JPH04152584A - 光電子集積デバイス及びその製造方法 - Google Patents
光電子集積デバイス及びその製造方法Info
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- JPH04152584A JPH04152584A JP27690490A JP27690490A JPH04152584A JP H04152584 A JPH04152584 A JP H04152584A JP 27690490 A JP27690490 A JP 27690490A JP 27690490 A JP27690490 A JP 27690490A JP H04152584 A JPH04152584 A JP H04152584A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且」［迂Ｉ−
本発明は、光素子、電子素子、光電子素子を集積した光
電子集積デバイス及びその製造方法であって、特に、基
板上に形成された二次元光導波路その他の素子の他に光
電子素子等が形成されたいわゆるチップ部品を前記部品
に集積したハイブリッド型の光電子集積デバイス及びそ
の製造方法に関するものである。
電子集積デバイス及びその製造方法であって、特に、基
板上に形成された二次元光導波路その他の素子の他に光
電子素子等が形成されたいわゆるチップ部品を前記部品
に集積したハイブリッド型の光電子集積デバイス及びそ
の製造方法に関するものである。
ｌ米且亘
電子装置の高速化・高機能化を実現するため、電子素子
と光素子の混載が進展している。しかしながら、光素子
は導波路・ファイバとの低損失な結合が必要であり、高
精度な素子接続が要求されている。
と光素子の混載が進展している。しかしながら、光素子
は導波路・ファイバとの低損失な結合が必要であり、高
精度な素子接続が要求されている。
このような背景のもとに従来、発光・受光素子、その他
の光素子から成る光学系を集積した光（電子）集積デバ
イスが多数提案されている。
の光素子から成る光学系を集積した光（電子）集積デバ
イスが多数提案されている。
一方、光通信の分野では、初段アンプ等の信号処理用の
チップに受光素子のチップを集積したハイブリッド型の
光（電子）集積デバイスも提案がなされている。
チップに受光素子のチップを集積したハイブリッド型の
光（電子）集積デバイスも提案がなされている。
また、光電子集積デバイス基板上に駆動あるいは信号処
理用の半導体チップその他のチップ部品等をハイブリッ
ドに集積することも提案されている。
理用の半導体チップその他のチップ部品等をハイブリッ
ドに集積することも提案されている。
このように、従来提案されているハイブリッド型の光電
子集積デバイスでは、受光素子や光導波路を含む光学系
が形成された基板上に、発光素子駆動回路、受光信号の
初段増幅や信号処理、制御回路、外部接続回路等の電子
回路チップを集積している。
子集積デバイスでは、受光素子や光導波路を含む光学系
が形成された基板上に、発光素子駆動回路、受光信号の
初段増幅や信号処理、制御回路、外部接続回路等の電子
回路チップを集積している。
この場合、電子回路チップ自体の接続や基板上の他の素
子との電気的接続を行なおうとする際に、各々の電極表
面を覆っている光導波路膜やその他の保護膜等をそれら
の電極上の部分を選択的に除去し、その後に電気的接続
を行なう必要があった。
子との電気的接続を行なおうとする際に、各々の電極表
面を覆っている光導波路膜やその他の保護膜等をそれら
の電極上の部分を選択的に除去し、その後に電気的接続
を行なう必要があった。
亘−一莢
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
本発明は、電気的接続にともなう煩雑さを減少し、製造
工程数が少なく、信頼性の高いハイブリッド構造の光電
子集積デバイス及びその製造方法を提供することを目的
としてなされたものである。
本発明は、電気的接続にともなう煩雑さを減少し、製造
工程数が少なく、信頼性の高いハイブリッド構造の光電
子集積デバイス及びその製造方法を提供することを目的
としてなされたものである。
遭−一一巌
本発明は、上記目的を達成するために、（１）少なくと
も、表面に光あるいは電子素子が形成され、基板上に集
積される光・電子素子部品と、該光・電子素子部品を基
板上に集積した後に、該基板上に形成される二次元光導
波路とを備えたこと、更には、（２）前記二次元光導波
路の表面に保護層を積層して設けたこと、或いは、（３
）少なくとも、基板上に形成された二次元光導波路と、
表面に光あるいは電子素子が形成されており、かつ前記
基板上に集積される光・電子素子部品とから成る光電子
集積デバイスにおいて、前記光・電子素子部品を基板上
に集積した後に、前記二次元光導波路を形成することを
特徴としたものである。
も、表面に光あるいは電子素子が形成され、基板上に集
積される光・電子素子部品と、該光・電子素子部品を基
板上に集積した後に、該基板上に形成される二次元光導
波路とを備えたこと、更には、（２）前記二次元光導波
路の表面に保護層を積層して設けたこと、或いは、（３
）少なくとも、基板上に形成された二次元光導波路と、
表面に光あるいは電子素子が形成されており、かつ前記
基板上に集積される光・電子素子部品とから成る光電子
集積デバイスにおいて、前記光・電子素子部品を基板上
に集積した後に、前記二次元光導波路を形成することを
特徴としたものである。
以下、本発明の実施例に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明による光電子集積デバ
イスの製造工程の一実施例を説明するための図で、図中
、１は基板、２は受光素子、３は電極、４は電子回路チ
ップ（半導体チップ）、５は電極、６はボンディングワ
イヤ、７は二次元光導波路膜（表面保護層）である。
イスの製造工程の一実施例を説明するための図で、図中
、１は基板、２は受光素子、３は電極、４は電子回路チ
ップ（半導体チップ）、５は電極、６はボンディングワ
イヤ、７は二次元光導波路膜（表面保護層）である。
第１図（ａ）において、１は光電子集積デバイスの基板
を示し、該基板ｌの表面に受光素子２および該受光素子
２に接続した電極３が形成されている。なお、本発明の
実施例では、このように受光素子２が基板１上に形成さ
れた例であるが、本発明においては、もちろん他の素子
類の任意の組み合わせにより集積デバイスを形成するこ
とも可能である。
を示し、該基板ｌの表面に受光素子２および該受光素子
２に接続した電極３が形成されている。なお、本発明の
実施例では、このように受光素子２が基板１上に形成さ
れた例であるが、本発明においては、もちろん他の素子
類の任意の組み合わせにより集積デバイスを形成するこ
とも可能である。
第１図（ｂ）では、前記の基板上に信号処理用の電子回
路が形成された半導体チップ４が実装され、信号入力用
の電極５と前記電極３との間が電気的接続手段６によっ
て結ばれている。該電気的接続手段として、ここではボ
ンディングワイヤを用いている。半導体チップ４の実装
には、金−シリコン等の共晶接合法やハンダ、導電性あ
るいは非導電性の樹脂、ガラス等による接着等、基板１
と半導体チップ４の材料構造形態に合せて任意のものを
選択することが可能であるが、後工程である先導波路の
成膜工程で支障の生じないものを選べばよい。これは成
膜工程の条件（温度、圧力、雰囲気等）に耐え得ること
と、その成膜工程に汚染等の悪影響を与えないことを指
標に選定できる。
路が形成された半導体チップ４が実装され、信号入力用
の電極５と前記電極３との間が電気的接続手段６によっ
て結ばれている。該電気的接続手段として、ここではボ
ンディングワイヤを用いている。半導体チップ４の実装
には、金−シリコン等の共晶接合法やハンダ、導電性あ
るいは非導電性の樹脂、ガラス等による接着等、基板１
と半導体チップ４の材料構造形態に合せて任意のものを
選択することが可能であるが、後工程である先導波路の
成膜工程で支障の生じないものを選べばよい。これは成
膜工程の条件（温度、圧力、雰囲気等）に耐え得ること
と、その成膜工程に汚染等の悪影響を与えないことを指
標に選定できる。
第１図（ｃ）は、前記図（ｂ）の状態で、二次元光導波
路膜７を積層したものである。該二次元光導波路膜７は
基板ｌ上では先導波路として機能する。半導体チップ４
上では表面保護層となるが、半導体チップ４もその表面
に光導波路を必要とする光電子素子であれば、半導体チ
ップ４上でも先導波路膜７は光導波路として機能するこ
とができる。このような場合、本発明による方法は製造
工程数をさらに減少させる効果がある。
路膜７を積層したものである。該二次元光導波路膜７は
基板ｌ上では先導波路として機能する。半導体チップ４
上では表面保護層となるが、半導体チップ４もその表面
に光導波路を必要とする光電子素子であれば、半導体チ
ップ４上でも先導波路膜７は光導波路として機能するこ
とができる。このような場合、本発明による方法は製造
工程数をさらに減少させる効果がある。
第２図は、本発明による光電子集積デバイスの他の実施
例を示す図で、第１図に示した実施例と異なり、半導体
チップ４をフリップチップ法により接続した例である。
例を示す図で、第１図に示した実施例と異なり、半導体
チップ４をフリップチップ法により接続した例である。
この場合も、二次元光導波路膜７が半導体チップ４の周
辺部で隙間なく形成されれば、半導体チップ４の表面保
護層として保護作用を有する。又、光導波路等の成膜工
程が低温であれば、いわゆるＴ Ａ Ｂ （ＴａｐｅＡ
ｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）による接続も可能で
ある。
辺部で隙間なく形成されれば、半導体チップ４の表面保
護層として保護作用を有する。又、光導波路等の成膜工
程が低温であれば、いわゆるＴ Ａ Ｂ （ＴａｐｅＡ
ｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）による接続も可能で
ある。
第３図は、本発明による光電子集積デバイスの更に他の
実施例を示す図で、光導波路膜７の上にさらに保護膜８
を積層したものであり、さらに素子類への保護効果が増
すように構成されている。
実施例を示す図で、光導波路膜７の上にさらに保護膜８
を積層したものであり、さらに素子類への保護効果が増
すように構成されている。
光導波路膜７上に直接形成する場合は、透明でかつ該先
導波路膜７より低屈折率の膜とすればよい。
導波路膜７より低屈折率の膜とすればよい。
左−一末
以上の説明から明らかなように、本発明によると、以下
のような効果がある。
のような効果がある。
（１）光電子・素子部品を集積した後に先導波路を形成
するので、電気的接続を行なうために、光導波路を部分
的に選択的に除去する後工程を必要とせず、又、光・電
子素子部品の表面保護のための層も同時に形成されるた
め、保護層形成のための工程をも別途に必要とせず、さ
らには、光・電子素子部品も同様に光導波路膜を必要と
する場合には、そのための工程も別途に要しないので、
光電子集積デバイスの製造に要する時間とコストを減少
させることかでき、電気的接続部分も含めて表面が保護
されるため、デバイスの信頼性を向上できる。
するので、電気的接続を行なうために、光導波路を部分
的に選択的に除去する後工程を必要とせず、又、光・電
子素子部品の表面保護のための層も同時に形成されるた
め、保護層形成のための工程をも別途に必要とせず、さ
らには、光・電子素子部品も同様に光導波路膜を必要と
する場合には、そのための工程も別途に要しないので、
光電子集積デバイスの製造に要する時間とコストを減少
させることかでき、電気的接続部分も含めて表面が保護
されるため、デバイスの信頼性を向上できる。
（２）さらに保護膜を積層することで、光導波路膜と合
わせてより厚い保護層が形成され、さらに信頼性が増す
とともに、各々別々に保護層を形成する場合に比ベニ程
数を減少させることができる。
わせてより厚い保護層が形成され、さらに信頼性が増す
とともに、各々別々に保護層を形成する場合に比ベニ程
数を減少させることができる。
第１図は、本発明による光電子集積デバイスの製造工程
の一実施例を説明するための構成図、第２図及び第３図
は、本発明による光電子集積デバイスの他の実施例を示
す図である。 １・・・基板、２−・・受光素子、３・・電極、４・・
・電子回路チップ（半導体チップ）、５・・・電極、６
・・・ボンディングワイヤ、７・・・二次元光導波路膜
（表面保護層）、８・・・保護膜。
の一実施例を説明するための構成図、第２図及び第３図
は、本発明による光電子集積デバイスの他の実施例を示
す図である。 １・・・基板、２−・・受光素子、３・・電極、４・・
・電子回路チップ（半導体チップ）、５・・・電極、６
・・・ボンディングワイヤ、７・・・二次元光導波路膜
（表面保護層）、８・・・保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、表面に光あるいは電子素子が形成され
、基板上に集積される光・電子素子部品と、該光・電子
素子部品を基板上に集積した後に、該基板上に形成され
る二次元光導波路とを備えたことを特徴とする光電子集
積デバイス。 ２、前記二次元光導波路の表面に保護層を積層して設け
たことを特徴とする請求項１記載の光電子集積デバイス
。 ３、少なくとも、基板上に形成された二次元光導波路と
、表面に光あるいは電子素子が形成されており、かつ前
記基板上に集積される光・電子素子部品とから成る光電
子集積デバイスにおいて、前記光・電子素子部品を基板
上に集積した後に、前記二次元光導波路を形成すること
を特徴とする光電子集積デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27690490A JPH04152584A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子集積デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27690490A JPH04152584A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子集積デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152584A true JPH04152584A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17576009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27690490A Pending JPH04152584A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子集積デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008505A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| JP2009055054A (ja) * | 2008-10-09 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27690490A patent/JPH04152584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008505A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| US6793405B1 (en) | 1998-08-05 | 2004-09-21 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| JP2009055054A (ja) * | 2008-10-09 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
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