JPH04137136A - プログラム記憶方式 - Google Patents

プログラム記憶方式

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JPH04137136A
JPH04137136A JP26136690A JP26136690A JPH04137136A JP H04137136 A JPH04137136 A JP H04137136A JP 26136690 A JP26136690 A JP 26136690A JP 26136690 A JP26136690 A JP 26136690A JP H04137136 A JPH04137136 A JP H04137136A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
data
read
ram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26136690A
Other languages
English (en)
Inventor
Masajiro Fukunaga
雅次郎 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP26136690A priority Critical patent/JPH04137136A/ja
Publication of JPH04137136A publication Critical patent/JPH04137136A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプログラム記憶方式に関し、特に誤りを含む組
み込みプログラムの修正が可能なプログラム記憶方式に
関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の組み込みプログラムの記憶方式は、必要
なプログラムをリードオンリーメモリ(以下、ROMと
いう)に記憶しておき、システム起動時にROM内の特
定のアドレスからプログラムの実行を開始していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のプログラム記憶方式は、組み込みプログ
ラムがあらかじめROM内に記憶されているが、ROM
内に記憶されたプログラムを誤りを修正するために変更
しようとすると、ROM内のプログラムをすべて書き換
えなければならないという問題点があった。
本発明の目的は、ROM内の組み込みプログラムに誤り
があったときでも、組み込みプログラムを書き換えるこ
となく実行することができるプログラム記憶方式を提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のプログラム記憶方式は、組み込みプログラムの
プログラム記憶方式において、(A)中央処理装置、 (B)前記中央処理装置からアクセス可能なランダムア
クセスメモリ、 (C)組み込みプログラムを記憶したリードオンリーメ
モリ、 (D)前記組み込みプログラムの変更情報を記憶した書
き換え゛可能リードオンリーメモリ、(E)前記リード
オンリーメモリのデータを前記ランダムアクセスメモリ
に書き込むときのベースアドレスを記憶しているベース
アドレス生成部、 (F)前記リードオンリーメモリ及び書き換え可能リー
ドオンリーメモリに記憶されている相対アドレスと、前
記ベースアドレス生成部のアドレスとを加えてデータを
前記ランダムアクセスメモリに書き込むためのアドレス
を生成するアドレス生成部、 (G)前記リードオンリーメモリ及び書き換え可能リー
ドオンリーメモリに記憶されている情報を前記アドレス
生成部で生成したアドレスに書き込むランダムアクセス
メモリ書き込み部、(H)前記中央処理装置からの指示
により、前記書き換え可能リードオンリーメモリに記憶
されている情報を書き換える書き換え可能リードオンリ
ーメモリ書き込み部、 を含んでいる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
第1図に示すプログラム記憶方式は、中央処理装置(以
下、CPUという)7、CPU7からアクセス可能なラ
ンダムアクセスメモリ(以下、RAMという)1、組み
込みプログラムを記憶したROM2、組み込みプログラ
ムの変更情報を記憶した書き換え可能ROMである電気
的消去型プログラマブルROM(以下、EEPROMと
いう)3、ROM2のデータをRAM1に書き込むとき
のベースアドレスを記憶しているベースアドレス生成部
6、ROM2及びEEFROM3に記憶されている相対
アドレスと、ベースアドレス生成部6のアドレスとを加
えてデータをRAMIに書き込むためのアドレスを生成
するアドレス生成部5、ROM2及びEEFROM3に
記憶されている情報をアドレス生成部5で生成したアド
レスに書き込むRAM書き込み部4、CPU7からの指
示により、EEFROM3に記憶されている情報を書き
換えるEEFROM書き込み部$から構成されている。
次に、動作を説明する。
RAM1は、CPU7の主記憶装置であり、CPU7の
メモリ空間にマツピングされているが、システムスター
トアップ時はプログラムは記憶されていない。
一方、ROM2には、組み込みプログラムが格納されて
いる。そして、ROM2に組み込みプログラムとして格
納されたデータは専用の装置を使用しなければ変更する
ことができない。ROM2内には、第2図に示す記憶デ
ータレコードの形式でデータが複数格納されている。記
憶データレコードの形式は相対アドレス、そのアドレス
から書き込まれるデータレングス及びデータから成り立
っている。
また、書き換え可能リードオンリーメモリ3は、ROM
2に対する変更情報を記憶する。
EEFROM3は電気的に記憶データの書き換えが可能
なため、簡単に内容を変更でき、かつ電源断後も記憶内
容を保持することができる。なお、EEFROM3の記
憶データレコードの形式はROM2と同じである。
RAM書き込み部4はROM2、EEFROM3から組
み込みプログラムをデータとして読み出してRAMIに
書き込む。このときRAM書き込み部4は、アドレス生
成部5で生成されたアドレスからデータを書き込んでい
く。そして、データを1バイト書き込、むごとに、書き
込みアドレスを1つずつ増加し、データレングス分だけ
データを書き込むと、次の記憶データレコードを書き込
む。
そして、アドレス生成部5は、ROM2、EEFROM
3の、ベースアドレス生成部6からの記憶データの相対
アドレスと、ベースアドレス生成部6のアドレスとの和
を求める。このアドレスがROM2、EEFROM3の
データをRAM1に書き込むときのアドレスになる。
また、ベースアドレス生成部6は、ROM2またはEE
FROM3の記憶データをRAMIに書き込む基準アド
レスを生成するが、ベースアドレス生成部6で作成する
ベースアドレスを変更することにより、RAM1上の任
意のアドレスにROMデータを配置することができる。
EEPROM書き込み部8は、CPU7の指示により、
第2図に示された記憶データレコードをEEFROM3
に書き込むことができるが、これによりCPU7のプロ
グラムでEEFROM3の記憶データを自由に変更する
ことができる。
上記のようにして、CPU7が、RAM書き込み部4が
ROM2及びEEFROM3のデータをRAMIに書き
込んだ後、RAM1内の特定のアドレスよりプログラム
の実行を開始することにより、EEFROM3の記憶デ
ータによって修正されたROM2の組み込みプログラム
が実行されることになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、組み込みプログラムを
ROMに記憶し、直接CPUのアドレス空間にマツピン
グするのではなく、組み込みプログラムの本体をROM
に、その変更(修正)情報をEEPROMに格納し、シ
ステム起動時にCPUからアクセス可能なRAMに転送
することにより、組み込みプログラムに誤りがあったと
きでも、修正のため、それを書き換えることなくEEP
ROMの情報によりRAM上の組み込みプログラムのコ
ピーを修正し、プログラムを実行することができるとい
う効果を宵する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は記憶
データレコードの形式を示す図である。 1・・・・・・ランダムアクセスメモリ(RAM) 、
2・・・・・・リードオンリーメモリ(ROM) 、3
・・・・・・電気的消去型プログラマブルリードオンリ
ーメモリ(EEPROM) 、4・・・・・・ランダム
アクセスメモリ書き込み部(RAM書き込み部)、5・
・・・・・アドレス生成部、6・・・・・・ベースアド
レス生成部、7・・・・・・中央処理装置(CPU) 
、8・・・・・・電気的消去型プログラマブルリードオ
ンリーメモリ書き込み部(EEFROM書き込み部)。 代理人 弁理士  内 原  晋

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、組み込みプログラムのプログラム記憶方式において
    、 (A)中央処理装置、 (B)前記中央処理装置からアクセス可能なランダムア
    クセスメモリ、 (C)組み込みプログラムを記憶したリードオンリーメ
    モリ、 (D)前記組み込みプログラムの変更情報を記憶した書
    き換え可能リードオンリーメモリ、 (E)前記リードオンリーメモリのデータを前記ランダ
    ムアクセスメモリに書き込むときのベースアドレスを記
    憶しているベースアドレス生成部、 (F)前記リードオンリーメモリ及び書き換え可能リー
    ドオンリーメモリに記憶されている相対アドレスと、前
    記ベースアドレス生成部のアドレスとを加えてデータを
    前記ランダムアクセスメモリに書き込むためのアドレス
    を生成するアドレス生成部、 (G)前記リードオンリーメモリ及び書き換え可能リー
    ドオンリーメモリに記憶されている情報を前記アドレス
    生成部で生成したアドレスに書き込むランダムアクセス
    メモリ書き込み部、 (H)前記中央処理装置からの指示により、前記書き換
    え可能リードオンリーメモリに記憶されている情報を書
    き換える書き換え可能リードオンリーメモリ書き込み部
    、 を含むことを特徴とするプログラム記憶方式。 2、請求項1記載のプログラム記憶方式において、前記
    書き換え可能リードオンリーメモリは、電気的消去型プ
    ログラマブルリードオンリーメモリであることを特徴と
    するプログラム記憶方式。
JP26136690A 1990-09-28 1990-09-28 プログラム記憶方式 Pending JPH04137136A (ja)

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JP26136690A JPH04137136A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 プログラム記憶方式

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JPH04137136A true JPH04137136A (ja) 1992-05-12

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ID=17360843

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JP26136690A Pending JPH04137136A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 プログラム記憶方式

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009536395A (ja) * 2006-06-19 2009-10-08 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Otaが可能な端末の情報アップグレードシステム及び方法{informationupgradesystemandmethodforota−capabledevice}

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009536395A (ja) * 2006-06-19 2009-10-08 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Otaが可能な端末の情報アップグレードシステム及び方法{informationupgradesystemandmethodforota−capabledevice}

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