JPH04135183U - 電子コネクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度で、且つ無挿抜力又は低挿抜力で相手
コンタクトの挿抜を行える電子コネクタを提供する。 【構成】 表面に複数条のコンタクト層１を平行に設け
た１対の可撓性絶縁フイルム２を用いる。これら可撓性
絶縁フイルム２は、その端部のコンタクト層１の箇所
で、コンタクト層１を外に向けて支持体３の周面に逆Ｕ
字状に貼り付け固定する。これら支持体３を、Ｕ字状の
形状記憶バネ４の両端に支持させる。このようなコンタ
クト層１付の可撓性絶縁フイルム２を表面に備えた両支
持体３の間に、相手コンタクト５を挿入し、この相手コ
ンタクト５の表面の各接点６と可撓性絶縁フイルム２の
各コンタクト層１との電気的導通を得る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、無挿抜力又は低挿抜力で相手コンタクトの挿抜を可能とする電子コ ネクタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

最近、半導体集積回路の目覚ましい発達により、プリント基板も非常に高密度 配線になっている。これに伴なって、電子コネクタのコンタクトピッチは極小方 向へ、また、コンタクト数も多極化へ進展している。

【０００３】 一般に電子コネクタの挿抜（着脱）に要する力はコンタクト数に比例して増加 するため、高密度に実装されたプリント基板と多極の電子コネクタの挿抜には、 操作性の低下と無理な挿抜による破損が起こり易い問題点がある。

【０００４】 これを解決するため、無挿抜力で挿抜が行える電子コネクタが提案されている 。かかる電子コネクタとしては、レバー等を操作してカム機構を利用してコンタ クトを動かすことにより無挿抜力、即ち、ＺＩＦ（Zero-Insersion-Force) を実 現したものが一般的である。また、周囲の温度変化を利用して挿抜時に力を必要 としない、若しくは極めて低い力で着脱が可能なコネクタとして、形状記憶バネ をコンタクトのアクチュエータとして組み込んだ無挿抜力タイプの電子コネクタ が提案されている。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

これら電子コネクタは、いずれもハウジングに複数のコンタクトを組み込んで おり、個々のコンタクトはプレス成形等で得られる加工品のため、コンパクト化 の点で限界がある。また、ハウジングへの組立てや変形時の隣接ピンとの短絡を 防止するため、隣り合う端子同士は一定の距離をとらねばならず、この点からも 高密度化に限界があった。

【０００６】 一方、コンタクトとして、フレキシブルプリント基板、即ち、ＦＰＣ(FLexibl e Printed Circuit)を用いたコネクタも提案されている。このコネクタは、チュ ーブ状の形状記憶バネとバイアスバネを同一層に重ねて配置し、これらの内周面 に沿ってＦＰＣ等の導電体を設けた構造になっている。しかしながら、このよう なコネクタにおいては、構成部品の相互間の位置関係を安定して固定することが できず、相手コンタクトとの高密度接続に適さない等の問題点があった。

【０００７】 本考案の目的は、高密度で、且つ無挿抜力又は低挿抜力で相手コンタクトの挿 抜を行える電子コネクタを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

上記の目的を達成する本考案の手段を説明すると、本考案に係る電子コネクタ は、表面にコンタクト層が設けられている可撓性絶縁フイルムが前記コンタクト 層の箇所で支持体に支持され、前記支持体には該支持体を移動操作することによ り前記コンタクト層を移動操作する形状記憶バネが連結されていることを特徴と する。

【０００９】

【作用】

このように、表面にコンタクト層が設けられている可撓性絶縁フイルムを電子 コネクタのコンタクト構成部品とすると、高密度化を容易に実現することができ る。また、該可撓性絶縁フイルムをそのコンタクト層の箇所で支持体に支持させ 、該支持体には所定温度で該支持体を移動操作することにより該コンタクト層を 移動操作する形状記憶バネを連結すると、無挿抜力又は低挿抜力で相手コンタク トの挿抜を可能にする電子コネクタを提供できる。

【００１０】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図を参照して詳細に説明する。

【００１１】 図１は、本考案の第１実施例を示したものである。本実施例の電子コネクタは 、表面に複数条のコンタクト層１が平行に設けられている可撓性絶縁フイルム２ を１対備えている。これら可撓性絶縁フイルム２は、その端部のコンタクト層１ の箇所で、該コンタクト層１を外に向けて支持体３の周面に逆Ｕ字状に貼り付け 固定されている。これら支持体３は、Ｕ字状の形状記憶バネ４の両端に支持され ている。即ち、両方の支持体３の下面の溝３ａに形状記憶バネ４の各端部を接着 剤等を介して嵌め込むことにより、各支持体３はＵ字状形状記憶バネ４の両端に それぞれ支持されている。このようなコンタクト層１付の可撓性絶縁フイルム２ を表面に備えた両支持体３の間には、相手コンタクト５が挿入され、該相手コン タクト５の表面の各接点６と可撓性絶縁フイルム２の各コンタクト層１との電気 的導通がとられるようになっている。

【００１２】 この場合、コンタクト層１を有する可撓性絶縁フイルム２は、例えば、ポリイ ミド，耐熱ポリエステル等のフイルムに銅箔を一体化した銅張り基材を用い、該 銅張り基材に露光，エッチングして所定パターンのコンタクト層１を形成するこ とにより得られる。支持体３は、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ ），ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等の熱可塑性樹脂で構成する。

【００１３】 可撓性絶縁フイルム２と支持体３との一体化は、可撓性絶縁フイルム２の裏面 の、支持体３と一体化する部分に接着剤を塗布した後、該可撓性絶縁フイルム２ を支持体３の成形用金型（図示せず）内にセットし、前述した熱可塑性樹脂を射 出成形することにより、可撓性絶縁フイルム２が一体化した支持体３を形成する ことができる。

【００１４】 なお、相手コンタクト５の接点６との接触を確実にするために、支持体３の表 面におけるコンタクト層１の表面に半球状の突起を設けることもできる。

【００１５】 次に、このような電子コネクタの動作を、図２，図３を参照して説明する。図 ２は、形状回復状態にある形状記憶バネ４の両端を支持体３に固定した直後の状 態を示したものである。形状記憶バネ４は、例えばＮｉ−Ｔｉよりなり、変態点 （Ａｆ点）は10℃に設定してある。相手コンタクト５の挿入時には、該電子コネ クタを−20℃に冷やしておく。この状態では、形状記憶バネ４はマルテンサイト 状態にあり、外力により容易に変形する。対向するコンタクト層１のギャップは 、初回のみ相手コンタクト５よりも狭いため、相手コンタクト５の挿入時にはご く弱い力が必要となる。

【００１６】 相手コンタクト５の挿入後、図３の状態で該電子コネクタの環境温度が室温に なると、形状記憶バネ４は記憶している形状に回復しようとし、コンタクト層１ と接点６との間に所定の強い接触力が働く。

【００１７】 相手コンタクト５の抜去の際には、該電子コネクタを再び−20℃に冷やすと、 形状記憶バネ４はマルテンサイト状態となり、軟質となる。この結果、相手コン タクト５はごく弱い力で抜去が可能となる。この後、再び相手コンタクト５を挿 入する際、該電子コネクタを−20℃のまま保持してあれば、対向するコンタクト 層１間のギャップは相手コンタクト５を抜いた時とほとんど同じ寸法で変らない ため、無負荷の状態で挿入が可能である。

【００１８】 また、相手コンタクト５の抜去後、該電子コネクタを室温以上に上げていれば 、−20℃に冷却しても対向するコンタクト層１間のギャップ寸法は、図２の状態 となっているため、前述の通りごく弱い力が必要となる。

【００１９】 上述の例では、形状記憶バネ４の変態点（Ａｆ点）を10℃に設定したが、例え ばこれを70℃にすれば、高温下で使用する電子コネクタが得られる。即ち、室温 下で相手コンタクト５の着脱が無負荷で行なえ、100 ℃等の高温下では高い接触 力が働く。

【００２０】 図４は、本考案の第２実施例を示したものである。本実施例の電子コネクタは 、両方の支持体３の長手方向に、Ｕ字状をした複数の形状記憶バネ４とＵ字状を したバイアスバネ７が交互に配置され、これら形状記憶バネ４とバイアスバネ７ との各両端は両方の支持体３の下面の溝３ａに接着剤等を介してそれぞれ嵌め込 まれて固定された構造になっている。この場合、形状記憶バネ４はＵ字状の入り 口部が外側に開いた形状になっており、バイアスバネ７はＵ字状の入り口部が内 側に閉じた形状になっている。このような形状記憶バネ４とバイアスバネ７との 各両端を両方の支持体３に組込むと、これらバネ４，７は力の釣り合ったところ で各支持体３は静止する。このため、組込み後の外観は第１実施例と同じで極め て簡単な構造である。

【００２１】 次に、このような電子コネクタの動作を、図５，図６を参照して説明する。形 状記憶バネ４の変態点を70℃に設定した場合、相手コンタクト５の挿入時には該 電子コネクタを100 ℃に加温することにより、形状記憶バネ４は記憶形状に回復 しようとしバイアスバネ７に打ち勝って、図５に示すように、支持体３を外側に 押し開く。この結果、相手コンタクト５は無挿抜力で挿入が可能である。続いて 使用環境温度である室温下になると、形状記憶バネ４はマルテンサイト状態にな り、バイアスバネ７により支持体３は図６に示すように内側に引き寄せられ、コ ンタクト層１と接点６との間に強い接触力が働く。

【００２２】 この場合、形状記憶バネ４の変態点を10℃にすれば、該電子コネクタは−20℃ 等の低温下でのみ相手コンタクト５の接点６にコンタクト層１が接触して使用が 可能となり、一方室温下では相手コンタクト５の挿抜が可能となる。

【００２３】 なお、形状記憶バネ４とバイアスバネ７の初期形状は前述した形状とは逆でも よく、この場合は低温状態で相手コンタクト５の挿抜を行い、高温状態で相手コ ンタクト５の接点６と導通状態となる。

【００２４】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案に係る電子コネクタにおいては、表面にコンタク ト層が設けられている可撓性絶縁フイルムを電子コネクタのコンタクト構成部品 としているので、電子コネクタの高密度化を容易に実現することができる。また 、本考案では、該可撓性絶縁フイルムをそのコンタクト層の箇所で支持体に支持 させ、該支持体には所定温度で該支持体を移動操作することにより該コンタクト 層を移動操作する形状記憶バネを連結しているので、無挿抜力又は低挿抜力で相 手コンタクトの挿抜を可能にする電子コネクタを提供することができる。従って 、本考案によれば、高密度で、且つ無挿抜力又は低挿抜力で相手コンタクトの挿 抜を行える電子コネクタを提供することができる。更に、本考案によれば、構造 が従来のこの種のものに比べて簡単であり、それ故に確実な動作が期待できると 共にコストの低減を図ることができる。かつまた、本考案では可撓性絶縁フイル ムのコンタクト層が該電子コネクタの接点を兼ねているので、接点とリード線と の接続箇所がなくなり、信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る電子コネクタの第１実施例の斜視
図である。

【図２】図１に示す電子コネクタの入り口が閉じた状態
を示す側面図である。

【図３】図１に示す電子コネクタに相手コンタクトを挿
入した状態を示す側面図である。

【図４】本考案に係る電子コネクタの第２実施例の分解
斜視図である。

【図５】図４に示す電子コネクタの入り口が開いた状態
を示す側面図である。

【図６】図４に示す電子コネクタの入り口が閉じた状態
を示す側面図である。

【符号の説明】

１…コンタクト層、２…可撓性絶縁フイルム、３…支持
体、３ａ…溝、４…形状記憶バネ、５…相手コンタク
ト、６…接点、７…バイアスバネ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面にコンタクト層が設けられている可
   撓性絶縁フイルムが前記コンタクト層の箇所で支持体に
   支持され、前記支持体には該支持体を移動操作すること
   により前記コンタクト層を移動操作する形状記憶バネが
   連結されていることを特徴とする電子コネクタ。