JPH04142889A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH04142889A JPH04142889A JP2264957A JP26495790A JPH04142889A JP H04142889 A JPH04142889 A JP H04142889A JP 2264957 A JP2264957 A JP 2264957A JP 26495790 A JP26495790 A JP 26495790A JP H04142889 A JPH04142889 A JP H04142889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- signal line
- horizontal
- line
- reset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔ｊ♀業１の利用分野〕
本発明は、撮像装置、特に光電変換素子に蓄積された光
情報の読み出し方式に関するものである。
情報の読み出し方式に関するものである。
第４図は従来例の要部の概略図である。同図においてマ
トリックス状に配置された光電素子４００の電極４００
ａは水平信号線４０１に行毎に共通接続され、各水平信
号線４０１は垂直走査回路４０２の各出力端子に各々接
続されている。
トリックス状に配置された光電素子４００の電極４００
ａは水平信号線４０１に行毎に共通接続され、各水平信
号線４０１は垂直走査回路４０２の各出力端子に各々接
続されている。
また光電素子４００の電極４００ｂは垂直信号線４０３
に列毎に共通接続され、各垂直信号線４０３はＭ ＯＳ
（ｍｅｔ、ａｌ−ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔ、ｏｒ）構造の水平走査トランジスタ４０４を介して
読出し信号線４０５に共通接続されている。各水平操作
トランジスタ４０４のゲート電極は水平走査回路４０６
の各出力端ｒ−に接続され、各出力端子−からの水平走
査パルスがシフトするタイミンクで水平走査トランジス
タ４０４は順次オン状態となる。
に列毎に共通接続され、各垂直信号線４０３はＭ ＯＳ
（ｍｅｔ、ａｌ−ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔ、ｏｒ）構造の水平走査トランジスタ４０４を介して
読出し信号線４０５に共通接続されている。各水平操作
トランジスタ４０４のゲート電極は水平走査回路４０６
の各出力端ｒ−に接続され、各出力端子−からの水平走
査パルスがシフトするタイミンクで水平走査トランジス
タ４０４は順次オン状態となる。
この水ゞト走査によって、ある水平信号線４０１の光電
素７−４００に蓄積されている光情報かシリアルに読出
し信号線４０５に読み出され、アンプ４０７によって増
幅され外部へ出力される。
素７−４００に蓄積されている光情報かシリアルに読出
し信号線４０５に読み出され、アンプ４０７によって増
幅され外部へ出力される。
なお、第４図は概略図てあって各光電素子４００に接続
されるスイッヂ素子の図示か省略されている。
されるスイッヂ素子の図示か省略されている。
〔発明が解決しようと１−る課題〕
このようなタイプの撮像素子においては、走査するアド
レスを指定することにより希望の筒所の光情報のみを読
み出す、いわゆるランダムアクセスがｎＪ能である。
レスを指定することにより希望の筒所の光情報のみを読
み出す、いわゆるランダムアクセスがｎＪ能である。
この特徴は、スチルビデオカメラ等で、本露出の前に露
出量や光源光に対するポヮイトハランスを制御するだめ
の予備露出情報を得る上で極めて重要である。
出量や光源光に対するポヮイトハランスを制御するだめ
の予備露出情報を得る上で極めて重要である。
ところで、ランダムアクセスされた画素とされなかった
画素では破壊読出し型においては状態が完全に異なって
おり、また非破壊読出し型においてもその非破壊度によ
って完全に同一状態ということはない。したがって、本
露光の前に全画素をリセットする必要がある。
画素では破壊読出し型においては状態が完全に異なって
おり、また非破壊読出し型においてもその非破壊度によ
って完全に同一状態ということはない。したがって、本
露光の前に全画素をリセットする必要がある。
しかし、従来方式では予備露出（予備露出のリセットは
省略）→リセット→未露出といつ形て駆動されており、
都合、概ね３回（即ち３フイールド）の走査な必要とし
、シャツタリリーズホタンを押してから本露出まてに、
タイムラグを生じてしまうという問題がある。
省略）→リセット→未露出といつ形て駆動されており、
都合、概ね３回（即ち３フイールド）の走査な必要とし
、シャツタリリーズホタンを押してから本露出まてに、
タイムラグを生じてしまうという問題がある。
本発明は、このような問題を解決するためなされたもの
で、シ＼・ツタリリーズボタンを押してから本露出まて
のタイムラグの小さい撮像装置を提供することを「１的
とするものである。
で、シ＼・ツタリリーズボタンを押してから本露出まて
のタイムラグの小さい撮像装置を提供することを「１的
とするものである。
本発明は前記目的を達成するため撮像装置をっきの（１
）のとおりに構成するものである。
）のとおりに構成するものである。
く１）ランダムアクセス可能な撮像素子と、予備露出の
読出しか行われるフィールドと同一のフィールドにおい
て本露出のリセットを開始するりセット手段とを備えた
撮像装置。
読出しか行われるフィールドと同一のフィールドにおい
て本露出のリセットを開始するりセット手段とを備えた
撮像装置。
前記（１）の構成により、ｒ備露出の読出しのフィール
ドにおいて本露出のリセットか開始される。
ドにおいて本露出のリセットか開始される。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
第１図は本発明の 実）Ｊへ例である“撮像装置°。
の動作の概要を示１−図、第２図は同実施例の要部のブ
ロック図、第３図は同実施例における撮像素子の駆動パ
ルスのタイミングを示す図である。
ロック図、第３図は同実施例における撮像素子の駆動パ
ルスのタイミングを示す図である。
以−ト図面に従って説明する。本実施例はＪ−ＦＥＴ
（接合型ＦＥＴ）を画素素子として用いたＦＧＡ （フ
ローティングゲートアレイ）型撮像素子を例として説明
するものである。
（接合型ＦＥＴ）を画素素子として用いたＦＧＡ （フ
ローティングゲートアレイ）型撮像素子を例として説明
するものである。
第２図において、２００は画素素子、２０１は水平信号
線、２０２は出力端子が水平信号線２０１に接続された
垂直走査回路、２０３は垂直イ１−（分線、２０４は入
力端子が垂直信号線２０３に接続されたラインバッファ
（ラインメモリ）、２０６はラインバッファ１０４を走
査する水平走査回路、２０７は出力アンプ、２０８は負
荷抵抗、２０９はクランプ素子、２１０はバイアス素子
である。
線、２０２は出力端子が水平信号線２０１に接続された
垂直走査回路、２０３は垂直イ１−（分線、２０４は入
力端子が垂直信号線２０３に接続されたラインバッファ
（ラインメモリ）、２０６はラインバッファ１０４を走
査する水平走査回路、２０７は出力アンプ、２０８は負
荷抵抗、２０９はクランプ素子、２１０はバイアス素子
である。
本実施例においては、水平ブランキングにおいて、垂直
走査回路２０２によりある行の水平信号線２０１ （全
部て４８０行あるものとして説明する）を選択し、この
水平信号線２０１に共通接続されている全画素素子２０
０の信号を、パラレルにラインバッファ２０４にサンプ
ルホールドし、つぎの水平走査期間中に、水平走査回路
２０６によりラインバッファ２０４を走査し、先にサン
プルホールドした各画素素子−２００の信号をシリアル
に出力アンプ２０７を介して読み出すものである。
走査回路２０２によりある行の水平信号線２０１ （全
部て４８０行あるものとして説明する）を選択し、この
水平信号線２０１に共通接続されている全画素素子２０
０の信号を、パラレルにラインバッファ２０４にサンプ
ルホールドし、つぎの水平走査期間中に、水平走査回路
２０６によりラインバッファ２０４を走査し、先にサン
プルホールドした各画素素子−２００の信号をシリアル
に出力アンプ２０７を介して読み出すものである。
第３図により動作を更に詳しく説明する。なおりランプ
素子２０９．バイアス素子２１０の動作は本発明の理解
に直接関係かないのでその説明を省略する。図中、時刻
ｔ１〜ｔ７は水平ブランキングである。この期間中に、
垂直走査回路２０２のアドレス人力Ｂ９〜Ｂ１により、
アドレスＫ、アドレスＬが順次指定され、例えばアドレ
スにで第３５０行の水平信号線２０１が選択され、アド
レスして第１行の水平信号線２０１か選択される。
素子２０９．バイアス素子２１０の動作は本発明の理解
に直接関係かないのでその説明を省略する。図中、時刻
ｔ１〜ｔ７は水平ブランキングである。この期間中に、
垂直走査回路２０２のアドレス人力Ｂ９〜Ｂ１により、
アドレスＫ、アドレスＬが順次指定され、例えばアドレ
スにで第３５０行の水平信号線２０１が選択され、アド
レスして第１行の水平信号線２０１か選択される。
時刻ｔ２にサンプルホールド信号φ８，１かハイレベル
となり、第３５０行の水平信号線２０１に接続されてい
る全画素素７−２００のゲートキャパシタの電位（予備
露出により低下した電位）がパラレルに、ラインバッフ
ァ２０４にサンプルホールトされ、時刻ｔ３に第３５０
行の水平信号線２０１にリセット電圧Ｖｌｌが供給され
て第３５０行の全画素素子２００のケートキャパシタの
７ｉｆ位がリセット電位まで充電され、時刻ｔ４に再び
サンプルホールド信号φ５，１がハイレベルとなり、第
３５０行の水平信号線２０１に接続された全画素２００
のゲートキャパシタの電位（リセット電位）がパラレル
にラインバッファ２０４にサンプルホールドされる。
となり、第３５０行の水平信号線２０１に接続されてい
る全画素素７−２００のゲートキャパシタの電位（予備
露出により低下した電位）がパラレルに、ラインバッフ
ァ２０４にサンプルホールトされ、時刻ｔ３に第３５０
行の水平信号線２０１にリセット電圧Ｖｌｌが供給され
て第３５０行の全画素素子２００のケートキャパシタの
７ｉｆ位がリセット電位まで充電され、時刻ｔ４に再び
サンプルホールド信号φ５，１がハイレベルとなり、第
３５０行の水平信号線２０１に接続された全画素２００
のゲートキャパシタの電位（リセット電位）がパラレル
にラインバッファ２０４にサンプルホールドされる。
この結果、時刻ｔ２におりるサンプルホールド値と時刻
ｔ４におけるサンプルホールド値との差分か、千留１露
出における光＋１１１報（蓄積′ｊ［荷）としてライン
バッファ２０４に検出される。時刻ｔ６において、第１
行の水平信号線２０１にリセット電圧Ｖ １１が供給さ
れ、この水平信号線２０１に接続された全画素素子２０
０のゲートキャパシタがリセット電位まで充電され、本
露出のリセットが行われる。
ｔ４におけるサンプルホールド値との差分か、千留１露
出における光＋１１１報（蓄積′ｊ［荷）としてライン
バッファ２０４に検出される。時刻ｔ６において、第１
行の水平信号線２０１にリセット電圧Ｖ １１が供給さ
れ、この水平信号線２０１に接続された全画素素子２０
０のゲートキャパシタがリセット電位まで充電され、本
露出のリセットが行われる。
時刻ｔ７に始まる水平走査期間中に、ラインバッファ２
０４は水平走査回路２０６により走査され、出力アンプ
２０７を介して第３５０行の各画素素子２００の信号が
シリアルに外部に読み出される。
０４は水平走査回路２０６により走査され、出力アンプ
２０７を介して第３５０行の各画素素子２００の信号が
シリアルに外部に読み出される。
つぎに、第１図により予備露出読み出し１本露出のリセ
ット、本露出の読み出しの関係を説明する。
ット、本露出の読み出しの関係を説明する。
第３図の前述の状態は、第１図の時刻ｔ２近傍における
（ａ）と（Ｃ）の関係に相当する。即ち、第１図におい
て、時刻ｔ２近傍の水平ブランキングの前半で、（ａ）
に示すように第３５０行の水平信号線２０１の全画素素
ｒ２００のｒ備露出の読出しが行われ、その直後の同水
平ブランキンクの後半て、（ｃ）に示すように、第１行
の水平信号線２０１の全画素素子２００の本露出のリセ
ットが行われ、時刻ｔ３近傍の水平ブランキングにおけ
る前半て、第１行の全画素素子２００の本露出の読出し
が行われ、後半で第１３１行の全画素素子２００のリセ
ットが行われる。
（ａ）と（Ｃ）の関係に相当する。即ち、第１図におい
て、時刻ｔ２近傍の水平ブランキングの前半で、（ａ）
に示すように第３５０行の水平信号線２０１の全画素素
ｒ２００のｒ備露出の読出しが行われ、その直後の同水
平ブランキンクの後半て、（ｃ）に示すように、第１行
の水平信号線２０１の全画素素子２００の本露出のリセ
ットが行われ、時刻ｔ３近傍の水平ブランキングにおけ
る前半て、第１行の全画素素子２００の本露出の読出し
が行われ、後半で第１３１行の全画素素子２００のリセ
ットが行われる。
このケースては、時、１１ ｔ ２と時刻ｔｌの間か本
露出時間ｔ８となり、このようにしていわゆる電子シャ
ッタの短時間露出が行われる。
露出時間ｔ８となり、このようにしていわゆる電子シャ
ッタの短時間露出が行われる。
第１図（ａ）と（ｂ）の関係は、電子シャッタの長時間
露出を示す。このケースにおける第１図の時刻七〇近傍
の状態は、第３図において、アドレスにで第１行の水平
信号線２０１を指定し、アドレスＬでも同じ第１行の水
平信号線２０１を指定した状態に相当する。
露出を示す。このケースにおける第１図の時刻七〇近傍
の状態は、第３図において、アドレスにで第１行の水平
信号線２０１を指定し、アドレスＬでも同じ第１行の水
平信号線２０１を指定した状態に相当する。
即ち、第３図において、水平ブランキングの前半で第１
行の水平信号線２０１に接続された全画素素子２００の
予備露出の光情報をラインバッファ１０４に入れ、同−
水ゞＩＩ−ブランキングの後゛ｒで同じ第１行の水平信
号線２０１に接続された全画素素子２００の本露出のリ
セットを行う。
行の水平信号線２０１に接続された全画素素子２００の
予備露出の光情報をラインバッファ１０４に入れ、同−
水ゞＩＩ−ブランキングの後゛ｒで同じ第１行の水平信
号線２０１に接続された全画素素子２００の本露出のリ
セットを行う。
第１図の時刻ｔ１近傍の水平ブランキンつて第１行の水
平信号線２０１に接続された全画素素子２００の本露出
の光情報をラインバ・ソファ１０４に入れ、続く水平走
査期間中に第１行の水平信号線２０１に接続された各画
素素子２００のイ、ξ号を出力アンプ１０７を介してシ
リアルに出力する。
平信号線２０１に接続された全画素素子２００の本露出
の光情報をラインバ・ソファ１０４に入れ、続く水平走
査期間中に第１行の水平信号線２０１に接続された各画
素素子２００のイ、ξ号を出力アンプ１０７を介してシ
リアルに出力する。
第１図における（ｂ）のリセットが時刻ｔ１より少し遅
れて開始されるケースを第３図により説明するとつきの
ようになる。水平ブランキンクの前半に、アドレスＫに
より例えば第１０行の水平信号線２０１が指定され、同
行の全画素素子２００に蓄材１されたｒ備露出の光情報
が読出され、水平ブランキングの後半に、アドレスしに
より例えば第１行の水平信号線２０１が指定され、同行
の全画素素子２００の本露出のリセットか行われ、続く
第１図の時刻七〇近傍の水平ブランキンクの前半て第１
行の水・ト信分線２０１に接続された全画素素子２００
の本露出の読出しが行われ、同水平ブランキンクの後半
て第４７１行の水平信号線２０１に接続された全画素素
子２００の本露出のリセットか行われる。
れて開始されるケースを第３図により説明するとつきの
ようになる。水平ブランキンクの前半に、アドレスＫに
より例えば第１０行の水平信号線２０１が指定され、同
行の全画素素子２００に蓄材１されたｒ備露出の光情報
が読出され、水平ブランキングの後半に、アドレスしに
より例えば第１行の水平信号線２０１が指定され、同行
の全画素素子２００の本露出のリセットか行われ、続く
第１図の時刻七〇近傍の水平ブランキンクの前半て第１
行の水・ト信分線２０１に接続された全画素素子２００
の本露出の読出しが行われ、同水平ブランキンクの後半
て第４７１行の水平信号線２０１に接続された全画素素
子２００の本露出のリセットか行われる。
このようにして、本露出のリセ・ントか、予備露出の読
出しのフィールドと同しフィールドにおし＼て開始され
るのて、シャッタリリースボタンを押してから本露出ま
ての時間か最小限に短縮できる。また本露出のリセ・ン
ト開始時期を予備露出の読出し期間中で前後に移動する
とにより電子シャッタ動作を行うことができる。
出しのフィールドと同しフィールドにおし＼て開始され
るのて、シャッタリリースボタンを押してから本露出ま
ての時間か最小限に短縮できる。また本露出のリセ・ン
ト開始時期を予備露出の読出し期間中で前後に移動する
とにより電子シャッタ動作を行うことができる。
なお、以上の実施例は、ＦＧＡ型の撮像素子を用いるも
のであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、
ランダムアクセスのできる適宜の撮像素ｒを用いて実施
することがてきることはいうまでもない。
のであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、
ランダムアクセスのできる適宜の撮像素ｒを用いて実施
することがてきることはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、シャッタリリー
ズボタンを押してから本露出までのタイムラグを減らせ
るばかりてなく、特別な駆動回路を必要としないという
効果を有する。
ズボタンを押してから本露出までのタイムラグを減らせ
るばかりてなく、特別な駆動回路を必要としないという
効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の動作の概要を示す図、第２
図は同実施例の要部のブロック図、第３図は同実施例に
おける撮像素子の駆動パルスのタイミングを示す図、第
４図は従来の撮像素子の１例の概略図である。 ２００・・・・・・画素素子 ２０２・・・・・・垂直走査回路
図は同実施例の要部のブロック図、第３図は同実施例に
おける撮像素子の駆動パルスのタイミングを示す図、第
４図は従来の撮像素子の１例の概略図である。 ２００・・・・・・画素素子 ２０２・・・・・・垂直走査回路
Claims (1)
- （１）ランダムアクセス可能な撮像素子と、予備露出の
読出しが行われるフィールドと同一のフィールドにおい
て本露出のリセットを開始するリセット手段とを備えた
ことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26495790A JP3332375B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26495790A JP3332375B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142889A true JPH04142889A (ja) | 1992-05-15 |
| JP3332375B2 JP3332375B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17410557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26495790A Expired - Fee Related JP3332375B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3332375B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6700611B1 (en) * | 1998-11-16 | 2004-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
| US7057655B1 (en) | 1998-10-14 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26495790A patent/JP3332375B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057655B1 (en) | 1998-10-14 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
| US7532243B2 (en) | 1998-10-14 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
| US7821556B2 (en) | 1998-10-14 | 2010-10-26 | Panasonic Corporation | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
| US8218048B2 (en) | 1998-10-14 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
| US6700611B1 (en) * | 1998-11-16 | 2004-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3332375B2 (ja) | 2002-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7636118B2 (en) | Solid state image sensor with fixed pattern noise reduction | |
| US5296696A (en) | Solid state image pickup apparatus and driving method | |
| US4739495A (en) | Solid-state imager defect corrector | |
| US8081250B2 (en) | Image pickup apparatus having a correction unit for correction of noise components generated by clamping circuits | |
| US7154548B2 (en) | Multiplexed and pipelined column buffer for use with an array of photo sensors | |
| JP2935901B2 (ja) | 撮像装置 | |
| US4703442A (en) | Temperature tracking defect corrector for a solid-state imager | |
| US8493484B2 (en) | Image capturing apparatus and image capturing system | |
| US6791612B1 (en) | CMOS image sensor having a pixel array in a wider dynamic range | |
| JP2003046864A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| US6950131B1 (en) | Simultaneous access and reset system for an active pixel sensor | |
| JP3680366B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2000134410A (ja) | イメージセンサー | |
| JPH11266403A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム | |
| JPH04142889A (ja) | 撮像装置 | |
| JP4551588B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
| JPH04207589A (ja) | 撮像装置及び撮像方法 | |
| JP3042643B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 | |
| US6798452B1 (en) | Amplifying solid-state imaging device, method for driving the same and physical quantity distribution sensing semiconductor device | |
| JP2678086B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3011207B1 (ja) | イメージセンサ | |
| JP2625570B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH04373273A (ja) | 固体撮像素子及びそれを用いた固体撮像装置と固体撮像素子の信号読み出し方法 | |
| JP2002271702A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3037989B2 (ja) | マルチチップ型光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |