JPH0414242A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH0414242A
JPH0414242A JP11658890A JP11658890A JPH0414242A JP H0414242 A JPH0414242 A JP H0414242A JP 11658890 A JP11658890 A JP 11658890A JP 11658890 A JP11658890 A JP 11658890A JP H0414242 A JPH0414242 A JP H0414242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
wiring
circuit
holes
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11658890A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2901311B2 (ja
Inventor
Yasuo Matsuda
松田 庸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2116588A priority Critical patent/JP2901311B2/ja
Publication of JPH0414242A publication Critical patent/JPH0414242A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2901311B2 publication Critical patent/JP2901311B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に利用され、特に、チップの一
部機能を実現する半導体集積回路の構成法を改善した半
導体集積回路に関する。
〔概要〕
本発明は、半導体チップ上に形成された複数の回路ブロ
ックを備えた半導体集積回路において、回路ブロックに
、自回路ブロックの内部回路と他回路ブロックとを接続
する位置にスルーホールを設けることにより、 チップの小型化を図ったものである。
〔従来の技術〕
近年のLSI(大規模集積回路)の設計の主流の一つに
セルベース設計方式がある。本方式を第3図のチップの
レイアウト図を用いて説明する。
全体回路機能の一部機能を実現する部分的な回路ブロッ
ク(以下、セルという。Nlをあらかじめ設計しておく
。そして、このセル11とセル外とを接続するセル内部
配線のセル外形との接点をセル端子14とする。全体回
路を構成するために必要なセル12および13をチップ
10上に配置した後、セル端子14と15との間に必要
なセル間配線16を施す。
従来のセルの実現方法は人手によるか、計算機によるか
を問わず、セル端子14の層(マスク層に対応)は可能
な層のうちの一層に限られていた。
例えば、2層配線の場合、セル端子14の層は第一配線
層か第二配線層のいずれか一方に限られていた。
ところで、チップ寸法を最小にするために、セル間配線
16を最も効率よく行うためには、チップ全面で、例え
ば第一層は横方向、第二層は縦方向に配線することが望
ましいと言われている。特に、計算機による自動設計を
行う際にはその効果は顕著である。従って、第4図(a
)に示すように、セル21の上下辺に置かれるセル端子
24は第二層、左右辺に置かれるセル端子25は第一層
となるように従来のセル設計は行われてきた。
しかし、チップ設計時にセルの向きを90度回転した方
がチップ寸法を大幅に縮小可能となることが非常に多い
。この場合、第4図ら〕に示すように、セル端子24お
よび25の位置からそれぞれ配線26aおよび27aを
引き出し、かつスルーホール35および36を設置し、
スルーホール34および33を介しそれぞれ第二層配線
32および第−層成線31と接続することが必要となり
、配線に必要な面積を増大させ、結果としてチップ面積
を増加させる。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来の半導体集積回路におけるセル設計法は、
セルの端子層をただ1層に限っているため、チップ寸法
を縮小するためにセルを回転して配置するとかえってチ
ップ寸法が増加する欠点がある。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、セ
ルを任意の方向に配置しても配線のための余分な面積を
必要とせず、チップを小型化できる半導体集積回路を提
供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体チップ上に形成された複数の回路ブロ
ックを備えた半導体集積回路において、前記回路ブロッ
クは、自回路ブロックの内部回路と他回路ブロックとを
接続する位置に設けられたスルーホールを有することを
特徴とする。
また、本発明は、半導体チップ上に形成された複数の回
路ブロックと、多層配線とを備えた半導体集積回路にお
いて、前記回路ブロックは、自回路ブロックの内部回路
と他回路ブロックとを接続する位置に設けられた第一の
スルーホールを有し、前記多層配線のうちのいずれかの
配線は、当該配線と前記回路ブロックとを接続するため
に、前記第一のスルーホールと対向する位置に設けられ
た第二のスルーホールを有することを特徴とする。
〔作用〕
セルには他セルとの接続位置にスルーホールが設けられ
ているので、このスルーホールを介して所望の層成線と
接続することが可能となる。
従って、余分なスルーホールやそのための配線が不要と
なり、セルを任意の方向に配置してもセル面積の増加を
必要とせず、結果としてチップの小型化ができる。
さらに、所望の各層成線の前記セルのスルーホールに対
向した位置にスルーホールを設けることにより、配線は
最短となり、よりチップの小型化を図ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第一実施例の要部を示すチップのレイ
アウト図で、一つのセルを取り出して示したものである
本第−実施例のセル1は、本発明の特徴とするところの
、セル内部回路2と他セルとを接続するセル外周上の位
置に設けられたスルーホール4および5を有している。
そして、スルーホール4および5はセル内部配線3によ
りセル内部回路2に接続される。ここで、スルーホール
4および5の位置はセル内部配線3とセル外周の交点と
して定められる。
第2図(a)およびの〕は、本発明の第二実施例の要部
を示すチップのレイアウト図で、前記第一実施例の構成
を有するセルを用いて実際に配線を施す場合の例を示し
たものであり、第2図(a)はセルの長辺を第−層成線
と平行に配置した場合を示し、第2図ら)はセルの長辺
を第二層配線と平行に配置した場合を示す。
第2図(a)においては、セル1のスルーホール4は、
スルーホール4と対向して第−層成線31上に設けられ
たスルーホール33とは配線6により接続され、スルー
ホール5は、スルーホール5と対向して第二層配線32
上に設けられたスルーホール34と接続される。
セル1を第2図(a)の設計時の位置から時計回りに9
0度回転した第2図(b)の場合は、セル1のスルーホ
ール4は、スルーホール4と対向して第二層配線32上
に設けられたスルーホール34aと配線6aにより接続
され、スルーホール5は、スルーホール5と対向して第
一配線上31とに設けられたスルーホール33aと配線
7aにより接続される。
第2図(a)およびら)において、本発明の特徴とする
ところは、セル1にスルーホール4および5を設けたほ
かに、スルーホール4および5と対向する第−層成線3
1および第二層配線32上にスルーホール33.33a
 、 34および34aを設けたことにある。
本第二実施例によると、セル1上のスルーホール4およ
び5が、配置方向によって最適な層の端子として任意に
扱うことができる。
なお、セルの端子位置にスルーホールを設置することに
より、セルそのものの寸法が大きくならないようにする
ことは、セル内部回路部分とセル外形の間には一般に空
き領域が多いたt容易に解決できる。
また、前述の説明においては、多層配線として二層の場
合を取り上げたけれども、三層以上の場合にも同様に適
用される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、セルの端子位置にスル
ーホールを設置することにより、セルを任意の方向に配
置しても、不必要な配線領域の増大を防止しチップを小
型化できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例の要部を示すチップのレイ
アウト図。 第2図(a)および(社)は本発明の第二実施例の要部
を示すチップのレイアウト図。 第3図はセルベース設計方式によるチップの一例を示す
レイアウト図。 第4図(a)およびの)は従来例の要部を示すチップの
レイアウト図。 1.11.12.13.21・・・セノペ2・・・セル
内部回路、3・・・セル内部配線、4.5.33.33
a 、 34.34a135.36・・・スルーホール
ペ6.6a17.7a、26.26a 、 27.27
a−・・配線、10・・・チップ、14.15.24.
25・・・セル端子、1B・・・セル間配線、31・・
・第−層成線、32・・・第二層配線。 にセル    4,5ニスルーホール 2:セル内部回路 3:セル内部配線 第−実施例 第1図 第 図 10:チップ    14.15:セル端子11、12
.13 :セル   16:セル間配線チップレイアウ
ト図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体チップ上に形成された複数の回路ブロックを
    備えた半導体集積回路において、 前記回路ブロックは、自回路ブロックの内部回路と他回
    路ブロックとを接続する位置に設けられたスルーホール
    を有する ことを特徴とする半導体集積回路。 2、半導体チップ上に形成された複数の回路ブロックと
    、多層配線とを備えた半導体集積回路において、 前記回路ブロックは、自回路ブロックの内部回路と他回
    路ブロックとを接続する位置に設けられた第一のスルー
    ホールを有し、 前記多層配線のうちのいずれかの配線は、当該配線と前
    記回路ブロックとを接続するために、前記第一のスルー
    ホールと対向する位置に設けられた第二のスルーホール
    を有する ことを特徴とする半導体集積回路。
JP2116588A 1990-05-02 1990-05-02 半導体集積回路 Expired - Fee Related JP2901311B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2116588A JP2901311B2 (ja) 1990-05-02 1990-05-02 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2116588A JP2901311B2 (ja) 1990-05-02 1990-05-02 半導体集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0414242A true JPH0414242A (ja) 1992-01-20
JP2901311B2 JP2901311B2 (ja) 1999-06-07

Family

ID=14690856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2116588A Expired - Fee Related JP2901311B2 (ja) 1990-05-02 1990-05-02 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2901311B2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419744A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Hitachi Ltd Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419744A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Hitachi Ltd Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2901311B2 (ja) 1999-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1133146A (en) Master image chip organization technique or method
US4910680A (en) Wiring method for semiconductor integrated circuit
US5401989A (en) Semiconductor device having a basic cell region and an I/O cell region defined on a surface thereof
JPH0329342A (ja) 半導体装置
JP4254059B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法
US5229629A (en) Semiconductor integrated circuit having improved cell layout
JPH04216668A (ja) 半導体集積回路
EP0021661A1 (en) Semiconductor master-slice device
US4943841A (en) Wiring structure for semiconductor integrated circuit device
JPH01225137A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0414242A (ja) 半導体集積回路
JPS59117132A (ja) マスタスライスlsi基板
JP3064925B2 (ja) レイアウト方法
JP3132604B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0456355A (ja) 半導体集積回路装置
JPS62273751A (ja) 集積回路
JPH01152642A (ja) 半導体集積回路
JPS58210636A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04302161A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPH08124928A (ja) 半導体集積回路
JPH06120341A (ja) 半導体集積回路のレイアウトデータ構造
JPH0226046A (ja) マスター・スライス半導体集積回路装置
JPH04291743A (ja) 半導体集積回路の設計支援装置
JPH0513576A (ja) 半導体集積回路の配線処理方法
JPH06120346A (ja) 半導体集積回路チップの自動設計方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees