JPH04147987A - 微細パターンの形成方法および微細パターンの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細パターンの形成方法および微細パターンの
加工方法に関し、さらに詳しくは、たとえば薄膜トラン
ジスター、薄膜ダイオード、太陽電池、薄膜センサー、
各種半導体素子、Ｓａｗデバイス等の機能性被加工物に
微細パターンを高い寸法精度および位置合わせ精度でし
かも効率良く形成することのできる微細パターンの形成
方法と、この微細パターンの形成方法を利用して各種の
機能性被加工物を高い寸法精度および位置合わせ精度で
量産的に加工するのに好適な微細パターンの加工方法と
に関する。また、本発明の微細パターンの形成方法およ
び微細パターンの加工方法は、たとえばサーマルヘッド
、カラーフィルタ、圧力センサー等の製造におけるパタ
ーンにも好適に採用することができる。

［従来の技術］ たとえば薄膜トランジスターを用いたカラー液晶デイス
プレー（Ｔ　Ｐ　Ｔ　−Ｌ　ＣＤ）はポケットＴＶ、ポ
ータプルＴＶ等に用いられている。

そして、近年においては、２０インチ、４０インチ、７
０インチ等の大型液晶フラットデイスプレーの開発が盛
んである。

この薄膜トランジスターは、通常、４〜６回程度のフォ
トリソグラフィー工程、つまりレジスト塗布、露光、現
像、エツチングの各処理を繰り返して行うことにより製
造されている。

また、微細パターンの形成には、レジストパターンの印
刷、エツチング処理を繰り返す印刷法を用いることも可
能である。そして、印刷配線や回路パターンの形成ある
いは金属板のエツチング用レジストパターンの形成に際
しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法のような
印刷手段が広く採用されている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記のフォトリソグラフィー工程を繰り返し
て４０インチ、７０インチといった大型のＴＰＴ−ＬＣ
Ｄを製造しようとすれば、フォトリソグラフィー工程で
使用する専用の装置を開発しなければならないので、莫
大な費用が必要となる。特に、大型露光装置の開発費は
莫大なものとなる。

一方、微細パターンの形成に上記の印刷法を用いれば、
レジストパターンの印刷およびエツチング処理を繰り返
すことにより、４０インチ、７０インチといった大型の
ＴＰＴ−ＬＣＤの製造にも比較的容易に対応することが
できる。

しかしながら、これらの印刷手段は比較的画線の大きい
（たとえば２００μｍ以上）パターンの形成には適して
いるが、画線幅がたとえば２００μｍ未滴の微細パター
ンの形成には必ずしも適するものではない。しかも、印
刷手段においては、インキの流動性、版の圧力などの影
響やインキの一部が転移しないで版上に残留してしまう
こと等に起因してパターンが変形し易く、印刷パターン
の寸法精度および再現性に劣るという欠点がある。

例えば、スクリーン印刷法はメツシュ状スクリーンにイ
ンキ遮蔽マスクを形成し、該遮蔽マスクの非マスク部を
所望のパターンとし、該非マスク部からインキを透過さ
せて被印刷体にインキを付着させることにより印刷を行
う方法である。この印刷法ではインキの厚刷り（一般に
数μｍ−２０μｍ厚）が容易なために耐蝕性の優れたレ
ジストパターンの印刷は可能であるが、実用印刷幅は最
少で２００μｍ程度が限界であるために微細なパターン
の形成は困難である。また、オフセット印刷法は前もっ
て感光化されたプレートであるいわゆるｐｓ版（ｐｒｅ
ｓｅｎｓＮｉｚｅｄ　ｐｌａｔｅ）に親油性部と親水性
部とを形成し、親水性部に水分を保持させて油性インキ
を反発させることにより親油性部のみに選択的にインキ
を付着させ、かかるインキパターンを被印刷体に印刷す
る方法である。そして、この方法においては、特に印刷
適性の向上を図るために版上のインキパターンを一部ゴ
ムブランケットに転写した後に被印刷体に再転写するよ
う構成されている。この印刷法によると、比較的微細な
画線を容易に得ることができる。しかしながら、この方
法で採用される動的なインキング方式やこの方法中で行
われる通常２回の転写操作等に起因して印刷されるイン
キ膜厚が１μｍ程度の小さなものとなり、印刷画線にピ
ンホールや断線が発生し易いという欠点がある。また、
この印刷法に関しては、インキの膜厚を大きくして耐蝕
性に優れた微細パターンを形成すべく種々の工夫がなさ
れているが、膜厚を大きくすると印刷画線が太くなり、
１００〜２００μｍ程度の線幅の印刷が限界である。

一方、比較的細線で印刷膜厚も大きくすることのできる
印刷手段として凹版印刷法が知られている。この方法に
おいては、彫刻法や食刻法により画線凹部を形成し、該
凹部に粘稠性を有する硬めのインキを擦り込み、非画線
部のインキを拭き取った後に銅板上に印刷用紙を当てた
状態で強圧して印刷を行う。強圧する理由は、凹部に擦
り込まれたインキが版表面より窪んだ位置にあるため、
紙のような柔軟性印刷物に強圧着することにより強制的
にインキ面と被印刷物面とを接触させてインキを被印刷
物面上に転移させるためである。したがって、この凹版
印刷法では、たとえば薄膜半導体素子の基板に用いられ
るガラスに代表される剛性の高い被印刷物への印刷は困
難である。

本発明は前記の事情に基づいてなされたものである。す
なわち、−本発明は、 １）印刷版画線部への正確なインキングが難しい、２）
インキング後の印刷版からインキを転写する際にインキ
画線部や膜厚が変動する、 ３）断線、短絡、ピンホール等の不良画線が出やすい、 ４）高精度且つ精密な画線を得ることができない、等の
前述の問題を解決し、線幅が微細であると共に膜厚も適
度な微細パターンを正確かつ鮮明に、しかも効率良く安
価に形成することのできる微細パターンの形成方法およ
び微細パターンの加工方法を提供することを目的とする
。

［課題を解決するための手段］ 前記の課題を解決するための本発明の要旨は、基板上に
所定形状のマスキング層を形成すると共に上記基板のマ
スキング層形成面におけるマスキング層非形成部に電着
法により非粘稠性転写パターンを形成して転写基板を作
製し、その後、少なくとも上記非粘稠性転写パターン上
に粘着層を、上記非粘稠性転写パターンと該粘着層との
合計膜厚が上記基板上の膜厚中、最大となるように形成
し、次いで、上記転写基板と被加工物との位置合わせを
行ってから上記粘着層と該被加工物とを密着させて上記
転写パターンを上記被加工物へ転写させることを特徴と
する微細パターンの形成方法であり、 請求項１記載の微細パターンの形成方法を繰り返して行
うことにより被加工物への転写パターンの転写を複数回
行うことを特徴とする微細パターンの形成方法であり、 基板上に所定形状のマスキング層を形成すると共に上記
基板のマスキング層形成面におけるマスキング層非形成
部に電着法により非粘稠性転写パターンを形成して転写
基板を作製し、その後、少なくとも上記非粘稠性転写パ
ターン上に粘着層を、上記非粘稠性転写パターンと該粘
着層との合計膜厚が、上記基板上の膜厚中、最大となる
ように形成し、次いで、上記転写基板と被加工物との位
置合わせを行ってから上記粘着層と該被加工物とを密着
させて上記非粘稠性転写パターンを上記被加工物へ転写
させた後、上記被加工物をエツチング処理することによ
り上記粘着層および上記非粘稠性転写パターンを除去す
ることを特徴とする微細パターンの加工方法であり、 請求項３に記載の微細パターンの加工方法を繰り返して
行うことにより被加工物に形成された複。

数層の微細パターンの加工を行うことを特徴とする微細
パターンの加工方法である。

以下、本発明の微細パターンの形成方法および微細パタ
ーンの加工方法について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）〜同図（ｆ）に本発明の微細パターンの形
成方法による微細パターンの形成過程を示す。

第１図（ａ）および同図（ｂ）に示すように、本発明の
微細パターンの形成方法においては、まず、基板１上に
所定形状のマスキング層２を形成すると共に基板ｌのマ
スキング層形成面におけるマスキング層非形成部に転写
パターン３を形成して転写基板４を作製する。

使用に供される基板１は、少なくとも転写パターン３を
形成する側の表面（マスキング層形成面に導電性を有し
ていればよい。このような基板１には、たとえば金属板
等の導電性材料を用いてもよいし、非導電性材料からな
る支持体上に酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）
、カーボン等の導電性部材を接着する等して前記マスキ
ング層形成面に導電性の付与された部材を用いてもよい
。

いずれにせよ、基板１の前記マスキング層形成面は転写
パターン３を形成する金属層が適度な強度で付着すると
共にその後の転写工程で容易に剥離可能な程度の付着強
度が得られる状態であることが望ましい。このため、本
発明の微細パターンの形成方法において、基板１は、通
常、前記マスキング層形成面にある程度の鏡面処理が施
された状態で使用される。

マスキング層２は、たとえばイオンブレーティング法、
真空蒸着法、スパッタリング、化学的気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ法）等の各種薄膜形成法を採用して基板ｌ上にシリカ
（Ｓ　ｉＯ２）薄膜、チッ化シ！Ｊコニｚ（ＳｉＮｘ）
薄膜、９６％アルミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステ
ライト薄膜等の電気絶縁性の高い薄膜を形成し、次いで
、この薄膜上にフォトレジストを塗布してから所定形状
のマスクを用いて露光、現像、エツチング処理およびレ
ジスト剥膜をこの順に行うことにより形成することがで
きる。

使用に供されるフォトレジストとしては、たとえばグル
ー、カゼイン、アラビヤゴム、ＰＶＡ。

セラック等と重クロム酸アンモンとを含有してなるいわ
ゆる重クロム酸塩系のものを挙げることができる。

本発明の方法においては、以上のようにしてマスキング
層２を形成した後、基板ｌのマスキング層形成面におけ
るマスキング層非形成部に、たとえば電気メツキ法、電
気泳動電着法等の電着法を採用して非粘稠性転写パター
ン３を形成する。

非粘稠性転写パターン３の形成材料としては、電気化学
的挙動を示して一方の電極に析出可能な材料、たとえば
電気メツキ材料に一般的に用いられる金属、あるいは有
機材料（高分子材料）の電着物質等が挙げられる。

本発明の方法においては、金属のうちでもＮｉ１Ｃｒｓ
　Ｆｅ、Ａｇ５Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎまたはこれらの
化合物、合金類等を特に好適に用いることができる。こ
れらの金属は電着後の成膜性に優れているからである。

また、有機材料（高分子材料）の電蓄物質としては、た
とえばＦｅ電極上で種々のビニル化合物を電気化学的に
重合させて得られる高分子皮膜（金属表面技術マｏ１．
１９、Ｎｏ１２．１９６ｇ参照）あるいはピロールやチ
オフェンを用いて電極上に形成されるポリピロール、ポ
リチェニレンの導電性高分子皮膜などが知られている。

さらに、たとえば自動車の車体の電着塗装用に使用され
ている有機高分子物質を用いることもできる。

ここで、電着塗装における電着法は電着電極である主電
極との反応によってカチオン電着とアニオン電着とがあ
り、それぞれカチオンとして挙動する有機高分子からな
る電蓄物質、アニオンとして挙動する有機高分子からな
る電蓄物質が用いられる。

このような電着に用いられる有機高分子としては、たと
えば天然油脂系、合成油系、アルキド樹脂系、ポリエス
テル樹脂系、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系等の種々
の物質が挙げられる。

これらの物質のうち、アニオン電着に用いられるものと
しては、たとえばマレイン化油系有機高分子、ポリブタ
ジェン樹脂系有機高分子などが挙げられ、硬化は一般に
酸化重合による。また、たとえばアニオン性アクリル樹
脂等の紫外線硬化性電着物質も知られている。

一方、カチオン電着にはエポキシ樹脂系のものが広く用
いられており、単独または変性されて利用される。

このエポキシ樹脂系の電着物質の硬化には、般にイソシ
アネート系の架橋剤が用いられる。

また、カチオン電着には上記のエポキシ樹脂系のものの
他に、たとえばポリブタジェン系樹脂、メラミン系樹脂
、アクリル系樹脂などのいわゆるポリアミノ樹脂系のも
のも利用可能である。

これらの有機高分子からなる電着物質により形成される
電着膜は、たとえば酸化重合、熱重合、光重合などによ
り硬化して耐蝕性の優れた皮膜を形成する。

本発明の方法において前述のようにして形成される非粘
稠性転写パターン３は、それ自体には被加工物に対する
接着性が全く無いものであるか、あっても僅かなもので
ある。

転写パターンが、たとえば導電性インキ等の粘稠な物質
からなり、被加工物に対する接着性を有するものである
と、前述のように転写時にインキの流動性、版の圧力な
どの影響やインキの一部が転移しないで版上に残留して
しまうこと等に起因してパターンが変形し易く、印刷パ
ターンの寸法精度および再現性に劣るからである。

したがって、本発明の方法においては、第１図（Ｃ）に
示すように基板１上に形成されるマスキング層２および
非粘稠性転写パターン３のうち、少なくとも非粘稠性転
写パターン３上に粘着層５を形成する。

粘着層５は、たとえば塩化酢酸ビニール系、天然ゴム系
、合成ゴム系、各種アクリレート系、エポキシ系等の汎
用粘着剤；熱可塑性の感熱接着剤；あるいは光硬化接着
剤などを非粘稠性転写パターン３上に塗布することによ
り形成することができる。そして、本発明の方法におい
ては基板１上に形成するマスキング層２の膜厚、非粘稠
性転写パターン３の膜厚および粘着層５の膜厚のうち、
非粘稠性転写パターン３と粘着層５との合計膜厚［第１
図（ｃ）中、ｄで示す］が、基板１上の膜厚中、最大と
なるように粘着層５を形成する。この合計膜厚ｄが基板
１上の膜厚中、最大でないと、被加工物と非粘稠性転写
パターン３上の粘着層５とが接触しないことになり、そ
の結果、非粘稠性転写パターン３が被加工物に転写しな
いことになる。

本発明の方法においては、以上のようにして転写基板４
を作製した後、この転写基板４と被加工物６との正確な
位置合わせ（整合）を行う。

転写基板４と被加工物６との正確な位置合わせ（整合）
を行うことにより、前述の電着法を採用して転写パター
ンの破損や変形を排除しつつ基板１の画線部に忠実に形
成された非粘稠性転写パターン３を被加工物６の所定の
位置に転写させることが可能である。

この整合は、第１図（ｄ）に示すように、たとえば、転
写基板４と被加工物６とを対向させて配置し、両者の位
置関係を光学的あるいは電子光学的に観察しながら転写
基板４に設けたパターン側レジスターマーク（図示せず
）と被加工物６に設けた被転写側レジスターマーク（図
示せず）とが重なり合って観察される位置まで転写基板
４および被加工物６の少なくとも一方を移動させること
により行うことができる。

すなわち、転写基板４と被加工物６との位置関係を光学
的に観察して得られる情報が、たとえば第２図（ａ）に
示すようにパターン側レジスターマーク１０と被転写側
レジスターマーク１１との位置ずれを示していれば、第
２図（ｂ）に示すようにパターン側レジスターマーク１
０と被転写側レジスターマーク１１とが重なり合って観
察される位置まで転写基板４および被加工物６の少なく
とも一方を移動させればよい。なお、第１図（ｄ）にお
いて、ｇは正確な光学的観察を行うための整合ギャップ
である。

本発明の方法においては、たとえば以上のようにして転
写基板４と被加工物６との整合を行った後、転写基板４
と被加工物６とを密着させる。

前記の整合を行った後に転写基板４と被加工物６とを密
着させることにより、第１図（ｆ）に示すように粘着層
５を塗設した非粘稠性転写パターン３が被加工物６の所
定の位置に転写される。

ここで、非粘稠性転写パターン３を形成する電着物質が
金属である場合には、基板１のマスキング層形成面側の
表面に予め適当な易剥離処理を施しておいたり、あるい
は電着金属と親和性の低い導電面を形成しておくことが
好ましい。基板１の表面に、これらの前処理を行ってお
くと、基板１からの非粘稠性転写パターン３の剥離性が
向上する。

また、非粘稠性転写パターン３が有機高分子の電着物質
を用いてなる場合には、一般に該非粘稠性転写パターン
３は基板１と良好に接着するので、非粘稠性転写パター
ン３と基板１との接着力が粘着層５と被加工物６との接
着力に優り、その結果、非粘稠性転写パターン３が被加
工物６に剥離転写しなかったり、部分的な破壊転写を起
こしたりして良好なパターン転写がなされないことがあ
る。

したがって、本発明の方法において、有機高分子の電着
物質を用いて非粘稠性転写パターン３を形成する場合に
は予め基板１のマスキング層形成面に基板１との親和性
が低くて剥離性の良好な金属膜を薄く１吹型着し、該金
属膜上に非粘稠性転写パターン３を形成する等してもよ
い。この場合、非粘稠性転写パターン３は基板１と１吹
型看金属膜との間から該１吹型着金属膜を伴なった形で
容易に剥離して被加工物６に転写される。すなわち、被
加工物６上に転写される非粘稠性転写パターン３は前記
の１吹型看金属膜で覆われた状態になるので、転写後に
該１吹型着金属膜をエツチング処理により除去すれば、
被加工物６上に目的の非粘稠性転写パターン３が出現す
る。この非粘稠性転写パターン３は、１吹型着金属膜で
覆われた状態で被加工物６に転写するので、破損や変形
がなくて良好なパターン画像を形成する。

ここで、１電着金属膜の形成材料としては、たとえば前
記非粘稠性転写パターンの形成に好適に使用することの
できる全ての金属を挙げることができる。そして、これ
らの金属の中でも、転写後にエツチング処理するときに
危険性の少ないエツチング液で容易にエツチング処理が
可能な金属が好ましい。具体的には、たとえばＡｇ、Ｃ
ｕ。

Ｎｉ等が挙げられる。

以上のようにして本発明の方法により被加工物上に転写
される転写パターンは、断線、短絡、ピンホール等の発
生がなく、膜厚も適度で寸法精度および位置合わせ精度
の高い微細パターンを形成する。また、転写後の転写基
板には所定形状のマスキング層が残存しているので、該
転写基板のマスキング層非形成面に再度非粘稠性微細パ
ターンを形成すれば、転写基板は何回でも繰り返して使
用することができる。

そして、本発明の微細パターンの形成方法においては、
以上の工程を繰り返して行うことにより被加工物上に複
数の異なる微細パターンを形成することができる。

すなわち、本発明の方法を採用して被加工物上に１種類
の微細パターンを形成した後、この微細パターンとは異
なるパターン形状の非粘稠性転写パターンを設けた転写
基板を前述のようにして作製し、被加工物上に既に形成
されている微細パターンと転写基板に設けた非粘稠性転
写パターンとをたとえば前述の要領で正確に位置合わせ
した後、被加工物と転写基板とを密着させ、次いで両者
を分離すれば、被加工物上に２種類の微細パターンを形
成することが可能であり、以後、必要に応じて同様の工
程を繰り返せば、被加工物上に異なる所望の種類の微細
パターンを形成することができる。

このようにして被加工物上に形成される複数種類の微細
パターンば、いずれも断線、短絡、ピンホール等の発生
がなく、膜厚も適度で寸法精度および位置合わせ精度に
優れている。

次に、本発明の微細パターンの加工方法について説明す
る。

本発明の微細パターンの加工方法においては、本発明の
微細パターンの形成方法に従って非粘稠性転写パターン
および粘着層を転写した被加工物のエツチング処理を行
い、次いで、被加工物上に残存する非粘稠性転写パター
ンおよび粘着層を除去することにより被加工物上に微細
パターンを形成する。

すなわち、本発明の微細パターンの加工方法においては
、前述の本発明の微細パターンの形成方法により非粘稠
性転写パターン３および粘着層５を転写した被加工物６
［第１図（ｇ）参照コのエツチング処理を行う。

このエツチング処理は、非粘稠性転写パターン３および
粘着層５を耐蝕レジストとして被加工物６の印刷体面を
直接に、または該印刷面に予め形成されている薄膜材料
層６′のみを、蝕刻する処理である。

エツチング処理には、たとえば各種のドライエツチング
法等の周知の技術を採用することができる。

第１図（ｇ）に示すように、このエツチング処理により
、被加工物６上の非粘稠性転写パターン３および粘着層
５が転写されていない部分は蝕刻される。

次いで、被加工物６上に残存する非粘稠性転写パターン
３および粘着層５を被加工物６から剥離して除去すれば
、被加工物６に所定形状の微細パターンを加工形成する
ことができる。

なお、非粘稠性転写パターン３および粘着層５の剥離は
、通常の方法により行うことができる。

本発明の加工方法により被加工物６に形成される微細パ
ターンは、たとえば線幅が１〜５μｍである場合にも断
線、短絡、ピンホール等の発生がなくて且つ膜厚も適度
で寸法精度および位置合わせ精度の高い精密なものであ
る。

そして、本発明の微細パターンの加工方法においては、
以上の工程を繰り返して行うことにより被加工物に複数
の異なる微細パターンを加工形成することができる。

すなわち、先ず本発明の方法を採用して被加工物に１種
類の微細パターンを加工形成する。一方、この微細パタ
ーンとは異なるパターン形状の非粘稠性転写パターンを
設けた転写基板を前述のようにして作製する。そして、
上記の被加工物に既に形成されている微細パターンと転
写基板に設けた非粘稠性転写パターンとをたとえば前述
の要領で正確に位置合わせした後、被加工物と転写基板
とを密着させ、次いで両者を分離して粘着層および非粘
稠性転写パターンを被加工物に転写させる。

次に、この被加工物を前述の要領でエツチング処理して
所定の微細パターンの形状に蝕刻した後、粘着層および
非粘稠性転写パターンを被加工物から剥離すれば、形状
の異なる２種類の微細パターンを被加工物に加工形成す
ることができる。以後、必要に応じて同様の工程を繰り
返せば、被加工物に形状の異なる所望の種類の微細パタ
ーンを形成することができる。

このようにして被加工物に加工形成される複数種類の微
細パターンは、いずれも断線、短絡、ピンホール等の発
生がなく、しかも寸法精度、位置合わせ精度にも優れた
精密なものである。

［作用コ 本発明の微細パターンの形成方法においては、電着法を
採用して基板のマスキング層非形成部（画線部）に非粘
稠性転写パターンを形成する。

この静的なインキングにより、たとえば従来の印刷法に
おいて粘性インキを画線部にこすりつけるようにして物
理的力で転写パターンを形成する場合に生じる圧着力、
摺動力、引張力等の影響を排除して画線に忠実なパター
ンの形成が可能である。

また、この電着法による静的なインキングにより形成さ
れる非粘稠性転写パターンの膜厚は電気量に依存するた
め膜厚の制御も容易であり、従来の物理的力によるイン
キングで問題となる膜厚の変動が無い。

しかも、マスキング層の側壁で非粘稠性転写パターン（
電着膜）は横方向への成長が抑制されるので、マスキン
グ層が精度良く形成されていれば、非粘稠性転写パター
ン（電着膜）の精度も極めて高くなる。

さらに、電着法で静的にインキングされた非粘稠性転写
パターン（電着膜）を設けた転写基板と被加工物との正
確な位置合わせを行なって被加工物に非粘稠性転写パタ
ーンを転写するので、位置合わせ精度が向上している。

したがって、本発明の微細パターンの形成方法により被
加工物に転写される微細パターンは寸法精度および位置
合わせ精度が高く、たとえば線幅が１〜５μｍ程度であ
る微細画線も高い精度で形成可能である。

そして、本発明の微細パターンの加工方法においては、
本発明の微細パターンの形成方法に従って被加工物に精
度良く形成された微細パターンを耐蝕レジストにして被
加工物のエツチング処理を行なう。

したがって、被加工物の被印刷面はレジストパターンに
忠実に蝕刻されて高精度で精密な微細パターンが加工形
成される。

このようにして被加工物の被印刷面を蝕刻して形成され
る微細パターンは、たとえ線幅が１〜５μｍ程度であっ
ても断線、短絡、ピンホール等の発生がなく、しかも寸
法精度、位置合わせ精度に優れている。

［実施例］ 次に本発明の実施例を示し本発明についてさらに具体的
に説明する。

（実施例１） ステンレス製の基板１（厚さ０．３ｍｍ）の表面に、イ
オンブレーティング法を採用して膜厚０．２μｍのＳｉ
Ｏ２薄膜を真空成膜した。なお、基板温度は２００℃に
設定した。

次に、このＳ　ｉＯ２薄膜上にフォトレジスト（東京応
化社製、ｒＯＭＲ−８５Ｊ　）を塗布し、所定形状のマ
スクを用いて露光処理、現像処理、エツチング処理およ
びレジスト剥膜の各処理を常法に従ってこの順に行ない
マスキング層２を形成り、、た［第１図（ａ）参照］。

なお、マスキング層２の膜厚は０．２μｍとし、基板１
のステンレスが露出している線幅を５μｍとした。

次いで、Ｎｉ板を陽極、基板１を陰極として基板１のマ
スキング層非形成部にＮｉメツキにより膜厚１．５μｍ
の非粘稠性転写パターン３を形成して転写基板４を形成
した［第１図（ｂ）参照］。

Ｎｉメツキの浴組成および条件は次の通りであつた０ 浴組成 硫酸ニッケル　　　　　　２５０　ｇ／　１塩化ニツケ
ル　　　　　　　４５　ｇ／　１はう酸　　　　　　　
　　　３０　ｇ／　１条件 ｐＨ４，５ 温度　　　　　　　　　　５０℃ 電流密度　　　　　　　　５Ａ／ｄａ２その後、アクリ
ル酸エステル系の粘着溶剤（日本カーバイド社製、「ニ
ラセラＰＥ−１１８Ｊ）を基板１上のマスキング層２お
よび非粘稠性転写パターン３の全面に塗布して膜厚０．
２μｍの粘着層５を形成した［第１図（ｃ）参照］。

次に、転写基板４と被加工物６との位置関係を光学的に
観察して転写基板４に設けたパターン側位置合わせマー
クと被加工物６に設けた被転写側位置合わせマークとが
重なって観測される位置まで被加工物６を移動させて位
置合わせを行なって［第１図（ｄ）参照］から、転写基
板４に被加工物６を圧着することにより粘着層５を介し
て非粘稠性転写パターン３を被加工物６に接着した［第
１図（ｅ）参照コ。なお、使用に供した被加工物６はガ
ラス基板上にＬＰＣＶＤ法を採用して膜厚０．１μｍの
ｐ−３ｉ（ポリシリコン）膜６′を成膜してなるもので
ある。

次いで、転写基板４を被加工物６から剥がしたところ、
非粘稠性転写パターン３が転写基板４から剥がれ、非粘
稠性転写パターン３は粘着層５を介して被加工物６に転
写した［第１図（ｆ）参照］。

このようにして被加工物６に形成された転写ノ々ターン
は寸法精度および位置合わせ精度に優れたものであった
。

（実施例２） 前記実施例１と同様にして被加工物６に微細１＜ターン
を形成した。

次いで、四フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガス（Ｃ
Ｆ　　ガス９５％、０２ガス５％）を用いて上記の微細
パターンを耐レジストとするドライレジストを行なった
。

その後、上記の微細パターンを形成する粘着層５および
非粘稠性転写パターン３を通常の方法で被加工物６から
除去して被加工物６に、線幅５μｍ１深さ０．１μｍの
微細パターンを加工形成した［第１図（ｇ）参照］。

このようにして被加工物６に加工形成した微細パターン
は、寸法精度および位置合わせ精度に優れ、断線、短絡
、ピンホール等の発生も見られなかった。

［発明の効果］ （１）本発明によると、基板上のマスキング層非形成部
に電着法を採用して非粘稠性転写パターンを形成するこ
とにより転写基板を作製するので、静的なインキングが
可能であり、物理的力で転写パターンを形成する場合に
生じる圧着力、摺動力、引張力等の影響を排除して画線
に忠実なパターンの形成が可能であると共に転写基板と
被害加工物との正確な位置合わせを行なうので、寸法精
度および位置合わせ精度のいずれもが向上していて高精
度精密画線を容易に且つ効率良く得ることのできる微細
パターンの形成方法を提供することができる。

（２）また、この微細パターンの形成方法の工程を繰り
返して行なうことにより、寸法精度および位置合わせ精
度のいずれもが向上した複数種類の高精度精密画線を容
易に且つ効率良く得ることのできる微細パターンの形成
方法を提供することができる。

（３）さらに本発明によると、前記の方法により形成し
た高精度且つ精密な微細パターンを耐蝕レジストとして
被加工物のエツチング行った後、微細パターンを形成す
る非粘稠性転写パターンおよび粘着層を除去するので、
たとえば線幅が１〜５μｍであっても寸法精度および位
置合わせ精度に優れると共に断線、短絡、ピンホール等
の発生がない微細パターンを容易に且つ効率良く加工形
成することのできる微細パターンの加工方法を提供する
ことができる。

（４）さらにまたこの微細パターンの加工方法の工程を
繰り返して行なうので、いずれも寸法精度および位置合
わせ精度が高く、しかも断線、短絡、ピンホール等の発
生がない複数種類の微細パターンを容易に且つ効率良く
加工形成することのできる微細パターンの加工方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜同図（ｇ）は本発明の微細パターンの形
成方法および微細パターンの加工方法により微細パター
ンを形成、加工する場合の転写基板および被加工物の状
態を示す説明図、第２図（ａ）および同図（ｂ）は本発
明の微細パターンの形成方法および微細パターンの加工
方法における転写基板と被加工物との位置合わせを光学
的に行なう場合の位置合わせ方法の一例を示す説明図で
ある。 １・・・基板、２・・・マスキング層、３・・・非粘稠
性転写パターン、４・・・転写基板、５・・・粘着層、
６・・・被加工物。 慕 因

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．基板上に所定形状のマスキング層を形成すると共に
   上記基板のマスキング層形成面におけるマスキング層非
   形成部に電着法により非粘稠性転写パターンを形成して
   転写基板を作製し、その後、少なくとも上記非粘稠性転
   写パターン上に粘着層を、上記非粘稠性転写パターンと
   該粘着層との合計膜厚が上記基板上の膜厚中、最大とな
   るように形成し、次いで、上記転写基板と被加工物との
   位置合わせを行ってから上記粘着層と該被加工物とを密
   着させて上記転写パターンを上記被加工物へ転写させる
   ことを特徴とする微細パターンの形成方法。
2. ２．請求項１記載の微細パターンの形成方法を繰り返し
   て行うことにより被加工物への転写パターンの転写を複
   数回行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。
3. ３．基板上に所定形状のマスキング層を形成すると共に
   上記基板のマスキング層形成面におけるマスキング層非
   形成部に電着法により非粘稠性転写パターンを形成して
   転写基板を作製し、その後、少なくとも上記非粘稠性転
   写パターン上に粘着層を、上記非粘稠性転写パターンと
   該粘着層との合計膜厚が、上記基板上の膜厚中、最大と
   なるように形成し、次いで、上記転写基板と被加工物と
   の位置合わせを行ってから上記粘着層と該被加工物とを
   密着させて上記非粘稠性転写パターンを上記被加工物へ
   転写させた後、上記被加工物のエッチング処理を行い、
   次いで、上記粘着層および上記非粘稠性転写パターンを
   除去することを特徴とする微細パターンの加工方法。
4. ４．請求項３に記載の微細パターンの加工方法を繰り返
   して行うことにより被加工物に形成された複数層の微細
   パターンの加工を行うことを特徴とする微細パターンの
   加工方法。