JPH04129530A - Mri装置 - Google Patents
Mri装置Info
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- JPH04129530A JPH04129530A JP2251590A JP25159090A JPH04129530A JP H04129530 A JPH04129530 A JP H04129530A JP 2251590 A JP2251590 A JP 2251590A JP 25159090 A JP25159090 A JP 25159090A JP H04129530 A JPH04129530 A JP H04129530A
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- environmental
- influence
- coil
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- 210000000056 organ Anatomy 0.000 claims 1
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Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁場発生手段の周囲の磁場環境変動による影
響を低減して、断層像の画質劣化をはかるMRI装置に
関する。
響を低減して、断層像の画質劣化をはかるMRI装置に
関する。
従来のMRI([気共鳴イメージング)装置は、その磁
場(静磁場、傾斜磁場のこと)発生手段の周囲の磁場環
境変動による影響を低減して断層像の画質劣化を防止す
るため、MRI装置全体の周囲6面をパーマロイ、アモ
ルファス金属等の高透磁率材料で囲み、磁気シールドし
ていた。ここで、磁場環境変動とは、地磁気等の如き常
時変化のない磁場が存在するといった意味ではなく、ニ
レー\−タや電車の如く磁場そのものが時間と共に変化
する環境変動形の磁場発生源が存在するという意味であ
る。エレベータや電車は、それ自体が磁場発注源であり
、且つMRI装置の近くを通過したりした場合に、その
磁場の影響が大になり、離れればその磁場の影響はなく
なる。従って、近くを通過するか否かで画質が影響を受
けることになる。
場(静磁場、傾斜磁場のこと)発生手段の周囲の磁場環
境変動による影響を低減して断層像の画質劣化を防止す
るため、MRI装置全体の周囲6面をパーマロイ、アモ
ルファス金属等の高透磁率材料で囲み、磁気シールドし
ていた。ここで、磁場環境変動とは、地磁気等の如き常
時変化のない磁場が存在するといった意味ではなく、ニ
レー\−タや電車の如く磁場そのものが時間と共に変化
する環境変動形の磁場発生源が存在するという意味であ
る。エレベータや電車は、それ自体が磁場発注源であり
、且つMRI装置の近くを通過したりした場合に、その
磁場の影響が大になり、離れればその磁場の影響はなく
なる。従って、近くを通過するか否かで画質が影響を受
けることになる。
この磁場環境変動をパーマロイ等で磁気シールドしてい
たのであった。
たのであった。
しかし、上記従来例は、1台のMRI装置について、材
料費が1000万円以上と高価になると共に、画質劣化
の防止が完全とは云えなかった。
料費が1000万円以上と高価になると共に、画質劣化
の防止が完全とは云えなかった。
そこで、本件出願人は、磁場環境変動の影響を少なくで
きるMRI装置を先に出願した(特願平2−80843
号)。その概要を第4図で説明する。
きるMRI装置を先に出願した(特願平2−80843
号)。その概要を第4図で説明する。
第4図で、磁場発生手段(図示省略)の周囲の磁場環境
変動JIFを磁場センサ1で検出し、この磁場センサ1
で検出した出力波形を増幅器2で増幅し、この出力信号
に応して補正磁場コイル電源3で補正電流Iを生成し、
この補正電流lを静磁場発生の磁気回路の外部に上下、
あるいは前後、左右に対向して平行に設けられたループ
状の補正磁場コイル4,5に流し、これによって上記磁
場環境変動Fと逆向きの補正磁場F、を発生させるよう
にする。そして、この補正磁場F、により、上記磁場環
境変動Fを打ち消すものである。
変動JIFを磁場センサ1で検出し、この磁場センサ1
で検出した出力波形を増幅器2で増幅し、この出力信号
に応して補正磁場コイル電源3で補正電流Iを生成し、
この補正電流lを静磁場発生の磁気回路の外部に上下、
あるいは前後、左右に対向して平行に設けられたループ
状の補正磁場コイル4,5に流し、これによって上記磁
場環境変動Fと逆向きの補正磁場F、を発生させるよう
にする。そして、この補正磁場F、により、上記磁場環
境変動Fを打ち消すものである。
しかし、上記提案の磁気共鳴イメージング装置において
、静磁場発生磁石は、通常0.1〜2Tの磁場強度を持
ち、その洩れ磁場は静磁場中心から2〜5mMれた場所
でI Xl0−’T程度であり、微弱な環境磁場変動(
IXIO−b〜I Xl0−’T)を検出する磁場セン
サは検出精度上、洩れ磁場1×10T以下の場所つまり
、静磁場中心から2m以上離れた地点に設置しなければ
ならない。
、静磁場発生磁石は、通常0.1〜2Tの磁場強度を持
ち、その洩れ磁場は静磁場中心から2〜5mMれた場所
でI Xl0−’T程度であり、微弱な環境磁場変動(
IXIO−b〜I Xl0−’T)を検出する磁場セン
サは検出精度上、洩れ磁場1×10T以下の場所つまり
、静磁場中心から2m以上離れた地点に設置しなければ
ならない。
通常磁場は、発生源からの距離が遠くなる程、弱くなる
特徴がある。一方、磁場センサと補正コイルが発生する
補正磁場とでは、磁場変動発生源からの距離が異なる そこで、1例として第5図に示すように、検査室】00
の左右にそれぞれ変動環境磁場発生源6゜7があるもの
とし、且つ磁場センサ1は、発生源6に近い検査室10
の壁側内部に設置の例を考える。
特徴がある。一方、磁場センサと補正コイルが発生する
補正磁場とでは、磁場変動発生源からの距離が異なる そこで、1例として第5図に示すように、検査室】00
の左右にそれぞれ変動環境磁場発生源6゜7があるもの
とし、且つ磁場センサ1は、発生源6に近い検査室10
の壁側内部に設置の例を考える。
発生源6による磁場センサlでの検出磁場をalとし、
被検体計測空間中央位置での影響磁場がす。
被検体計測空間中央位置での影響磁場がす。
であったとする。このblは、中央位置に磁気センサを
置いて測定した値である。磁気センサの代りに高周波受
信コイルを設けて、ここで受けた共鳴周波数からす、を
決定するようにしてもよい。
置いて測定した値である。磁気センサの代りに高周波受
信コイルを設けて、ここで受けた共鳴周波数からす、を
決定するようにしてもよい。
このMRI装置は、磁気センサlでの基準補正電流が■
。であったとすると、中央位置でのblをなくするため
には、補正電流IOではな(、a。
。であったとすると、中央位置でのblをなくするため
には、補正電流IOではな(、a。
とblとの比率に従った(1)式のhを流せばよい。
11= 10− bl/al”” (1)然るに、
他方の発生源7による磁場センサ1での検出磁場がat
であったとすると、これによる補正電流I2は、 12= Io・ bl/al−az”” (2)とな
る。しかし、実際に発生させなければならない磁場は、
第5図から明らかなようにb2相当値でなければならな
い。bz> (b+/a+) ・axの関係にある故
に、(2)式では、発生源7による変動磁場を十分に低
減できないことになり、画像のぼけやゴーストが発生し
、画質の劣化を招く。
他方の発生源7による磁場センサ1での検出磁場がat
であったとすると、これによる補正電流I2は、 12= Io・ bl/al−az”” (2)とな
る。しかし、実際に発生させなければならない磁場は、
第5図から明らかなようにb2相当値でなければならな
い。bz> (b+/a+) ・axの関係にある故
に、(2)式では、発生源7による変動磁場を十分に低
減できないことになり、画像のぼけやゴーストが発生し
、画質の劣化を招く。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、磁場発生
手段の周囲の磁場環境変動による影響を低減してMR両
画像画質劣化を防止するMRI装置を提供するものであ
る。
手段の周囲の磁場環境変動による影響を低減してMR両
画像画質劣化を防止するMRI装置を提供するものであ
る。
〔課題を達成するための手段〕
本発明のMRI装置は、磁場発生手段の周囲の環境磁場
変動量を相異なる2つ以上の位置で検出する、2つ以上
の磁場センサと、この2つ以上の磁場センサからの検出
信号を入力して上記環境磁場変動量の、被検体計測空間
での影響磁場対応の磁場補正電流を算出する手段と、該
磁場補正電流が与えられて上記被検体計測空間での影響
磁場を除去する補正コイルと、より成る(請求項1)。
変動量を相異なる2つ以上の位置で検出する、2つ以上
の磁場センサと、この2つ以上の磁場センサからの検出
信号を入力して上記環境磁場変動量の、被検体計測空間
での影響磁場対応の磁場補正電流を算出する手段と、該
磁場補正電流が与えられて上記被検体計測空間での影響
磁場を除去する補正コイルと、より成る(請求項1)。
更に、本発明のMRI装置は、上記2つ以上の磁場セン
サは、上記磁場発生手段によって発生する磁場が無視可
能な位置に設置した(請求項2)。
サは、上記磁場発生手段によって発生する磁場が無視可
能な位置に設置した(請求項2)。
更に、本発明のMRI装置は、上記2つ以上の磁場セン
サは、2つ以上の変動環境磁場発生源がある場合に、そ
れぞれ対応する環境変動磁場発生源に近い位置に設置し
た(請求項3)。
サは、2つ以上の変動環境磁場発生源がある場合に、そ
れぞれ対応する環境変動磁場発生源に近い位置に設置し
た(請求項3)。
本発明によれば、環境磁場変動量を相異なる2つ以上の
位置で検出する、2つ以上の磁場センサを設けて、被検
体計測空間での影響磁場対応の磁場補正電流を算出し、
これによって影響磁場の除去をはかる(請求項1)。
位置で検出する、2つ以上の磁場センサを設けて、被検
体計測空間での影響磁場対応の磁場補正電流を算出し、
これによって影響磁場の除去をはかる(請求項1)。
更に、本発明によれば、磁場発生手段によって発生する
磁場が無視可能な位置に設けて、環境磁場変動分のみを
正確に検出できる(請求項2)。
磁場が無視可能な位置に設けて、環境磁場変動分のみを
正確に検出できる(請求項2)。
更に、本発明によれば、2つ以上の変動環境磁場発生源
がある場合に、それぞれ近い位置に磁場センサを設定し
て、複数発生源の影響磁場を特徴する請求項3)。
がある場合に、それぞれ近い位置に磁場センサを設定し
て、複数発生源の影響磁場を特徴する請求項3)。
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明によるMRI装置の実施例を示す全体構
成のブロック図である。このMR1装置は、核磁気共鳴
(NMR)現象を利用して被検体の断層像を得るもので
、図に示すように、静磁場発生磁石2と、磁場勾配発生
系(9,10)と、送信系4と、受信系5と、信号処理
系6と、シーケンサ7と、中央処理装置(CPU)8と
、磁場センサ21と、補正制御回路22と、補正磁場コ
イル23を備えて成る。
成のブロック図である。このMR1装置は、核磁気共鳴
(NMR)現象を利用して被検体の断層像を得るもので
、図に示すように、静磁場発生磁石2と、磁場勾配発生
系(9,10)と、送信系4と、受信系5と、信号処理
系6と、シーケンサ7と、中央処理装置(CPU)8と
、磁場センサ21と、補正制御回路22と、補正磁場コ
イル23を備えて成る。
上記静磁場発生磁石2は、被検体1の周りにその体軸方
向(水平方向)または体軸と直交する方向(垂直方向)
に均一な静磁場を発生させるもので、上記被検体lの周
りのある広がりをもった空間に永久磁石方式または常電
導方式あるいは超電導方式の磁場発生手段が配置されて
いる。なお、第1図では、上記静磁場の方向を図中の矢
印Aの向きで示している。磁場勾配発生系は、X、Y。
向(水平方向)または体軸と直交する方向(垂直方向)
に均一な静磁場を発生させるもので、上記被検体lの周
りのある広がりをもった空間に永久磁石方式または常電
導方式あるいは超電導方式の磁場発生手段が配置されて
いる。なお、第1図では、上記静磁場の方向を図中の矢
印Aの向きで示している。磁場勾配発生系は、X、Y。
Zの3軸方向に巻かれた傾斜磁場コイル9と、それぞれ
のコイルを駆動する傾斜磁場電源lOとから成り、上記
シーケンサ7からの命令に従ってそれぞれのコイルの傾
斜磁場電源10を駆動することにより、x、 y、
zの3軸方向の傾斜磁場G、、ay。
のコイルを駆動する傾斜磁場電源lOとから成り、上記
シーケンサ7からの命令に従ってそれぞれのコイルの傾
斜磁場電源10を駆動することにより、x、 y、
zの3軸方向の傾斜磁場G、、ay。
G2を被検体1に印加するようになっている。この傾斜
磁場の加え方により、被検体1に対するスライス面を設
定することができる。
磁場の加え方により、被検体1に対するスライス面を設
定することができる。
送信系4は、被検体1の生体組織を構成する原子の原子
核に核磁気共鳴を起こさせるために電磁波を照射するも
ので、高周波発振器11と変調器12と高周波増幅器1
3と送信側の高周波コイル14aとから成り、上記高周
波発振器11から出力された高周波パルスをシーケンサ
7の命令に従って変調器12振幅変調し、この振幅変調
された高周波パルスを高周波増幅器13で増幅した後に
被検体lに近接して配置された高周波コイル14aに供
給することにより、電磁波が上記被検体1に照射される
ようになっている。受信系5は、被検体1の生体組織の
原子核の核磁気共鳴により、放出される電磁波(NM
R信号)を検出するもので、受信側の高周波コイル14
bと増幅器15と直交位相検波器16とA/D変換器1
7とを有して成り、上記送信側の高周波コイル14aか
ら照射された電磁波による被検体1の応答の電磁波(N
MR信号)は被検体1に近接して配置された高周波コイ
ル14bで検出され、増幅器15及び直交位相検波器1
6を介してA/D変換器17に入力してディジタル量に
変換され、さらにシーケンサ7からの命令によるタイミ
ングで直交位相検波器16によりサンプリングされた2
系列の収集データとされ、その信号が信号処理系6に送
られるようになっている。
核に核磁気共鳴を起こさせるために電磁波を照射するも
ので、高周波発振器11と変調器12と高周波増幅器1
3と送信側の高周波コイル14aとから成り、上記高周
波発振器11から出力された高周波パルスをシーケンサ
7の命令に従って変調器12振幅変調し、この振幅変調
された高周波パルスを高周波増幅器13で増幅した後に
被検体lに近接して配置された高周波コイル14aに供
給することにより、電磁波が上記被検体1に照射される
ようになっている。受信系5は、被検体1の生体組織の
原子核の核磁気共鳴により、放出される電磁波(NM
R信号)を検出するもので、受信側の高周波コイル14
bと増幅器15と直交位相検波器16とA/D変換器1
7とを有して成り、上記送信側の高周波コイル14aか
ら照射された電磁波による被検体1の応答の電磁波(N
MR信号)は被検体1に近接して配置された高周波コイ
ル14bで検出され、増幅器15及び直交位相検波器1
6を介してA/D変換器17に入力してディジタル量に
変換され、さらにシーケンサ7からの命令によるタイミ
ングで直交位相検波器16によりサンプリングされた2
系列の収集データとされ、その信号が信号処理系6に送
られるようになっている。
この信号処理系6は、cpuaと、磁気ディスク18及
び磁気テープ19等の記録装置と、CRT等のデイスプ
レィ20とから成り、上記CPU8でフーリエ変換、補
正係数計算像再構成等の処理を行い、任意断面の信号強
度分布あるいは複数の信号に適当な演算を行って得られ
た分布を画像化してデイスプレィ20に断層像として表
示するようになっている。また、シーケンサ7は、CP
U8の制御で動作し、被検体1の断層像のデータ収集に
必要な種々の命令を送信系4及び磁場勾配発生系(9゜
10)並びに受信系5に送り、上記NMR信号を計測す
るシーケンスを発生する手段となるものである。なお、
第1図において、送信側の高周波コイル14a及び受信
側の高周波コイル14b並びに傾斜磁場コイル9.9は
、被検体1の周りの空間に配置された静磁場発生磁石2
の磁場空間内に配置されている。
び磁気テープ19等の記録装置と、CRT等のデイスプ
レィ20とから成り、上記CPU8でフーリエ変換、補
正係数計算像再構成等の処理を行い、任意断面の信号強
度分布あるいは複数の信号に適当な演算を行って得られ
た分布を画像化してデイスプレィ20に断層像として表
示するようになっている。また、シーケンサ7は、CP
U8の制御で動作し、被検体1の断層像のデータ収集に
必要な種々の命令を送信系4及び磁場勾配発生系(9゜
10)並びに受信系5に送り、上記NMR信号を計測す
るシーケンスを発生する手段となるものである。なお、
第1図において、送信側の高周波コイル14a及び受信
側の高周波コイル14b並びに傾斜磁場コイル9.9は
、被検体1の周りの空間に配置された静磁場発生磁石2
の磁場空間内に配置されている。
また、上記磁場センサ21は、前記静磁場発生磁石2の
周囲において静磁場方向(矢印への方向)の磁場環境変
動Fを検出するもので、MRI装置が設置された検査室
の内部にて例えば磁場環境変動が生じ易い側の角部に配
置されている。補正制御回路22は、上記磁場センサ2
1から出力される検出信号を入力して増幅し磁場環境変
動Fによる影響を補正するための補正電流I0を性成す
るものである。さらに、補正磁場コイル23は、上記補
正制御回路22から出力される補正電流1゜を入力して
前記磁場環境変動Fと逆向きの補正磁場F1を発生する
もので、上下に対向して2つ(23A、 23B)設け
られている。
周囲において静磁場方向(矢印への方向)の磁場環境変
動Fを検出するもので、MRI装置が設置された検査室
の内部にて例えば磁場環境変動が生じ易い側の角部に配
置されている。補正制御回路22は、上記磁場センサ2
1から出力される検出信号を入力して増幅し磁場環境変
動Fによる影響を補正するための補正電流I0を性成す
るものである。さらに、補正磁場コイル23は、上記補
正制御回路22から出力される補正電流1゜を入力して
前記磁場環境変動Fと逆向きの補正磁場F1を発生する
もので、上下に対向して2つ(23A、 23B)設け
られている。
本実施例での磁場センサ21は、2つの磁場センサ21
A、21Bより成り、その配置例を第2図に示す。
A、21Bより成り、その配置例を第2図に示す。
第2図で、検査室100内には、MRI装置本体が設置
されており、図ではその1部である静磁場発生磁石部2
を模式的に示しである。この磁石部2の周囲に補正用磁
場コイル23A、23Bが設置されているものとする。
されており、図ではその1部である静磁場発生磁石部2
を模式的に示しである。この磁石部2の周囲に補正用磁
場コイル23A、23Bが設置されているものとする。
更に、検査室100の左側方向にレールが敷設されてお
りこのレール止を磁場発生源25となる電車が通過する
ものとする。検査室100の右側方向には各フロアを通
過するエレベータが存在し、これが第2の磁場発生源2
6に°なるものとする。
りこのレール止を磁場発生源25となる電車が通過する
ものとする。検査室100の右側方向には各フロアを通
過するエレベータが存在し、これが第2の磁場発生源2
6に°なるものとする。
この2つの磁場発生源25.26に近い位置で、且つ静
磁場、傾斜磁場の影響のない(又は少ない)部屋の片隅
の位置に、それぞれ磁場センサ21A。
磁場、傾斜磁場の影響のない(又は少ない)部屋の片隅
の位置に、それぞれ磁場センサ21A。
21Bを設置した。
第2図の下方には、2つの磁場発生源25.26による
環境磁場変動量と位置との関係を図示した。
環境磁場変動量と位置との関係を図示した。
磁場発生源25を磁場センサ21Aでは変動IIaと検
出し、磁場センサ21Bでは変動量eと検出し、磁場発
生源26を磁場センサ21Bでは変動量すと検出し、磁
場センサ21Aでは変動量の検出はない(検出量はゼロ
である)ものとしている。
出し、磁場センサ21Bでは変動量eと検出し、磁場発
生源26を磁場センサ21Bでは変動量すと検出し、磁
場センサ21Aでは変動量の検出はない(検出量はゼロ
である)ものとしている。
更に、磁場発生源25による被検体計測空間上での変動
量をC,磁場発生源26による被検体計測空間上での変
動量をdであるとする。c、dは、中央においた磁場セ
ンサで計測した。磁気センサの代りに中央部に高周波受
信コイルを設置し、これで共鳴周波数を検出し、そこか
らc、dを決定してもよい。
量をC,磁場発生源26による被検体計測空間上での変
動量をdであるとする。c、dは、中央においた磁場セ
ンサで計測した。磁気センサの代りに中央部に高周波受
信コイルを設置し、これで共鳴周波数を検出し、そこか
らc、dを決定してもよい。
そこで、環境磁場変動を以下のやり方で補正する。磁場
センサ21Aの検出値aに対しては、補正磁場コイル2
3Aから発生する補正磁場が変動量Cと同一で且つそれ
を打消すような方向に、補正磁場コイル23へ流れる電
流を補正制御回路22Aで制御させる。例えば、第4図
の如き電流lに対して、補正電流1+は、■に代って 1 + = I−c / a ”・(J’ )を設定し
、これを補正磁場コイル23Aに流せばよい。
センサ21Aの検出値aに対しては、補正磁場コイル2
3Aから発生する補正磁場が変動量Cと同一で且つそれ
を打消すような方向に、補正磁場コイル23へ流れる電
流を補正制御回路22Aで制御させる。例えば、第4図
の如き電流lに対して、補正電流1+は、■に代って 1 + = I−c / a ”・(J’ )を設定し
、これを補正磁場コイル23Aに流せばよい。
更に、磁場コイル21Bの検出値に対しては、検出値が
b及びeである故に、この2つの値に従った補正をする
必要がある。そこで、補正制御回路に設定し、これを補
正磁場コイル23Bに流して、変動量dを打消す如き磁
場dを発生させる。これによって、発生源26による変
動磁場を抑制できる。
b及びeである故に、この2つの値に従った補正をする
必要がある。そこで、補正制御回路に設定し、これを補
正磁場コイル23Bに流して、変動量dを打消す如き磁
場dを発生させる。これによって、発生源26による変
動磁場を抑制できる。
一方、発生源25による変動磁場eは、中央位置換算す
ると、a・ (d/b)となる。この値は非常に小さく
、画像の劣化への影響はないと考えてよい。従って、値
eは無視する。
ると、a・ (d/b)となる。この値は非常に小さく
、画像の劣化への影響はないと考えてよい。従って、値
eは無視する。
なお、第2図においては、磁場センサ(21A 。
21B)、補正制御回路(22A、22B)、補正磁場
コイル(23A、23B)を2つずつ設けた例を示した
が、本発明はこれに限らず、磁場センサ21A。
コイル(23A、23B)を2つずつ設けた例を示した
が、本発明はこれに限らず、磁場センサ21A。
21Bからの検出信号を1つの補正制御回路22、及び
1つあるいは2つの補正磁場コイルだけで処理するよう
にしてもよい。
1つあるいは2つの補正磁場コイルだけで処理するよう
にしてもよい。
第3図は前記、環境磁場変動発生源25.26の設置状
態の他の実施例を示す。磁場センサ21Aは、発生源2
6による変動量すを検出し、補正制御回路22によりd
/bとなるように電流を設定することで、発生源26に
よる影響を抑えることができる。
態の他の実施例を示す。磁場センサ21Aは、発生源2
6による変動量すを検出し、補正制御回路22によりd
/bとなるように電流を設定することで、発生源26に
よる影響を抑えることができる。
つぎに、発生源25による変動量aを検出し、補正制御
回路により、a −d / bを補正するが、実際に必
要な補正量Cに対して不足している。そこで、磁場セン
サ21Bにより検出された信号eを補正制御部回路22
にフィードバックさせることにより、補正磁場コイル2
3より発生する磁場をCとすることができ、発生源25
による影響を抑えることができる。
回路により、a −d / bを補正するが、実際に必
要な補正量Cに対して不足している。そこで、磁場セン
サ21Bにより検出された信号eを補正制御部回路22
にフィードバックさせることにより、補正磁場コイル2
3より発生する磁場をCとすることができ、発生源25
による影響を抑えることができる。
なお、第2図、第3図の実施例においては、環境変動磁
場発生源及び磁場センサを2つずつ設けた例を示したが
、本発明はこれに限らず、環境変動磁場発生源が3つ以
上の場合でも磁場センサを3つ以上設けて、各磁場セン
サの検出量及びその差をフィードバックすることにより
可能である。
場発生源及び磁場センサを2つずつ設けた例を示したが
、本発明はこれに限らず、環境変動磁場発生源が3つ以
上の場合でも磁場センサを3つ以上設けて、各磁場セン
サの検出量及びその差をフィードバックすることにより
可能である。
本発明は以上のように構成しているので、環境磁場変動
発生源が2つ以上あり、磁場センサと静磁場発生磁石と
で、環境磁場変動量が変化する場合においても、磁場セ
ンサを2つ以上設けることにより、各環境発生源に対し
て、適切な補正磁場を印加することができる。従って、
周囲の磁場環境変動による影響を低減することができ、
画像にぼけやゴーストが発生するのを無(し、得られる
断層像の画質劣化を防止することができる。
発生源が2つ以上あり、磁場センサと静磁場発生磁石と
で、環境磁場変動量が変化する場合においても、磁場セ
ンサを2つ以上設けることにより、各環境発生源に対し
て、適切な補正磁場を印加することができる。従って、
周囲の磁場環境変動による影響を低減することができ、
画像にぼけやゴーストが発生するのを無(し、得られる
断層像の画質劣化を防止することができる。
第1図は本発明によるMRI装置の実施例を示す全体構
成のブロック図、第2図、第3図は本発明による実施例
を説明するための図、第4図は磁場センサ及び補正磁場
の発生原理を示す図、第5図は従来例の問題点を説明す
るための図である。 1・・・被検体、2・・・静磁場発生磁石、4・・・送
信系、5・・・受信系、6・・・信号処理系、7・・・
シーケンサ、8・・・CPU、9・・・傾斜磁場コイル
、10・・・傾斜磁場電源、14a・・・送信側の高周
波コイル、14b・・・受信側の高周波コイル、21.
21A、 21B・・・磁場センサ、22・・・補正制
御回路、23.23A、 23B・・・補正磁場コイル
、100・・・検査室、25・・・環境変動磁場発生源
(電車)、26・・・環境変動磁場発生源(エレベータ
)F・・・磁場環境変動、Io・・・補正電流、Fl・
・・補正磁場。 特許出願人 株式会社日立メデイコ代理人 弁理士
高 崎 芳 紘第 図
成のブロック図、第2図、第3図は本発明による実施例
を説明するための図、第4図は磁場センサ及び補正磁場
の発生原理を示す図、第5図は従来例の問題点を説明す
るための図である。 1・・・被検体、2・・・静磁場発生磁石、4・・・送
信系、5・・・受信系、6・・・信号処理系、7・・・
シーケンサ、8・・・CPU、9・・・傾斜磁場コイル
、10・・・傾斜磁場電源、14a・・・送信側の高周
波コイル、14b・・・受信側の高周波コイル、21.
21A、 21B・・・磁場センサ、22・・・補正制
御回路、23.23A、 23B・・・補正磁場コイル
、100・・・検査室、25・・・環境変動磁場発生源
(電車)、26・・・環境変動磁場発生源(エレベータ
)F・・・磁場環境変動、Io・・・補正電流、Fl・
・・補正磁場。 特許出願人 株式会社日立メデイコ代理人 弁理士
高 崎 芳 紘第 図
Claims (3)
- (1)被検体に静磁場及び傾斜磁場を与える磁場発生手
段と、上記被検体の生体組織を構成する原子の原子核に
核磁気共鳴を起こさせるために電磁波を照射する送信系
と、上記の核磁器共鳴により放出される電磁波を検出す
る受信系と、この受信系で検出した電磁波の信号を用い
て画像再構成演算を行う信号処理系と、より成るMRI
装置において、上記磁場発生手段の周囲の環境磁場変動
量を相異なる2つ以上の位置で検出する、2つ以上の磁
場センサと、この2つ以上の磁場センサからの検出信号
を入力して上記環境磁場変動量の、被検体計測空間での
影響磁場対応の磁場補正電流を算出する手段と、該磁場
補正電流が与えられて上記被検体計測空間での影響磁場
を除去する補正磁場コイルと、より成るMRI装置。 - (2)上記2つ以上の磁場センサは、上記磁場発生手段
によつて発生する磁場が無視可能な位置に設置してなる
請求項1のMRI装置。 - (3)上記2つ以上の磁場センサは、2つ以上の変動環
境磁場発生源がある場合に、それぞれ対応する環境変動
磁場発生源に近い位置に設置してなる請求項2のMRI
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2251590A JPH04129530A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Mri装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2251590A JPH04129530A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Mri装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04129530A true JPH04129530A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17225080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2251590A Pending JPH04129530A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Mri装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04129530A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107390148A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-24 | 广东工业大学 | 探测器 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2251590A patent/JPH04129530A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107390148A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-24 | 广东工业大学 | 探测器 |
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