JPH04134846U - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子の一部不良と完全不良を識別可能
とする。 【構成】 半導体素子の回路機能の充足程度に応じて異
なるマークを半導体素子に付与する。マークの内容から
一部不良と完全不良を判別できる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は半導体素子に係り、特に半導体素子の識別に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

半導体素子は、製造後、回路機能を測定し、不良品には不良のマークを付して いる。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかるに不良品といっても完全不良と一部不良があり、一部不良の例えば４メ ガＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）は、初期の設計通りの回路機能は 充足していないが、低位メモリとしては回路機能的に充足し、例えば１メガＤＲ ＡＭまたは２メガＤＲＡＭなどとしてランクを低下させれば充分回路機能的に動 作する場合があるが、従来は一部不良と完全不良の区別なく不良品には１種類の マークしか付さないために一部不良と完全不良の識別が困難であり、一部不良品 をランクを下げて良品として活用することはできなかった。

【０００４】 この考案は上記の点に鑑みなされたもので、一部不良と完全不良の識別ができ 、一部不良品をランクを下げて良品として活用できる半導体素子を提供すること を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

この考案では、半導体素子の回路機能の充足程度に応じて異なるマークを半導 体素子に付与する。

【０００６】

【作用】

回路機能の充足程度に応じて異なるマークが半導体素子に付与されていれば、 該マークから半導体素子が一部不良か完全不良かを識別することができ、一部不 良品をランクを下げて良品として活用できる。

【０００７】

【実施例】

以下この考案の一実施例を図面を参照して説明する。図１は、製造後、回路機 能を電気的に測定した結果の各種半導体素子を示す。図１（ａ）の半導体素子１ １ａは、回路機能を電気的に測定した結果、設計した回路機能動作が確認された 完全良品の半導体素子であり、この半導体素子１１ａには不良を示すマークは付 さない。図１（ｂ）の半導体素子１１ｂは、回路機能を測定したところ、回路機 能は完全には動作しないが、低位の素子としては回路機能的に充足している一部 不良の半導体素子で、この半導体素子１１ｂには円形の第１のマーク１２を半導 体素子のほぼ中央部にマーキングする。図１（ｃ），（ｄ），（ｅ）の半導体素 子１１ｃは、回路機能を測定したところ回路機能が完全に、しかも低位の素子と しても動作しない完全不良品の半導体素子で、この半導体素子１１ｃには前記第 １のマーク１２とともに第２のマーク１３をマーキングする。この第２のマーク １３は前記第１のマーク１２と、色，形などが同一であっても、また異なってい てもよい。また、マーキング位置も第１のマーク１２の横であっても（図１（ｃ ））、上あるいは下（図１（ｄ））であっても、斜めであってもよく、さらには 図１（ｅ）に示すように第１のマーク１２と一部重なって第２のマーク１３がマ ーキングされてもよい。要するに、第１のマーク１２の外に第２のマーク１３が 付与されていることが視認できればよい。これらのマーク１２，１３は、インカ ーと呼ばれるマーキング装置で付与される。図１（ｄ）の直線１４は、半導体素 子に次々マーキングするためのインカーの移動方向である。この直線１４上に並 べて同一の第１，第２のマーク１２，１３をマーキングするようにすれば、１台 の装置で経済的に、かつ技術的に容易に２つのマークを付与することができる。

【０００８】 そして、上記のようにして半導体素子にマークが付与されていれば、第１のマ ーク１２のみか、あるいは第１と第２のマーク１２，１３かにより一部不良か完 全不良かを識別することができ、一部不良の半導体素子１１ｂはランクを下げて 良品として活用できる。

【０００９】

【考案の効果】

以上詳述したようにこの考案の半導体素子によれば、回路機能の充足程度に応 じて異なるマークが付与されるようにしたので、一部不良と完全不良とを識別す ることができ、一部不良品をランクを下げて良品として活用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の半導体素子の一実施例を示す平面図
である。

【符号の説明】

１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 半導体素子 １２ 第１のマーク １３ 第２のマーク

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路機能の充足程度に応じて異なるマー
   クが付与されたことを特徴とする半導体素子。