmittance is desired in order to ensure safety as well as uniform appearance, and it is effective to apply the present invention. Also, high transmittance is required for electromagnetic shielding glass so as not to impair the transparency of the glass.
The present invention is effective.

これらの具体的な用途においては、先にも述べたように
大面積が基板に透明導電膜を施す場合必ず色ムラの問題
が生じるので、本発明を適用することが特に有効である
In these specific applications, the application of the present invention is particularly effective since, as mentioned above, when a transparent conductive film is applied to a large area substrate, the problem of color unevenness always occurs.

又、本発明の大きな効果の一つは、先に我々が提案した
無光彩ガラス(特願平2−201148号)に比べ、透
明下層膜を2層に分割することにより、全体の膜厚を小
さくすることができ、これを形成する時間を短(するこ
とができることである。このことにより、生産性を向上
させることができる。
Also, one of the major effects of the present invention is that compared to the achromatic glass that we previously proposed (Japanese Patent Application No. 2-201148), by dividing the transparent underlayer film into two layers, the overall film thickness can be reduced. It can be made smaller and the time for forming it can be shortened.Thereby, productivity can be improved.

本発明を用い、大面積ガラス基板に透明導電性積層体を
色ムラなく形成することにより、建築用ヒートミラー、
電磁遮蔽ガラス、自動車用電熱風防ガラス、表示用透明
導電基板、紫外線カツトガラス等を、外観を損なうこと
なくかつ生産性よ(大面積の用途に応用することができ
る。
By using the present invention to form a transparent conductive laminate on a large-area glass substrate without color unevenness, a heat mirror for architectural use,
It can be applied to electromagnetic shielding glass, electric heated windshield glass for automobiles, transparent conductive substrates for displays, ultraviolet ray blocking glass, etc. without damaging the appearance and improving productivity (large area applications).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第4図は本発明の一実施例の断面を模式的に示
したものである。図において、1O120,30,40
はガラス基板、11.21.31.41は透明導電膜、
12.22.24.32.42は低屈折率透明膜、13
.23.33.43は高屈折率透明膜、34は中間屈折
率透明膜、35.44はプラスチック中間膜を示してい
る。 第5図から第7図は従来例の断面を模式的に示したもの
である。図において、50.60.70はガラス基板、
51.61.71は透明導電膜、62は中間屈折率透明
膜、72はプラスチック中間膜を示している。第8図は
本発明による実施例のサンプル1〜3の分光反射特性を
示したものである。図において、81.82.83がそ
れぞれサンプルl、2.3に対応している。第9図は本
発明による実施例のサンプル4〜6の分光反射特性を示
したものである。図において、91.92.93がそれ
ぞれサンプル4.5.6に対応している。第1O図は比
較例のサンプル7〜9の分光反射特性を示したものであ
る0図において、101 、102 、103がそれぞ
れサンプル7.8.9に対応している。
1 to 4 schematically show cross sections of an embodiment of the present invention. In the figure, 1O120, 30, 40
is a glass substrate, 11.21.31.41 is a transparent conductive film,
12.22.24.32.42 is a low refractive index transparent film, 13
.. 23, 33, and 43 are high refractive index transparent films, 34 are intermediate refractive index transparent films, and 35.44 are plastic intermediate films. 5 to 7 schematically show cross sections of conventional examples. In the figure, 50.60.70 is a glass substrate,
51, 61, and 71 are transparent conductive films, 62 is an intermediate refractive index transparent film, and 72 is a plastic intermediate film. FIG. 8 shows the spectral reflection characteristics of Samples 1 to 3 of Examples according to the present invention. In the figure, 81, 82, and 83 correspond to samples 1 and 2.3, respectively. FIG. 9 shows the spectral reflection characteristics of Samples 4 to 6 of Examples according to the present invention. In the figure, 91, 92, and 93 correspond to samples 4, 5, and 6, respectively. FIG. 1O shows the spectral reflection characteristics of samples 7 to 9 as comparative examples. In FIG. 1O, 101, 102, and 103 correspond to samples 7, 8, and 9, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、屈折率nが1.8以上で厚みdが0.15μm以上
の透明導電膜が透明基板上に形成された積層体において
、該透明導電膜と該透明基板の間に、n=1.35〜1
.55の低屈折率透明膜をnd=0.045〜0.07
5μmの膜厚に該透明導電膜と接するように、かつn=
1.8〜2.5の高屈折率透明膜をnd=0.015〜
0.045μmの膜厚に該透明基板と接するように形成
したことを特徴とする透明導電性積層体。 2、請求項1記載の積層体において、該透明導電膜と空
気との界面にn=1.35〜1.55の低屈折率透明膜
をnd=0.08〜0.15μmの膜厚に形成したこと
を特徴とする透明導電性積層 体。 3、請求項2記載の積層体において、該透明導電膜の上
層の低屈折率透明膜の主波長をλ_1=4nd,該透明
導電膜の下層の高屈折率透明膜/低屈折率透明膜の2層
膜の主波長を λ_2=(上層の低屈折率透明膜を形成しない状態で分
光スペクトルにおいて最もリップルの小さくなった波長
)と定義したとき、 λ_1≧0.55μmかつλ_2≦0.55μm又は λ_1≦0.55μmかつλ_2≧0.55μmを満た
すことを特徴とする透明導電性積層体。 4、請求項1〜3いずれか1項記載の透明導電性積層体
の端部に、該透明導電膜をアースに接続するための取り
出し電極を形成してなる透明電磁遮蔽板。 5、請求項1〜3いずれか1項記載の透明導電性積層体
の透明導電膜に通電するための電極を設けてなる電熱風
防窓。 6、請求項1記載の透明導電性積層体の該透明導電膜上
にアモルファスシリコン又はポリシリコンを形成し、そ
の上に裏面電極を形成してなる太陽電池。 7、請求項1〜3いずれか1項記載の透明導電性積層体
を、中間膜を介してもう1枚の透明基板と接着してなる
透明導電性積層体。 8、請求項2又は3記載の透明導電性積層体において、
該透明導電膜上に形成される該低屈折率透明膜をn=1
.65〜1.8、nd=0.1〜0.18μmの中間屈
折率透明膜に変更してなる透明導電性積層体を、中間膜
を介してもう1枚の透明基板と接着してなる透明導電性
積層体。 9、請求項7又は8記載の透明導電性積層体において、
透明基板の多層薄膜を形成する順序を逆転させて形成さ
せてなる透明導電性積層体。 10、請求項1記載の積層体の上にn=1.35〜1.
55の低屈折率透明膜をnd=0.045〜0.075
μmの膜厚に該透明導電膜と接するように、かつn=1
.8〜2.5の高屈折率透明膜をnd=0.015〜0
.045μmの膜厚に該低屈折率透明膜に接するように
形成した後、これを中間膜を介し、他の透明基板と接着
してなる透明導電性積層体。 11、請求項7〜10いずれか1項記載の透明導電性積
層体において、該透明導電膜に通電するための電極を設
けてなる電熱風防窓。 12、請求項6記載の太陽電池を、該多層膜を内側にし
て、中間膜を介して他の透明基板と接着してなる太陽電
池。
[Claims] 1. In a laminate in which a transparent conductive film with a refractive index n of 1.8 or more and a thickness d of 0.15 μm or more is formed on a transparent substrate, between the transparent conductive film and the transparent substrate , n=1.35~1
.. 55 low refractive index transparent film with nd=0.045 to 0.07
in contact with the transparent conductive film to a film thickness of 5 μm, and n=
A high refractive index transparent film of 1.8 to 2.5 with nd=0.015 to
A transparent conductive laminate, characterized in that it is formed to a thickness of 0.045 μm so as to be in contact with the transparent substrate. 2. In the laminate according to claim 1, a low refractive index transparent film with n = 1.35 to 1.55 and a film thickness of nd = 0.08 to 0.15 μm is provided at the interface between the transparent conductive film and air. A transparent conductive laminate characterized by being formed. 3. In the laminate according to claim 2, the dominant wavelength of the low refractive index transparent film on the transparent conductive film is λ_1=4nd, and the dominant wavelength of the low refractive index transparent film on the lower layer of the transparent conductive film is λ_1=4nd. When the dominant wavelength of the two-layer film is defined as λ_2 = (the wavelength with the smallest ripple in the spectrum without forming the upper low-refractive index transparent film), λ_1≧0.55 μm and λ_2≦0.55 μm, or A transparent conductive laminate characterized by satisfying λ_1≦0.55 μm and λ_2≧0.55 μm. 4. A transparent electromagnetic shielding plate comprising a lead-out electrode for connecting the transparent conductive film to ground at an end of the transparent conductive laminate according to any one of claims 1 to 3. 5. An electrically heated windshield window comprising an electrode for supplying electricity to the transparent conductive film of the transparent conductive laminate according to any one of claims 1 to 3. 6. A solar cell comprising amorphous silicon or polysilicon formed on the transparent conductive film of the transparent conductive laminate according to claim 1, and a back electrode formed thereon. 7. A transparent conductive laminate obtained by adhering the transparent conductive laminate according to any one of claims 1 to 3 to another transparent substrate via an intermediate film. 8. The transparent conductive laminate according to claim 2 or 3,
The low refractive index transparent film formed on the transparent conductive film is n=1.
.. 65 to 1.8, nd = 0.1 to 0.18 μm A transparent conductive laminate made of a medium refractive index transparent film is bonded to another transparent substrate via an intermediate film. Conductive laminate. 9. The transparent conductive laminate according to claim 7 or 8,
A transparent conductive laminate formed by reversing the order of forming multilayer thin films on a transparent substrate. 10. On the laminate according to claim 1, n=1.35 to 1.
55 low refractive index transparent film with nd=0.045 to 0.075
in contact with the transparent conductive film with a film thickness of μm, and n=1
.. A high refractive index transparent film of 8 to 2.5, nd=0.015 to 0
.. A transparent conductive laminate formed by forming a film with a thickness of 0.045 μm so as to be in contact with the low refractive index transparent film, and then adhering this to another transparent substrate via an intermediate film. 11. The transparent conductive laminate according to any one of claims 7 to 10, which is an electrically heated windshield window comprising an electrode for supplying electricity to the transparent conductive film. 12. A solar cell obtained by adhering the solar cell according to claim 6 to another transparent substrate with the multilayer film on the inside through an intermediate film.
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