JPH04125562A - エッチング耐性パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ！月しど１１− 本発明は、基板上に、エツチングに対して耐性であるパ
ターンを形成する方法に係わる。本発明は特に、予め形
成したパターンを基板に物理的に移転する方法に係わる
。この方法は、微細パターンの形成及び集積回路の製造
に有用である。

集積回路及びミクロン大デバイスの製造では、パターン
は通常ホトリソグラフィーによって規定される。半導体
ウェーハ上でパターンを規定するために、蒸着、イオン
注入またはエツチングといった基板材料の描画加工を行
なう前にホトレジストを用いて基板上にレジストパター
ンが形成される。

ホトレジスト材料は通常高速回転被覆法でウェーハ基板
に塗布され、その後乾燥して厚み約１μ−のｆｆ１ｉｌ
ｌとされる。この乾燥Ｆｓ膜に対して、例えばホトプリ
ンタにおいてマスクからパターンを再生するような露光
結像が行なわれる。様々なＮ顛のホトプリンタが工業的
に用いられている。それらのホトプリンタのうちの１つ
として、ホトレジスト層がパターンを有するマスクと直
接接触するコンタクト型プリンタが挙げられる。このプ
リンタの、光の屈折を最小限に留める結像方法は最良の
像再生を実現する。しかし、マスクが損傷する恐れが有
り、またマスクの位置合わせも困難で、上記方法の適用
範囲は限られている。

別の種類のホトプリンタにプロジェクション型プリンタ
が有る。この種類のプリンタては、マスクから基板上の
ホトレジスト層上にパターンを投射するのに精巧な光学
系が用いられる。この方法で細線パターンを形成する場
合、光の屈折の問題は縮小投射光学系と比較的大きいマ
スクパターンとを用いることで最小限とされる。縮小倍
率は普通１１５または１／１０である。しがし、このよ
うな方策を用いれば結像視野を狭めることにもなる。従
って、比較的小さいピッチでの段階的反復結像モードが
必要となる。また、この種のプロジェクション型プリン
タは、光学系の開口数が比較的大きい値に改善され、か
つ比較的短い光線波長が用いられれば正確な位置合わせ
を実現し、サブミクロン大の結像を行ない得る。

パターン結像後、ホトレジスト層中の潜像が適当溶剤で
現像される。ポジ型のホトレジスト層では露光領域が現
像液で洗い落とされ、一方ネガ型のホトレジスト層では
未露光領域が現像工程で洗い落とされる。通常はポジ型
ホトレジスト層の方が、比較的高い解像度を達成するべ
くより広範に用いられる。

最も広範に用いられているポジ型ホトレジスト材料はジ
アゾキノン／ノボラック系である。光活性化合物である
ジアゾキノンは、露光されるとインデンカルボン酸に変
化する。この変化によって、ホトレジスト膜をアルカリ
水溶液中で現像することが可能となる。

ネガ型ホトレジストでは照射された領域で重合が起こり
、この重合は材料を不溶性にする。ホトレジスト層の未
重合部分を除去することによってパターンが現像される
。典型的なネガ型ホトレジスト材料としては、環化ポリ
イソプレンのようなアジド悪光ゴム、及び感光剤として
ベンゾチアゾールを伴ったポリビニルシンナメー１−な
どが挙げられる。

集積回路製造の際、半導体ウェーハ基板上でホトレジス
トのパターン形成とそれに続く幾つかの工程とが数回繰
り返され°る。基板上の回路パターンの形状が平坦でな
ければ、ホトレジスト被膜も平坦でなくなる。その場合
、被膜への露光結像の際に光線集束の問題が生起する。

この問題は、特別の被覆及び乾燥工程に時間が掛かつて
製造速度が低下しはするが、ホトレジスト層、または多
数のホトレジスト被膜を設ける前に平坦化被膜を設ける
ことによって最小限に留めることができる。

しかし、基板上でホトレジスト層の厚みが一定しないた
め、パターンプロフィールの制御が困難となる。そのう
え、様々な材料がそれぞれ別様に光を反射すること、及
び平坦でない基板からの反射光線が散乱することが側壁
プロフィールの問題をもたらし、この問題はホトレジス
トラインの寸法制御を困難にする。結果として通常の描
画時に、側壁が鋸歯状になる、平坦でない基板の段差上
でライン幅が変化する、及び定在波効果が現れるという
問題が普通生起する。吸光染料の添加、及び反射防止ア
ンダーコートの適用が基板の影響を最小化することが判
明しているが、その場合には感光度が低下すること、及
び加工ウィンドウが狭まることが問題となる。

上述の諸問題を勘案して、“最上部結像”法と組み合わ
せた乾式現像の適用が想起された。乾式現像では、選択
的プラズマエツチング反応が通常の湿式現像に置き換わ
る。最上部結像法においてパターンは、多層構造の最上
位のホトレジスト層中にか、または単独のホトレジスト
層の上側の表面領域内に規定される。

普通２層または３層から成る多層構造の場合は通常、平
坦化副層の上に薄いホトレジスト層が配置される。パタ
ーンは初めに最上位のホトレジスト層において通常方法
で、即ち湿式現像によって規定される。２層構造の場合
、上側に位置するホトレジスト層は酸素プラズマエツチ
ング耐性である。

即ち、後から行なわれるプラズマエツチング、特に酸素
プラズマエツチングまたは酸素反応性イオンエツチング
の際に露出した副層がエツチングされて無くなり、最上
部に位置するパターンが下方へ移動して無機基板に達す
る。しかし、エツチング耐性であるホトレジスト層と副
層とを混在させることに関連して問題が生じる。それに
よって、パターン規定の制御は困難となる。

３層構造では、上側のホトレジスト層と下側の平坦化層
との間に遮蔽層が配置される。遮蔽層は無機化合物材料
、好まｌ、　＜はシリコン酸化物、シロキサン、シラン
その他の金属から成り得る。Ｒ上部パターンが規定され
ると、普通最上位のホトレジスト層を損傷しないフルオ
ロカーボンプラズマエツチングまたはウェットエツチン
グ法によって第２層の露出部分が除去される。乾式現像
が行なわれ、それによってパターンは下方へ移動して基
板に達する。多層構造は、高解像度を示すが、時間の掛
かる多重被覆によって製造されるという欠点を有する。

結果的に、乾式現像可能である比較的単純な単層ホトレ
ジストが創出された。酸素プラズマエツチング可能なホ
トレジストは、エツチング耐性物質を潜像の形状に従っ
て添加することにより選択的にエツチング耐性とされる
。上記エツチング耐性物質は普通、ホトレジスト層を露
光してパターンを結像した後に導入される有機金属化合
物である。有機金属化合物の選択的添加は、結像領域で
生起した光学的反応によって補助される。典型例はジア
ゾキノン／ノボラックホトレジスト系である。この系で
は、露光領域がシリコン化合物のホトレジスト中への浸
透を可能にする。浸透したシリコン化合物はノボラック
樹脂と反応して、酸素プラズマまたは酸素反応性イオン
エツチング処理に耐え得る薄いエツチング耐性層を構成
する。このような方法を用いることによって、ホトレジ
スト層のエツチング耐性パターンを該層の表面領域にの
み形成することが可能となり、その際基板からの光線反
射の問題は回避される。しかし、先に指摘した光線集束
の問題を回避するためには、平坦なホトレジスト表面が
なお必要である。その結果、基板の凹凸をカバーするべ
く、ホトレジスト膜を幾重にも形成しなければならない
恐れが有る。

通常、上記既存の進んだマイクロリソグラフィー技術も
、普通平坦でない基板上で三重の複雑なホトレジストの
パターン形成を行なうことに関する問題点を免れない、
更に、プロジェクション型プリンタの段階的反復モード
では位置合わせ及び光線の集束に時間が掛かるという問
題も存在する。

凡涯江と１盟− 本発明は、位置合わせが簡単で、パターンをより正確に
再生する新規方法によって、基板の凹凸の影響を最小限
に留めつつホトレジストパターン形成を容易にする。

本発明は、基板上にエツチング耐性パターンを形成する
方法に係わる。本発明は特に、受容基板上にエツチング
耐性パターンと形成する方法に係わり、上記受容基板に
おいてエツチング耐性パターンは、予め形成された対応
するホトレジストパターンによって規定される。その際
、ホトレジストパターンは支持基板上に予め形成され、
その後硬化可能な液状接着剤を用いて２つの基板を貼り
合わせることにより受容基板に移転される。

本発明の様々な例を後段に詳述する１本発明の方法は一
般に次の特徴的諸工程を含む。

（ａ）　　平坦でかつ光線透過性である支持基板上にホ
トレジスト層を形成する工程 （ｂ）　　ホトレジスト層にホトレジストパターンを形
成する工程 （ｃ）　　ホトレジストパターンを保持した支持基板を
受容基板に対し、両基板間に硬化可能な液状接着剤を用
いて、かつ支持基板のホトしシスト側が受容基板に対向
するようにして貼り付ける工程 （ｄ）　　液状接着剤を熱によってか、好ましくは化学
作用の有る光放射線によって硬化させ、かつ支持基板を
除去してホトレジストパターンを受容基板に移転する工
程 （ｅ）　　受容基板上で支持基板から移転したパターン
に対応するパターンを、酸素プラズマまたは酸素反応性
イオンエツチングにより乾式で現像する工程 え１五 上記５つの基本的工程［（ａ）〜（ｅ）］を含む様々な
方法が、受容基板上にエツチング耐性パターンを形成す
るのに用いられ得る。それらの方法は細部において、特
にエツチング耐性の実現に関して互いに僅かずつ相違し
得、この点を以下の１ましい例で、概略的な各図に沿っ
て説明する。

第１の好ましい例は工程（ｉ）〜（ｉｖ）を含み、その
うちの工程（ｉ）ではエツチング耐性のマスクパターン
を形成するが、このパターン形成は第１八図に示したよ
うに光線を透過させ、かつ平坦である支持基板２上にエ
ツチング耐性ホトレジストの層１を設け、かつ第１Ｂ図
に示したように、ホトマスクを透過した光線でホトレジ
スト層１を露光して該ホトレジスト層１中に対応する潜
像を形成することによって行ない、その際第１Ｂ図中の
線形部分３は露光領域を表している。

露光されたホトレジスト層１は現像されて、ポジ型ホト
レジストの場合第１Ｃ図に示したような明瞭なパターン
を支持基板２上に現す。ポジ型ホトレジストの現像では
露光部分が除去され、未露光領域４が基板２上に残され
る。第１Ｄ図に示した、ネガ型ホトレジストを同様に現
像した結果では、ホトレジストの露光領域３が基板２上
に残存している。

得られたパターンには、電離線及び／または熱への暴露
といった付加的な硬化または安定化操作を任意に行ない
得る。

本発明において、支持基板上にエツチング耐性マスクパ
ターンを形成するのに様々な通常材料及び通常方法が好
ましく用いられる。特に好ましい材料は、集積回路の製
造に用いられる化合物である。

シリコン、チタンまたは錫を有する分子のような、酸素
プラズマまたは酸素反応性イオンエツチング反応で対応
する金属酸化物を生成する無機化合物を含有するホトレ
ジストが、高速回転被覆、結像露光及び現像を行なう通
常方法で平坦な支持基板上にエツチング耐性パターンを
形成するのに用いられ得る。適当なホトレジストには、
酸素反応性イオンエツチングに対して優れた耐性を有す
る市販ホトレジストが含まれる。適当なホトレジストと
して、Ｈｉｔａｃｈｉ　ＲＧ８５００Ｐや、Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、”　Ｃｈ
ａｐ、　１２　ｂｙ　Ｎ、　Ｎ、　Ｍｏｒｅａｕ１９８
Ｂ、　Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ、　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ
並びに米国特杵築４．３５７，３６９号、同第４．４３
３．０４４号及び同第４，３９６，７０４号といったく
本明細書に参考として含まれる）諸文献に開示されてい
るホトレジストを挙げることができる。適当なエツチン
グ耐性ホトレジストは、ポジ型またはネガ型の通常の非
エツチング耐性ホトレジストにシリコン、チタンまたは
錫を有する化合物のような上記無機化合物を添加するこ
とによって作製することも可能である。上記通常の非エ
ツチング耐性ホトレジストは集積回路の製造に用いられ
るものの中から選択する。エツチング耐性をもたらす無
機化合物は、好ましくはシリコン、チタンまたは錫原子
を有する有機金属化合物で、特にポジ型ホトレジストに
添加される場合結像光線に対して非反応性であることが
好ましい。金属原子の乾燥ホトレジスト膜に基づく重量
比率は好ましくは４％より高く、その際ホトレジストの
性能を損なわない値を上限とする。厚み１μ障未満の薄
膜ホトレジストが好ましく、なぜならホトレジスト層を
薄くするほど高い解像度を達成できるからである。支持
基板の光反射が問題となる場合は、染色ホトレジスト及
び反射防止アンダーコートを用いることも可能である。

多層ホトレジスト構造に用いられるような平坦化層を支
持基板上に、ホトレジスト層形成前に設は得、その際平
坦化層のエツチング耐性はホトレジスト層の耐性より低
い、エツチング耐性パターンと任意のエツチング耐性層
もしくは化合物との相対的エツチング耐性比は好ましく
は２以上、特に好ましくは５以上である。

工程（ｉｉ＞では、エツチング耐性マスクパターンを物
理的に移転する。この移転は、第１Ｃ図及び第１Ｄ図に
示した、パターンを保持した支持基板２を第１Ｅ図に示
したように液状接着剤５を用いて受容基板６と貼り合わ
せることによって実施する。液状接着剤５は、パターン
を保持した支持基板２と重ねる前の受容基板６上に適用
し得る。あるいは他の場合には、両基板を重ねる前に液
状接着剤５を支持基板２上の薄膜パターン上に適用する
ことも可能である。

基板貼り合わせの際、第１Ｆ図及び第１Ｇ図にポジ型及
びネガ型ホトレジストに関してそれぞれ示したように２
つの基板の間に液状接着剤５が行き渡り、両基板間の空
隙が望ましいレベルまで減小するように圧力を掛ける。

２つの基板間の空隙は、圧力制御と関連付けて光学的に
監視し得る。空隙の大きさは、好ましくは数ミクロン以
下であるべきである。液状接着剤５は、必要であれば、
位置合わせのために両基板を相対移動する際の潤滑剤と
しても用い得る。

工程＜１ｉｉ）では、第１Ｆ図及び第１Ｇ図に示した構
造体に対して、液状接着剤５を硬化させる処理を施す。

接着剤５の硬化は、熱か、または例えば紫外線のような
化学作用の有る放射線への暴露によって実現する。接着
剤５が硬化したら支持基板２を除去する。支持基板２は
受容基板６上にエツチング耐性パターンを、第１Ｆ図及
び第１Ｃ１１３に示したパターンに対応して第１Ｈ図及
び第１丁図にそれぞれ示したように残す。支持基板２は
力で剥がして除去し得、あるいはまた液体媒体中で超音
波振動を補助的に用いて除去してもよい。

適当な支持基板には、少なくとも一方の側が平坦である
プレートまたはディスクの形態の可撓性フィルムが含ま
れる。この基板は好ましくは、ミクロン規模以下の表面
荒さしか有しない。支持基板材料には有機材料も無機材
料も適し得る。

接着剤５を熱によって硬化させる場合、支持基板２は少
なくとも１００℃、好ましくは１５０℃までの温度に耐
える優れた耐熱性を有することが望ましい。そのうえ、
加熱硬化では、特に熱膨張率との関連で外形寸法の安定
性が必要となる。転写工程でのパターンの外形寸法公差
に従属して、集積回路製造の場合熱膨張率は１００ｘ　
１０−’ｉｎ／ｉｎ未満が特に好ましく　＋　５０ｘ　
１０−’ｉｎ／ｉｎより小さい値であれば更に好ましい
。従って、熱硬化可能な接着剤の存在下に支持基板とし
て用いるのに適した材料にはガラス、セラミックス及び
耐熱プラスチックが含まれる。支持基板は平坦な表面と
、上述の必要条件を満足する熱特性とを有するべきであ
る。

接着剤５を光線によって硬化させる場合は、支持基板２
は所望波長の光線を透過させるべきである。この硬化方
法は、特に基板２が熱に対する外形寸法安定性の開題を
有することから、加熱硬化法に比較してより優れた成果
をもたらし、かつより実施しやすい。有効な硬化の実現
には、光線透過率が３０％以上であることが好ましい、
光源は、プリント配線回路及び集積回路の製造、または
製版でコーティングのＵＶ硬化またはホトリソグラフィ
ーに通常用いられるものを用い得る。−船釣な光源とし
て、波長３６５ｎｍの主要出力を有する水銀キセノンア
ーク燈または水銀アーク燈などを挙げることができる。

接着剤を光線によって硬化させる場合に用いるのに適し
た支持基板材料には、ガラス、及び非晶質構造のポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリエステル等のような高光線透過性の可視性ポリ
マーが含まれる。

本発明で有用な接着剤は、沸点が１００℃より高く、好
ましくは１５０℃より高い不揮発液状接着剤である。沸
点が高いと、接着剤の熱硬化が特に好ましく実現する。

接着剤は室温で１０，０ＯＯｃｐｓ未満、好ましくは５
，０ＯＯｃｐｓ未満の粘度を有するべきである。粘度が
高すぎると、特に受容基板と支持基板との位置合わせが
必要である場合に困難が生じがちである。

適当な熱硬化可能接着剤には、加熱硬化工程で揮発性の
副産物を生成しない架橋性化合物が含まれる。このよう
な接着剤の非限定的な例に、エポキシ、不飽和エステル
、ビニルまたはアクリル化合物などが有る。

特に紫外線源を用いて硬化させ得る適当な光硬化可能接
着剤には光重合性ビニル、アリルまたはアクリレート化
合物が含まれる。これらの化合物は好ましくは複数の光
活性不飽和基を有する。その他の適当接着剤として、オ
ニウム塩、特にヨードニウム塩のような感光触媒を含有
するエポキシ樹脂を挙げることができる。適当な光硬化
可能接着剤は、例えばＣ，Ｇ、　Ｒｏｆｆｅｙ、　”Ｐ
ｈｏｔｏｐｏｌｙａ＋ｅｒｉ−ｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　５
ｕｒｆａｃｅ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ、”　Ｊｏｈｎ　Ｎｉ
１ｅｙ　＆５ｏｎｓ、　１９８２などの文献に記載され
ているような非常に様々な化合物の中から選択可能であ
る。しかし、硬化時に大量の揮発性副産物を生じるか、
または例えば無機化合物のような酸素プラズマエツチン
グ耐性物質を大量に含有する接着剤化合物は、本発明で
は使用が制限される。

支持基板を受容基板に重ねる前にまず接着剤をいずれか
一方の基板に、例えばデイスペンサーで接着剤を基板上
に滴下することによって塗布する。

場合によっては、接着剤で基板を予め被覆しておくこと
も可能である。基板貼り合わせの前及び最中に、気泡の
形成を一切排除するべく真空を実現し得る。

集積回路の製造で接触転写に通常用いられ、般にマスク
アライナと呼称される機械的及び光学的位置合わせ機構
が、本発明における基板貼り合わせ及び任意の位置合わ
せ並びに接着剤の硬化を行なうべく構成され得る。

光学的位置合わせが必要な場合は光線透過性の支持基板
が好ましい。光線透過性の支持基板を用いて光硬化を実
現することは、２つの基板の相対位置の迅速な確定を可
能にするので特に好ましい。

接着剤が硬化した後、支持基板は様々な方法で除去する
ことができる。

支持基板除去の最も簡単かつ有効な方法は、機械的力を
用いて支持基板を貼り合わせ横遺体から剥ぎ取るという
ものである。機械的剥ぎ取りを行なう場合は通常、支持
基板上にホトレジスト層と設ける前に付着促進の下塗り
を行なうことは好ましくない。

他に、無機材料から成る支持基板にプラズマエ・ンチン
グまたは化学的エツチングを施す方法、及び解重合可能
なポリマーから成る支持基板を用いる方法などが有る。

解重合可能ポリマーは、室温から隔たらない低い天井温
度を有するべきである。

そのような解重合ポリマーの例には、加熱されると鎖の
分断により分解して揮発性フラグメントを生成するポリ
アルデヒドまたはポリスルホンが含まれる。加熱による
解重合を加速するべく、真空条件を用いるべきである。

支持基板除去のためのプラズマエツチングまたは化学的
エツチングは、支持基板の下側に存在する有機材料に及
んてはならない。

工程（ｉｖ＞では、第１Ｈ図または第１■図の横遺体に
プラズマエツチング、特に酸素反応性イオンエツチング
３施して、受容基板６上の材料のエツチング耐性パター
ンによって保護されていない部分を除去する。第１Ｊ図
及び第１Ｋ図に示した、得られるパターンを保持した受
容基板６は、第１Ｈ図及び第１１図に概略的に示した横
遺体にそれぞれ対応する。

受容基板６は、酸素プラズマまたは酸素反応性イオンエ
ツチング条件に対して耐性であるべきである。この基板
は、好ましくは無機材料または有機金属化合物から成る
。

当然ながら、本発明には集積回路製造工業で用いられる
様々な方法も含まれ得る。それらの方法の中に、像反転
法、最上部結像法、及びホトレジスト層または接着剤層
へのエツチング耐性化合物の選択的添加が含まれる。エ
ツチング耐性化合物は普通、酸素プラズマまたは酸素反
応性イオンエツチングチャンバ内での乾式現像の際にエ
ツチング耐性の金属酸化物を生成する有機金属化合物で
ある。

普通ジアゾキノン／ノボラックまたはポリビニルフェノ
ールをベースとするポジ型系である像反転ホトレジスト
では、光変換したジアゾキノン化合物に熱を用いて脱炭
酸反応を起こさせることによって露光領域を現像液に不
溶性とし得る。未露光領域は、後に投光光線によって水
性アルカリに可溶性とする。このような操作は、レジス
トパターンプロフィールの良好な制御を容易にし、本発
明に用いることができる。

特に断らないかぎり、以下に説明する成分及び方法はこ
の第１の例で説明したものと同じである。

本発明の別の例を次に説明する。

市販の＾ｌ　５２１４（Ｆｌｏｅｃｈｓｔ、　ｔ’ｓ＾
）、並びに（その内容が本明細書に参考として含まれる
）米国特杵築４．１９６，００３号及び同第４，１０４
，０７０号に開示されたホトレジストを含めたエツチン
グ耐性の像反転ホトレジストを用いる場合は、単層ホト
レジストに関して先に述べたのと同じ操作を概して行な
う。しかし、第２八図に示したように露光後ベーキング
を行なって、光線透過性の支持基板２上のエツチング耐
性ホトレジスト薄膜７にパターンを形成する。

露光後ベーキングを行なうと露光部分８がアルカリ現像
液に不溶性となり、一方未露光部分９はその組成が変化
しないままである。第２Ｂ図に示したように、パターン
を保持した支持基板２を接着剤５で受容基板６と貼り合
わせた後、投光光線を照射して接着剤５を硬化させる。

この処理によって同時に、ホトレジスト層７の未露光部
分９がアルカリ可溶性となる。投光光線の照射は、露光
後ベーキングを施したホトレジスト層を受容基板６と貼
り合わせる前に実施してもよい。支持基板２除去後、第
２Ｃ図に示したように接着剤層５上にネガ像パターン８
を規定する。その後、酸素プラズマエツチングによって
乾式現像を行なうことにより、先に説明し、かつ第１Ｋ
図に示したようにして受容基板６上に直接パターンを形
成する。

像反転法と最上部結像法との両方を用いる、本発明の更
に別の例を以下に説明する。第３Ａ図に示したように、
支持基板２上のエツチング耐性ホトレジスト層１０にパ
ターンを形成する。レジスト層１０の露光を制御して、
露光部分１１がレジスト層１０の基板２に接触する最下
部に達しないようにする。

このような最上部結像は通常、パターン結像光線の波長
において高い吸光度を示す吸光染料をホトレジスト層１
０に添加することによって実施し得る。

あるいは他の場合には、レジスト膜１０を弱く露光する
ことによっても最上部結像を実施し得る。潜像形成後は
像反転法に関して説明したのと同じ操作を行なう。しか
し、第３Ｂ図に示した横遺体において接着剤５を光線で
硬化させると、ホトレジスト層１０の支持基板２と接触
する部分はアルカリ現像液に溶解可能となる。これは像
反転の結果である。このような精成によって、支持基板
２をアルカリ水溶液中で容易に除去することができる。

支持基板２を除去した後更にパターンを現像し、可溶部
分を完全に洗い落とす。次に、第３Ｃ図に示した得られ
た横遺体に、先に述べたようなプラズマエツチングを施
す。

本発明の更に別の例では、エツチング耐性を有しないホ
トレジストを用いる。このホトレジストは本発明におい
て、受容基板上に設置するホトレジスト層へのエツチン
グ耐性物質の添加を乾式現像前に実施できる場合に用い
得る。エツチング耐性物質をホトレジスト層に選択的に
添加する場合、この添加は通常、パターン結像工程での
光化学反応によって規定される１例えば、通常のポジ型
ジアゾキノン／ノボラックホトレジストの露光部分はイ
ンデンカルボン酸が生成することによって、ヘキサメチ
ルジシラザンのようなアミノシランの添加を未照射部分
より受は入れやすくなる。ネガ型ホトレジストでは、光
重合が生起する照射領域が、分子量が大きくなることで
未照射領域よりエツチング耐性物質を受は入れにくくな
る。

非エツチング耐性ホトレジストを用いる方法の一例を、
次のように説明することができる。第４八図に示すよう
に、エツチング耐性化合物を、支持基板２上のパターン
結像済みのホトレジスト層１２の露光領域１３に選択的
に添加する。第４Ｂ図に示した、支持基板２と受容基板
６とを貼り合わせ、接着剤５を硬化させ、かつ支持基板
２を除去して得られた構造体にはホトレジスト層１２の
湿式現像を一切行なわずにプラズマエツチングを施すこ
とができる。エツチング耐性化合物を添加された領域１
３は、後から行なわれる受容基板６上での乾式現像のた
めの保護マスクとなる。乾式現像の結果を第４Ｃ図に示
す。エツチング耐性物質はホトレジスト層の未露光領域
に選択的に添加することも可能であり、その場合に受容
基板６上で乾式現像されるパターンを第４Ｄ図に示す。

エツチング耐性物質の上述のような選択的添加が可能で
あるホトレジストとしては、（その内容が本明細書に参
考として含まれる）米国特杵築４，６１３，３９８号及
び同第４，５５２，８３３号に開示されたホトレジスト
、並びにＵＣＢ　Ｅｌｅｃｔｒ。

ｎ１ｃｓのＰｌａｓｍａｓｋのような市販ホトレジスト
などを挙げることができる。一般に、シリコン、錫また
はチタン原子を有する有機金属化合物ようなエツチング
耐性化合物の添加は、該有機金属化合物のアミノ官能基
をポジ型ホトレジスト層の露光領域のノボラック樹脂の
フェノキジル基と選択的に結合させることによって行な
う。ホトレジストがネガ型である場合に本発明による選
択的添加に適当である他の無機化合物は、アミノ基、カ
ルボキシル基、ヒドロキシル基及びオキシラン基のよう
な官能基を有し得る。その場合、ホトレジストは対応す
る官能基、即ちエツチング耐性の有機金属化合物がアミ
ン基またはカルボキシル基を有する時はオキシラン基、
オキシラン基を有する時はアミノ基を含有するべきであ
る。

光反応がもたらす差異によって制御されるエツチング耐
性物質の選択的添加を行なうことは必ずしも必要でない
。第４Ｅ図に点彩によって示したように、エツチング耐
性物質を、支持基板２上のホトレジスト層１の上側表面
領域１４に非選択的に添加する０次いで、第４Ｆ図に示
すようにパターン結像光線での露光によって潜像を形成
し、その際露光領域は第４Ｆ図中の線動部分である。ポ
ジ型ホトレジストの場合、第４Ｇ図に示したように現像
によって露光領域を除去する。ネガ型ホトレジストを用
いることも可能であり、その場合は反転像パターンが得
られる。

通常、エツチング耐性化合物の添加はホトレジストのパ
ターン形成を妨げるべきてない、即ち、ホトレジストが
ポジ型であればエツチング耐性化合物は、ジアゾキノン
の官能基と反応することによりカルボキシル基保持分子
への光変換能力を損なう物質であってはならない。従っ
て、エツチング耐性化合物は、例えばノボラック樹脂の
基に対して反応性であるシリコン、錫またはチタンを有
する化合物であり得る。上記反応とは例えば、ノボラッ
ク樹脂のフェノキジル基がアミノシランと結合する反応
である。エツチング耐性化合物は非反応性であってもよ
い。その場合、エツチング耐性化合物のホトレジスト層
への添加は、例えば金属塩溶液への浸漬により液相拡散
を実現することによって行なう。非反応性のエツチング
耐性物質は、露光結像とその後の現像の間不活性のまま
である。

ネガ型ホトレジストの場合も原理は同じである。

加えて、この場合のエツチング耐性化合物は、光学的に
誘起される架橋反応において反応するように光反応性で
あり得る。結像及び現像の１不活性のままである非反応
性のエツチング耐性化合物を用いることも可能である。

次に、支持基板と受容基板とを貼り合わせること、及び
接着剤を硬化させることを含む、先に述べた操作を実施
する。第４Ｈ図に、ポジ型ホトレジストの場合に支持基
板２を除去した後に得られる横遺体を示す。パターンの
、エツチング耐性物質が濃厚に存在する表面層１４が今
や下方に有って、受容基板６上の接着剤層５と接触して
いることが留意されるべきである。

プラズマエツチング反応後、第４１［］に示したように
パターンは受容基板６上に転写される。ホトレジストパ
ターンのエツチング耐性化合物層１４が、該パターンに
よって規定された接着剤層５を保護する。

本発明の別の例によれば、エツチング耐性物質の像反転
可能なポジ型ホトレジストへの添加を、支持基板を受容
基板と貼り合わせ、その後除去した後に行なうことが可
能である。第５八因に示したように、パターン結像済み
のホトレジスト層１６の外側表面領域にエツチング耐性
層１７を非選択的に形成する。層１６の線動部分が露光
結像領域であり、この領域を、像反転法に関して先に述
べた操作によってアルカリ現像液に不溶性とする。次に
ホトレジスト層１６を現像し、銀層１６の、接着剤硬化
の前または最中に投光光線の照射によってアルカリ現像
液に可溶性とした部分を除去する。第５Ｂ図に示した得
られた構造体において、接着剤層５上で現像されたホト
レジストパターンはエツチング耐性物質が濃厚に存在す
る最上層１７を有し、この層１７は銀層１７の下側に位
置する材料部分を保護する。

その後の乾式現像によって規定されたパターンを、第５
Ｃ図に示す。

本発明の別の例では、第６八図に示すように、エツチン
グ耐性物質を潜像の形状に従って添加する操作を最上部
結像法及び像反転法と組み合わせて用いることが可能で
ある。支持基板２上のホトレジスト層１８は、エツチン
グ耐性物質を添加された最上部結像領域１９を有する。

脱炭酸ベーキングを行ない、かつ第６Ｂ図に示したよう
に支持基板と受容基板とを貼り合わせた後、ホトレジス
ト層１８の未露光領域と液状接着剤層５との両方に光線
を照射する。即ち、接着剤を硬化させると同時に、ホト
レジスト層１８のエツチング耐性物質を添加した最上部
結像領域１９以外の部分をアルカリ現像液に可溶性とす
る１次にアルカリ現像液中で、第６Ｃ図に示したように
支持基板２を除去し、かつパターンを現像する。得られ
るエツチング耐性のホトにシストパターン１９が、受容
基板６上にパターンを規定し得る。酸素プラズマエツチ
ングによって受容基板６上に形成されるパターンを、第
６Ｄ図に示す。

本発明の最後の一例では、接着剤にエツチング耐性物質
を添加する。この場合、ホトレジストに規定されるパタ
ーンはエツチング耐性でない。例えば、第７八区に示し
た、第１Ｈ図の構造体に類似の構造体において、ポジ型
ホトνジスト２ｏはエツチング耐性を有しない。エツチ
ング耐性物質は、点彩で表したように接着剤層５の露出
面領域に添加する。この領域が、支持基板除去後のエツ
チング耐性の最上層２１を構成する。その後、プラズマ
エツチング反応容器内で乾式現像を行ない、第７Ｂ５に
示したように受容基板６上にホトレジストパターン２０
の反転パターンを設ける。あるいは他の場合には、ネガ
型ホトレジストを用いることも可能である。その場合は
第７Ｂ図に示したパターンの反転パターンが得られる。

更に、エツチング耐性物質をポジ型ホトレジストパター
ン２０と接着剤層５との両方に非選択的に添加すること
も、ホトレジストパターン２０の水性アルカリ現像液へ
の可溶性を損なわないかぎり可能である。今や外側表面
領域にエツチング耐性化合物が濃厚に存在するホトレジ
ストパターン２０は、アルカリ現像液での現像によって
除去される。その後、乾式現像を行なうことによって第
７Ｂ図に示したのと同じ結果が得られる。

接着剤にエツチング耐性パターンを保持させる更に別の
方法を、先に述べた最上部結像法と像反転法との組み合
わせ（例えば第３八図〜第３Ｃ図参照）から導くことが
できる１本発明のこの変形例ては、像反転ホトレジスト
は本来エツチング耐性でない。

ホトレジストは、＾Ｚ　５２１４のような通常用いられ
る市販製品であり得る。支持基板と受容基板とを重ね合
わせて得られた、第７Ｃ図に、現像液中で支持基板を除
去し、才なホトレジスト層の可溶部分も洗い落とした貼
り合わせ構造体を示す。レジストパターン２２は、先に
述べたように熱によってアルカリ現像液に不溶性とした
最上部結像領域である。点彩を付した部分２３は、ホト
レジストの可溶部分を洗い落どした後に露出した接着剤
層５中に気相または液相拡散によって形成したエツチン
グ耐性物質濃厚領域を表す。その後、プラズマエツチン
グを行ない、受容基板６上で第７Ｄ図に示すような対応
パターンを現像する。

接着剤にエツチング耐性パターンを保持させる上述の２
方法に用いるのに適した接着剤は、先に挙げたものの中
から選択し得る。エツチング耐性物質の接着剤への吸着
または拡散に関する選択性は、ホトレジストへのものよ
り高度でなければならない。

接着剤とエツチング耐性有機金属化合物との結合反応は
、ホトレジストが有機金属化合物と反応するような官能
基を含有しなければ吸着または拡散の際に好ましく生起
する。

従って、接着剤の官能基とエツチング耐性である有機金
属化合物の官能基との適当な組み合わせは、例えばエポ
キシ基とアミノ基、エポキシ基と無水物基、エポキシ基
とカルボキシル基、ヒドロキシル基とイソシアネートビ
ニル及びチオール基、アリル基とチオール基、またはア
クリレート基とチオール基との組み合わせであり得る。

他の様々な組み合わせも、特に熱または触媒の存在下に
有効に用いることが可能である。

本明細書に述べた諸例は単に本発明を説明するためのも
のと理解されるべきである。本発明に、本発明の精神及
び範囲の内で本発明の原理を具現する様々な変更を加え
ることは、当業者には可能である。

え１燵 この実験例では、本発明の諸例に現れた概念を説明する
べく、エツチング耐性化合物を含有する像反転ホトレジ
ストを用いる。

使用ホトレジストは次の組成を有する。

ポリ（フェニルシルセキオキサン）２５溶剤としてプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用い
て、固体含量２７５′。のエツチング耐性組成物を製造
した。ホトレジストを薄いガラスプレートに、高速回転
被覆装置（）ｌｅａｄｗａｙＲｅｓｅａｒｃｈ　Ｉｎｃ
、）によって４０００ｒｐｍで２５秒間塗布した。厚み
約１μ−の薄膜を得た。次に、熱対流炉でソフトベーキ
ングを８０℃で１６分間行なった。２２０〜３２０ｎｍ
の光源を具備した０ｒｉｅｌマスクアライナ８５２４０
を用いて、５μ−幅のライン及びスペースから成るパタ
ーンを保持するエマルション型マスクからの転写を行な
った。露光した時間は８０秒で、これは３５＋ｅＪ／ｃ
ｍ２に対応する。

熱対流炉で露光後ベーキングを９０℃で２０分間行なっ
た後、Ｕｖで硬化可能な接着剤を用いて、ホトレジスト
薄膜を保持したガラスプレートをシリコンウェーハと貼
り合わせた。接着剤は、１００重量部のトリメチロール
プロパントリアクリレート（＾１ｃｌｒｉｃｈ）と１０
重量部のベンジルジメチルケタル（Ｃｉｂａ−Ｃｅｉｇ
ｙ、　Ｌｉｍ１ｔｅｄ）とによって調製しな。貼り合わ
せ横遺体を、接着剤を硬化させるのに用いる紫外線に対
して暴露する前に指で穏やかに押圧して、接着剤層の厚
みを最小化した。硬化用光源としては、主要出力波長３
６５ｎｍの３ＫＷ　ＯＲＣ１１１０１５３２ホトプリン
タを用いた。線量は５００ｍＪ７’ｃｍ”とした。

次に、支持ガラスプレートを引き剥がし、貼り合わせ横
遺体を約３０秒間テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドの４％水溶液に浸漬してホトレジストパターンを現像
した。パターンを保持したシリコンウェーハに、プラズ
マ反応容器（Ｐ　ｌ　ａｓｍａ　ｌ　ａｂシリーズ、高
周波電源電圧８０）内で、３３０ボルトのＤＣバイアス
で２０ＳＣＣＭ　（標準状態ｃｃ／分）の酸素ガス流量
で１５分間酸素プラズマエツチングを施した。得られた
試料を光学顕微鏡の下でＴａ１ｙｓｔｅｐ　（Ｔａｙｌ
ｏｒＨａｂｓｏｎ）により調べたところ、良好に規定さ
れたパターンを観察した。

【図面の簡単な説明】

第１八図〜第１Ｋ図は酸素プラズマエツチング条件に対
して耐性であるホトレジスト材料を用いる本発明方法の
説明図、第２八図〜第２Ｃ図はホトレジストを露光後に
ベータし、その後光線照射する本発明方法の説明図、第
３八区〜第３Ｄ図はエツチング耐作物質をホトレジスト
層の最上部に存在させ、最下部には到達させない、像反
転法及び最上部結像法を用いる本発明方法の説明図、第
４八図〜第４１図は乾式現像前にエツチング耐性物質を
選択的に添加する、非エツチング耐性のホトレジストを
用いる本発明方法の説明図、第５八図〜第５Ｃ図はエツ
チング耐性層をホトレジストの外側表面領域に非選択的
に形成する方法の説明図、第６八図〜第６Ｄ図はエツチ
ング耐性物質をベーキング及び像反転現像前に用いる本
発明方法の説明図、第７Ａ図〜第７Ｄ図はエツチング耐
性物質を接着剤に添加する本発明方法の説明図である。 １．７，１０，１２，１６．１８・・・・・・ホトレジ
スト層、２・・・・・・支持基板、５・・・・・接着剤
、６・・・・・・受容基板。 Ｆ・Ｓ ＾ Ｐ・Ｓ ｊｓ Ｆ・さ（Ｃ Ｆ；３１Ｅ Ｆｉ＠ｌＨ Ｒ＠　ｌ　Ｉ Ｆｌ＠ｆＪ １８１Ｋ Ｆ、８ユＡ Ｒ３工８ Ｆｒ＋８＋Ｑ０ Ｆζ３Ｓ＾ Ｆｌ３５３Ｂ Ｆｉ３．３Ｃ Ｆ悄、５ＩＤ Ｆｌさ悸し Ｆ・Ｖμ Ｆ、ｓ村Ａ Ｆｉｇ　＆　Ｂ Ｆ１３ミＯ Ｆｌさ６△ Ｆｓ＠　６　Ｂ Ｆｒ＠６Ｃ Ｆ、告６し Ｆ唱７Ａ Ｆｒ３’７Ｂ Ｆ：８′７０ Ｆ・さンＤ 手続補正書 平成２年１２月４日 １、事件の表示 平成２年特許願第２３３０９３号 名 称 インダストリアル・テクノロジー・リサーチ・インステ
イテユート ４、代　埋入　　東京都新宿区新宿１丁目１番１４号山
田ビル ５、補正命令の日付　自　　発 ６、補正により増加する請求項の数　　な　し７、補正
の対象　　　明細書 ８、補正の内容 （１）明細書中、特許請求の範囲を別紙の通り補正する
。 （２）間中、第１６頁東１８行目に「熱によ・・・・・
化くは」とあるを、る。 これを削除す ２、特許請求の範囲 （１）基板上に、エツチングに対して耐性であるパター
ンを形成する方法であって、 （ａ）　　平坦でかつ光線透過性である支持基板上にホ
トレジスト層を形成する工程と、 （ｂ）　　ホトレジスト層にホトレジストパターンを形
成する工程と、 （Ｃ）　　ホトレジストパターンを保持した支持基板を
受容基板に対し、両基板間に硬化可能な液状接着剤を用
いて、かつ支持基板のホトレジスト側が受容基板に対向
するようにして貼り付ける工程と、（ｄ）　　液状接着
剤を化学作用の有る光放射線によって硬化させ、かつ支
持基板を除去してホトレジストパターンを受容基板に移
転する工程と、（ｅ）　　受容基板上で支持基板から移
転したパターンに対応するパターンを、酸素プラズマま
たは酸素反応性イオンエツチングにより乾式て現像する
工程と を含むエツチング耐性パターン形成方法。 （２）支持基板が無機カラス及び非晶質の有機化合物の
中から選択された材料から成り、この基板は接着剤硬化
用の化学作用の有る光放射線と透過させることを特徴と
する請求項１に記載の方法。 （３）液状接着剤が１００℃より高い沸点を有する光重
合可能な有機化合物であることを特徴とする請求項１に
記載の方法。 （４）受容基板が酸素プラズマまたは酸素反応性イオン
エツチングに対して実質的に耐性であることを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 （５）　ホトレジストがポジ型ホトレジストであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 （６）　ホトレジストがネガ型ホトレジストであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 （７）　ホトレジストパターンが酸素プラズマまたは酸
素反応性イオンエツチングに対して耐性であり、かつ基
板貼り合わせ工程（ｃ）以前に支持基板上で明瞭に現像
されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 （８）ホトレジストが像反転可能な、酸素プラズマエツ
チング耐性物質を含有するジアゾキノン／ノボラック系
であり、ホトレジストパターンはホトレジスト層中の潜
像であり、この潜像は乾式現像前に受容基板上で湿式で
現像されることを特徴とする請求項ｌに記載の方法。 （９）潜像がホトレジスト層の、支持基板側を下側とし
て上側の表面層中に位置することを特徴とする請求項８
に記載の方法。 （１０）　　ホトレジストが酸素プラズマエツチング耐
性物質を含有せず、ホトレジストにエツチング耐性物質
が潜像の形状に従って添加されることによって潜像か酸
素プラズマエツチング耐性となり、その際前記湿式現像
を行なう必要は無いことを特徴とする請求項８に記載の
方法。 （１１〉　　ホトレジスト層が、ホトレジストパターン
形成前に銀層の上側の表面層にエツチング耐性物質が非
排他的に添書ａされた後にのみ酸素プラズマエツチング
耐性となることを特徴とする請求項１に記載の方法。 （１２ン　　酸素プラズマエツチング耐性物質が支持基
板除去後にホトレジスト層に非排他的に添加されること
を特徴とする請求項８に記載の方法。 （１３）潜像がホトレジスト層の、支持基板側を下側と
して上側の表面層中に位置することを特徴とする請求項
１０に記載の方法。 （１４）　　ホトレジストパターンが酸素プラズマまた
は酸素反応性イオンエツチングに対して耐性でなく、乾
式現像前に、硬化した液状接着剤の支持基板除去後に露
出した表面層にエツチング耐性物質が添加されることを
特徴とする請求項７に記載の方法。 （１５）　　ホトレジストか酸素ブラスマエッチング耐
性物質を含有せず、乾式現像前に、硬化した接着剤の湿
式現像後に露出した表面層にエツチング耐性物質が添加
されることを特徴とする請求項８に記載の方法。 （１６）酸素プラズマまたは酸素エツチングに対して耐
性であるホトレジストパターンが、酸素プラズマまたは
酸素反応性イオンエツチング反応の際に安定な酸化物を
生じる有機金属化合物を含有することを特徴とする請求
項７に記載の方法。 （１７）酸素プラズマエツチング耐性物質が、酸素プラ
ズマまたは酸素反応性イオンエツチング反応の際に安定
な酸化物を生じる有機金属化合物であることを特徴とす
る請求項８に記載の方法。 （１８）エツチング耐性物質を潜像の形状に従って添加
することが、アミノ基を有する有機金属化合物が潜像部
分のノボラック樹脂に選択的に結合することによって実
現され、この結合反応の生成物は酸素プラズマまたは酸
素反応性イオンエツチング反応において安定な酸化物を
生じることを特徴とする請求項１０に記載の方法。 （１９）エツチング耐性物質の非排他的添加が、安定な
酸化物を生じる金属含有化合物をホトレジスト層の上側
の表面層中へ液相または気相で浸透させることによって
実施され、その際前記化合物はホトレジスト層中の感光
物質と反応しないものに限られることを特徴とする請求
項１１に記載の方法。 （２０）酸素プラズマエツチング耐性物質が安定な酸化
物を生じる金属含有化合物であり、このエツチング耐性
物質はホトレジスト層の上側の表面層に液相または気相
で浸透させて添加されることを特徴とする請求項１２に
記載の方法。 （２１）接着剤表面層に添加されるエツチング耐性物質
が接着剤とのみ反応する官能基を有する、安定な酸化物
を生じる有機金属化合物であることを特徴とする請求項
１４に記載の方法。 （２２）接着剤表面層に添加されるエツチング耐性物質
が接着剤とのみ反応する官能基を有する、安定な酸化物
を生じる有機金属化合物であることを特徴とする請求項
１５に記載の方法。

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、エッチングに対して耐性であるパター
   ンを形成する方法であって、 （ａ）平坦でかつ光線透過性である支持基板上にホトレ
   ジスト層を形成する工程と、 （ｂ）ホトレジスト層にホトレジストパターンを形成す
   る工程と、 （ｃ）ホトレジストパターンを保持した支持基板を受容
   基板に対し、両基板間に硬化可能な液状接着剤を用いて
   、かつ支持基板のホトレジスト側が受容基板に対向する
   ようにして貼り付ける工程と、（ｄ）液状接着剤を熱に
   よってか、好ましくは化学作用の有る光放射線によって
   硬化させ、かつ支持基板を除去してホトレジストパター
   ンを受容基板に移転する工程と、 （ｅ）受容基板上で支持基板から移転したパターンに対
   応するパターンを、酸素プラズマまたは酸素反応性イオ
   ンエッチングにより乾式で現像する工程と を含むエッチング耐性パターン形成方法。
2. （２）支持基板が無機ガラス及び非晶質の有機化合物の
   中から選択された材料から成り、この基板は接着剤硬化
   用の化学作用の有る光放射線を透過させることを特徴と
   する請求項１に記載の方法。
3. （３）液状接着剤が１００℃より高い沸点を有する光重
   合可能な有機化合物であることを特徴とする請求項１に
   記載の方法。
4. （４）受容基板が酸素プラズマまたは酸素反応性イオン
   エッチングに対して実質的に耐性であることを特徴とす
   る請求項１に記載の方法。
5. （５）ホトレジストがポジ型ホトレジストであることを
   特徴とする請求項１に記載の方法。
6. （６）ホトレジストがネガ型ホトレジストであることを
   特徴とする請求項１に記載の方法。
7. （７）ホトレジストパターンが酸素プラズマまたは酸素
   反応性イオンエッチングに対して耐性であり、かつ基板
   貼り合わせ工程（ｃ）以前に支持基板上で明瞭に現像さ
   れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. （８）ホトレジストが像反転可能な、酸素プラズマエッ
   チング耐性物質を含有するジアゾキノン／ノボラック系
   であり、ホトレジストパターンはホトレジスト層中の潜
   像であり、この潜像は乾式現像前に受容基板上で湿式で
   現像されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. （９）潜像がホトレジスト層の、支持基板側を下側とし
   て上側の表面層中に位置することを特徴とする請求項８
   に記載の方法。
10. （１０）ホトレジストが酸素プラズマエッチング耐性物
    質を含有せず、ホトレジストにエッチング耐性物質が潜
    像の形状に従って添加されることによって潜像が酸素プ
    ラズマエッチング耐性となり、その際前記湿式現像を行
    なう必要は無いことを特徴とする請求項８に記載の方法
    。
11. （１１）ホトレジスト層が、ホトレジストパターン形成
    前に該層の上側の表面層にエッチング耐性物質が非排他
    的に添加された後にのみ酸素プラズマエッチング耐性と
    なることを特徴とする請求項１に記載の方法。
12. （１２）酸素プラズマエッチング耐性物質が支持基板除
    去後にホトレジスト層に非排他的に添加されることを特
    徴とする請求項８に記載の方法。
13. （１３）潜像がホトレジスト層の、支持基板側を下側と
    して上側の表面層中に位置することを特徴とする請求項
    １０に記載の方法。
14. （１４）ホトレジストパターンが酸素プラズマまたは酸
    素反応性イオンエッチングに対して耐性でなく、乾式現
    像前に、硬化した液状接着剤の支持基板除去後に露出し
    た表面層にエッチング耐性物質が添加されることを特徴
    とする請求項７に記載の方法。
15. （１５）ホトレジストが酸素プラズマエッチング耐性物
    質を含有せず、乾式現像前に、硬化した接着剤の湿式現
    像後に露出した表面層にエッチング耐性物質が添加され
    ることを特徴とする請求項８に記載の方法。
16. （１６）酸素プラズマまたは酸素エッチングに対して耐
    性であるホトレジストパターンが、酸素プラズマまたは
    酸素反応性イオンエッチング反応の際に安定な酸化物を
    生じる有機金属化合物を含有することを特徴とする請求
    項７に記載の方法。
17. （１７）酸素プラズマエッチング耐性物質が、酸素プラ
    ズマまたは酸素反応性イオンエッチング反応の際に安定
    な酸化物を生じる有機金属化合物であることを特徴とす
    る請求項８に記載の方法。
18. （１８）エッチング耐性物質を潜像の形状に従って添加
    することが、アミノ基を有する有機金属化合物が潜像部
    分のノボラック樹脂に選択的に結合することによって実
    現され、この結合反応の生成物は酸素プラズマまたは酸
    素反応性イオンエッチング反応において安定な酸化物を
    生じることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
19. （１９）エッチング耐性物質の非排他的添加が、安定な
    酸化物を生じる金属含有化合物をホトレジスト層の上側
    の表面層中へ液相または気相で浸透させることによって
    実施され、その際前記化合物はホトレジスト層中の感光
    物質と反応しないものに限られることを特徴とする請求
    項１１に記載の方法。
20. （２０）酸素プラズマエッチング耐性物質が安定な酸化
    物を生じる金属含有化合物であり、このエッチング耐性
    物質はホトレジスト層の上側の表面層に液相または気相
    で浸透させて添加されることを特徴とする請求項１２に
    記載の方法。
21. （２１）接着剤表面層に添加されるエッチング耐性物質
    が接着剤とのみ反応する官能基を有する、安定な酸化物
    を生じる有機金属化合物であることを特徴とする請求項
    １４に記載の方法。
22. （２２）接着剤表面層に添加されるエッチング耐性物質
    が接着剤とのみ反応する官能基を有する、安定な酸化物
    を生じる有機金属化合物であることを特徴とする請求項
    １５に記載の方法。