JPH04127562A - ヒートシンク付パッケージ - Google Patents

ヒートシンク付パッケージ

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JPH04127562A
JPH04127562A JP24981290A JP24981290A JPH04127562A JP H04127562 A JPH04127562 A JP H04127562A JP 24981290 A JP24981290 A JP 24981290A JP 24981290 A JP24981290 A JP 24981290A JP H04127562 A JPH04127562 A JP H04127562A
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heat sink
fins
chip
cap
package
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栄 北城
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ICチップやLSIチップなどのチップを搭
載したヒートシンク付パッケージに関するものである。
〔従来の技術J 高度な半導体素子技術は、論理素子から理解されるよう
に、ゲート当りのスピード、電力積が逐次減少している
と共に、微細加工技術の発達にょ番ハゲート当りの占有
面積も次第に減少している。
このため、半導体チップは、高速化並びに高集積化され
る傾向にある。一方、この半導体チップを保護し、信頼
性を向上させるパッケージは、半導体チップのボンディ
ング技術などを考慮して実装の領域へと発展してきてい
る。これに伴い、近年のコンピュータ装置などにおいて
は、装置の処理性能や信頼性の向上などのためにLSI
化された半導体素子や高密度で、且つ小型化されたLS
Iチップ搭載用の各種セラミックパッケージが次第に取
り入れられるようになってきた。
ところで、このように素子の高集積化の度合いが大きく
なると、半導体チップの消費電力も増大することになる
。そのため、消費電力の大きなLSIチップは、プラス
チックに比べ熱伝導率の大きいセラミックなどのパッケ
ージに搭載し、さらにボードのみによる放熱では、当然
LSIチップの冷却に対して限界がある。
そこで、前述の高速で、且つ高集積化されたLSIチッ
プを搭載する従来のセラミックパッケージにおいては、
LSIチップからの放熱に対し冷却の観点から、放熱効
率の高いアルミニウムや銅の材料からなるヒーシンクを
、セラミックパッケージの上面に、熱伝導性の優れた半
田や接着剤により一体的に固着させ放熱させるようにし
ている。
第3図は、従来のヒートシンク付セラミックパッケージ
の一例の斜視図である。
図において、lはセラミック基板、6はキャップ、7は
ヒートシンクである。
第4図は、従来のヒートシンク付セラミックパッケージ
の一例の断面図である。
図において、1はセラミック基板で、その上にはチップ
固着剤を用いてチップ2が搭載されている。チップ2は
、セラミック基板1上の接続パッド3と配線部材4によ
って結線されている。セラミック基板1の下側には複数
個のビン5が付けられている。セラミック基板1の上面
にはチップ2を覆うようにキャップ6が接着されており
、中の気密を保っている。キャップ6の上面には、ヒー
トシンク7がヒートシング固着剤によって接着されてい
る。ヒートシンク7は、中央に支柱7aがあり、支柱7
a上にフィン7bが平行に上下複数段に取付けられた構
造となっている。現在、このような構造のヒートシンク
付セラミックパッケージが製作されている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述のような構造のヒートシンク付セラ
ミックパッケージでは、第5図(a)に示すようにこれ
をプリント基板8上などに実装してファンによって空冷
を行ったときに、風向きに対してヒートシンク付セラミ
ックパッケージの後方に実装されたパッケージ9a、 
9bの放熱効率があまりよくなく、十分な冷却効果が得
られないという欠点を有していた。これにより、チップ
そのものの温度上昇によりデバイスの動作速度が低下す
るなどの問題が生ずる。
本発明の目的は、プリント基板上に実装した状態でも、
周辺のパッケージの冷却効率が低下しないような信頼性
の高いヒートシンク付パッケージを提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係るヒートシンク付
パッケージにおいては、チップと、キャップと、ヒート
シンクとを有するヒートシンク付パッケージであって、 チップは、基板上に搭載されたものであり、キャップは
、チップを被覆し気密封止するものであり、 ヒートシンクは、キャップ上に搭載され、駆動時に発熱
したチップの熱を放熱するもので、支柱と、複数のフィ
ンとを有するものであり、支柱は、複数のフィンを上下
複数段に支持するものであり、 複数のフィンは、支柱に傾斜されて取付けられ、上段の
フィンは、下段のフィンよりも大きな角度で傾斜したも
のである。
〔作用〕
超LSIのように素子の高集積化の度合いが大きくなる
と、半導体チップの消費電力が増大し、そのため、消費
電力の大きなLSIチップは、プラスチックに比べ熱伝
導率の大きいセラミックなどのパッケージに搭載する必
要がある。さらにLSIチップからの放熱に対する冷却
の観点から、放熱効率の高いアルミニウムや銅の材料か
らなるヒートシンクを、LSIチップの固着面と対向す
る反対側の表面に、熱伝導性の優れた半田や接着剤によ
り一体的に固着させ放熱させるようにしている。ヒート
シンクの形状は様々であるが、ヒートシンク単独での放
熱効率の高さから数個のフィンを支柱で接続している構
造のものが用いられる。
本発明のヒートシンク付セラミックパッケージでは、ヒ
ートシンクの構造が、中央に支柱があり複数個の平面型
フィンが上側になるにつれて徐々に斜めになるように支
柱に並んでいるために、プリント基板上に実装したとき
に風向きに対して下流のパッケージの冷却効率が大きく
なる。この構造により、上述のように高放熱性で高信頼
性のヒートシンク付セラミックパッケージが実現可能と
なる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は、本発明のヒートシンク付セラミックパッケー
ジの一例の斜視図である。
図において、lはセラミック基板、5はビン、6はキャ
ップ、7はヒートシンクである。
第2図は本発明のヒートシンク付セラミックパッケージ
の一例の断面図である。
図において、lは、平板状に形成されたアルミナのセラ
ミック基板で、その上にはチップ固着剤を用いてチップ
2が搭載されている。5は前記チップ2をボードに接続
するための複数個のビンで、このビン5は、前記セラミ
ック基板lの下面周縁部に立設されている。セラミック
基板1の中央の穴1aの周辺部にはビン5とチップ2と
を接続する接続パッド3が設けられており、この接続パ
ッド3と前記ビン5とは、セラミック基板lの表面ある
いは内層を通じて電気的に接続されている。チップ2の
端子部は、ワイヤなどの配線部材4で、ビン5に接続さ
れた接続パッド3に接続されている。−セラミック基板
1の上面には、チップ2を覆うように低融点ガラス等の
接着剤によりキャップ6が接着されており、キャップ6
はチップ2を気密封止している。キャップ6の上面には
、アルミニウムのヒートシンク7がヒートシンク固着剤
によって接着されている。ヒートシンク7は、支柱7a
があり、支柱7a上に多数の平面型フィン7b、 7b
・・・が上下に配置して取付けられた構造となっており
、しかも支柱7aに取付けられているフィン7bは、上
方になるに従って水平方向に対する傾斜角度が大きくな
る構造となっている。
第5図(a)、 (b)は、本発明によるヒートシンク
付セラミックパッケージと従来のヒートシンク付セラミ
ックパッケージを基板に実装した状態での、後方のパッ
ケージの冷却効果を示した図である。
従来のヒートシンク付セラミックパッケージでは、第5
図(a)に示すようにヒートシンク7を通り抜けた空気
eは、やや流れが乱れ、後方のパッケージ9a、 9b
を冷却するが、このとき後方パッケージの表面は境界層
が形成されるため冷却効率としてはそれほど大きくはな
い。これに対して、本発明によるヒートシンク付セラミ
ックパッケージでは、第5図(b)に示すようにヒート
シンクで空気が下方に向かって後方のパッケージ9a、
 9bに流れるため、パッケージ表面の境界層領域が薄
くなり、冷却効率は非常に高くなる。
本発明による中央の支柱に取付けられている多数のフィ
ンが上方にいくに従って斜めになっている構造のヒート
シンクを有するパッケージと、従来の支柱に取付けられ
ているフィンがすべて水平になっている構造のヒートシ
ンクを有するパッケージについて、プリント基板に実装
した状態でファンによって強制空冷し、それぞれのヒー
トシンク付パッケージの後方のフラットパッケージの熱
抵抗を比較した。本発明のパッケージの後方では、風速
5 m / sのとき熱抵抗は5.OK/Wであった。
これにたいして従来のパッケージの後方では、風速5m
/sのとき熱抵抗は7.2に/Wであった。したがって
、中央の支柱に取付けられたフィンが水平である構造の
ヒートシンクを搭載したパッケージよりも中央の支柱に
取付けられているフィンが支柱の上方になるに従って斜
めになっているヒートシンクパッケージの方が、プリン
ト基板に実装したとき、風の後方のパッケージの放熱効
率が良くなることがわかった。
なお、上記実施例においては、ヒートシンク材料として
は、アルミニウムの場合の例を説明してきたが、これに
限らず、熱伝導率の良い材料であれば、本発明の効果を
十分に満足できることは明らかである。また、平面型フ
ィンの形状についても、実施例では円形のフィンで説明
したが、正方形、長方形等の任意の形状でも同様の効果
が得られるのは明らかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、通電したときの発
熱によるチップ及びセラミックパッケージの温度上昇を
抑えることが可能となるため、高速動作で高信頼性のセ
ラミックパッケージを提供することが可能という効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示すヒートシンク付セラ
ミックパッケージの斜視図、第2図は、本発明の一実施
例を示すヒートシンク付セラミックパッケージの断面図
、第3図は、従来のヒートシンク付セラミックパッケー
ジの一例の斜視図、第4図は、従来のヒートシンク付セ
ラミックパッケージの一例の断面図、第5図(a)、 
(b)は、本発明によるヒートシンク付セラミックパッ
ケージと従来のヒートシンク付セラミックパッケージを
基板に実装した状態での後方のパッケージの冷却効果を
示した図である。 1・・・セラミック基板   2・・・チップ3・・・
接続パッド     4・・・配線部材5・・・ビン 6・・・キャップ 7・・・ヒートシンク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)チップと、キャップと、ヒートシンクとを有する
    ヒートシンク付パッケージであって、 チップは、基板上に搭載されたものであり、キャップは
    、チップを被覆し気密封止するものであり、 ヒートシンクは、キャップ上に搭載され、駆動時に発熱
    したチップの熱を放熱するもので、支柱と、複数のフイ
    ンとを有するものであり、 支柱は、複数のフインを上下複数段に支持するものであ
    り、 複数のフィンは、支柱に傾斜されて取付けられ、上段の
    フィンは、下段のフインよりも大きな角度で傾斜したも
    のであることを特徴とするヒートシンク付パツケージ。
JP24981290A 1990-09-19 1990-09-19 ヒートシンク付パッケージ Expired - Lifetime JP2855833B2 (ja)

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