JPH04140714A - 可変波長フィルタモジュール - Google Patents

可変波長フィルタモジュール

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JPH04140714A
JPH04140714A JP2262974A JP26297490A JPH04140714A JP H04140714 A JPH04140714 A JP H04140714A JP 2262974 A JP2262974 A JP 2262974A JP 26297490 A JP26297490 A JP 26297490A JP H04140714 A JPH04140714 A JP H04140714A
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克彦 平林
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裕之 津田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光フアイバ中を伝搬する波長多重された光信
号から任意所望の波長の光信号を選択的にかつ波長を可
変して取り出すことのできる可変波長フィルタモジュー
ルに関するものである。
〔従来の技術〕
光ファイバによる光通像は大容量の情報を高速に伝送す
ることができるために、最近急速に実用化されつつある
。しかし、現時点では、ある特定の波長の光パルスを伝
送しているのみである。多数の異なった波長の光パルス
を伝送することができれば、さらに大容量の情報を伝送
することができる。これを波長多重通信と呼び、現在活
発に研究されている。波長多重通信においては多数の波
長の光パルスの中から選択的に任意所望の波長の光のみ
を選び出す可変波長フィルタが必要となる。
この種のフィルタの従来技術として、たとえば、第7図
に示すように、ピエゾ素子でエタロンの共振器長を変化
させることにより、共振器波長を変化させる可変波長フ
ィルタを用いた可変波長フィルタモジュールがある。こ
こで、Fl、F2は光ファイバ、LL、L2はレンズ、
Ml、M2はミラー、pzはピエゾ素子である。2つの
ミラーMl、M2でエタロンを構成しており、その一方
のミラーM2をピエゾ素子PZで駆動してエタロンの共
振器長を変化させる。
しかしながら、この従来例では、ピエゾ素子Pzを駆動
するために高電圧が必要となり、装置の小型化、軽量化
が困難である。
従来技術の他の例として、第8図に示すように、エタロ
ンETLを機械的に回転させて共振器波長を変化させる
可変波長フィルタを用いた可変波長フィルタモジュール
もある。ここで、第7図と同様の個所には同一符号を付
しである。
しかしながら、この方法ではエタロンを機械的に駆動す
るので、やはり装置の小型化、軽量化が困難である。
従来技術のさらに他の例として、第9図に示すように、
ブラックリフレクタをもつ半導体先導波路を用いた可変
波長フィルタがある。ここで、ARCは無反射コーティ
ング、Sは基板、Gはグレーティングであり、これらに
よってブラッグリフレクタを構成している。ACTは活
性層、El−E3は電極である。工〜mの領域への注入
電流を制御することで透過波長帯を制御するものである
しかしながら、このフィルタは、波長掃引幅がたかだか
5止と少ない欠点を持つ。
上述した機械式フィルタや半導体光導波路フィルタの欠
点を解決するために、エタロン内に液晶を充填し、電圧
を印加することによりエタロンの光学的ギャップを可変
するようにしたフィルタがある。
しかし、この液晶を用いた可変波長フィルタを光ファイ
バに接続しようとした場合、その透過率が光の偏波の方
向に大きく依存するため、偏波保持ファイバ等の特殊な
光ファイバを入力側に設けなくてはならないという欠点
があった。
[発明が解決しようとする課題J そこで、本発明の目的は、上述した各種可変波長フィル
タの欠点を除去し、低電圧で駆動でき、機械的可動部分
がなく、小型化および軽量化でき、かつ波長掃引幅が広
く、しかも偏波保持ファイバを必要としない可変波長フ
ィルタモジュールを提供することにある。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成するために、本発明は、光入力を
受けて、それぞれ第1および第2偏光状態の第1および
第2偏光出力を8カする第1複屈折プリズムと、前記第
2偏光出力を受けて前記第1偏光状態の第3偏光出力を
出力する第1の172波長板と、前記第1および第3偏
光出力を受けて、選択された波長でかつそれぞれ前記第
1および第3偏光出力に対応する前記第1偏光状態の第
4および第5偏光出力を出力する可変波長フィルタと、
前記第5偏光比力を受けて前記第2偏光状態の第6偏光
出力を出力する第2の172波長板と、前記第4および
第6偏光出力を受けてひとつの出力光を取り出す第2複
屈折プリズムと、前記可変波長フィルタを制御して当該
フィルタを透過する光の波長を指定する電子回路とを具
えたことを特徴とする。
ここで、前記可変波長フィルタは、第1ガラス基板、第
1透明電極、第1高反射ミラー、第1液晶配向膜、液晶
、第2液晶配向膜、第2高反射ミラー、第2透明電極、
第2ガラス基板をこの順序で配置した構成とすることが
できる。
さらに、前記可変波長フィルタにおける前記第1および
第2ガラス基板の主面を当該可変波長フィルタへの入射
光の光軸に対して垂直より傾けた配置とするのが好適で
ある。
〔作 用] 本発明では、液晶を充填したエタロン形可変波長フィル
タの入力端および出力側に複屈折プリズムと172波長
板を配置することにより、フィルタへ同一偏光の光を入
射できるようにしたので、入力側に偏波保持ファイバを
用いることなく、通常の光ファイバを入出力端に用いて
も、可変波長フィルタの透過率を常に一定とすることが
できる。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は本発明可変波長フィルタモジュールの一実施例
の構成を示す概略図である。ここで、PFI とPF2
は光ファイバ、 11はコリメート用レンズ、L2はフ
ァイバ結合用レンズ、VFIは可変波長フィルタ、EC
1は可変波長フィルタ制御用電子回路、PL、P2は複
屈折プリズム、λ1.λ2はl/2波長板である。
光ファイバPFIからコリメートレンズL1を通して出
た光ビームはほぼ平行となって複屈折プリズムPl内に
入射する。この複屈折プリズムPl内では、p、S偏光
は光の進行方向が分かれるため、入射した光はpgと5
℃の2本に分かれる。複屈折プリズムP1を出た2本の
光ビームpff、s尼は互いに平行に進む。光ビームS
ρのみが172波長板んlを通るようにこのl/2波長
板えlをセットしておく。この結果、S偏光はp偏光と
なる。したがって、2本のp偏光が液晶を充填した可変
波長フィルタVFIに入射する。
ここで、可変波長フィルタVFIにおいては、電子回路
ECIから電圧を印加すると液晶はp偏光に対して屈折
率が変化するように配向させであるため、p偏光の光に
対してエタロンの透過ピークは、印加電圧に応じて変化
する。
可変波長フィルタVFIから出射した2本の光ビームは
入力側と対称に配置された1/2波長板え2と複屈折プ
リズムP2により1本の光となり、さらに集光用レンズ
L2を通って出力側の光ファイバPF2に導かれる。
以上かられかるように、本発明では、可変波長フィルタ
VFI間を伝搬する光は同一偏光状態の光であるので、
入力側にどのような偏波の光が入射しても、可変波長フ
ィルタVFIの特性を変化させることなく、電子回路E
CIからの電圧に応じて波長を可変させることができる
液晶を充填したエタロンにより構成した可変波長フィル
タVFIの具体例を第2図に示す。第2図において、G
Sはガラス基板、ABCは無反射コート膜、置は透明電
極、Mは誘電体ミラー、ORLは液晶配向膜、LCは液
晶、SPはスペーサ、EWは液晶に電圧を印加するリー
ド線である。ここで、ガラス基板GSの一方の主面上に
は、透明電極置をスパッタ法で形成し、その上に誘電体
ミラーMを蒸着により配置する。ミラーMの露出表面に
は液晶配向膜ORLを塗布する。ガラス基板GSの他方
の主面上には無反射コート膜^RCを蒸着する。透明電
極置にはリード線EWを接続する。
以上のように各層を積層した2枚のガラス基板SGをス
ペーサSPにより間隔して平行に配置すると、透過率の
波長依存性は次の式で表される。
T = 1/ [1+ Fsin”(2x nL/λ)
]  ・(1)F = 4r/(1−r)”     
    ・= (2)ここで、nは液晶の屈折率、えは
波長、rはミラーMの反射率である。
この場合の透過スペクトルを第3図に示す。第3図から
れかるように、鋭いピークが何本も現れる。これらピー
クの半値幅はミラーMの反射率に依存し、通常99%の
ミラーMの場合、フィネス200以上の鋭いピークとな
る。ピークの波長λresは λres=m/2nL  (m==1.2−)  ・・
(3)で表される。ミラーM上に液晶配向膜ORLを塗
布し、反平行ラビング処理し、間隔りの部分にネマチッ
ク形液晶を充填すると、第4図(A)のように液晶が配
向する。LCMは液晶分子である。液晶分子LCMは大
きな誘電異方性(ns、no)をもち、入射光の偏光方
向が液晶の配向方向と一致するとこの光はn、の屈折率
を感じる。この液晶に電圧を印加すると、第4図(B)
のように液晶が立ち上がり、偏光は屈折率がn s −
n aへ変化するのを感じる。このため式(3)により
ピーク波長は液晶層へ電圧を印加することによりシフト
させることができる。ここで重要なことは、液晶の配向
と同じ向きの偏光を入射させる必要があることである。
このために、第1図の実施例では複屈折プリズムPi、
 P2と172波長板え1.え2を用いる。
第1図および第2図に示した液晶充填エタロン形可変波
長フィルタモジュールの作製工程の一実施例について説
明する。
一対の平坦度λ150のガラス基板GS上にインジウム
チンオキサイド(ITO)透明電極置を50nm厚にス
パッタ法によって形成した。さらにこの透明電極置上に
蒸着法によりTiChと5i(hを交互に多層蒸着して
1.5μm帯において反射率98%のミラーMを形成し
た。次にその上にポリイミド配向膜ORLをスピナーで
塗布し乾燥させた。次に、互いに反平行になるように配
向膜ORLをラビング処理した。直径lOμmのスペー
サSPを紫外線硬化接着剤に混入し、これをガラス基板
GSの端に塗布し、得られた2枚のガラス基板GSを張
り合わせる。その際、セルギャップLが均一になるよう
に調整し、紫外線を照射して接着を完了した。その後、
ネマチック形の液晶をギャップ部分に充填した。ここで
はメルク社のZIJ3103を用いた。その後110℃
で熱処理して可変波長フィルタVFIを得た。
次に、5mm角のルチル複屈折プリズムP1、P2と1
/2波長板λ1.λ2を可変波長フィルタVFIの両側
に配置し、これら部材の軸合わせをした後、紫外線硬化
接着剤を用いて互いに接着した。このように構成したフ
ィルタ本体に光ファイバPFI 、 PF2およびコリ
メートレンズL1、集光用レンズL2を取付けて可変波
長フィルタモジュールを構成した。
以上のようにして構成した可変波長フィルタモジュール
の特性を測定した。光源には1.5μの帯のスーバルミ
ネセントダイオードを用いた。第5図にこの場合の透過
スペクトルを示す。ここで、最大透過率50%、ピーク
の半値幅0.4nmが得られた。
次にこの可変波長フィルタモジュールに電圧(駆動周波
数2()k)lz)を印加して、ピークがシフトする様
子を測定した。その結果を第6図に示す。
印加電圧(交流)をOvから8■まで変化させると、ピ
ーク波長は1.52μmから1.47μmまで51)n
mはどシフトした。また、電圧印加の有無によらず透過
率は50%で一定であった。ファイバを曲げたりしてフ
ァイバ内の偏波状態を変えてみたが、以上の特性に変化
は見らtなかった。
なお、本発明において、可変波長フィルタVFIへの入
射光の光軸と可変波長フィルタVFIのミラー面、すな
わちガラス基板GSO主面を完全に垂直にすると、この
フィルタを透過せずに反射した光が入射側の光ファイバ
PFIに戻ってしまうことがたびたび起こった。これは
光源を劣化°させる原因となる。このため、本発明では
可変波長フィルタVFIのガラス基板GSの主面を入射
光の光軸に対して垂直方向より少し傾けておき、反射光
が入力側の光ファイバPFIに入らないようにするのが
好適である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、液晶を充填した
エタロン形可変波長フィルタの入力側および出力側に複
屈折プリズムと172波長板を配置することによりフィ
ルタへ同一偏光の光を入射できるようにしたので、入力
側に偏波保持ファイバを用いることな(、通常の光ファ
イバを入出力端に用いても、可変波長フィルタの透過率
を常に一定とすることができ、以て低電圧駆動が可能で
、機械的可動部分がな(、したがって小型化および軽量
化が容易で広い波長範囲を掃引可能な可変波長フィルタ
モジニールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明可変波長フィルタモジュールの一実施例
を示す概略図、 第2図は第1図に示した液晶充填エタロン形可変波長フ
ィルタの構造の一例を示す構成図、第3図は液晶充填エ
タロン形可変波長フィルタの透過スペクトルを示す図、 第4図(A)およびfB)は液晶充填エタロン形可変波
長フィルタの液晶分子の配向状態を電圧無印加時および
電圧印加時についてそれぞれ示す説明図、 第5図は本発明可変フィルタモジュールの一実施例にお
ける透過スペクトルを示す図、第6図は本発明可変波長
フィルタモジュールの一実施例における透過ピーク波長
の印加電圧依存性を示す特性図、 第7図はピエゾ素子でエタロンの共振器波長を変化させ
る従来の可変波長フィルタの一例を示す構成図、 第8図はエタロンを機械的に回転させて共振器波長を変
化させる従来の可変波長フィルタの一例を示す構成図、 第9図はブラッグリフレクタ−をもつ半導体先導波路を
用いた従来の可変波長フィルタの一例を示す斜視図であ
る。 PFI、PF2・・・光ファイバ、 Ll・・・コリメート用レンズ、 L2・・・ファイバ結合用レンズ、 VFI・・・可変波長フィルタ、 ECI・・・可変波長フィルタ制御用電子回路、PI、
 F2・・・複屈折プリズム、 え1.ん2・・・1/2波長板、 GS・・・ガラス基板、 ARC・・・無反射コート膜、 置・・・透明電極、 M・・・誘電体ミラー OR+、・・・液晶配向膜、 LC・・・液晶、 SP・・・スペーサ、 EW・・・液晶に電圧を印加するリード線、LCM・・
・液晶分子、 Fl、F2・・・光ファイバ、 Ll、 L2・・・レンズ、 M・・・ミラー Pz・・・ピエゾ素子、 ETL・・・エタロン、 ARC・・・無反射コーティング、 S・・・基板、 G・・・グレーディング、 CT ・・・活性層、 E1〜E3・・・電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)光入力を受けて、それぞれ第1および第2偏光状態
    の第1および第2偏光出力を出力する第1複屈折プリズ
    ムと、 前記第2偏光出力を受けて前記第1偏光状態の第3偏光
    出力を出力する第1の1/2波長板と、前記第1および
    第3偏光出力を受けて、選択された波長でかつそれぞれ
    前記第1および第3偏光出力に対応する前記第1偏光状
    態の第4および第5偏光出力を出力する可変波長フィル
    タと、前記第5偏光出力を受けて前記第2偏光状態の第
    6偏光出力を出力する第2の1/2波長板と、前記第4
    および第6偏光出力を受けてひとつの出力光を取り出す
    第2複屈折プリズムと、 前記可変波長フィルタを制御して当該フィルタを透過す
    る光の波長を指定する電子回路と を具えたことを特徴とする可変波長フィルタモジュール
    。 2)前記可変波長フィルタは、第1ガラス基板、第1透
    明電極、第1高反射ミラー、第1液晶配向膜、液晶、第
    2液晶配向膜、第2高反射ミラー、第2透明電極、第2
    ガラス基板をこの順序で配置して構成したことを特徴と
    する請求項1記載の可変波長フィルタモジュール。 3)前記可変波長フィルタにおける前記第1および第2
    ガラス基板の主面を当該可変波長フィルタへの入射光の
    光軸に対して垂直より傾けて配置したことを特徴とする
    請求項2記載の可変波長フィルタモジュール。
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