JPH0414414B2 - - Google Patents
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- JPH0414414B2 JPH0414414B2 JP61140242A JP14024286A JPH0414414B2 JP H0414414 B2 JPH0414414 B2 JP H0414414B2 JP 61140242 A JP61140242 A JP 61140242A JP 14024286 A JP14024286 A JP 14024286A JP H0414414 B2 JPH0414414 B2 JP H0414414B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高密度磁気記録媒体として用いられ
る磁性薄膜を有する磁気記録媒体に関し、特に耐
摩耗性に優れた表面保護膜層を有する磁気記録媒
体に関するものである。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a magnetic recording medium having a magnetic thin film used as a high-density magnetic recording medium, and in particular to a magnetic recording medium having a surface protective film layer with excellent wear resistance. It's about the medium.
(従来の技術)
近年、磁気記録媒体に対して高密度化の要求が
ますます高くなり、連続薄膜媒体が注目されてい
る。前記連続薄膜媒体としてγ−Fe2O3系酸化物
フエライト膜媒体、Co−Ni系金属薄膜媒体等が
知られているが、これらのいわゆる面内磁化型媒
体にあつては、磁性膜の高保磁力化、高残留磁束
密度化ならびに磁性膜を薄層化することによつて
高密度記録が達成されている。(Prior Art) In recent years, there has been an increasing demand for higher density magnetic recording media, and continuous thin film media are attracting attention. As the continuous thin film media, γ-Fe 2 O 3 based oxide ferrite film media, Co-Ni based metal thin film media, etc. are known, but these so-called in-plane magnetization type media have a high retention capacity of the magnetic film. High-density recording has been achieved by increasing the magnetic force, increasing the residual magnetic flux density, and making the magnetic film thinner.
上記面内磁化型媒体に対して、Co−Crなどの
垂直磁化型金属薄膜媒体は、より高密度化が可能
な媒体として注目されている。このような連続薄
膜媒体にあつては潤滑層あるいは保護膜と潤滑層
が磁性膜表面に形成されていることが、媒体の耐
久性を確保する点で不可欠である。 In contrast to the above-mentioned in-plane magnetization type media, perpendicular magnetization type metal thin film media such as Co-Cr are attracting attention as media that can achieve higher density. In such a continuous thin film medium, it is essential to form a lubricating layer or a protective film and a lubricating layer on the surface of the magnetic film in order to ensure the durability of the medium.
潤滑層としてはフツ素系あるいはシリコン系オ
イル、さらに炭素膜などの固体潤滑層が実用され
ている。また保護膜としてはSiO2、Al2O3、
AlN、TiN、SiCなどの金属あるいは半金属の酸
化物、窒化物、炭化物などが知られている。特に
可撓性高分子基板上に磁性膜と前記保護膜が形成
されている媒体にあつては、ハードデイスクと異
なり使用時にヘツドと媒体が摺動状態にあるため
必要な耐久性を保持することは極めて難しい。 As the lubricating layer, fluorine-based or silicone-based oils, as well as solid lubricating layers such as carbon films, are in practical use. In addition, as a protective film, SiO 2 , Al 2 O 3 ,
Oxides, nitrides, and carbides of metals or metalloids such as AlN, TiN, and SiC are known. In particular, for media in which a magnetic film and the above-mentioned protective film are formed on a flexible polymer substrate, unlike hard disks, the head and the medium are in a sliding state during use, so it is difficult to maintain the necessary durability. Extremely difficult.
一方、前記Co−Crなどの垂直磁化型媒体にあ
つては極めて高い記録密度が要求されるため、ヘ
ツド−媒体間の空隙は出来る限り小さくする必要
があり、保護膜層の厚さは500Å以下、望ましく
は300Å以下にすることが要求される。 On the other hand, since extremely high recording density is required for perpendicular magnetization media such as Co-Cr, the gap between the head and the medium must be made as small as possible, and the thickness of the protective film layer must be 500 Å or less. , preferably 300 Å or less.
ところで、フロツピー型の媒体は通常、ジヤケ
ツトあるいはカートリツジにいれて使用されてい
る。このような使用法の場合、潤滑層としてオイ
ルを用いると、ヘツド摺動によつてオイル層の涸
渇が生起するばかりでなく、ジヤケツトあるいは
カートリツジに用いられているライナーはオイル
を拭き取る機能を有するため、ライナーによりオ
イルの涸渇は一層速まる。 By the way, floppy media are usually used in jackets or cartridges. In such usage, if oil is used as a lubricating layer, not only will the oil layer be depleted due to head sliding, but also the liner used in the jacket or cartridge has the function of wiping off the oil. , the liner dries the oil even faster.
(発明が解決しようとする問題点)
上記オイル層の涸渇を防ぐために保護膜層の微
細な凹凸を形成し、その上にオイル層を形成する
提案が成されている。特開昭58−200431号によれ
ば、保護膜として樹脂が用いられており、流動パ
ラフインと混合された前記樹脂が保護膜上に薄層
状に形成された後、加熱によつて流動パラフイン
を蒸発させて樹脂層に凹凸が形成される。しかし
ながら、樹脂と流動パラフインの混合物薄層から
流動物を蒸発によつて除くには、低くとも250℃
の加熱が必要であるが、フレキシブル高分子基板
を用いた媒体の場合にはこのような高温を用いて
流動物を蒸発させることは他に悪影響が生ずるの
で適用できないという欠点がある。(Problems to be Solved by the Invention) In order to prevent the oil layer from depleting, a proposal has been made to form fine irregularities on the protective film layer and form an oil layer thereon. According to JP-A No. 58-200431, a resin is used as a protective film, and after the resin mixed with liquid paraffin is formed in a thin layer on the protective film, the liquid paraffin is evaporated by heating. As a result, unevenness is formed on the resin layer. However, in order to remove the fluid by evaporation from the thin layer of the resin and liquid paraffin mixture, the temperature must be at least 250°C.
However, in the case of a medium using a flexible polymer substrate, there is a drawback that using such high temperature to evaporate the fluid causes other adverse effects and cannot be applied.
また特開昭59−127230号には、高周波マグネト
ロン装置を用いて厚さ500ÅのSiO2から成る保護
膜層を形成した後、プラズマ処理によつて凹凸を
形成する方法が開示されている。 Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 127230/1983 discloses a method in which a protective film layer of SiO 2 with a thickness of 500 Å is formed using a high-frequency magnetron device, and then unevenness is formed by plasma treatment.
しかしながら、プラズマ処理によつて保護膜層
表面に凹凸を形成させるためには、非磁性絶縁物
薄膜層を形成する工程とこの薄膜層をプラズマ処
理する工程とを必要とするので、媒体作製装置が
複雑かつ高価になり、コストも上昇するという問
題があつた。 However, in order to form irregularities on the surface of the protective film layer by plasma treatment, a process of forming a non-magnetic insulating thin film layer and a process of plasma treating this thin film layer are required, so the media manufacturing apparatus is The problem was that it became complicated and expensive, and the cost also increased.
(問題点を解決するための手段)
本発明は、従来の保護膜ならびに作製方法の有
する前記問題点ならびに欠点を除去・改善するこ
とのできる磁気記録媒体、すなわち高価な装置、
複雑な工程によらなくても形成可能であつて、オ
イル潤滑層と併用した時、オイルの涸渇を効果的
に低下させ得る保護膜層を有する磁気記録媒体を
提供することを目的とするものであり、特許請求
の範囲に記載の媒体を提供することにより前記目
的を達成することができる。すなわち、非磁性基
板上に磁性薄膜が形成され、前記磁性薄膜上に非
磁性保護膜が形成され、さらに前記保護膜上にオ
イル潤滑層が形成されている磁気記録媒体におい
て、前記保護膜を一般に使用されているSiO2タ
ーゲツトを用いた高周波スパツタ装置によつて見
掛け密度が1.70g/cm3〜2.05g/cm3の範囲となる
ように作製した酸化シリコン膜を有する磁気記録
媒体を提供することによつて前記目的を達成する
ことが出来る。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a magnetic recording medium that can eliminate and improve the problems and drawbacks of conventional protective films and manufacturing methods, that is, an expensive device,
The object of the present invention is to provide a magnetic recording medium having a protective film layer that can be formed without a complicated process and that can effectively reduce oil depletion when used in combination with an oil lubricating layer. The above object can be achieved by providing the medium described in the claims. That is, in a magnetic recording medium in which a magnetic thin film is formed on a non-magnetic substrate, a non-magnetic protective film is formed on the magnetic thin film, and an oil lubricating layer is further formed on the protective film, the protective film is generally To provide a magnetic recording medium having a silicon oxide film produced so as to have an apparent density in the range of 1.70 g/cm 3 to 2.05 g/cm 3 using a high frequency sputtering device using an SiO 2 target. The above objective can be achieved by the following.
次に本発明を詳細に説明する。 Next, the present invention will be explained in detail.
磁気記録媒体の作製方法のうちの酸化シリコン
保護膜の形成手段として、通常高周波スパツタ法
が用いられている。 Among the methods for manufacturing magnetic recording media, a high frequency sputtering method is usually used as a means for forming a silicon oxide protective film.
本発明は、高周波スパツタ法により磁性薄膜上
に形成された酸化シリコン保護膜が、見掛け密度
1.70g/cm3〜2.05g/cm3の範囲内であることを特
徴とする磁気記録媒体である。一般に使用されて
いるSiO2をターゲツトとした高周波スパツタ装
置によつて見掛け密度が1.70g/cm3〜2.05g/cm3
の範囲の酸化シリコン保護膜を有する本発明の磁
気記録媒体においては、酸化シリコン保護膜の膜
質が多孔性となつているため潤滑オイルが多量に
含浸される。このため特開昭59−127230号により
開示されているSiO2保護膜形成後、高価な装置
を用いてプラズマ処理するなどの複雑な工程を経
由しなくても本発明の媒体にあつてはシリコン保
護膜表面に施される潤滑オイルが酸化シリコン保
護膜の内部にまで含浸されているので、潤滑オイ
ルの涸渇が抑制され、媒体の耐久性が大幅に改善
されることを本発明者等は新規に知見して本発明
を完成した。 In the present invention, a silicon oxide protective film formed on a magnetic thin film by a high-frequency sputtering method has an apparent density of
The magnetic recording medium is characterized in that it is within the range of 1.70 g/cm 3 to 2.05 g/cm 3 . The apparent density is 1.70g/cm 3 to 2.05g/cm 3 using commonly used high frequency sputtering equipment targeting SiO 2 .
In the magnetic recording medium of the present invention having a silicon oxide protective film in the range of 1 to 2, the silicon oxide protective film is porous and is therefore impregnated with a large amount of lubricating oil. Therefore, after forming the SiO 2 protective film disclosed in JP-A No. 59-127230, silicon can be used for the medium of the present invention without going through complicated steps such as plasma treatment using expensive equipment. The present inventors have discovered that since the lubricating oil applied to the surface of the protective film is impregnated into the inside of the silicon oxide protective film, depletion of the lubricating oil is suppressed and the durability of the medium is significantly improved. The present invention was completed based on this knowledge.
本発明者らは潤滑オイルを有する保護膜として
好適な酸化シリコン保護膜を得るために、酸化シ
リコン膜の膜質の高周波スパツタ時のスパツタ条
件に対する依存性について種々検討した実験デー
タを詳細に説明する。 In order to obtain a silicon oxide protective film suitable as a protective film containing lubricating oil, the present inventors will explain in detail experimental data obtained by various studies on the dependence of the film quality of a silicon oxide film on sputtering conditions during high-frequency sputtering.
スパツタ時のアルゴンガス圧とターゲツト電圧
以外のスパツタ条件は以下の通りである。 The sputtering conditions other than the argon gas pressure and target voltage during sputtering are as follows.
到達圧力:4〜6×10-7Torr
ガス導入前の真空度:2〜4×10-6Torr
電極間距離:75mm
ターゲツト材料:SiO2
形 状:φ8吋
プラツトホーム:水冷
また、種々のスパツタ条件で作製した酸化シリ
コン膜の膜質は相対エツチングレイトと見掛け密
度を測定することによつて評価した。なお、相対
エツチングレイトはスパツタ時のアルゴンガス圧
を24mTorr、ターゲツト電圧を1.2KVでガラス
基板上に作製した酸化シリコン膜のエツチングレ
イトを1として求めた。エツチング液はフツ酸、
フツ化アンモニウム、エチレングリコールの混合
液を用いた、また、見掛け密度はガラス基板上に
形成した酸化シリコン膜の重量と体積を測定して
求めたものである。 Ultimate pressure: 4 to 6 × 10 -7 Torr Vacuum degree before gas introduction: 2 to 4 × 10 -6 Torr Distance between electrodes: 75 mm Target material: SiO 2 shape: φ8 inches Platform: water cooling Also, various sputtering conditions The film quality of the silicon oxide film prepared was evaluated by measuring the relative etching rate and apparent density. The relative etching rate was determined by assuming that the etching rate of a silicon oxide film formed on a glass substrate was 1 at an argon gas pressure of 24 mTorr during sputtering and a target voltage of 1.2 KV. The etching solution is hydrofluoric acid,
A mixed solution of ammonium fluoride and ethylene glycol was used, and the apparent density was determined by measuring the weight and volume of a silicon oxide film formed on a glass substrate.
第1図、第2図はそれぞれ酸化シリコン膜の相
対エツチングレイトと見掛け密度のアルゴンガス
圧依存性を示す図である。ターゲツト電圧は
1.2KVである。 FIGS. 1 and 2 are diagrams showing the dependence of the relative etching rate and apparent density of a silicon oxide film on argon gas pressure, respectively. The target voltage is
It is 1.2KV.
第1図および第2図からわかるように、アルゴ
ンガス圧が8mTorrから34mTorrの範囲では、
見掛け密度はアルゴンガス圧が高くなるに従つて
減少し、エツチングレイトはアルゴンガス圧が8
mTorrから24mTorrの範囲ではアルゴンガス圧
が高くなるに従つて増加するが、アルゴンガス圧
が24mTorrから34mTorrの範囲ではアルゴンガ
ス圧を高くしてもエツチングレイトはほとんど増
加しない。エツチングレイトはエツチング液に接
する膜表面の面積に依存し、表面積が大きくなる
に従つてエツチングレイトは高くなると考えられ
る。すなわち、SiO2膜の表面積が大きくなると
いうことは、膜の緻密性が低くなり、膜の多孔性
が増大することを示すものである。従つて第1図
より、アルゴンガス圧が8mTorrから24mTorr
の範囲では、アルゴンガス圧が高くなるに従つて
形成される酸化シリコン膜の多孔性が増大してい
るといえる。アルゴンガス圧が24mTorr以上に
なるとアルゴンガス圧が増加しても酸化シリコン
膜のエツチングレイトはほとんど高くならないか
ら、上記の考え方によれば、アルゴンガス圧が24
mTorr以上になると酸化シリコン膜の膜質はほ
とんど変化しないことになる。一方、第2図によ
れば、見掛け密度はアルゴンガス圧が24mTorr
以上になつてもアルゴンガス圧が高くなるに従つ
て減少している。見掛け密度が小さいということ
は形成された酸化シリコン膜の多孔性が大きいと
いうことであるから、見掛け密度の測定結果によ
れば、アルゴンガス圧が8mTorrから34mTorr
の範囲ではアルゴンガス圧が増加するに従つて、
形成される酸化シリコン膜の多孔性は増大してい
ることになり、先のエツチングレイトのアルゴン
ガス圧依存性の結果と明らかに矛盾する。 As can be seen from Figures 1 and 2, when the argon gas pressure is in the range of 8mTorr to 34mTorr,
The apparent density decreases as the argon gas pressure increases, and the etching rate decreases as the argon gas pressure increases.
In the range of mTorr to 24 mTorr, the etching rate increases as the argon gas pressure becomes higher, but in the range of argon gas pressure of 24 mTorr to 34 mTorr, the etching rate hardly increases even if the argon gas pressure is increased. It is believed that the etching rate depends on the area of the film surface in contact with the etching solution, and the etching rate increases as the surface area increases. That is, an increase in the surface area of the SiO 2 film indicates that the denseness of the film becomes lower and the porosity of the film increases. Therefore, from Figure 1, the argon gas pressure is from 8 mTorr to 24 mTorr.
In this range, it can be said that as the argon gas pressure increases, the porosity of the silicon oxide film that is formed increases. When the argon gas pressure exceeds 24 mTorr, the etching rate of the silicon oxide film hardly increases even if the argon gas pressure increases.
When the temperature exceeds mTorr, the quality of the silicon oxide film hardly changes. On the other hand, according to Figure 2, the apparent density is 24mTorr when the argon gas pressure is 24mTorr.
Even if it is above, it decreases as the argon gas pressure increases. A low apparent density means that the formed silicon oxide film has a high porosity, so according to the apparent density measurement results, the argon gas pressure ranges from 8 mTorr to 34 mTorr.
As the argon gas pressure increases in the range of
This means that the porosity of the silicon oxide film formed has increased, which clearly contradicts the above-mentioned result of the dependence of the etching rate on argon gas pressure.
これらのことから、高周波スパツタ法により
SiO2ターゲツトを使用して膜形成を行つた場合、
少なくともアルゴンガス圧が24mTorrから34m
Torrの範囲では形成された膜組織はターゲツト
組成とは異なり、しかも前記エツチング液には腐
食されにくい組成の膜が形成されていると考えら
れる。 For these reasons, the high-frequency sputtering method
When film formation is performed using a SiO 2 target,
Argon gas pressure at least 24mTorr to 34m
In the Torr range, the film structure formed is different from the target composition, and it is thought that a film with a composition that is less likely to be corroded by the etching solution is formed.
電子通信学会技報CPM68−16の記載によれば、
SiOx膜はX線回析強度から動径分布関数を求め
てその構造を調べた結果、SiとSiO2とから成り
立つていると報告されている。一方、Siは前記エ
ツチング液には腐食されないことが知られてい
る。従つて、アルゴンガス圧が8mTorrから24
mTorrの範囲ではアルゴンガス圧が高くなるに
従つて膜の多孔性は一様に増大するが、アルゴン
ガス圧が24mTorrから34mTorrの範囲ではアル
ゴンガス圧が高くなるに従つて、膜の多孔性が増
大するばかりでなく膜中のSiO2に対するSiの割
合が急激に増加することを示していると考えるこ
とができる。 According to the Institute of Electronics and Communication Engineers technical report CPM68-16,
As a result of investigating the structure of the SiO x film by determining its radial distribution function from the X-ray diffraction intensity, it has been reported that it is composed of Si and SiO 2 . On the other hand, it is known that Si is not corroded by the etching solution. Therefore, the argon gas pressure is 8mTorr to 24
In the mTorr range, the membrane porosity uniformly increases as the argon gas pressure increases, but in the argon gas pressure range of 24 mTorr to 34 mTorr, the membrane porosity increases as the argon gas pressure increases. This can be considered to indicate that not only does this increase, but also that the ratio of Si to SiO 2 in the film increases rapidly.
以上のことからわかるように、本発明の媒体に
あつては酸化シリコン保護膜はSiO2膜および
SiO2とSiとからなる膜とを総称した膜である。 As can be seen from the above, in the medium of the present invention, the silicon oxide protective film is a SiO 2 film and
This is a general term for films made of SiO 2 and Si.
また、第3図、第4図はそれぞれ酸化シリコン
膜の相対エツチングレイトと見掛け密度のターゲ
ツト電圧依存性を示す図である。アルゴンガス圧
は24mTorrである。第3図および第4図からわ
かるように、ターゲツト電圧が1.2KVから0.6KV
の範囲では、見掛け密度はターゲツト電圧が低く
なるに従つて減少し、エツチングレイトはターゲ
ツト電圧が低くなるに従つて大きくなるがターゲ
ツト電圧が0.8KVより低くなると逆にエツチング
レイトは小さくなることを示している。従つて、
ターゲツト電圧が1.2KVから約0.9KVの範囲では
ターゲツト電圧が低くなるに従つて膜の多孔性は
一様に増大するが、ターゲツト電圧が約0.9KVか
ら0.6KVの範囲ではターゲツト電圧が減少するに
従つて膜の多孔性が増大するばかりでなく膜中の
SiO2にたいするSiの割合も増加することを示し
ていることになる。 Further, FIGS. 3 and 4 are diagrams showing the target voltage dependence of the relative etching rate and apparent density of a silicon oxide film, respectively. Argon gas pressure is 24 mTorr. As can be seen from Figures 3 and 4, the target voltage ranges from 1.2KV to 0.6KV.
In the range of , the apparent density decreases as the target voltage decreases, and the etching rate increases as the target voltage decreases, but conversely the etching rate decreases as the target voltage decreases below 0.8 KV. ing. Therefore,
When the target voltage ranges from 1.2 KV to about 0.9 KV, the porosity of the membrane uniformly increases as the target voltage decreases, but when the target voltage ranges from about 0.9 KV to 0.6 KV, the porosity of the membrane increases as the target voltage decreases. Therefore, not only does the porosity of the membrane increase, but also the
This indicates that the ratio of Si to SiO 2 also increases.
また、第1図、第2図と第3図、第4図より、
アルゴンガス圧を高くして形成膜の見掛け密度を
小さくした場合とターゲツト電圧を低くして見掛
け密度を小さくした場合とでは、見掛け密度が等
しい場合、ターゲツト電圧を低くして形成膜の見
掛け密度を小さくした場合のほうが形成膜中のシ
リコンの量は少ないと考えられる。媒体の耐久性
に関していえば、酸化シリコン膜の見掛け密度が
同じである場合、SiO2に対するSiの割合が大き
い保護膜を有した媒体のほうがやや耐久性に優れ
ている傾向にあつた。 Also, from Figures 1, 2, 3, and 4,
When the apparent density of the formed film is reduced by increasing the argon gas pressure and when the apparent density is reduced by decreasing the target voltage, if the apparent density is the same, the apparent density of the formed film is reduced by lowering the target voltage. It is thought that the amount of silicon in the formed film is smaller when the size is smaller. Regarding the durability of the media, when the apparent density of the silicon oxide film was the same, media with a protective film containing a large proportion of Si to SiO 2 tended to have slightly better durability.
なお、後述の実施例で明らかなように、酸化シ
リコン膜の見掛け密度を2.05g/cm3以下となるよ
うに形成した時には媒体の耐久性は著しく向上
し、特に酸化シリコン保護膜の見掛け密度が1.95
g/cm3から1.80g/cm3の時には媒体の耐久性は第
5図に示すように1000万パスを越えている。ま
た、酸化シリコン膜の見掛け密度が1.70g/cm3以
下である場合にはヘツド摺動によるキズが発生し
易い傾向にあつた。従つて、前記特開昭59−
127230号で開示されたSiO2保護膜形成後の高価
な装置と複雑な工程とを必要とするプラズマ処理
をしなくても、SiO2ターゲツトを用いた高周波
スパツタ装置によつてスパツタ条件を形成される
酸化シリコン膜の見掛け密度が1.70g/cm3から
2.05g/cm3の範囲となるように設定すれば、潤滑
オイルを有する保護膜として好適な膜質の酸化シ
リコン膜を高周波スパツタ法によつて直接形成す
ることができる。 As is clear from the examples below, when the silicon oxide film is formed with an apparent density of 2.05 g/cm 3 or less, the durability of the medium is significantly improved, especially when the apparent density of the silicon oxide protective film is 1.95
From g/cm 3 to 1.80 g/cm 3 , the durability of the medium exceeds 10 million passes as shown in FIG. Furthermore, when the apparent density of the silicon oxide film was less than 1.70 g/cm 3 , scratches due to head sliding tended to occur easily. Therefore, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-open No. 59-
Sputtering conditions can be formed using a high-frequency sputtering device using a SiO 2 target without the need for plasma treatment, which requires expensive equipment and complicated processes, after forming the SiO 2 protective film as disclosed in No. 127230. The apparent density of the silicon oxide film is from 1.70g/ cm3
If the amount is set within the range of 2.05 g/cm 3 , a silicon oxide film having a quality suitable as a protective film containing lubricating oil can be directly formed by high-frequency sputtering.
次に本発明を実施例について説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to examples.
実施例
ポリエチレンテレフタレートフイルムあるいは
ポリイミドフイルム上にCo−Cr垂直磁化膜、あ
るいはパーマロイとCo−Crの二層垂直磁化膜を
形成し、該媒体上にSiO2ターゲツトを用いて高
周波スパツタ法により酸化シリコン膜を320Åの
厚さに形成した。Example A Co-Cr perpendicular magnetization film or a double-layer perpendicular magnetization film of permalloy and Co-Cr is formed on a polyethylene terephthalate film or a polyimide film, and a silicon oxide film is formed on the medium by high-frequency sputtering using a SiO 2 target. was formed to a thickness of 320 Å.
酸化シリコン膜形成時のスパツタ条件は前記の
酸化シリコン膜の膜質のスパツタ条件に対する依
存性を検討した時と同様に、アルゴンガス圧を8
〜34mTorr(ターゲツト電圧1.2KV)、ターゲツ
ト電圧を0.6〜1.2KV(アルゴンガス圧24mTorr)
の範囲で変えた。酸化シリコン保護膜の形成され
た媒体から5.25インチ径の円板を打ち抜き、浸漬
法によつてフツ素オイル(モンテジソン社製フオ
ンブリンZ−25)を約350Åの厚さに形成した。 The sputtering conditions during the formation of the silicon oxide film were as described above when examining the dependence of the film quality of the silicon oxide film on the sputtering conditions.
~34mTorr (target voltage 1.2KV), target voltage 0.6~1.2KV (argon gas pressure 24mTorr)
changed within the range. A disk with a diameter of 5.25 inches was punched out from the medium on which the silicon oxide protective film had been formed, and a fluorine oil (Fomblin Z-25 manufactured by Montageson) was applied to the disk to a thickness of about 350 Å by dipping.
この円板をフロツピーデイスク用ジヤケツトに
挿入し、記録再生装置にて記録再生を行い、再生
出力の時間変化を観測した。なお、使用したヘツ
ドは市販のボタン型リングヘツドを用い、パツド
圧は20g、円板の回転速度は300r.p.mとした。再
生出力が初期値の80%に減少するまでのヘツド摺
動回数を耐久性として評価した。 This disc was inserted into a floppy disk jacket, recorded and reproduced using a recording and reproducing device, and changes over time in the reproduced output were observed. The head used was a commercially available button-type ring head, the pad pressure was 20 g, and the disc rotation speed was 300 rpm. Durability was evaluated as the number of times the head was slid until the reproduction output decreased to 80% of the initial value.
第5図は酸化シリコン保護膜の見掛け密度と耐
久性の関係を示す図である。酸化シリコン保護膜
の見掛け密度が小さくなるに従つて耐久性は向上
し、特に見掛け密度が2.05g/cm3以下での耐久性
の上昇の程度が大きいことがわかる。さらに酸化
シリコン保護膜の見掛け密度1.95g/cm3以下では
耐久性は1000万パスを越え、見掛け密度1.85g/
cm3では2000万パス近い耐久性を得た。酸化シリコ
ン膜の見掛け密度1.80g/cm3以下になると媒体の
耐久性は急激に低下し、見掛け密度が1.70g/cm3
未満ではキズが発生し易い傾向を示した。 FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the apparent density and durability of a silicon oxide protective film. It can be seen that the durability improves as the apparent density of the silicon oxide protective film decreases, and the degree of increase in durability is particularly large when the apparent density is 2.05 g/cm 3 or less. Furthermore, when the apparent density of the silicon oxide protective film is 1.95 g/cm 3 or less, the durability exceeds 10 million passes, and the apparent density is 1.85 g/cm 3 or less.
cm 3 achieved durability of nearly 20 million passes. When the apparent density of the silicon oxide film becomes 1.80 g/cm 3 or less, the durability of the medium decreases rapidly, and the apparent density becomes 1.70 g/cm 3
If it was less than that, scratches tended to occur easily.
また、第5図は酸化シリコン保護膜の見掛け密
度と耐久性とには強い相関関係があることを示す
ものであり、酸化シリコン保護膜の見掛け密度が
小さくとも1.80g/cm3以上の場合には酸化シリコ
ン保護膜の多孔性が増大することが、オイル潤滑
層を有する金属媒体の耐久性を高くしていると理
解される。 Furthermore, Figure 5 shows that there is a strong correlation between the apparent density and durability of the silicon oxide protective film, and when the apparent density of the silicon oxide protective film is at least 1.80 g/cm 3 or more, It is understood that the increased porosity of the silicon oxide protective film increases the durability of the metal medium with the oil lubricating layer.
(発明の効果)
本発明の媒体は、特殊な装置を用いることなく
通常のスパツタ装置を用いて単一工程により、多
孔質の酸化シリコン保護膜を有しており、この保
護膜には多量のオイルが含浸されているので耐久
性に極めて優れている。(Effects of the Invention) The medium of the present invention has a porous silicon oxide protective film formed in a single process using an ordinary sputtering device without using any special equipment, and this protective film contains a large amount of Because it is impregnated with oil, it is extremely durable.
第1図は酸化シリコン保護膜形成時のアルゴン
ガス圧と酸化シリコン保護膜の相対エツチングレ
イトとの関係を示すグラフ、第2図は酸化シリコ
ン保護膜形成時のアルゴンガス圧と酸化シリコン
保護膜の見掛け密度との関係を示すグラフ、第3
図は酸化シリコン保護膜形成時のターゲツト電圧
と酸化シリコン保護膜の相対エツチングレイトと
の関係を示すグラフ、第4図は酸化シリコン保護
膜形成時のターゲツト電圧と酸化シリコン保護膜
の見掛け密度との関係を示すグラフ、第5図は酸
化シリコン保護膜の見掛け密度と金属磁気記録媒
体の耐久性との関係を示すグラフである。
Figure 1 is a graph showing the relationship between the argon gas pressure when forming the silicon oxide protective film and the relative etching rate of the silicon oxide protective film, and Figure 2 is a graph showing the relationship between the argon gas pressure when forming the silicon oxide protective film and the relative etching rate of the silicon oxide protective film. Graph showing the relationship with apparent density, 3rd
The figure is a graph showing the relationship between the target voltage when forming a silicon oxide protective film and the relative etching rate of the silicon oxide protective film. Figure 4 shows the relationship between the target voltage when forming a silicon oxide protective film and the apparent density of the silicon oxide protective film. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the apparent density of the silicon oxide protective film and the durability of the metal magnetic recording medium.
Claims (1)
に非磁性保護膜を有し、さらに前記保護膜上にオ
イル潤滑層を有する磁気記録媒体において: 前記非磁性保護膜は見掛け密度が1.70g/cm3〜
2.05g/cm3の範囲の酸化シリコンより成る保護膜
であることを特徴とする磁気記録媒体。 2 前記非磁性基板は可撓性高分子フイルムであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の磁気記録媒体。 3 前記磁性薄膜は面内磁化型金属薄膜、面内磁
化型酸化物薄膜、垂直磁化型金属薄膜、垂直磁化
型酸化物薄膜の中から選ばれる少なくとも1つの
磁性薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の磁気記録媒体。[Scope of Claims] 1. In a magnetic recording medium having a magnetic thin film on a non-magnetic substrate, a non-magnetic protective film on the thin film, and an oil lubricating layer on the protective film: the non-magnetic protection The membrane has an apparent density of 1.70g/cm 3 ~
A magnetic recording medium characterized in that the protective film is made of silicon oxide in a range of 2.05 g/cm 3 . 2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the nonmagnetic substrate is a flexible polymer film. 3. A patent characterized in that the magnetic thin film is at least one magnetic thin film selected from an in-plane magnetization type metal thin film, an in-plane magnetization type oxide thin film, a perpendicular magnetization type metal thin film, and a perpendicular magnetization type oxide thin film. A magnetic recording medium according to claim 1.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29329285 | 1985-12-27 | ||
JP60-293292 | 1985-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229526A JPS62229526A (en) | 1987-10-08 |
JPH0414414B2 true JPH0414414B2 (en) | 1992-03-12 |
Family
ID=17792944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14024286A Granted JPS62229526A (en) | 1985-12-27 | 1986-06-18 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS62229526A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5132173A (en) * | 1989-02-10 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm |
JP2718150B2 (en) * | 1989-03-09 | 1998-02-25 | 松下電器産業株式会社 | Magnetic encoder |
JP3019865B2 (en) * | 1989-12-19 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | Magnetic encoder |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167131A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14024286A patent/JPS62229526A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167131A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62229526A (en) | 1987-10-08 |
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