JP4673457B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,プラズマ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来,気密な処理室内に被処理体,例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)の載置台を兼ねた下部電極と,接地された上部電極とを対向配置したプラズマエッチング装置が提案されている。当該装置では,まず下部電極上にウェハを載置した後,処理室内に所定の処理ガスを導入すると共に,処理室内を真空引きして所定の減圧雰囲気に維持する。次いで,下部電極に高周波電力を印加することにより,処理ガスを解離させてプラズマを生成し,該プラズマにより,例えばウェハの被処理面に形成されたSiO2膜層にエッチング処理を施し,所定のコンタクトホールを形成している。
【0003】
また,上記SiO2膜層にコンタクトホールを形成する場合には,処理ガスとして少なくともCF(フルオロカーボン)系ガスとO2を含むガス,例えばC4F8とCOとArとO2との混合ガスが用いられている。C4F8は,解離するとF*(フッ素ラジカル)やCF*(フルオロカーボンラジカル)などのラジカル,イオンおよび電子が生じ,その中のラジカルとイオンの競合反応によってSiO2膜層がエッチングされる。また,C4F8は,カーボン(C)を含むガスであるため,処理時にはカーボンやCF系化合物など反応生成物が生成される。従って,その反応生成物がSiO2膜層上に形成されたフォトレジスト膜層,特にエッチングパターン開口部の肩部に付着,堆積すると,上記反応生成物によって肩部がイオンの衝突から保護されるために,パターンの開口部が広がらず,所定の狭小なコンタクトホールが形成される。
【0004】
また,上記O2は,エッチストップの発生を抑制するために処理ガスに添加されている。すなわち,O2を処理ガスに添加すると,少なくとも上記反応生成物を除去する作用があることが経験的に見出されており,そのO2を処理ガスに適量添加すれば,コンタクトホールの底部への上記反応生成物の堆積が軽減され,エッチストップの発生を防止することができる。ただし,O2を処理ガスに過剰に添加すると,コンタクトホール底部に堆積した反応生成物のみ成らず,フォトレジスト膜層に堆積した反応生成物も除去されてしまい,上記肩部がエッチングされてパターンの開口径が広がってしまう。従って,上記処理ガスには,エッチストップの発生を防止し,かつフォトレジスト膜層の肩部の削れ量が比較的少量になるように,例えばC4F8とCOとArの流量がそれぞれ10sccmと50sccmと200sccmである場合には,5sccmのO2を常時添加して,エッチング処理を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,最近の半導体素子の超微細化および超高集積化傾向に伴って,コンタクトホールの深さに対して内径が相対的に小さい,いわゆる高アスペクト比のコンタクトホールを形成する場合に,上述の如く処理ガスにO2を添加しても,エッチストップが発生することがある。また,そのエッチストップを解消するべく,O2の添加量を増加させると,上述の如くフォトレジスト膜層およびその肩部が削られてしまい,コンタクトホールの内径が広がっていわゆるCDロス(critical dimension loss)が生じたり,SiO2膜層を必要量エッチングする前にフォトレジスト膜層が全てなくなってしまうために,狭小なコンタクトホールを形成することができない。
【0006】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,その目的は,マスクパターンに損傷を与えることなく,エッチストップの発生を防止し,高アスペクト比のコンタクトホールを形成することが可能な新規かつ改良されたプラズマ処理方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明の第1の観点によれば,処理室内に導入された少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,処理ガスには,酸素が間欠的に添加されることを特徴とする,プラズマ処理方法が提供される。
【0008】
かかる構成によれば,酸素を処理ガスに間欠的に添加するので,例えば,SiO2膜層に対してプラズマエッチング処理を施してコンタクトホールを形成する際に,エッチストップの発生を防止できる量のO2を処理ガスに添加しても,SiO2膜層上に形成されたフォトレジスト膜層およびその肩部が損傷し難くなる。例えばC4F8を含む処理ガスでエッチング処理を行う場合には,O2の添加時にエッチストップの発生を防止するために上記従来のエッチング方法よりも多くのO2を添加しても,O2の無添加時にフォトレジスト膜層に反応生成物を堆積させることができるため,該フォトレジスト膜層およびその肩部を保護できる。その結果,フォトレジスト膜層に形成されたパターンの開口径が広がらず,かつエッチストップが起こらないので,高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができる。
【0009】
また,酸素を,周期的(パルス的)に処理ガスに添加すれば,上記エッチストップの発生の防止と,反応生成物の堆積をより確実に行うことができると共に,O2の添加制御を容易に行うことができる。
【0010】
さらに,酸素の添加時間を,酸素の無添加時間よりも相対的に短くすれば,O2の全導入量(投入量)を従来のような連続導入の場合の全導入量以下にしても,フォトレジスト膜層およびその肩部の損傷を最小限に止めながらエッチストップの発生を防止することができる。
【0011】
また,酸化シリコン膜層にコンタクトホールを形成する処理においては,エッチストップはアスペクト比の増加に比例して起こりやすくなる。そこで,プラズマ処理によって酸化シリコン膜層にコンタクトホールを形成する場合に,酸素の添加量をコンタクトホールのアスペクト比の増加に応じて増加させれば,エッチングの進行に伴ってアスペクト比が大きくなっても,エッチストップの発生を確実に防止できる。また,アスペクト比が小さい処理初期には,O2の添加量を少なくできるので,フォトレジスト膜層の損傷を防止できる。なお,本明細書中において,アスペクト比とは,コンタクトホールの内径(幅)aと深さ(高さ)bとの比(b/a)をいう。
【0012】
さらに,アスペクト比の変化とプラズマの成分変化との関係を予め求め,プラズマの成分変化に応じて酸素の添加量を調整することができる。アスペクト比の変化は,処理中には測定することが困難であるが,本発明を採用すればアスペクト比の変化に対応するプラズマの成分変化に基づいてO2の添加量を調整できるので,上記アスペクト比の変化に応じたO2の添加量調整を容易かつ確実に行うことができる。
【0013】
また,一般に,O 2 をプラズマ安定化後から添加しても,上記エッチストップは,エッチングがある程度進行した後に起こるので,処理に影響を及ぼすことがない。
【0014】
また,本発明の第2の観点によれば,処理室内に導入された少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,処理ガスには,酸素が添加されると共に,酸素の添加量を相対的に増減させることを特徴とする,プラズマ処理方法が提供される。
【0015】
かかる構成によれば,処理ガスに添加するO2の添加量を相対的に増減させるので,そのO2の添加量が相対的に多いときにエッチストップの発生を防止し,またO2の添加量が相対的に少ないときにフォトレジスト膜層に反応生成物を堆積させて,そのフォトレジスト膜層を保護することができるため,高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができる。
【0016】
また,酸素の添加量の増減を,周期的に行えば,エッチストップの発生の防止と,フォトレジスト膜層の保護を確実に行うことができると共に,O2の添加量制御を容易に行うことができる。
【0017】
さらに,酸素の添加量の増加時間を,酸素の添加量の減少時間よりも相対的に短くすれば,フォトレジスト膜層の損傷を最小限に止めながら,エッチストップの発生を防止することができる。
【0018】
また,プラズマ処理によって酸化シリコン膜層にコンタクトホールを形成する場合に,酸素の添加量を,コンタクトホールのアスペクト比の増加に応じて増加させれば,処理に伴ってアスペクト比が大きくなっても,フォトレジスト膜を損傷させずにエッチストップの発生を確実に防止できる。
【0019】
さらに,アスペクト比の変化とプラズマの成分変化との関係を予め求め,プラズマの成分変化に応じて酸素の添加量を調整すれば,上記アスペクト比に応じたO2の添加量調整を容易かつ確実に行うことができる。
【0020】
また,添加量の増減を,プラズマの安定化後に行えば,プラズマを確実に生成することができると共に,プラズマの不安定性に起因するプロセスへの悪影響を生じさせることなく,エッチストップの発生を確実に防止することができる。
【0021】
また,本発明の第3の観点によれば,処理室内に導入された少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,処理ガスには,酸素が添加されると共に,酸素の添加量は,酸化シリコン膜層に形成されたコンタクトホールのアスペクト比の増加に応じて増加されることを特徴とする,プラズマ処理方法が提供される。
【0022】
かかる構成によれば,アスペクト比の増加に応じてO2の添加量が増加され,コンタクトホール底部に導入されるO2量を増やすことができるので,アスペクト比の増加に伴うエッチストップの発生を確実に防止できる。また,アスペクト比が小さい時にはO2の添加量が少なく,さらにO2の全投入量を従来よりも少なくできるので,フォトレジスト膜層およびその肩部の損傷を防止できる。
【0023】
また,アスペクト比の変化とプラズマの成分変化との関係を予め求め,プラズマの成分変化に応じて酸素の添加量を調整すれば,アスペクト比の増加に応じたO2の添加量調整を容易かつ確実に行うことができる。
【0024】
また,酸素の添加量を,連続的に増加させたり,段階的に増加させれば,アスペクト比の増加に応じて所望の状態でO2を処理ガスに添加することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下に,添付図面を参照しながら本発明にかかるプラズマ処理方法をエッチング方法に適用した実施の形態について説明する。
【0026】
(第1の実施の形態)
(1)エッチング装置の全体構成
まず,図1を参照しながら,第1の実施の形態のエッチング方法が適用されるエッチング装置100について説明する。同図に示すエッチング装置100の処理室102は,導電性の気密な処理容器104内に形成されており,この処理室102内には,ウェハWの載置台を兼ねた導電性の下部電極106が配置されている。また,下部電極106上には,ウェハWを吸着保持する静電チャック108が設けられており,この静電チャック108には,高圧直流電圧を出力する高圧直流電源110が接続されている。さらに,下部電極106上には,静電チャック108上に載置されたウェハWの周囲を囲むようにフォーカスリング112が設けられている。
【0027】
また,下部電極106には,その周囲を囲むようにバッフル板114が取り付けられており,このバッフル板114に形成された複数の貫通孔114aを介して処理室102と,処理容器104内下方に接続されている排気管116とが連通している。さらに,排気管116には,不図示の真空ポンプが接続されている。また,下部電極106には,整合器118を介して高周波電力を出力する高周波電源120が接続されている。さらに,処理容器102の外部には,処理室102内に磁界を形成する磁石122が設けられている。
【0028】
また,下部電極106の載置面に対向する処理室102の天井部には,導電性の上部電極124が配置されており,図示の例では,処理容器104を介して接地されている。さらに,上部電極124には,多数のガス吐出孔124aが形成されており,それらガス吐出孔124aは,第1ガス供給管126と第2ガス供給管128に接続されたガス拡散室130と連通している。また,第1ガス供給管126には,第1開閉バルブ132および第1流量調整バルブ(マスフローコントローラ)134を介して第1ガス供給源136と,第2開閉バルブ138および第2流量調整バルブ140を介して第2ガス供給源142と,第3開閉バルブ144および第3流量調整バルブ146を介して第3ガス供給源148がそれぞれ接続されている。さらに,図示の例では,第1ガス供給源136からはC4F8が供給され,第2ガス供給源142からはCOが供給され,第3ガス供給源148からはArが供給される。
【0029】
また,第2ガス供給管128には,第4開閉バルブ150および第4流量調整バルブ152を介して,O2を供給する第4ガス供給源154が接続されている。さらに,第1〜第4流量調整バルブ134,140,146,152には,上記各ガスの流量を制御する制御器156が接続されている。
【0030】
(2)O2の添加によるエッチストップの解消現象
次に,図2を参照しながら,処理ガスへのO2の添加によってエッチストップが起こらなくなる現象について説明する。発明者らの知見によれば,O2の添加によってエッチストップが解消される理由としては,主に以下の2つの説が考えられる。
【0031】
(a)第1説
例えば,O2が添加されていないC4F8とCOとArの混合ガスを用いて,図2(a)に示すように,Si(シリコン)基板200上に形成されたSiO2膜層202に対してエッチング処理を施し,コンタクトホール204を形成する。この際,正イオン(I+)は,シースにより加速され,コンタクトホール204内に入るが,電子(e-)は等方的に入射するため,コンタクトホール204のホール径(内径)が小さくなると,コンタクトホール204内に入るものと入らないものとが生じ,コンタクトホール204内の下部側壁が正(プラス)の電荷に帯電する。
【0032】
正電荷のチャージ量がある程度以上になると,イオンがコンタクトホール204内に入り込めなくなり,そのイオンがコンタクトホール204底面に到達しなくなる。その結果,ラジカルとイオンのバランスが崩れてしまい,エッチストップが生じる。ただし,アスペクト比が小さい場合は,ほとんど正電荷に帯電しないのでラジカルとイオンのバランスも崩れず,エッチストップは生じない。これに対して,アスペクト比が大きい場合は,上述の如くイオンがコンタクトホール204底部に到達できず,イオンとラジカルの比が変わり,エッチストップが生じる。
【0033】
そこで,上記処理ガスにO2を添加すると,O2が解離してO*(酸素ラジカル)および負イオンが生じ,このOの負イオンがコンタクトホール204内に侵入すると,Oの負イオンやO*の作用によって上記正電荷の帯電が解消する。従って,内径が略0.18μm以下のような非常に狭小なコンタクトホール204を形成する場合でも,イオンがコンタクトホール204底部に到達する。そして,イオンとCxFyラジカルとSiO2とが適度なバランスで反応して,コンタクトホール204底部のSiO2膜層202が適度にエッチングされ,エッチストップの発生が防がれる。
【0034】
(b)第2説
堆積種は,入射の立体角が大きく,図2(b)に示すように,コンタクトホール204内の側壁上部に堆積しやすく,CFxポリマー(堆積物)210が形成される。さらに,このCFxポリマー210にイオン(I+)が衝突し,C/F比の高い成分がコンタクトホール204内下方にスパッタリングされていく。つまり,CFxポリマー210がスパッタと再堆積を繰り返し,Cリッチな堆積物(反応生成物)212が形成される。そして,この堆積物212は,微細コンタクトホール204でのSiO2膜層202のエッチング速度低下の主な原因となる。従って,かかる原因を踏まえて,コンタクトホール204側壁を垂直に形成することが重要となる。
【0035】
そこで,処理ガスにO2を添加すれば,上述の如くO2が解離して生成されるO*と,コンタクトホール204底部の堆積物212とが反応し,例えばCO,CO2,COFxなどとなってコンタクトホール204の外部に排出される。その結果,コンタクトホール204底部に堆積していた難エッチング性の堆積物212が除去されるため,イオン210とラジカルとの比のエッチングバランスが適切になり,エッチストップの発生を防止することができる。
【0036】
以上説明したように,いずれの説を採用するにせよ,処理ガスへO2を添加することによりエッチストップを防止できる。しかしながら,上記エッチストップの発生を確実に防止するためには,コンタクトホール204のアスペクト比が大きくなる(狭小化)に伴って,O2の添加量を増加させなければならないが,上述した従来のエッチング方法のように,O2を処理ガスに常時一定量添加したのでは,SiO2膜層202上に形成されているフォトレジスト膜層206およびその肩部もエッチングされてしまう。そこで,本実施の形態は,後述の如く所定の間隔でO2の添加および無添加を交互に切り替えながら処理ガスにO2を添加することで,エッチストップの発生を確実に防止できる量のO2を処理ガスに添加して,フォトレジスト膜層206およびその肩部が損傷することなく,高アスペクト比のコンタクトホール204を形成する。
【0037】
(3)エッチング工程およびO2の添加量制御構成
次に,図1〜図3を参照しながら,エッチング工程およびO2の添加量(流量)制御構成について説明する。
まず,図1に示すように,ウェハWを,例えば20℃に設定された下部電極106の静電チャック108上に載置して吸着保持する。このウェハWは,図2に示すように,Si基板200上にSiO2膜層202が形成されていると共に,そのSiO2膜層202の上面が所定のパターンが形成されたフォトレジスト膜層206によって覆われている。また,図1に示す処理室102の内壁面および上部電極124の温度は,例えば60℃に設定されている。
【0038】
次いで,制御器156により第1〜第3流量調整バルブ134,140,146を適宜調整して,例えばC4F8とCOとArから成る混合ガスをそれぞれ10sccmと50sccmと200sccmの流量で処理室102内に導入する。この際,第4流量調整バルブ152は閉じられており,O2の供給は停止されている。また,処理室102内は,バッフル板114の貫通孔114aと排気管116を介して真空引きされ,例えば40mTorrの圧力に維持されている。その後,下部電極106に対して,例えば13.56MHzで1700Wの高周波電力を印加すると,上部電極124と下部電極106との間にプラズマが生成され,該プラズマ中のイオンやラジカルによってSiO2膜層202に所定のエッチング処理が施される。
【0039】
また,上記プラズマの生成状態は,例えばプラズマの発光スペクトルを検出するセンサによって監視されており,このセンサからの情報が制御器156に伝達されている。そして,制御器156は,プラズマが安定化し,SiO2膜層202に安定したエッチング処理が施されていると判断すると,所定のパルス電圧を第4流量調整バルブ152に印加する。第4流量調整バルブ152は,上記パルス電圧のオンの時にはバルブを開放して,O2をガス拡散室130内に供給し,上記パルス電圧のオフの時には,バルブを閉じてO2の供給を停止する。その結果,O2は,図3に示すように,上記パルス電圧のオン,オフに同期してガス拡散室130内に滞在する処理ガスに添加され,該処理ガスがガス吐出孔124aを介して,処理室102内に供給される。
【0040】
また,O2の添加時の最大流量は,上記従来のエッチング方法でのO2の流量よりも多く設定され,本実施の形態では,例えば10sccmに設定されている。さらに,1周期当たりのO2の添加時間は,数m秒〜数10m秒,例えば5m秒〜10m秒に設定され,またO2の無添加時間は,そのO2の添加時間よりも長く設定されている。従って,O2の添加時間が無添加時間に比べて非常に少ないので,常時O2を添加したならばフォトレジスト膜層206が削られてしまう量のO2を処理ガスに添加しても,フォトレジスト膜層206にCF系化合物などの反応生成物(保護膜)を形成することができ,損傷されやすいフォトレジスト膜層206の肩部が削られることがない。さらに,O2の全導入量は,従来の連続導入の場合の全導入量以下なので,上記損傷の発生を確実に防止できる。
【0041】
本実施の形態は,以上のように構成されており,処理ガスに添加するO2の添加および無添加を所定周期で切り替えるので,フォトレジスト膜層206に形成されているパターンを初期の状態に維持しながら,コンタクトホール204内部側壁部のチャージ現象を防止し,かつコンタクトホール底部204への反応生成物(堆積物)208,212の堆積を抑制して,エッチストップの発生を防止することができる。
【0042】
(第2の実施の形態)
次に,第2の実施の形態のエッチング方法について説明する。なお,本実施の形態を適用可能なエッチング装置は,上記第1の実施の形態で説明したエッチング装置100と同一なので,略同一の機能および構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。ただし,上記第1の実施の形態では,O2を処理ガスに断続的に添加するのに対して,本実施の形態では,O2の添加量を相対的に増減させることを特徴としている。
【0043】
すなわち,本実施の形態では,プラズマ生成前の処理室102内に,C4F8とCOとArから成る混合ガスを,それぞれ例えば10sccmと50sccmと200sccmの流量で導入すると共に,例えば流量が5sccmのO2も同時に導入する。この際,それら各ガスの流量は,上記第1の実施の形態と同様に,制御器156から第1〜第4流量調整バルブ134,140,146,152に印加する電圧によって調整されている。なお,本実施の形態の場合には,プラズマ生成前からO2を処理ガスに添加しているが,O2の添加量は微量なのでプラズマの生成やフォトレジスト膜層206に影響を及ぼすことはない。
【0044】
次いで,下部電極106に対して所定の高周波電力を印加し,処理室102内にプラズマを生成する。そして,制御器156は,上記第1の実施の形態と同様に,プラズマが安定化したことを確認すると,制御器156から第4流量調整バルブ152の開度を調整して,ガス拡散室130内に導入されるO2の流量,すなわち図4に示すように処理ガスへのO2の添加量を増減する。本実施の形態の場合には,O2の流量は5sccmと10sccmとの間で増減を反復するように構成されている。なお,本実施の形態においては,ガス拡散室130内に高い流量,例えば10sccmでO2を供給する時間は,数m秒〜数10m秒,例えば5m秒〜10m秒に設定されている。これに対して,ガス拡散室130内に低い流量,例えば5sccmでO2を供給する時間は,高い流量でO2を供給する時間よりも長く設定されている。
【0045】
本実施の形態は,以上のように構成されており,処理ガスに添加するO2の添加量を所定周期で増減させるので,O2が処理ガス中に常時多く含まれることがない。その結果,フォトレジスト膜層206に形成されたパターンを初期の状態に維持しながら,エッチストップが発生することなく,所定の高アスペクト比のコンタクトホール204を形成することができる。また,O2をプラズマ生成前後を通して処理ガスに添加するので,従来の処理プロセスと略同一の条件で処理を行うことができる。さらに,処理中には,O2が処理ガスに常時添加されるので,エッチストップの発生をより確実に防止することができる。
【0046】
(第3の実施の形態)
次に,第3の実施の形態のエッチング方法について説明する。なお,本実施の形態は,コンタクトホール204のアスペクト比の変化に対応するプラズマの成分変化に応じてO2の添加量を調整する点が,上記第1および第2の実施の形態と異なる。
【0047】
(1)エッチング装置の全体構成
まず,図5を参照しながら,本実施の形態のエッチング方法が適用されるエッチング装置300について説明する。なお,上述したエッチング装置100と略同一の機能および構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図5に示すエッチング装置300の制御器156には,例えば赤外レーザ吸収分光法(IR−LAS)により処理室102内のプラズマの成分変化を測定する分析器302が接続されている。この分析器302は,不図示の光源から出力され,処理室102内に生成されたプラズマ中を通過した赤外レーザ光が,処理室102側壁に設けられた光透過性の検出窓304と,磁石122に設けられた貫通口306とを介して分光器302の受光部に入力されるように配置されている。
【0048】
(2)コンタクトホールのアスペクト比の変化とプラズマの成分変化との関係
次に,図6および図7を参照しながら,コンタクトホール204のアスペクト比の変化とプラズマの成分変化との関係について説明する。
O2が添加されていないC4F8とCOとArから成る処理ガスを用いてウェハWのSiO2膜層202にエッチング処理を行うと,図6(a)に示すように,所定のエッチング時間経過後,すなわちSiO2膜層202に形成されるコンタクトホール204のアスペクト比が所定の大きさ以上になるとエッチングレートが低下し,最終的にはエッチングが進行しなくなる。
【0049】
この際,図6に示すように,実質的に一定のエッチングレートが確保される区間(A)には,SiO2膜層202に図7(a)に示すいわゆるμトレンチのコンタクトホール204が形成される。エッチングが進行し,エッチングレートが低下する区間(B)には,SiO2膜層202のエッチング状態が不安定となって,図7(b)に示すようにコンタクトホール204の底部が凸凹形状になる。さらに,エッチングレートが実質的に0になる区間(C)には,図7(c)に示すようにコンタクトホール204底部に上述した反応生成物208や堆積物212(以下,「反応生成物等208,212」という。)が堆積し,かつコンタクトホール204内部側壁部のチャージ現象によりエッチストップが起こる。
【0050】
次に,エッチング時間(アスペクト比)とコンタクトホール204底部の反応生成物等208,212の堆積量との関係について着目すると,図6(b)に示すように,反応生成物等208,212は,エッチング初期の段階,すなわちアスペクト比が小さい段階からコンタクトホール204底部に堆積するが,区間(A)内での堆積量であれば図7(a)に示すように所定のエッチングが行われる。また,反応生成物等208,212が区間(B)内の堆積量になると,図7(b)に示すようにエッチングに影響を及ぼす。さらに,区間(C)内の堆積量,すなわち区間(B)と区間(C)との境のエッチストップ境界量以上になると,図7(c)に示すようにエッチストップを引き起こす。
【0051】
このように,アスペクト比(エッチング時間)の増加と,エッチングレート,エッチング形状およびコンタクトホール204底部の反応生成物等208,212の堆積量とは,密接な関係にある。従って,アスペクト比の増加に応じてO2の添加量を増加させれば,エッチストップの発生を防止できるだけではなく,所望のエッチングレートおよびエッチング形状を得ることができる。また,アスペクト比が小さい処理初期には,O2の添加量を少なくできるので,フォトレジスト膜層206およびパターン肩部の損傷を最小限に止めることができる。さらに,O2の全導入量(投入量)は,従来のような連続導入の場合の全導入量以下にできるので,上記フォトレジスト膜層206の肩部の削れを確実に防止できる。また,処理初期でO2の添加量を少なくした分だけ,その後にO2を上記よりもさらに多く添加することができるので,エッチストップの発生を確実に防止できる。
【0052】
ただし,エッチング処理中には,実際のコンタクトホール204のアスペクト比を測定することは非常に困難である。そこで,本実施の形態では,アスペクト比の増加に対応して変化するプラズマの成分変化に基づいてO2の添加量を調整する。ここで,アスペクト比の増加とプラズマの成分変化との関係について説明すると,図6(c)に示すように,上述した所定のエッチングが行われる区間(A)内では,プラズマ中のエッチャントであるCF,CF2およびCF3の総含有量(以下,「CF類総含有量」という。)は,一定である。また,SiO2膜層202のエッチングにより生じた副生成物(バイプロダクト)の1つであるSiF2の含有量も一定である。また,エッチングが進行し難くなる区間(B)内では,CF類総含有量が増加すると共に,SiF2の含有量が減少する。さらに,実質的にエッチングが進行しない区間(C)内では,CF類総含有量は一定となり,SiF2の含有量はほぼゼロになる。
【0053】
このように,コンタクトホール204のアスペクト比およびエッチング形状の変化と,処理室102内のプラズマ中のCF類総含有量およびSiF2の含有量の変化とは,相関関係にあるので,実際の処理時には上記プラズマの成分変化を測定し,該成分変化に応じて処理ガスに添加するO2の添加量を調整すれば,アスペクト比およびエッチング形状に応じてO2の添加量を調整した場合とほぼ同様の制御を行うことができる。
【0054】
(3)エッチング工程およびO2の添加量制御構成
次に,図5,図6(c)および図8を参照しながら,エッチング工程およびO2の添加量制御構成について説明する。なお,上記第1の実施の形態と同一の工程については,重複説明を省略する。
分析器302には,不図示の光源から出力された赤外レーザ光が入力されており,エッチング処理の開始により処理室102内にプラズマが生成されると,上記赤外レーザ光がプラズマ中を通過する。分析器302は,プラズマ中を通過した赤外レーザ光から赤外レーザ吸収分光法によりプラズマに含まれる成分のうち,上述したCF,CF2およびCF3の各含有量と,SiF2の含有量を求め,それら各含有量情報を制御器156に出力する。
【0055】
また,制御器156には,図6(c)に示すアスペクト比の増加に応じたプラズマ中のCF類総含有量およびSiF2の含有量の変化情報が予め設定されている。従って,制御器156は,分析器302から入力されたCF,CF2,CF3の総含有量(CF類総含有量)およびSiF2の含有量の変化時,すなわちCF類総含有量が増加し,SiF2の含有量が減少する時にO2の流量を調整する。かかる構成により,図8に示すように,実質的にコンタクトホール204のアスペクト比の増加に応じてO2の添加量が連続的に増加され,コンタクトホール204底部へのO2の導入量が増加されるので,フォトレジスト膜層206およびその肩部が損傷せずにエッチストップが発生することなく,高アスペクト比のコンタクトホール204を形成することができる。
【0056】
以上,本発明の好適な実施の形態について,添付図面を参照しながら説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において,当業者であれば,各種の変更例および修正例に想到し得るものであり,それら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0057】
例えば,上記第1および第2の実施の形態において,所定の周期ごとに一定量のO2を間欠的に,あるは増減させながら処理ガスに添加する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではない。例えば,上記第3の実施の形態と同様にアスペクト比の増加,すなわちプラズマの成分変化に応じてO2の添加量を増加させながら,図9に示すようにO2を間欠的(パルス的)に添加したり,あるいは図10に示すようにO2をパルス的に増減させて添加したり,図11に示すようにO2を曲線的に増減させて添加すれば,上記第3の実施の形態と同様の効果を奏することができる。さらに,上記プラズマの成分変化に応じて,図13に示すようにO2の添加量を連続的かつ直線的に増加させても,上記と同様の効果を奏することができる。
【0058】
また,上記第3の実施の形態において,O2の添加量を連続的に増加させる構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,例えば図12に示すように,プラズマの成分変化に応じてO2の添加量を段階(多段階)的に増加させる構成を採用しても同様の効果を奏することができる。
【0059】
さらに,上記第3の実施の形態において,プラズマの成分変化に基づいてO2の添加量を調整する構成を例に挙げて説明したが,O2以外の処理ガスの流量や,処理室内の圧力や,電極に印加する高周波電力や,電極や処理室内壁の温度などもプラズマの成分変化に応じて調整することができる。
【0060】
また,上記第3の実施の形態において,プラズマの成分変化を赤外レーザ吸収分析法により測定する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,例えばレーザ誘起蛍光法(LIF)や,発光分光法(OES)や,四重極質量分析法などによりプラズマ成分の含有量を求めても,本発明を実施することができる,さらに,プラズマの電位や温度の変化に基づいてO2の添加量を調整することもできる。
【0061】
さらに,上記第3の実施の形態において,実測したプラズマの成分変化に応じてO2の添加量を調整する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,コンタクトホールのアスペクト比の増加とエッチング時間との関係を予め求めておき,該エッチング時間の経過に応じてO2の添加量を増加させる構成を採用しても本発明を実施することができる。
【0062】
また,上記第1〜第3の実施の形態において,処理ガスとしてC4F8とCOとArの混合ガスにO2を添加する構成を例に挙げ説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスであれば,他の処理ガスを採用しても本発明を実施することができる。
【0063】
さらに,上記第1〜第3の実施の形態において,O2とその他の処理ガスをガス拡散室に導入した後,ガス吐出孔を介して処理室内に供給する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,O2を処理室内に直接供給しても本発明を実施することができる。
【0064】
また,上記第1〜第3の実施の形態において,O2の流量(添加量)を,電圧で開度を調整する流量調整バルブで行う構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるのもではなく,O2の流量を適宜調整できれば,他の流量調整手段を用いても本発明を実施することができる。
【0065】
さらに,上記第1〜第3の実施の形態において,プラズマの状態を光学センサで検出する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,例えば予めプラズマが安定する時間を求めておき,実際の処理時にはその時間に基づいてO2の添加量制御を行う構成を採用しても本発明を実施することができる。
【0066】
また,上記第1〜第3の実施の形態において,下部電極のみに高周波電力を印加するエッチング装置を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,例えば上部電極と下部電極の両方や,上部電極のみに高周波電力を印加する構成を有するプラズマ処理装置にも本発明を適用することができる。また,本発明は,上記磁石を備えたエッチング装置のみならず,その様な磁石を備えていないプラズマ処理装置にも適用することができる。
【0067】
【発明の効果】
本発明によれば,O2を間欠的に処理ガスに添加しながら,あるいはO2の添加量を相対的に増減させながら処理を行うので,エッチングマスクの損傷を最小限に止めることができると共に,例えばコンタクトホール底部に堆積した反応生成物を除去し,コンタクトホール内壁面のチャージング現象の発生を防止して,エッチストップの発生を防止することができる。その結果,超微細な高アスペクト比のコンタクトホールを,所望の形状で形成することができる。また,アスペクト比の増加に応じてO2の添加量を増加させながら処理を行えるので,エッチストップの発生をより確実に防止でき,さらにO2の全投入量を削減できるのでエッチングマスクが損傷することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略的な断面図である。
【図2】(a)はO2の添加によるエッチストップの解消現象の第1説を説明するための概略的な説明図であり,(b)はO2の添加によるエッチストップの解消現象の第2説を説明するための概略的な説明図である。
【図3】図1に示すエッチング装置に適用されるO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図4】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図5】本発明を適用可能な他のエッチング装置を示す概略的な断面図である。
【図6】(a)はエッチング時間(コンタクトホールのアスペクト比)とエッチングレートとの関係を説明するための概略的な説明図であり,(b)はエッチング時間(コンタクトホールのアスペクト比)とコンタクトホール底部の反応生成物等の堆積量との関係を説明するための概略的な説明図であり,(c)はエッチング時間(コンタクトホールのアスペクト比)とプラズマ成分の含有量との関係を説明するための概略的な説明図である。
【図7】(a)は図6(a)〜図6(c)に示す区間(A)でのコンタクトホールの形状を示す概略的な断面図であり,(b)は図6(a)〜図6(c)に示す区間(B)でのコンタクトホールの形状を示す概略的な断面図であり,(c)は図6(a)〜図6(c)に示す区間(C)でのコンタクトホールの形状を示す概略的な断面図である。
【図8】図5に示すエッチング装置に適用されるO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図9】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図10】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図11】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図12】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【図13】他のO2の添加量の制御構成を説明するための概略的な説明図である。
【符号の説明】
100,300 エッチング装置
102 処理室
106 下部電極
124 上部電極
124a ガス吐出孔
126,128 第1および第2ガス供給管
130 ガス拡散室
134,140,146,152 第1〜第4流量調整バルブ
136,142,148,154 第1〜第4ガス供給源
156 制御器
202 SiO2膜層
204 コンタクトホール
206 フォトレジスト膜層
302 分析器
W ウェハ
Claims (6)
- 処理室内に導入された少なくとも、エッチング処理中一定量が継続的に供給されるフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対して前記エッチング処理を施すエッチング処理方法において,
前記処理ガスには,コンタクトホール底部への反応生成物の堆積を抑制するように、かつ前記酸化シリコン膜層上のフォトレジスト膜層の削れを防ぐように酸素が間欠的に添加され、
前記酸素の添加時間は,前記酸素の無添加時間よりも相対的に短いことを特徴とする,エッチング処理方法。 - 前記酸素は,周期的に前記処理ガスに添加されることを特徴とする,請求項1に記載のエッチング処理方法。
- 前記酸素の添加は,前記プラズマの安定化後に行われることを特徴とする,請求項1または2に記載のエッチング処理方法。
- 処理室内に導入された少なくとも、エッチング処理中一定量が継続的に供給されるフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してエッチング処理を施すエッチング方法において,前記処理ガスには,コンタクトホール底部への反応生成物の堆積を抑制するように、かつ前記酸化シリコン膜層上のフォトレジスト膜層の削れを防ぐように酸素が添加されると共に,フルオロカーボンのガスに対する前記酸素の添加量をエッチング処理中に相対的に増減させ、
前記酸素の添加量の増減は、周期的に反復され、各周期には一周期内の酸素の添加量の最大値である最高添加量と酸素の添加量の最小値である最低添加量との間で増減されることを特徴とする,エッチング処理方法。 - 前記酸素の添加量のうち、最高添加量の添加時間は、最低添加量の添加時間よりも相対的に短いことを特徴とする,請求項4に記載のエッチング処理方法。
- 前記添加量の増減は,前記プラズマの安定化後に行われることを特徴とする,請求項4又は請求項5のいずれかに記載のエッチング処理方法。
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