JPH04124903A - 電力増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 移動通信システム、衛星通信システムその他において、
半導体デバイスを用いて所定の高周波信号の電力を増幅
する電力増幅器に関し、半導体素子に固有の入力容量に
流れる高調波電流の影響を補償することにより、高周波
帯において高い効率を実現できることを目的とし、与え
られる合成波信号を増幅する増幅器と、増幅すべき高周
波信号を二放路に分岐させる分波器と、分波器の一方の
放路から与えられる高周波信号から増幅器の半導体素子
に固有の入力容量によって損失する高調波成分に応じた
逓倍波信号を発生する逓倍手段と、分波器の他方の放路
から与えられる高周波信号および逓倍波信号を合成し、
合成波信号を出力する合成器とを備えて構成される。

［産業上の利用分野］ 本発明は、移動通信システム、衛星通信システムその他
において、半導体デバイスを用いて所定の高周波信号の
電力を増幅する電力増幅器に関する。

〔従来の技術〕

移動通信システムにおける携帯移動局装置（携帯無線電
話器）および衛星通信システムにおいて人工衛星に搭載
される無線装置には、システムに供給可能な電力が電源
部の寸法、重量その他の物理的な条件によって制限され
るために、低消費電力化が要求される。また、このよう
な装置では、−船釣に電力の多くが電力増幅器によって
消費され、その消費電力に伴う発熱量が装置全体の発熱
量の大きな比重を占める。

従来、携帯移動局装置には、本来的に小型・軽量化が要
求されるために、半導体デバイスを用いた電力増幅器が
採用され、近年、Ｆ、　　Ｈ，ラーフ氏によって提案さ
れたＦ級増幅器が活発に研究されている（ｒＦＥＴを電
力増幅器に使って送信器の効率を上げる」、日経エレク
トロニクス、１９７６．８．２３）。また、人工衛星に
搭載されるマイクロ波帯の電力増幅器には、従来から半
導体を用いた電力増幅器に比べて高効率の進行波管が多
く用いられている。しかし、進行波管は、半導体素子に
比べて寿命が短く、かつ機械的寸法が大きいために、進
行波管と同等の効率を有する固体化増幅器の開発が望ま
れている。

第１３図は、Ｆ級増幅器の回路構成を示す図である。

図において、増幅すべき高周波信号は、ＦＥＴ１３１の
ゲートに与えられる。ＦＥＴ１３１のドレインは高周波
チョーク１３２を介して電源■。Ｄに接続されると共に
、カップリングコンデンサ１３３．１／４波長の伝送線
路１３４を介して増幅すべき高周波信号の基本周波数に
等しい共振周波数を有するＬＣ型並列共振回路１３５に
接続される。ＬＣ型並列共振回路１３５の両端には、並
列に負荷抵抗器（抵抗値＝ＲＬ）１３６が接続される。

また、参照番号１３７は、ＦＥＴＩ　３１のゲート・ソ
ース間容量を示す。

このような構成のＦ級増幅器では、ＦＥＴ１３１の動作
点がピンチオフ電圧近傍に設定され、ドレイン電流の流
通角が１８０°となる。また、ＦＥＴ１３１のドレイン
からみた負荷抵抗器１３６側のインピーダンスは、増幅
すべき高周波信号の基本周波数（−ｆｏ）に対してはＲ
Ｌとなり、偶数次の高調波成分に対しては短絡状態に等
価となり、奇数次の高調波成分に対しては開放状態に等
価となる。したがって、第１４図において実線で示すよ
うに、ＦＥＴ１３１のドレイン・ソース間に印加される
高周波電圧ＶＤ　　（以下、「ドレイン電圧」という。

）の理想的な波形は矩形波状となり、トレインに流れる
電流（以下、「ドレイン電流」という。）ＩＤの理想的
な波形は半波整流波状となる。また、ドレイン電流■、
が流れる期間はドレイン電圧■、が印加されず（■）、
ドレイン電圧■。が印加される期間はドレイン電流Ｉｎ
が流れない（■）ので、ＦＥＴ１３１による損失電力が
なく、高効率の電力増幅器が実現される。なお、このよ
うなＦ級増幅器は、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦ
ＥＴその他の素子を用いても同様に構成できる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、このような従来例構成のＦ級増幅器を用いて
マイクロ波帯その他の高周波帯の周波数を増幅する場合
には、ＦＥＴ１３１のゲート・ソース間容量１３７に流
れる電流の影響によってドレイン電圧ＶＤおよびドレイ
ン電流ＩＤの高調波成分が減衰し、第１４図において点
線で示すように、ドレイン電流Ｉ。の波形が正弦波状と
なり、ドレイン電圧ＶＤの波形がその電圧値が「０」と
なる時間率が低下する。

したがって、ＦＥＴ１３１の素子内部では電力損失が発
生し、増幅器の効率が著しく低下する。

本発明は、半導体素子に固有の入力容量に流れる高調波
電流の影響を補償することにより、高周波帯において高
い効率を実現できる電力増幅器を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は、請求項１に記載の発明の原理ブロック図であ
る。

図において、増幅器ＩＩは、与えられる合成波信号を増
幅する。

分波器１２は、増幅すべき高周波信号を二放路に分岐さ
せる。

逓倍手段１３は、分波器１２の一方の放路から与えられ
る高周波信号から増幅器１１の半導体素子に固有の人力
容量によって損失する高調波成分に応じた逓倍波信号を
発生する。

合成器１４は、分波器１２の他方の放路がら与えられる
高周波信号および逓倍波信号を合成し、合成波信号を出
力する。

第２図は、請求項２に記載の発明の原理ブロック図であ
る。

図において、合成器１４は、増幅すべき高周波信号およ
び与えられる逓倍波信号を合成し、合成波信号を発生す
る。

増幅器１１は、合成波信号を増幅する。

分波器１２は、増幅器１１から出力される高周波信号を
二放路に分岐させる。

逓倍手段１３は、分波器１２の一方の放路から与えられ
る高周波信号から増幅器１１の半導体素子に固有の入力
容量によって損失する高調波成分に応じた逓倍波信号を
発生する。

第３図は、請求項３に記載の発明の原理ブロック図であ
る。

本発明は、請求項１に記載の電力増幅器において、逓倍
手段１３と合成器１４との間に配置され、増幅すべき高
周波信号のレベルに応じて、逓倍手段１３から出力され
る逓倍波信号の振幅および位相を可変する振幅・位相可
変手段１５を備えて構成される。

第４図は、請求項４に記載の発明の原理ブロック図であ
る。

本発明は、請求項２に記載の電力増幅器において、逓倍
手段１３と合成器１４との間に配置され、増幅すべき高
周波信号のレベルに応じて、逓倍手段１３から与えられ
る逓倍波信号の振幅および位相を可変する振幅・位相可
変手段１５を備えて構成される。

第５図は、請求項５に記載の発明の原理ブロンク図であ
る。

図において、増幅器１１は、与えられる合成波信号を増
幅する。

分波器１２は、増幅すべき高周波信号を二放路に分岐さ
セる。

高調波発生手段１６は、分波器１２の一方の放路から与
えられる高周波信号から増幅器１１の半導体素子に固有
の入力容量によって損失する高調波成分に応した複数の
逓倍波信号を発生する。

合成器１７は、分波器１２の他方の放路から与えられる
高周波信号および複数の逓倍波信号を合成し、合成波信
号を出力する。

第６図は、請求項６に記載の発明の原理ブロック図であ
る。

図において、合成器１７は、増幅すべき高周波信号およ
び与えられる複数の逓倍波信号を合成し、合成波信号を
出力する。

増幅器１１は、合成波信号を増幅する。

分波器工２は、増幅器１１から出力される高周波信号を
二放路に分岐させる。

高調波発生手段１６は、分波器１２の一方の放路から与
えられる高周波信号から増幅器１１の半導体素子に固有
の入力容量によって損失する高調波成分に応じた複数の
逓倍波信号を発生する。

〔作　用〕

請求項１に記載の発明では１．逓倍手段１３が、分波器
１２を介して与えられる高周波信号の逓倍波信号を発生
する。合成器１４は、分波器１２を介して与えられる高
周波信号および逓倍手段１３から与えられる逓倍波信号
を合成し、得られた合成波信号を増幅器１１に与える。

この合成波信号に含まれる逓倍波信号は、増幅器１１の
半導体素子に固有の入力容量によって損失する高調波成
分に相当するので、増幅器１１の入力端ではその損失分
が補償される。

したがって、半導体素子の電圧・電流波形が理想的波形
に近づき、半導体素子の損失電力が低減される。

請求項２に記載の発明では、逓倍手段１３が、増幅器１
１の出力から分波器１２を介して与えられる高周波信号
の逓倍波信号を発生する。合成器１４は、増幅すべき高
周波信号および逓倍手段１３から与えられる逓倍波信号
を合成し、得られた合成波信号を増幅器１１に与える。

したがって、請求項１に記載の発明と同様に、増幅器１
１の入力端では半導体素子に固有の入力容量によって損
失する高調波成分が補償され、半導体素子の損失電力が
低減される。

請求項３および請求項４に記載の発明では、振幅・位相
可変手段１５が、逓倍手段１３から出力される逓倍波信
号の振幅および位相を増幅すべき高周波信号のレベルに
応じて可変し、その結果得られる逓倍波信号を合成器１
４に送出する。増幅器１１の半導体素子に固有の入力容
量による高調波成分の損失量は入力される電力に応じて
変動するが、この変動分は上述のように振幅・位相可変
手段１５から合成器１４を介して与えられる逓倍波信号
によって補償される。

したがって、入力される電力が変動する場合にも、電力
増幅器の効率が一定に保たれ、かつ入力される電力に対
する直線性が改善される。

請求項５に記載の発明では、高調波発生手段１６が、分
波器１２を介して与えられる高周波信号から複数の逓倍
波信号を発生する。合成器１７は、分波器１２を介して
与えられる高周波信号および高調波発生手段１６から与
えられる複数の逓倍波信号を合成し、合成波信号として
出力する。この合成波信号に含まれる複数の逓倍波信号
は、増幅器１１の半導体素子に固有の入力容量によって
損失する複数の高調波成分に相当する。

したがって、増幅器１１の入力端では、合成波信号に含
まれる逓倍波信号が単一の場合に比べて高い精度で高調
波成分の損失分が補償され、半導体素子の損失電力が低
減される。

請求項６に記載の発明では、高調波発生手段１６が、増
幅器１１の出力から分波器１２を介して与えられる高周
波信号から複数の逓倍波信号を発生する。合成器１７は
、増幅すべき高周波信号および高調波発生手段１６から
与えられる複数の逓倍波信号を合成し、得られた合成波
信号を増幅器１１に送出する。

したがって、請求項５に記載の発明と同様に、増幅器１
１の入力端では、半導体素子に固有の入力容量によって
損失する高調波成分が、合成波信号に含まれる逓倍波信
号が単一の場合に比べて高い精度で補償され、半導体素
子の損失電力が低減される。

〔実施例〕

以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に説
明する。

第７図は、請求項１に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図である。

図において、入力端子は方向性結合器７１、サーキュレ
ータ７２および方向性結合器７３を介してＦ級増幅器７
４に接続される。なお、以下では、方向性結合器７１．
７３の方向性は、上述の接続順序に応じた方向を順方向
とする。方向性結合器７１の順方向に対応する分岐路は
、逓倍器７５および帯域濾波器７６を介して方向性結合
器７３の逆方向に対応する分岐路に接続される。方向性
結合器７１の逆方向に対応する分岐路、方向性結合器７
３の順方向に対応する分岐路はそれぞれ所定の抵抗器７
７．７８を介して終端され、サーキュレータ７２の残り
の開口は終端される。なお、第１図に示す原理ブロック
図との対応関係については、方向性結合器７１および抵
抗器７７は分波器１２に対応し、サーキュレータ７２、
方向性結合器７３および抵抗器７８は合成器１４に対応
し、Ｆ級増幅器７４は増幅器１１に対応し、逓倍器７５
および帯域濾波器７６は逓倍手段１３に対応する。

このような構成の電力増幅器では、逓倍器７５および帯
域濾波器７６が、入力される高周波信号の一部からその
高周波信号の基本周波数（−ｆｏ）の二逓倍波を発生す
る。この二逓倍波は、Ｆ級増幅器７４の増幅用半導体素
子に固有の入力容量（例えば、第１３図に示すゲート・
ソース間容量１３７）によって減衰する高調波成分に相
当し、方向性結合器７７、サーキュレータ７２を介して
与えられる高周波信号と共に方向性結合器７３を介して
Ｆ級増幅器７４に入力される。

したがって、上述の人力容量によって減衰する高調波成
分を補償することができる。

なお、サーキュレータ７２は、帯域濾波器７６から出力
さ−れる二逓倍波が方向性結合器７７より前段に配置さ
れた回路に影響しないように逆方向の信号成分を吸収す
る。

このように、本実施例回路によれば、高調波成分が補償
されることによって、Ｆ級増幅器７４の増幅用半導体素
子の動作状態（電圧・電流波形）が理想的な状態に近づ
き、損失電力が低減される。

第８図は、請求項２に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図である。

図において、第７図に示す実施例回路とその構成および
機能が同じものは、同一の参照番号を付与して表し、こ
こでは、その説明を省略する。

本実施例回路の構成は、入力される高周波信号がサーキ
ュレータ７２に直接入力され、かつ方向性結合器７１が
Ｆ級増幅器７４の後段に配置された点を除き、第７図に
示す実施例回路と同じである。また、第２図に示す原理
ブロック図との対応関係については、第７図に示す実施
例回路と第１図に示す原理ブロック図との対応関係に同
じである。

本実施例回路の動作は、Ｆ級増幅器７４によって増幅さ
れた高周波信号の一部が方向性結合器７１の順方向に対
応する分岐路から逓倍器７５に与えられる点を除き、第
７図に示す実施例回路と同じである。

第９図は、請求項３に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図である。

図において、第７図に示す実施例回路とその構成および
機能が同じものは、同一の参照番号を付与して表し、こ
こでは、その説明を省略する。

本実施例回路の構成は、帯域濾波器７６と方向性結合器
７３との間に振幅・位相制御回路９１が配置された点を
除き、第７図に示す実施例回路と同じである。

振幅・位相制御回路９１において、帯域濾波器７６の出
力は、可変減衰器９２および可変移相器７３を介して方
向性結合器７３の逆方向に対応する分岐路に接続される
。また、方向性結合器７１の順方向に対応する分岐路は
入力レベル検出回路９４の入力に接続され、その出力は
振幅制御回路９５および位相制御回路９６に接続される
。振幅制御回路９５の出力は可変減衰器９２の制御端子
に接続され、位相制御回路９６の出力は可変移相器９３
の制御端子に接続される。なお、可変減衰器９２はその
可変減衰素子としてＰＩＮダイオードその他の素子を使
用して構成され、可変移相器９３はその可変移相素子と
してバラクタダイオード、ＰＩＮダイオードその他の素
子を使用して構成できる。また、本実施例回路では、帯
域濾波器７６、可変減衰器９２および可変移相器９３の
従属接続の順序は、任意に設定可能である。なお、振幅
・位相制御回路９１は、第３図に示す原理ブロック図で
は、振幅・位相可変手段１５に対応する。

本実施例回路では、入力レベル検出回路９４が入力され
る高周波信号の振幅情報を検出する。可変減衰器９２は
、検出された振幅情報に応じて振幅制御回路９５が出力
する制御電圧信号によってその減衰量を可変する。可変
移相器９３は、同様に位相制御回路９６が出力する制御
電圧信号によってその移相量を可変する。すなわち、入
力される高周波信号のレベルに応じて、帯域濾波器９６
から出力される逓倍波の振幅および位相が可変される。

したがって、Ｆ級増幅器７４の増幅用半導体素子に固有
の入力容量が入力される電力に応じて変化しても、その
変化に伴う高調波成分の減衰量の変化を逐次補正するこ
とができる。

このように、本実施例によれば、入力される電力が変化
する場合にも電力増幅器の効率を一定に保つことができ
、入力電力に対する直線性が改善される。

第１０図は、請求項４に記載の発明に対応する実施例回
路を示す図である。

図において、第８図および第９図に示す実施例回路とそ
の構成および機能が同じものは、同一の参照番号を付与
して表し、ここでは、その説明を省略する。

本実施例回路の構成は、初段に方向性結合器１０１が挿
入され、帯域濾波器７６と方向性結合器７３との間に振
幅・位相制御回路９１が配置され、方向性結合器１０１
の順方向に対応する分岐路が振幅・位相制御回路９１に
設けられた入力レベル検出回路９４の入力に接続される
点で、第８図に示す実施例回路と同じである。なお、振
幅・位相制御回路９１は、第４図に示す原理ブロック図
では、振幅・位相可変手段１５に対応する。

本実施例回路の動作は、Ｆ級増幅器７４によって増幅さ
れた高周波信号の一部が方向性結合器７１の順方向に対
応する分岐路から逓倍器７５に与えられる点を除き、第
９図に示す実施例回路と同じである。

第１１図は、請求項５に記載の発明に対応する実施例回
路を示す図である。

図において、第７図に示す実施例回路とその構成および
機能が同じものは、同一の参照番号を付与して表し、こ
こでは、その説明を省略する。

本実施例回路の構成は、帯域濾波器７６に代えて複数の
高調波成分を発生する高調波発生回路１１１を設けた点
で第７図に示す実施例回路と異なる。なお、第５図に示
す原理ブロック図との対応関係については、高調波発生
回路１１１は高調波発生手段１６に対応する。

高調波発生回路１１１において、逓倍器７５の出力は、
帯域濾波器１１２１〜１１２．に接続される。帯域濾波
器１１２□〜１１２ｏの出力は、それぞれの出力に対応
して設けられた減衰器１１３、〜１１３．．および移相
器１１４１〜１１４゜を介して方向性結合器１１５、〜
１１５、の順方向に対応する分岐路に接続される。方向
性結合器１１５、〜１１５゜の入出力端子は、順次縦続
接続され、さらに方向性結合器７３の逆方向に対応する
分岐路に接続される。また、方向性結合器１１５、〜１
１５１の逆方向に対応する分岐路は、それぞれ所定の抵
抗器１１６Ｉ〜１１６．によって終端される。

本実施例回路では、帯域濾波器１１２１〜１１２゜は、
逓倍器７５から与えられる信号から周波数２ｆ０．３ｆ
０、・・・、（ｎ−１）ｆｏに対応する複数の高調波成
分を抽出する。減衰器１１３．〜１１３ｎは抽出された
各高調波成分のレベルを所定値に設定し、さらに移相器
１１４＋〜１１４゜が各高調波成分毎の位相を所定値に
設定する。このようにして得られた複数の高調波成分は
、方向性結合器１１５、〜１１５．．によって合成され
、さらに方向性結合器７３を介してＦ級増幅器７４に与
えられる。この高調波成分は、Ｆ級増幅器７４の増幅用
半導体素子に固有の入力容量によって減衰する高調波成
分に相当する。

したがって、その入力容量によって減衰する高調波成分
を複数の高調波成分について補償することができる。

このように、本実施例回路によれば、方向性結合器７３
を介してＦ級増幅器７４に与えられる逓倍波が単一であ
る場合に比べて、入力容量によって減衰する高調波成分
を高精度で補償することができ、高効率の電力増幅器が
実現される。

第１２図は、請求項６に記載の発明に対応する実施例回
路を示す図である。

図において、第８図および第１０図に示す実施例回路と
その構成および機能が同じものは、同一の参照番号を付
与して表し、ここでは、その説明を省略する。

本実施例回路の構成は、帯域濾波器７６に代えて、高調
波発生回路１１１が配置された点を除き、第８図に示す
実施例回路と同じである。なお、第６図に示す原理ブロ
ック図との対応関係については、高調波発生回路１１１
は高調波発生手段１６に対応する。

本実施例回路の動作は、Ｆ級増幅器７４によって増幅さ
れた高周波信号の一部が方向性結合器７１の順方向に対
応する分岐路から高調波発生回路１１１に与えられる点
を除き、第１１図に示す実施例回路と同じである。

〔発明の効果］ 上述したように、本発明によれば、人力される高周波信
号の高調波成分が増幅用半導体素子に固有の入力容量に
よって減衰するために素子内部で損失する電力を低減す
ることができ、高周波帯において、高効率の電力増幅器
を実現することができる。

したがって、本発明を適用することにより、移動通信シ
ステムでは携帯移動局装置の消費電力が低減される。

また、衛星通信システムでは、通信衛星に小容量のソー
ラパネルを搭載することができ、かつ電力消費に伴う発
熱量が低減されるので放熱系の重量が低減される。した
がって、通信衛星の重量が軽量化され、打ち上げに必要
な費用の削減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は請求項１に記載の発明の原理ブロック図、 第２図は請求項２に記載の発明の原理ブロック図、 第３図は請求項３に記載の発明の原理ブロック図、 第４図は請求項４に記載の発明の原理ブロック図、 第５図は請求項５に記載の発明の原理ブロック図、 第６図は請求項６に記載の発明の原理ブロック図、 第７図は請求項１に記載の発明に対応する実施例回路を
示す図、 第８図は請求項２に記載の発明に対応する実施例回路を
示す図、 第９図は請求項３に記載の発明に対応する実施例回路を
示す図、 第１０図は請求項４に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図、 第１１図は請求項５に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図、 第１２図は請求項６に記載の発明に対応する実施例回路
を示す図、 第１３図はＦ級増幅器の回路構成を示す図、第１４図は
Ｆ級増幅器の動作波形を示す図である。 図において、 １１は増幅器、 １２は分波器、 １３は逓倍手段、 １４．１７は合成器、 １５は振幅・位相可変手段、 １６は高調波発生手段、 ７１．７３．１０１．１１５．〜１１５７は方向性結合
器、 ７２はサーキュレータ、 ７４はＦ級増幅器、 ７５は逓倍器、 ７６．１１２Ｉ〜１１２．ｌは帯域濾波器、７７〜７８
．１１６１〜１１６．、は抵抗器、９１は振幅・位相制
御回路、 ９２は可変減衰器、 ９３は可変移相器、 ９４は入力レベル検出回路、 ９５は振幅制御回路、 ９６は位相制御回路、 １１１は複数高調波発生回路、 １１３、〜１１３、は減衰器、 ４、〜ＩＩ４．．ば移相器、 １はＦＥＴ、 ２は高周波チョーク、 ３はカップリングコンデンサ、 ４はλ／４長の伝送線路、 ５はＬＣ型並列共振回路、 ６は負荷抵抗器である。 代 理 人

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）与えられる合成波信号を増幅する増幅器（１１）
   と、 増幅すべき高周波信号を二放路に分岐させる分波器（１
   ２）と、 前記分波器（１２）の一方の放路から与えられる前記高
   周波信号から前記増幅器（１１）の半導体素子に固有の
   入力容量によって損失する高調波成分に応じた逓倍波信
   号を発生する逓倍手段（１３）と、 前記分波器（１２）の他方の放路から与えられる前記高
   周波信号および前記逓倍波信号を合成し、前記合成波信
   号を出力する合成器（１４）とを備えたことを特徴とす
   る電力増幅器。
2. （２）増幅すべき高周波信号および与えられる逓倍波信
   号を合成し、合成波信号を発生する合成器（１４）と、 前記合成波信号を増幅する増幅器（１１）と、前記増幅
   器（１１）から出力される高周波信号を二放路に分岐さ
   せる分波器（１２）と、 前記分波器（１２）の一方の放路から与えられる前記高
   周波信号から前記増幅器（１１）の半導体素子に固有の
   入力容量によって損失する高調波成分に応じた前記逓倍
   波信号を発生する逓倍手段（１３）と を備えたことを特徴とする電力増幅器。
3. （３）請求項１に記載の電力増幅器において、逓倍手段
   （１３）と合成器（１４）との間に配置され、増幅すべ
   き高周波信号のレベルに応じて、前記逓倍手段（１３）
   から出力される逓倍波信号の振幅および位相を可変する
   振幅・位相可変手段（１５）を備えた ことを特徴とする電力増幅器。
4. （４）請求項２に記載の電力増幅器において、逓倍手段
   （１３）と合成器（１４）との間に配置され、増幅すべ
   き高周波信号のレベルに応じて、前記逓倍手段（１３）
   から与えられる逓倍波信号の振幅および位相を可変する
   振幅・位相可変手段（１５）を備えた ことを特徴とする電力増幅器。
5. （５）与えられる合成波信号を増幅する増幅器（１１）
   と、 増幅すべき高周波信号を二放路に分岐させる分波器（１
   ２）と、 前記分波器（１２）の一方の放路から与えられる前記高
   周波信号から前記増幅器（１１）の半導体素子に固有の
   入力容量によって損失する高調波成分に応じた複数の逓
   倍波信号を発生する高調波発生手段（１６）と、 前記分波器（１２）の他方の放路から与えられる前記高
   周波信号および前記複数の逓倍波信号を合成し、前記合
   成波信号を出力する合成器（１７）と を備えたことを特徴とする電力増幅器。
6. （６）増幅すべき高周波信号および与えられる複数の逓
   倍波信号を合成し、合成波信号を出力する合成器（１７
   ）と、 前記合成波信号を増幅する増幅器（１１）と、前記増幅
   器（１１）から出力される高周波信号を二放路に分岐さ
   せる分波器（１２）と、 前記分波器（１２）の一方の放路から与えられる前記高
   周波信号から前記増幅器（１１）の半導体素子に固有の
   入力容量によって損失する高調波成分に応じた前記複数
   の逓倍波信号を発生する高調波発生手段（１６）と を備えたことを特徴とする電力増幅器。