JPH04152651A - ウエハバーンイン装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路の製造装置に使用される集積
回路のバーンイン装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来の半導体バーンイン装置を示す側面図であ
り、図において、（１）は半導体、（２）は半導体ソケ
ット、（３）は半導体ソケット（２）をつけた基板であ
る。

次に動作について説明する。半導体製造の過程で、初期
不良品を排除するためにバーンインが行わ口る。バーン
インとは通常、半導体に電源電圧を印加し、高温で長時
間放置する試験をいう。半導体に製造上の欠陥がある時
、バーンイン後構不良半導体は不良となり、バーンイン
後に試験をすることにより、製造上の欠陥による不良を
排除できる。バーンインの方法は半導体（１）をソケッ
ト（２）に装着し、ソケット（２）のついた基板（３）
にｗｌＬ源電圧電圧加し、さらに基板（３）を周囲より
、加熱することで行わｎる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のバーンイン装置は以上の様に構成されていたので
、半導体をパッケージに組み立てた後にバーンインを実
施し、不良品を排除しなければならず、パッケージごと
不良品を廃棄するなど無駄が多かった。また、一般にＣ
ＭＯ３などの半導体では、電源電圧だけでなく、入力端
子に電圧入力しないと厳密なバーンインを実施できない
が、入力端子の位置は、個々の半導体で異なるため、入
力端子に電圧入力しないでバーンインを実施するなど厳
密なバーンインが行われず、品質の向上が見込めないな
どの問題点があった。

この発明は、上記の様な問題点を解決するためになされ
たもので、半導体をパッケージすることなくバーンイン
が実施でき、しかも、入力端子位置によらす、入力に電
圧入力できるバーンイン装置を安価に得ることにより、
半導体を効率良く製造し、しかも半導体の品質を高め、
半導体を安価にできる安価なバーンイン装置を得ること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係わるバーンイン装置は、パッケージする前
のウェハの状態でバーンインを実施し、しかも入力端子
位置によらず、外部からの光線により、入力端子に電圧
入力するバーンイン装置としたものである。

〔作用〕

この発明における半導体はウェハ状態でバーンインさｎ
１外部からの光により、入力電圧をあたえられる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は半導体のウェハの一部分を示す平面図である。第１
図において、（４）は半導体チップ、（５）は半導体チ
ップ（４７の電源端子に接続さ０た抵抗、（６）は抵抗
（５）に接続された金属配線、（７）１まウェハ上の一
箇所又は数カ所に設けられ金属配線（６）に外部から電
圧を印加するためのパッド、（８）はパッド（７ンに外
部から接触する電極、（９月ま半導体チップ（４）の接
地端子に接続された金属配線、ＱＱはウェハ上の一箇所
又は数カ所に設けら口金−配線（９）に外部から接地電
位を印加するためのパッド、ＯＯはパッドＱＯに外部か
ら接触する電極である。また、第２図は半導体チップ上
の入力端子部を示した回路図である。第２図において、
Ｃｌ２１は入力端子、餞は入力端子ｑ４に接続さｎたフ
ォトダイオード、ａ＜はフォトダイオードα１に外部か
ら照射する光線、ａωは入力素子である。

次に動作について、説明する。ウェハ上の半導体チップ
（４）は、電極（８）、パッド（７）、金属配線（６）
、抵抗（５）により、電源電圧を与えられる。また、ウ
ェハ上の半導体チップ（４）は、電極ａ〃、パッドＱ（
１゜金属配線（９）、により、接地電位を与えられる。

半導体チップ（４）のうち不良品には、大きな電源電流
か流れることかあるが、ＹｉＬ源配線には、抵抗（５）
かそれぞれの半導体チップ（４）の！詠端子に接続され
ているため、抵抗（５）により、たとえ半導体チップ（
４）が不良品であり、ｗＩＬ源とＧＮＤが半導体チップ
内部で短絡している場合でも過度の電流が流れることか
制限さ口、不良品以外の半導体チップ（４）には、正常
ｌＪ！Ｉｔ源電圧が印加される。

パッド（７Ｊ、ＱＧに外部から電圧を印加した上でさら
に外部を高温にすることで、ウェハ状＆でバーンインが
可能になる。

また、その上、外部から上記バーンイン状態のウェハに
光を照射すると入力部に接続された、フォトダイオード
０に光線α弔が入射し、入力素子Ｑ５の入力電圧は、高
い電圧となる。光線０４、フォトタイオードα１により
、入力端子部に電圧を印加することかできる。第２図の
場合は入力素子（１４１に１よ、Ｈｘｇｈの電圧が入力
される。入力端子に電圧入力することで、集積回路内部
の論理の状態が確定し、異常な％Ｌ諒電電流流口ない。

第３図は半導体チップ上の入力端子部を示した回路図で
ある。第３図において、（６）は入力端子、Ｃ１３は入
力端子（６）に接続さ口たフォトダイオード、ａ＜はフ
ォトダイオード賂を外部から照射する光線、ＱＱは入力
素子、ＱＱは入力端子（６）に接続されたフォトダイオ
ード、αηはフォトダイオード（ＩＱを外部から照射す
る光線である。第３図では、フォトダイオードＯ：１と
、フォトダイオードａＱを接合の深さを変化させて製造
する。例えば、フォトダイオードα４を深い接合で、フ
ォトダイオードＭを浅い接合で、製造する。ウェハの外
部からウェハに対して、紫色の様な短波長の光をあてる
と、浅い接合のフォトダイオードＯＱに光起電力か発生
し、入力素子ａ５に、Ｌｏｗの電圧が入力さ口る。ウェ
ハの外部からウェハに対して、赤色の様な長波長の光を
あてると、深い接合のフォトダイオード（至）に光起電
力が発生し、入力素子Ｑ５に、Ｈｉｇｈの電圧が入力さ
れる。このように、ウェハを照射する光線ａΦα力の波
長を変化させることにより、集私回路に信号を入力する
ことができ、より、厳密なバーンインを実施することが
可能になる。ウェハを照射する光線Ｈａ力の波長を変化
させることは、非常に容易に実現できるため、バーンイ
ンの過程で入力信号を変化させなからバーンインを実施
することができる。半導体ウェハに外部より光照射する
際に、半導体チップのフォトダイオード以外の部分に対
する光照射により電源電流か施れ問題となる際は、半導
体チップのフォトダイオード以外の部分に金属膜をつけ
ることで遮光し、電源電流が流れないようにすることが
可能である。

なお、上記実施例では、ウェハを照射する光線の波長を
変化させることにより、入力信号を変化させる例を示し
たが、フォトダイオード備と、フォトダイオードａＱを
半導体素子上の別々の位置に配置し、フォトダイオード
α斗には光線α４、フォトダイオードａＱには光線αη
、を光学的に選択照射させることも可能で、上記実施例
と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上の様にこの発明によれば、パッケージする前のウェ
ハの状態でバーンインを実施し、しかも入力端子位置に
よらず、外部からの光線により、入力端子に信号入力す
るように構成したので、半導体を効率良く製造し、しか
も半導体の品質を高め、半導体を安価にできる安価なバ
ーンイン装置を得ら口る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体のウェハの一
部分を示す平面図、第２図はこの発明の一実施例による
半導体チップ上の入力端子部を示した回路図、第３図は
この発明の他の実施例にまる半導体チップ上の入力端子
部を示した回路図、第４図は従来の半導体バーンイン装
置を示す側面図である。 （１）は半導体、（２月よ半導体ソケット、（３）１ま
基板、（４）は半導体チップ、（５）は抵抗、（６）は
金属配線、（７）はパッド、（３）は電極、（９）は金
属配線、Ｑ（Ｊはパッド、αυはＷＬ極、（６）は入力
端子、餞はフォトダイオード、αＱｔ、ＩＣ光線、（至
）は入力素子、Ｑｔ９はフォトダイオード、σ７）は光
線。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハ上の複数の半導体チップの電源端子
   にそれぞれ抵抗を接続し、抵抗の一方を配線で接続し、
   配線に外部から接触できる接触端子を形成し、複数の半
   導体チップの接地端子を配線で接続し、配線に外部から
   接触できる接触端子を形成し、一方の接触端子に外部か
   ら電源電圧を印加し、一方の接触端子に外部から接地電
   位を与え、さらに、周囲環境をを高温としたことを特徴
   とするウェハバーンイン装置。
2. （２）半導体チップの入力端子部にフォトダイオードを
   形成し、外部からの光照射により、入力端子に入力電圧
   を非接触で印加できることを特徴とした請求項１記載の
   ウェハバーンイン装置。