JPH0414454Y2 - - Google Patents

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JPH0414454Y2
JPH0414454Y2 JP5047686U JP5047686U JPH0414454Y2 JP H0414454 Y2 JPH0414454 Y2 JP H0414454Y2 JP 5047686 U JP5047686 U JP 5047686U JP 5047686 U JP5047686 U JP 5047686U JP H0414454 Y2 JPH0414454 Y2 JP H0414454Y2
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JP
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plating
lead frame
anode
liquid
blow
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JP5047686U
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案はICリードフレームに部分貴金属めつ
きを施す際用いられる部分めつき装置に関する。
〈従来技術〉 ICリードフレームは42合金(ニツケル42重量
%、残部鉄)、コバール(ニツケル29重量%、コ
バルト17重量%、残部鉄)、リン青銅のような高
熱伝導性、高強度を有する材料をプレス打抜き、
あるいはエツチングにて所定のパターンを形成さ
せた後、アイランド部(ICチツプを搭載する部
分)とインナーリード先端部(ワイヤーボンデイ
ングする箇所)にICチツプおよびワイヤーとの
接着性の向上、防食性の附与、拡散防止などの目
的で金、銀、パラジウム合金などの貴金属を部分
めつきするのが一般的である。
〈考案が解決しようとする問題点〉 従来、ICリードフレームへ部分めつきを施す
場合、第4図に示すようにリードフレーム4は上
部を上マスク2により覆われ、下部をめつきエリ
アに相当する部分を開孔部とした下マスク板3に
より覆われ、このめつきエリアの中央部(真下)
にめつき液の噴きあげ部5を位置させていた。す
なわち、噴きあげ部5とめつきエリアの中心部1
3が同じであつた。また、噴きあげ部5は陽極を
兼ねていた。以上の状況下でめつきタンクよりポ
ンプにて噴きあげ部5に送られためつき液は数
m/secの流速でリードフレーム4に衝突するが
噴きあげ部5の真上に位置する部分には強く当た
り、また陽極との距離も近いため拡散層が薄く液
抵抗も小さくなり電流効率が増すためリードフレ
ーム4のアイランド14の中央部の析出が増進さ
れてしまう結果となつていた。また、リードフレ
ーム4の真下からめつき液7が噴きあがるため液
の流れが一定方向でなく中央部よりやや外れた部
分では、戻るめつき液との衝突もあり、この箇所
では疲労した液(貴金属イオン濃度が低い)にて
析出が始まるため析出効率はかなり低下してい
た。
この結果、リードフレーム4のめつきエリアの
中心部(アイランド中央部)ではめつき被膜15
の厚さが大きく、その周辺では逆にめつき厚が小
さいという現象がおこり、リードフレーム4の1
ピース内での析出ムラが生じていた。また、第5
図に示すようにめつき液の戻りが悪い場合、リー
ドフレームのめつき被膜15の片側が厚く、逆側
が薄く析出してしまうという欠点もあつた。この
ことは、ICチツプをダイボンデイングする際あ
る一定のめつき厚み(たとえば金めつきの場合
2μ以上)が必要であるが、1ピース内に厚みム
ラがあるという事は、最小の厚みを基準値以上に
しなくてはならず、そのために中央部は必要最小
量の約1.5倍程度の析出がされ高価な貴金属を無
駄につけていた。
〈問題を解決するための手段〉 本考案の目的はこうした事情に鑑みてICリー
ドフレームに部分貴金属めつきを施す際、リード
フレームの1ピース内での厚みムラを小さくする
ための噴射方式の部分めつき装置を提供する事に
ある。具体的にいえばめつき液の流れをスムース
に行なうため、めつき液の噴きあげ部をリードフ
レームのめつきエリアの中心部より外れた下方に
位置させ、かつ該中心部を境にして前記噴きあげ
部の反対側に陽極を設置する事を特徴とする。
本考案の内容を第1図〜第3図を用いて説明す
る。
第1図は本考案による部分めつき装置の噴きあ
げ部の一実施例を示す概略説明図である。めつき
液を噴射するノズル状あるいはスリツト状の噴き
あげ部5はリードフレーム4のめつきエリアの中
心部よりどちらか片側に数mm〜数cmずらしたとこ
ろに位置させる。こうする事で噴きあげ部5より
噴射しためつき液7は下マスク板3の傾斜面にそ
つてリードフレームの端から衝突し、空間のある
反対側方向へスムーズに流れていく事になる。ま
た、陽極6は、噴きあげ部5より分離させ且つ噴
きあげ部5の反対側へ設置させる。このことは次
の事を意味する。すなわち、噴きあげ部5より勢
いよく噴きあがつためつき液7はまず、第1図の
リードフレーム4の左側に衝突する。このとき陽
極6は新しいめつき液7′(金属イオン濃度が高
い)よりかなり離れたところに位置している。次
にめつき液はリードフレーム4の表面にそつて右
側の方に移動する。この間に、めつき液よりリー
ドフレーム4の方に金属が析出する結果、金属イ
オン濃度がかなり低下した疲労した液7″となつ
ている。この液7″に対しては陽極6はかなり近
い位置を占めている。
すなわち、新液7′に対しては陽極が遠くにあ
り、金属イオン濃度が高くても液抵抗が大きく、
析出が抑えられ、また疲労液7″に対しては陽極
が近くにあるため金属イオン濃度が低くても液抵
抗は比較的小さく、析出も極端に下る事がないた
め、1ピース内でのめつき膜15厚のバラツキを
比較的小さく抑える事ができる。
本考案において陽極6の材質は不溶性の白金、
チタン、タンタル、ステンレス、白金めつきした
チタンから選ぶ事ができ、噴きあげ部5の材質は
陽極と同じもの(この場合は通電しない)でも良
く、また、不導体の耐熱塩ビ、ガラスクロス入り
エポキシ樹脂、FRPなどを選ぶ事ができる。
噴きあげ部5に対する陽極6の位置は噴きあげ
部が第2図aに示すようなスリツト状の場合で
も、第2図bに示すようなノズル状の場合でも、
その反対側に置けば良いが、噴きあげ部5に比べ
て中心部に近いところに陽極6を置くことは実際
的である。このようにすれば、陽極6がめつき液
の流れに対する障害物とならないし、リードフレ
ーム4の側面への貴金属の付着が少なくなる傾向
があるので都合が良い。
以上のような噴きあげ部5と陽極6を持つスパ
ージヤー8には第3図に示すようにヒーター11
と温調器12を有しためつきタンク10よりポン
プ9を介してめつき液が満たされ噴きあげ部5を
通りリードフレーム4へ衝突し、この間を通電す
る事で下マスク板3の開孔部に露呈したリードフ
レーム4の一部分のみにめつきされる事になる。
〈本考案の効果〉 前記したように、噴きあげ部5をリードフレー
ムのめつきエリアの中心線よりずらす事により、
めつき液の流れをスムーズにすることができ、さ
らに陽極6を噴きあげ部5とは反対側においたの
で、リードフレームのめつきエリアについて均等
な厚さに貴金属が析出するように働く。したがつ
て、リードフレームの1ピース内のめつき厚のバ
ラツキが、従来の半分以下の値の中に収まること
となつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案による部分めつき装置の噴き
あげ部分の一実施例を示す概略説明図であり、第
2図a及びbは、本考案による部分めつき装置の
陽極部分の一実施例を示す概略説明図であり、第
3図は、本考案による部分めつき装置の一実施例
を示す概略説明図であり、第4図は、従来の部分
めつき装置の噴きあげ部分の一例を示す概略説明
図であり、第5図は、従来の部分めつき装置の噴
きあげ部分の他の例を示す概略説明図である。 1……部分めつき装置、2……上マスク、3…
…下マスク板、4……リードルーム、5……噴き
あげ部、6……陽極、7……めつき液、8……ス
パージヤー、9……ポンプ、10……めつきタン
ク、11……ヒータ、12……温調器、13……
中心線、14……アイランド、15……めつき被
膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. めつき液の噴きあげ部5がリードフレーム4の
    めつきエリアの中心部より外れた下方に位置し、
    中心部を境にして前記噴きあげ部5の反対側に陽
    極6を設置する事を特徴とする部分めつき装置
    1。
JP5047686U 1986-04-04 1986-04-04 Expired JPH0414454Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5047686U JPH0414454Y2 (ja) 1986-04-04 1986-04-04

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5047686U JPH0414454Y2 (ja) 1986-04-04 1986-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62162263U JPS62162263U (ja) 1987-10-15
JPH0414454Y2 true JPH0414454Y2 (ja) 1992-03-31

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ID=30873877

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JP5047686U Expired JPH0414454Y2 (ja) 1986-04-04 1986-04-04

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4644528B2 (ja) * 2005-05-24 2011-03-02 新光電気工業株式会社 部分めっき装置及び部分めっき方法

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JPS62162263U (ja) 1987-10-15

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