JPH04147620A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04147620A JPH04147620A JP27175890A JP27175890A JPH04147620A JP H04147620 A JPH04147620 A JP H04147620A JP 27175890 A JP27175890 A JP 27175890A JP 27175890 A JP27175890 A JP 27175890A JP H04147620 A JPH04147620 A JP H04147620A
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- JP
- Japan
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- etching
- butterfly valve
- opening
- end point
- aluminum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にアルミニウ
ム膜のＲＩＥにおける終点検出方法に関する。
ム膜のＲＩＥにおける終点検出方法に関する。
従来のアルミニウム膜のＲＩＥにおける終点検出方法は
、第２図に示す様にエツチング中に生じるアルミニウム
のエミッション波形の変化を監視することにより終点を
検出していた。すなわち、第２図において、アルミニウ
ムのエツチングが開始されアルミニウムのエミッション
波形が立ち上がり（Ａ）、エツチングが継続される（Ｂ
）、エツチングが終わりかけ、エミッション波形が下が
り（Ｃ）、エツチングが完全に終わり、エミッション波
形が低いレベルで安定する（Ｄ）、このとき、エミッシ
ョン波形の立ち下がり（Ｃ）の傾きと下がりきった時（
Ｄ）の波形の安定性に対し、ある一定の判断規準を設定
し、エツチングの終点を検出していた。
、第２図に示す様にエツチング中に生じるアルミニウム
のエミッション波形の変化を監視することにより終点を
検出していた。すなわち、第２図において、アルミニウ
ムのエツチングが開始されアルミニウムのエミッション
波形が立ち上がり（Ａ）、エツチングが継続される（Ｂ
）、エツチングが終わりかけ、エミッション波形が下が
り（Ｃ）、エツチングが完全に終わり、エミッション波
形が低いレベルで安定する（Ｄ）、このとき、エミッシ
ョン波形の立ち下がり（Ｃ）の傾きと下がりきった時（
Ｄ）の波形の安定性に対し、ある一定の判断規準を設定
し、エツチングの終点を検出していた。
この従来のアルミニウム膜のＲＩＥにおける終点検出方
法では、エツチング処理を重ねると、アルミニウムのエ
ミッション波形を検出する窓が反応生成物の堆積により
くもり、エミッション波形の強度が低下して行くため、
波形レベルが変化してしまい、同一の判断基準による終
点判定が行なえない様になったり、強度の堆積の場合で
は全くエミッション波形が検出できなくなるため、比較
的高い頻度でエツチングチャンバーを開けて、検出用窓
の洗浄が必要となる問題点があった。
法では、エツチング処理を重ねると、アルミニウムのエ
ミッション波形を検出する窓が反応生成物の堆積により
くもり、エミッション波形の強度が低下して行くため、
波形レベルが変化してしまい、同一の判断基準による終
点判定が行なえない様になったり、強度の堆積の場合で
は全くエミッション波形が検出できなくなるため、比較
的高い頻度でエツチングチャンバーを開けて、検出用窓
の洗浄が必要となる問題点があった。
本発明の目的は、アルミニウム膜のＲＩＥにおける終点
検出工程を有する半導体装置の製造方法において、エツ
チング処理を重ねて、反応生成物がチャンバー内、窓に
堆積しても同等悪影響を受けることなく、同一の判断基
準により、安定した終点検出ができ、その結果エツチン
グチャンバーの洗浄頻度を飛躍的に少なくできる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
検出工程を有する半導体装置の製造方法において、エツ
チング処理を重ねて、反応生成物がチャンバー内、窓に
堆積しても同等悪影響を受けることなく、同一の判断基
準により、安定した終点検出ができ、その結果エツチン
グチャンバーの洗浄頻度を飛躍的に少なくできる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
本発明のアルミニウム膜のＲＩＥにおける終点検出工程
を有する半導体装置の製造方法はエツチング圧力をコン
トロールするためのバタフライ弁の開度の変化を監視し
、一定の判断規準を設定し、エツチングの終点を検出す
ることを特徴として構成される。
を有する半導体装置の製造方法はエツチング圧力をコン
トロールするためのバタフライ弁の開度の変化を監視し
、一定の判断規準を設定し、エツチングの終点を検出す
ることを特徴として構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１ｓは、本発明によるアルミニウム膜のＲＩＥにおけ
る終点検出方法を示す一実施例を説明するためのバタフ
ライ弁の開度波形図である。ＲＦが印加され、アルミニ
ウムのエツチングが開始される。この時ＲＦ印加による
、塩素ガスのラジカル生成（Ｃ］２→２ＣＩ’″）によ
る堆積膨張による圧力上昇が起こるため、圧力コントロ
ールのなめバタフライ弁の開度が大きく変化する（Ａ）
０次に塩素ラジカルによるアルミニウムのエツチングが
Ａ Ｉ ＋３ＣＩ’ −＋Ａ Ｉｃ １３ 丁の反応に
より安定して行われ圧力は安定し、バタフライ弁の開度
はある一定の値を示す（Ｂ）。その後アルミニウムのエ
ツチングが終わりに近ずくにつれて上記化学式による体
積を１／３にする体積減少反応が少なくなるために、気
体体積が膨張してくるが、圧力を一定に保つために、バ
タフライ弁の開度が大きくなってくる（Ｃ）。それ以降
はエツチングが終了しているので体積変化が起こらず、
バタフライ弁の開度はある一定の値を示し安定する（Ｄ
）。
る終点検出方法を示す一実施例を説明するためのバタフ
ライ弁の開度波形図である。ＲＦが印加され、アルミニ
ウムのエツチングが開始される。この時ＲＦ印加による
、塩素ガスのラジカル生成（Ｃ］２→２ＣＩ’″）によ
る堆積膨張による圧力上昇が起こるため、圧力コントロ
ールのなめバタフライ弁の開度が大きく変化する（Ａ）
０次に塩素ラジカルによるアルミニウムのエツチングが
Ａ Ｉ ＋３ＣＩ’ −＋Ａ Ｉｃ １３ 丁の反応に
より安定して行われ圧力は安定し、バタフライ弁の開度
はある一定の値を示す（Ｂ）。その後アルミニウムのエ
ツチングが終わりに近ずくにつれて上記化学式による体
積を１／３にする体積減少反応が少なくなるために、気
体体積が膨張してくるが、圧力を一定に保つために、バ
タフライ弁の開度が大きくなってくる（Ｃ）。それ以降
はエツチングが終了しているので体積変化が起こらず、
バタフライ弁の開度はある一定の値を示し安定する（Ｄ
）。
このとき、エツチングの終わりごろのバタフライ弁の開
度の変化（Ｃ）の傾きと、その後のバタフライ弁の開度
（Ｄ）の安定性に対し、ある一定の判断規準を設定し、
エツチングの終点を検出できる。
度の変化（Ｃ）の傾きと、その後のバタフライ弁の開度
（Ｄ）の安定性に対し、ある一定の判断規準を設定し、
エツチングの終点を検出できる。
以上説明したように、本発明によるアルミニウム膜のＲ
ＩＥにおける終点検出方法は、エツチング圧力をコント
ロールするためのバタフライ弁の開度の変化を監視する
ことにより終点を検出するなめ、エツチング処理を重ね
て、反応生成物がチャンバー内、窓に堆積しても何ら悪
影響を受けることなく、同一の判断基準により、安定し
た終点検出が行えるため、エツチングチャンバーの洗浄
頻度を飛躍的に少なくできるという効果を有する。
ＩＥにおける終点検出方法は、エツチング圧力をコント
ロールするためのバタフライ弁の開度の変化を監視する
ことにより終点を検出するなめ、エツチング処理を重ね
て、反応生成物がチャンバー内、窓に堆積しても何ら悪
影響を受けることなく、同一の判断基準により、安定し
た終点検出が行えるため、エツチングチャンバーの洗浄
頻度を飛躍的に少なくできるという効果を有する。
第１図は本発明のアルミニウム膜のＲＩＥにおける終点
検出方法の一実施例を説明するためのバタフライ弁の開
度波形図、第２図は従来のアルミニウム膜のＲＩＥにお
ける終点検出方法の一例を説明するためのエミッション
波形図である。 Ａ・・・エツチング開始領域、Ｂ・・・エツチング継続
安定領域、Ｃ・・・エツチング終了前変化領域、Ｄ・・
・エツチング終了安定領域。
検出方法の一実施例を説明するためのバタフライ弁の開
度波形図、第２図は従来のアルミニウム膜のＲＩＥにお
ける終点検出方法の一例を説明するためのエミッション
波形図である。 Ａ・・・エツチング開始領域、Ｂ・・・エツチング継続
安定領域、Ｃ・・・エツチング終了前変化領域、Ｄ・・
・エツチング終了安定領域。
Claims (1)
- アルミニウム膜のＲＩＥにおける終点検出工程を有す
る半導体装置の製造方法において、エッチング圧力をコ
ントロールするためのバタフライ弁の開度の変化を監視
することにより終点を検出することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27175890A JPH04147620A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27175890A JPH04147620A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147620A true JPH04147620A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17504431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27175890A Pending JPH04147620A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130708A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | エッチング終点検出機構 |
| CN102339773A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法 |
| JP2014093497A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、その圧力制御方法及びエッチング方法 |
| JP2020035949A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | エイブリック株式会社 | 半導体プラズマ処理装置のクリーニング終点検出方法およびチャンバクリーニング方法 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP27175890A patent/JPH04147620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130708A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | エッチング終点検出機構 |
| CN102339773A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法 |
| JP2014093497A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、その圧力制御方法及びエッチング方法 |
| JP2020035949A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | エイブリック株式会社 | 半導体プラズマ処理装置のクリーニング終点検出方法およびチャンバクリーニング方法 |
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