JPH0412251U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412251U JPH0412251U JP5345190U JP5345190U JPH0412251U JP H0412251 U JPH0412251 U JP H0412251U JP 5345190 U JP5345190 U JP 5345190U JP 5345190 U JP5345190 U JP 5345190U JP H0412251 U JPH0412251 U JP H0412251U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning signal
- frequency
- direction scanning
- triangular wave
- amplitude
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図aは本考案の一実施例の構成を示す図、
第1図bは走査信号発生器のブロツク図、第2図
は一実施例の説明に使用する図で、第2図aはX
方向走査信号生波形図、第2図cはY方向走査信
号第2図cはY方向走査信号の周波数変化を示す
図、第2図dはウエーハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す図である。第3図は従来例の説明に
使用する図で、第3図aはX方向走査信号波形図
、第3図bはY方向走査信号波形図、第3図cは
ターゲツト・ホルダ上のイオンビーム走査パター
ンを示す図である。 1……走査信号発生器、11……振幅関数発生
器、12……VCO(電圧制御発振器)、13…
…波形整形回路、14……AM変調回路、2……
走査信号増幅器、3−1,3−2……X偏向板、
4−1,4−2……Y偏向板、5……ウハエー。
第1図bは走査信号発生器のブロツク図、第2図
は一実施例の説明に使用する図で、第2図aはX
方向走査信号生波形図、第2図cはY方向走査信
号第2図cはY方向走査信号の周波数変化を示す
図、第2図dはウエーハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す図である。第3図は従来例の説明に
使用する図で、第3図aはX方向走査信号波形図
、第3図bはY方向走査信号波形図、第3図cは
ターゲツト・ホルダ上のイオンビーム走査パター
ンを示す図である。 1……走査信号発生器、11……振幅関数発生
器、12……VCO(電圧制御発振器)、13…
…波形整形回路、14……AM変調回路、2……
走査信号増幅器、3−1,3−2……X偏向板、
4−1,4−2……Y偏向板、5……ウハエー。
Claims (1)
- 振幅及び周波数一定の三角波からなるX(又は
Y)方向走査信号と、ターゲツト形状寸法の高さ
に比例した振幅及び周波数(X(又はY)方向走
査信号の周波数より大きい)の三角波からなるY
(又はX)方向走査信号とそれぞれ発生する走査
信号発生器を有することを特徴とする静電走査型
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990053451U JP2548948Y2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 静電走査型イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990053451U JP2548948Y2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 静電走査型イオン注入装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0412251U true JPH0412251U (ja) | 1992-01-31 |
JP2548948Y2 JP2548948Y2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=31574646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990053451U Expired - Lifetime JP2548948Y2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 静電走査型イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2548948Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5373702B2 (ja) | 2010-06-07 | 2013-12-18 | 株式会社Sen | イオンビームスキャン処理装置及びイオンビームスキャン処理方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5494275A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-25 | Toshiba Corp | Implanting method of charge particles to semiconductor wafers and apparatus for the same |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP1990053451U patent/JP2548948Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5494275A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-25 | Toshiba Corp | Implanting method of charge particles to semiconductor wafers and apparatus for the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2548948Y2 (ja) | 1997-09-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |