JPH04117483A - フォトクロミック・プラスチック成形物 - Google Patents
フォトクロミック・プラスチック成形物Info
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、調光レンズ(サングラスレンズの一種)その
他に育用なフォトクロミック・プラスチック成形物に関
するものである。
他に育用なフォトクロミック・プラスチック成形物に関
するものである。
光(紫外線を含む)か照射されると物質か着色したり、
色か濃くなったり、或いは変色する現象をフォトクロミ
ズムと呼び、フォトクロミズムを示す性質をフォトクロ
ミック性と呼び、フォトクロミック性を育する化合物、
物質又は成形物をフォトクロミック化合物、フォトクロ
ミック物質又はフォトクロミック成形物と呼ぶ。
色か濃くなったり、或いは変色する現象をフォトクロミ
ズムと呼び、フォトクロミズムを示す性質をフォトクロ
ミック性と呼び、フォトクロミック性を育する化合物、
物質又は成形物をフォトクロミック化合物、フォトクロ
ミック物質又はフォトクロミック成形物と呼ぶ。
本明細書では、これ以降、着色したり、色か濃くなった
り、或いは変色することを代表して「着色する」と表現
し、光の照射かなくなり、着色していた物かやかて元に
戻ることを「消色する」と表現する。
り、或いは変色することを代表して「着色する」と表現
し、光の照射かなくなり、着色していた物かやかて元に
戻ることを「消色する」と表現する。
フォトクロミック成形物として、一般に調光レンズと呼
はれる眼鏡レンズ(サングラスレンズ)かよく知られて
いる。従来、調光レンズのほとんどは、無機物質である
ハロケン化銀をガラスレンズ基材中に分散させたもので
ある。
はれる眼鏡レンズ(サングラスレンズ)かよく知られて
いる。従来、調光レンズのほとんどは、無機物質である
ハロケン化銀をガラスレンズ基材中に分散させたもので
ある。
近年、眼鏡レンズにおいては、ガラスレンズに比へて軽
量で耐衝撃性の高いプラスチックレンズか広く使用され
るようになり、その割合は既にガラスレンズを上回って
いる。これに伴いプラスチック製調光レンズの要求か高
まってきた。このような背景から、プラスチックレンズ
基材(本発明で言う成形物の一種)中に分子レベルで均
一に分散させることのできる有機フォトクロミック物質
例えばスピロオキサジン化合物か開発され、これを含ん
だフォトクロミック・レンズ(調光レンズ)か既に一部
実用化されている。
量で耐衝撃性の高いプラスチックレンズか広く使用され
るようになり、その割合は既にガラスレンズを上回って
いる。これに伴いプラスチック製調光レンズの要求か高
まってきた。このような背景から、プラスチックレンズ
基材(本発明で言う成形物の一種)中に分子レベルで均
一に分散させることのできる有機フォトクロミック物質
例えばスピロオキサジン化合物か開発され、これを含ん
だフォトクロミック・レンズ(調光レンズ)か既に一部
実用化されている。
しかし、このレンズは、ハロゲン化銀を含むガラスレン
ズに比へて次の点て劣っている。
ズに比へて次の点て劣っている。
すなわち、スピロオキサジン化合物を含有するフォトク
ロミック・プラスチックレンズは、冬なとの低温環境下
では十分なフォトクロミック性を示し濃く着色するか、
夏なとの高温環境下では十分なフォトクロミック性を示
さず、余り着色しないという第1の問題点かあった。
ロミック・プラスチックレンズは、冬なとの低温環境下
では十分なフォトクロミック性を示し濃く着色するか、
夏なとの高温環境下では十分なフォトクロミック性を示
さず、余り着色しないという第1の問題点かあった。
また、レンズか着色した時、レンズの透過率か着色前に
比へて、との位減少したかを示す割合を減光率と呼ぶか
、この減光率の温度依存性か高いという第2の問題点か
あった。
比へて、との位減少したかを示す割合を減光率と呼ぶか
、この減光率の温度依存性か高いという第2の問題点か
あった。
従って、本発明の目的は、夏なとの高温環境下でも優れ
たフォトクロミック性を示し、かつ、減光率の温度依存
性の少ないフォトクロミック・フラスチック成形物を提
供することにある。
たフォトクロミック性を示し、かつ、減光率の温度依存
性の少ないフォトクロミック・フラスチック成形物を提
供することにある。
上記問題点の解決のために、本発明者らは、鋭意研究の
結果、偶然に、従来の有機フォトクロミック化合物のフ
ォトクロミズム機構とは全く異なる新規なフォトクロミ
ズム機構を有する2つの新規な有機フォトクロミック物
質を見出し、これをプラスチック成形物に含有(分散)
させたところ、本発明の目的か十分に満足されることを
見出し、本発明を成すに至った。
結果、偶然に、従来の有機フォトクロミック化合物のフ
ォトクロミズム機構とは全く異なる新規なフォトクロミ
ズム機構を有する2つの新規な有機フォトクロミック物
質を見出し、これをプラスチック成形物に含有(分散)
させたところ、本発明の目的か十分に満足されることを
見出し、本発明を成すに至った。
第1の有機フォトクロミック物質は、
′「発色団となる電子供与性疎水性基を一部に含む疎水
性基の凝集相のまわりを親水性基か包み込んでいるミク
ロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質(1a)
と、その外側にイオン結合された電子受容性界面活性剤
(1b)□この電子受容性界面活性剤(1b)は発色団
となる電子受容性基(A)を有していてもよく、また、
電子受容性界面活性剤(lb)の外に「電子受容性でな
い界面活性剤(lb)Jか一部イオン結合していてもよ
い とからなるイオンコンプレックス(1)
” である。尚、第1の有機フォトクロミック物質には、電
子受容体(即ち電子受容性を示す化合物)(2)か混合
されていてもよい。この電子受容体(2)は発色団とな
る電子受容性基(A)を存していてもよい。むしろ、現
実には発色団となる電子受容性基(A)を有する電子受
容体(2)の方か多く存在する。
性基の凝集相のまわりを親水性基か包み込んでいるミク
ロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質(1a)
と、その外側にイオン結合された電子受容性界面活性剤
(1b)□この電子受容性界面活性剤(1b)は発色団
となる電子受容性基(A)を有していてもよく、また、
電子受容性界面活性剤(lb)の外に「電子受容性でな
い界面活性剤(lb)Jか一部イオン結合していてもよ
い とからなるイオンコンプレックス(1)
” である。尚、第1の有機フォトクロミック物質には、電
子受容体(即ち電子受容性を示す化合物)(2)か混合
されていてもよい。この電子受容体(2)は発色団とな
る電子受容性基(A)を存していてもよい。むしろ、現
実には発色団となる電子受容性基(A)を有する電子受
容体(2)の方か多く存在する。
第2の有機フォトクロミック物質は、
°“「発色団となる電子供与性疎水性基を一部に含む疎
水性基の凝集相のまわりを親水性基か包み込んでいるミ
クロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質(1a
)と、その外側にイオン結合された界面活性剤(1b)
この界面活性剤(1b)の外に「電子受容性
界面活性剤(lb)Jか一部イオン結合していてもよい
とからなるイオンコンプレックス(1)と電
子受容体(2)との混合物” からなる。尚、電子受容体(2)は発色団となる電子受
容性基(A)を有していてもよい。むしろ、現実には発
色団となる電子受容性基(A)を有する電子受容体(2
)の方か多く存在する。
水性基の凝集相のまわりを親水性基か包み込んでいるミ
クロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質(1a
)と、その外側にイオン結合された界面活性剤(1b)
この界面活性剤(1b)の外に「電子受容性
界面活性剤(lb)Jか一部イオン結合していてもよい
とからなるイオンコンプレックス(1)と電
子受容体(2)との混合物” からなる。尚、電子受容体(2)は発色団となる電子受
容性基(A)を有していてもよい。むしろ、現実には発
色団となる電子受容性基(A)を有する電子受容体(2
)の方か多く存在する。
従って、本発明は、第1発明として、前記第1の有機フ
ォトクロミック物質を含むプラスチック・フォトクロミ
ック成形物(請求項第1項)を、第2発明として、前記
第2の有機フォトクロミック物質を含むプラスチック・
フォトクロミック成彫物(請求項第2項)を提供する。
ォトクロミック物質を含むプラスチック・フォトクロミ
ック成形物(請求項第1項)を、第2発明として、前記
第2の有機フォトクロミック物質を含むプラスチック・
フォトクロミック成彫物(請求項第2項)を提供する。
本発明て使用するイオンコンプレックスは、例えば第1
A図に示すように、高分子電解質(1a)か負の親水性
基(la2)を持ち、界面活性剤(1b)か正の親水性
基を持つものと、逆に、例えば第2図に示すように、
高分子電解質(1a)か正の親水性基(1a2)を持ち
、界面活性剤(1b)か負の親水性基を持つものの2タ
イプかある。
A図に示すように、高分子電解質(1a)か負の親水性
基(la2)を持ち、界面活性剤(1b)か正の親水性
基を持つものと、逆に、例えば第2図に示すように、
高分子電解質(1a)か正の親水性基(1a2)を持ち
、界面活性剤(1b)か負の親水性基を持つものの2タ
イプかある。
従来の有機フォトクロミック物質(スピロオキサジン化
合物)のフォトクロミズム機構は、光照射による分子内
開環、暗所(光照射を止めた時)での分子内閉環と言う
[大きな分子構造の変化」を伴う反応である。そのため
、高温環境下では、消色反応速度か、相対的に大きくな
り、その結果として、レンズは着色しない(フォトクロ
ミック性か劣る)ものと考えられる。
合物)のフォトクロミズム機構は、光照射による分子内
開環、暗所(光照射を止めた時)での分子内閉環と言う
[大きな分子構造の変化」を伴う反応である。そのため
、高温環境下では、消色反応速度か、相対的に大きくな
り、その結果として、レンズは着色しない(フォトクロ
ミック性か劣る)ものと考えられる。
それに対して、本発明のフォトクロミック・成形物は、
優れたフォトクロミズムを示し、かつ、減光率の温度依
存性か少ない。
優れたフォトクロミズムを示し、かつ、減光率の温度依
存性か少ない。
この理由は、必ずしも十分明らかではないか、おおよそ
次のように考えられる。
次のように考えられる。
第一に、第1発明(第1A図参照、)では、イオンコン
プレックス(1)は、[発色団となる電子供与性疎水性
基(D)を一部に含む疎水性基(1a1)の凝集相のま
わりを親水性基か包み込んでいるミクロ相分離構造」を
有する両親媒性高分子電解質(]a)と、その外側にイ
オン結合した電子受容性界面活性剤(lb)からなる。
プレックス(1)は、[発色団となる電子供与性疎水性
基(D)を一部に含む疎水性基(1a1)の凝集相のま
わりを親水性基か包み込んでいるミクロ相分離構造」を
有する両親媒性高分子電解質(]a)と、その外側にイ
オン結合した電子受容性界面活性剤(lb)からなる。
尚、この界面活性剤(1b)は、例えば第1C図に示す
ように発色団となる電子受容性基(A)を持ったもので
もよい。
ように発色団となる電子受容性基(A)を持ったもので
もよい。
第2発明(第1B図参照)でも、イオンコンプレックス
(1)は、[発色団となる電子供与性疎水性基(D)を
一部に含む疎水性基(Ial)の凝集相のまわりを親水
性基か包み込んでいるミクロ相分離構造」を有する両親
媒性高分子電解質(1a)と、その外側にイオン結合し
た界面活性剤(1b)からなる。この界面活性剤(1b
)は基本的には電子受容性ではない。その代わりイオン
コンプレックスの近くに電子受容体(2)かいる。尚、
界面活性剤(Ib)ま、例えば第1D図に示すように発
色団となる電子受容性基(A)を持ったものでもよい。
(1)は、[発色団となる電子供与性疎水性基(D)を
一部に含む疎水性基(Ial)の凝集相のまわりを親水
性基か包み込んでいるミクロ相分離構造」を有する両親
媒性高分子電解質(1a)と、その外側にイオン結合し
た界面活性剤(1b)からなる。この界面活性剤(1b
)は基本的には電子受容性ではない。その代わりイオン
コンプレックスの近くに電子受容体(2)かいる。尚、
界面活性剤(Ib)ま、例えば第1D図に示すように発
色団となる電子受容性基(A)を持ったものでもよい。
いずれの発明ても、界面活性剤は、外に向かって疎水性
基(1a1)を延ばしており、従って、イオンコンプレ
ックスの表面はかなりの部分か疎水性基で覆われている
。それ故、本発明のフォトクロミック物質は、その特異
な構造(ミクロ相分離構造)を保持したまま、疎水性物
質(プラスチック成形物)中に溶は込む(分散)するこ
とかでき、透明なプラスチック成形物例えはプラスチッ
クレンズ基材中にも透明性を損なうことなく、均一に分
散させることかできるものと推定される。
基(1a1)を延ばしており、従って、イオンコンプレ
ックスの表面はかなりの部分か疎水性基で覆われている
。それ故、本発明のフォトクロミック物質は、その特異
な構造(ミクロ相分離構造)を保持したまま、疎水性物
質(プラスチック成形物)中に溶は込む(分散)するこ
とかでき、透明なプラスチック成形物例えはプラスチッ
クレンズ基材中にも透明性を損なうことなく、均一に分
散させることかできるものと推定される。
第二に、その特異な構造(ミクロ相分離構造)の故に、
発色団となる電子供与性疎水性基(D)は他の発色団を
持たない過剰な疎水性基(lal)に囲まれており、電
子受容性界面活性剤(1b)又は電子受容体(2)とは
若干の距離に隔たりかある。このような系に光か照射さ
れると、発色団となる電子供与性基(D)か励起され、
その電子か電子受容性界面活性剤(1b)又は電子受容
体(2)の電子受容性基(Ac)に移動を起こす。
発色団となる電子供与性疎水性基(D)は他の発色団を
持たない過剰な疎水性基(lal)に囲まれており、電
子受容性界面活性剤(1b)又は電子受容体(2)とは
若干の距離に隔たりかある。このような系に光か照射さ
れると、発色団となる電子供与性基(D)か励起され、
その電子か電子受容性界面活性剤(1b)又は電子受容
体(2)の電子受容性基(Ac)に移動を起こす。
hν
D 、 Ac−一−→D: 、 Ac・仮に電子受容
性基(Ac)か発色団となる電子受容性基(Δ)である
場合には、下記の式になる。
性基(Ac)か発色団となる電子受容性基(Δ)である
場合には、下記の式になる。
hν
D A −D: A・
イオンラジカルD:及びA;は、可視光領域に強い吸収
を持っているので、光照射により生した電荷分離状態の
寿命か長ければ、人間の巨で着色状態か観測される。発
色団とは、このように電子供与又は受容後に生成するイ
オンラジカルであって、それか可視光の領域に吸収を持
つものを言う。
を持っているので、光照射により生した電荷分離状態の
寿命か長ければ、人間の巨で着色状態か観測される。発
色団とは、このように電子供与又は受容後に生成するイ
オンラジカルであって、それか可視光の領域に吸収を持
つものを言う。
一般には分子内の電子移動反応は非常に速いので、A;
からD;への通電子移動も速く、その結果として電荷分
荷分離状懸の寿命は極めて短く、着色状態か観測されな
いのか普通である。
からD;への通電子移動も速く、その結果として電荷分
荷分離状懸の寿命は極めて短く、着色状態か観測されな
いのか普通である。
それに対して、本発明で使用する有機フォトクロミック
物質(第1発明のイオンコンプレックス1)及び第2項
発明の混合物)は、発色団となる電子供与性基(D)と
電子受容性基(、壮)との距離か疎水性凝集相により隔
てられていることに加えて、電子受容性基(Ac)同士
の相互作用により電荷分離状態の安定化か行われ、更に
プラスチック成形物という固体マトリンクスの効果によ
り逆電子移動反応か著しく抑制され、その結果、フォト
クロミズムを発現させているものと考えられる。
物質(第1発明のイオンコンプレックス1)及び第2項
発明の混合物)は、発色団となる電子供与性基(D)と
電子受容性基(、壮)との距離か疎水性凝集相により隔
てられていることに加えて、電子受容性基(Ac)同士
の相互作用により電荷分離状態の安定化か行われ、更に
プラスチック成形物という固体マトリンクスの効果によ
り逆電子移動反応か著しく抑制され、その結果、フォト
クロミズムを発現させているものと考えられる。
第三に、本発明におけるフォトクロミズムの機構か上述
のような電子移動反応であるため、その速度か温度によ
り余り影響を受けないことか考えられる。
のような電子移動反応であるため、その速度か温度によ
り余り影響を受けないことか考えられる。
即ち、本発明のフォトクロミック・プラスチック成形物
は、高温環境下でも着色し、かつ減光率の温度依存性か
少ないことは、本発明で使用する系のフォトクロミズム
機構か電子移動に依存し、その電子移動か温度による影
響を受は難いことに起因しているものと考えられる。
は、高温環境下でも着色し、かつ減光率の温度依存性か
少ないことは、本発明で使用する系のフォトクロミズム
機構か電子移動に依存し、その電子移動か温度による影
響を受は難いことに起因しているものと考えられる。
次に本発明て使用するイオンコンプレックスについて詳
細に説明する。イオンコンプレックスは両親媒性高分子
電解質とこれにイオン結合した界面活性剤とからなる。
細に説明する。イオンコンプレックスは両親媒性高分子
電解質とこれにイオン結合した界面活性剤とからなる。
イオンコンプレックスは、例えば、両親媒性高分子電解
質の水溶液に界面活性剤を添加することにより、容易に
合成することかてきる。゛ 両親媒性高分子電解質とは言うまでもなく疎水性基と親
水性基とを併せ持つ高分子の総称であり、ポリソープと
して古くから知られている高分子はこれに属する。
質の水溶液に界面活性剤を添加することにより、容易に
合成することかてきる。゛ 両親媒性高分子電解質とは言うまでもなく疎水性基と親
水性基とを併せ持つ高分子の総称であり、ポリソープと
して古くから知られている高分子はこれに属する。
両親媒性高分子電解質の最も特徴的な性質は、水溶液中
において疎水性基か分子内て自己会合してミクロドメイ
ン(凝集相)を形成し、その周囲を荷電セグメント(親
水性基)か取り囲み、ミセル的な構造(ミクロ相分離構
造)を形成することである。自己会合をもたらす疎水性
基の相互作用は、疎水性基間の直接的な引力相互作用に
よるのではなく、溶媒としての水の特異な液体構造に基
ついており、水の構造変化か全系の安定化に寄与するこ
とによって起こる。水に溶けている両親媒性高分子電解
質の疎水性基と接触している第−層の水は、規則的な構
造を形成しており、疎水性基は氷状クラスターによって
包接された、いわゆる疎水性水和を受ける。このような
状態にある疎水性基とうしか会合を起こすと規則構造水
の一部は通常水の状態に解放される。このとき、系全体
のエントロピーは増大し、自由エネルギーは低下して安
定化の方向に変化する。
において疎水性基か分子内て自己会合してミクロドメイ
ン(凝集相)を形成し、その周囲を荷電セグメント(親
水性基)か取り囲み、ミセル的な構造(ミクロ相分離構
造)を形成することである。自己会合をもたらす疎水性
基の相互作用は、疎水性基間の直接的な引力相互作用に
よるのではなく、溶媒としての水の特異な液体構造に基
ついており、水の構造変化か全系の安定化に寄与するこ
とによって起こる。水に溶けている両親媒性高分子電解
質の疎水性基と接触している第−層の水は、規則的な構
造を形成しており、疎水性基は氷状クラスターによって
包接された、いわゆる疎水性水和を受ける。このような
状態にある疎水性基とうしか会合を起こすと規則構造水
の一部は通常水の状態に解放される。このとき、系全体
のエントロピーは増大し、自由エネルギーは低下して安
定化の方向に変化する。
両親媒性高分子電解質は、水溶液中て、疎水性基か分子
内会合してミクロドメイン(凝集相)を形成し、その周
囲を荷電セグメント(親水性基)か取り囲んたミセル的
な構造(ミクロ相分離構造)を取る。
内会合してミクロドメイン(凝集相)を形成し、その周
囲を荷電セグメント(親水性基)か取り囲んたミセル的
な構造(ミクロ相分離構造)を取る。
本発明のイオンコンプレックスは、第1A〜ID図又は
第2図(概念図)に示すように、ミクロ相分離構造を持
った両親媒性高分子電解質(1a)と、その外側にイオ
ン結合された界面活性剤(lb)からなる。この状態の
界面活性剤は、外に向かって疎水性基を延ばしており、
従って、イオンコンプレックスの表面は、かなりの部分
か疎水性基で覆われている。それ故、イオンコンプレッ
クスは、その特異な構造(ミクロ相分離構造)を保持し
たまま、疎水性物質中に溶は込むことかできるものと推
定される。
第2図(概念図)に示すように、ミクロ相分離構造を持
った両親媒性高分子電解質(1a)と、その外側にイオ
ン結合された界面活性剤(lb)からなる。この状態の
界面活性剤は、外に向かって疎水性基を延ばしており、
従って、イオンコンプレックスの表面は、かなりの部分
か疎水性基で覆われている。それ故、イオンコンプレッ
クスは、その特異な構造(ミクロ相分離構造)を保持し
たまま、疎水性物質中に溶は込むことかできるものと推
定される。
代表的な両親媒性高分子電解質は、第3図に示す一般式
(I)及び第4図に示す一般式 (II)の構造を持つ
共重合体である。共重合体の分子量は、一般に10.0
00〜300.000程度である。 一般式(I)及び
(I[)において、 R、、R2+ R3,R、は、H又はCHhてあり、Y
、、Y3.Y4は0又はN−H又はN−CH,てあり、
Y2は、N−H又はN Asてあり、(Asは、C3
〜C18のアルキル基)A+、A+は、02〜C4のア
ルキレン基であり、A、は、芳香族環を含んでいてもよ
い06〜C11の炭化水素の残基てあり、 A、は、アントラセン、フェナントレン、ピレン、フタ
ロシアニン、金属フタロシアニン、ポルフィン又は金属
ポルフィンの残基(ここに例示した残基はいずれも「発
色団となる電子供与性疎水性基(D)」である少てあり
、 Mは、Na又はKである。
(I)及び第4図に示す一般式 (II)の構造を持つ
共重合体である。共重合体の分子量は、一般に10.0
00〜300.000程度である。 一般式(I)及び
(I[)において、 R、、R2+ R3,R、は、H又はCHhてあり、Y
、、Y3.Y4は0又はN−H又はN−CH,てあり、
Y2は、N−H又はN Asてあり、(Asは、C3
〜C18のアルキル基)A+、A+は、02〜C4のア
ルキレン基であり、A、は、芳香族環を含んでいてもよ
い06〜C11の炭化水素の残基てあり、 A、は、アントラセン、フェナントレン、ピレン、フタ
ロシアニン、金属フタロシアニン、ポルフィン又は金属
ポルフィンの残基(ここに例示した残基はいずれも「発
色団となる電子供与性疎水性基(D)」である少てあり
、 Mは、Na又はKである。
ま”N X +−’l l+ Z 1及びX2.y2.
Z21よ、共重合体組成比を示し、X ++y1+Z
+=lOO+ X 2+y 2+z 2=100であ
る。この中で、Yl、Y2は、10〜70好ましくは4
0〜60てあり、21.22は、0〜5好ましくは0.
05〜3である。
Z21よ、共重合体組成比を示し、X ++y1+Z
+=lOO+ X 2+y 2+z 2=100であ
る。この中で、Yl、Y2は、10〜70好ましくは4
0〜60てあり、21.22は、0〜5好ましくは0.
05〜3である。
一般式(I)の共重合体は、第5図に示した一般式(I
[)のモノマーと、第6図に図示した一般式(IV)の
モノマーと、第7図に図示した一般式(V)のモノマー
とを共重合した後、アルカリで中和することにより得ら
れる。
[)のモノマーと、第6図に図示した一般式(IV)の
モノマーと、第7図に図示した一般式(V)のモノマー
とを共重合した後、アルカリで中和することにより得ら
れる。
尚、一般式(III)における、R,、Y、、A般式(
IV)におけるR 2+ Y 2. A 、及び一般式
(V)におけるR 3. Y 3. A sは、一般式
(I)と同し意味である。
IV)におけるR 2+ Y 2. A 、及び一般式
(V)におけるR 3. Y 3. A sは、一般式
(I)と同し意味である。
一般式(III)のモノマーとしては例えば、3−アク
リロイルオキシプロパンスルホン酸、3−メタクリロイ
ルオキノプロパンスルホン酸、2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸(AMPS) 、2−メタ
クリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸等が挙け
られる。
リロイルオキシプロパンスルホン酸、3−メタクリロイ
ルオキノプロパンスルホン酸、2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸(AMPS) 、2−メタ
クリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸等が挙け
られる。
一般式(IV)のモノマーとしては、例えは、シクロヘ
キシルアクリレート、ンクロヘキンルメタクリレート、
シクロヘキンルアクリルアミト、ンクロヘキシルメタク
リルアミト、N−フクロヘンルーN−メチルアクリルア
ミド、N−シクロへキンルーN−メチルメタクリルアミ
ド、シクロヘキシルメチルアクリレート、シクロヘキシ
ルメチルメタクリレート、シクロヘキンルメチルアクリ
ルアミド、シクロヘキシルメチルメタクリレート、N−
シクロヘキシルメチル−N−メチルアクリルアミド、N
−フクロヘキシルメチル−N−メチルメタクリルアミド
、フェニルアクリレート、フェニルメタクリレート、フ
ェニルアクリルアミド、フェニルメタクリルアミド、N
−メチル−Nフェニルアクリルアミド、N−メチル−N
フェニルメタクリルアミド、ベンンルアクリレート、ペ
ンシルメタクリレート、ヘンノルアクリルアミド、ペン
シルメタクリルアミド、N−ヘンノル−N−メチルアク
リルアミド、N−ベンジルN−メチルメタクリルアミド
、1−ノルホルニルアクリレート、l−ノルホルニルメ
タクリレート、1−ノルボルニルアクリルアミド、1−
ノルボルニルメタクリルアミド、N−メチル−N−(1
ノルボルニル)アクリルアミド、N−メチル−N(1−
ノルボルニル)メタクリルアミド、シクロオクチルアク
リレート、シクロオクチルメタクリレート、シクロオク
チルアクリルアミド、シクロオクチルメタクリルアミド
、N−シクロオクチル−N−メチルアクリルアミド、N
−シクロオクチル−N−メチルメタクリルアミド、アダ
マンチルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、
アダマンチルアクリルアミド、アダマンチルメタクリル
アミド、N−アダマンチル−N−メチルアクリルアミド
、N−アダマンチル−N−メチルメタクリルアミド、1
−ナフチルアクリレート、1ナフチルメタクリレート、
1−ナフチルアクリルアミド、l−ナフチルメタクリル
アミド、N−メチルーN−(1−ナフチル)アクリルア
ミド、N−メチル−N−(1−ナフチル)メタクリルア
ミド、2−ナフチルアクリレート、2−ナフチルメタク
リレート、2T−ナフチルアクリルアミド、2−ナフチ
ルメタクリルアミド、N−メチル−N−(2−ナフチル
)アクリルアミド、N−メチルN−(2−ナフチル)メ
タクリルアミド、n −ドデソルアクリレート、n−ド
デシルメタクリレート、n−ドデシルアクリルアミド、
n−ドデシルメタクリルアミド、N−n−FデフルーN
メチルアクリルアミド、N−n−トチノル−Nメチルメ
タクリルアミド、シクロトデンルアクリレート、シクロ
ドデシルメタクリレート、ンクロトデシルアクリルアミ
ト、シクロドデシルメタクリルアミド、N−シクロトデ
ソルーN−メチルアクリルアミド、N−ソクロドデシル
=N−メチルメタクリルアミド、n−ヘキサデシルアク
リレート、n−ヘキサデシルメタクリレート、n−ヘキ
サデシルアクリルアミド、n−ヘキサデシルメタクリル
アミド、N−n−へキサデノルーN−メチルアクリルア
ミド、N−n−へキサデフルーN−メチルメタクリルア
ミド、n−オフタデノルアクリレート、D−オフタデノ
ルメタクリレート、nオクタデンルアクリルアミト、n
−オフタデノルメタクリルアミド、N−n−オフタデノ
ル−Nメチルアクリルアミド、N−n−オフタデツルN
−メチルメタクリルアミド、シーn−オクチルアクリル
アミド、ノーn−オクチルメタクリルアミド、ノーn−
デノルアクリルアミト、シーnデシルメタクリルアミド
、ジーn−トデノルアクリルアミト、シーn−オクチル
アクリルアミドなとか挙げられる。
キシルアクリレート、ンクロヘキンルメタクリレート、
シクロヘキンルアクリルアミト、ンクロヘキシルメタク
リルアミト、N−フクロヘンルーN−メチルアクリルア
ミド、N−シクロへキンルーN−メチルメタクリルアミ
ド、シクロヘキシルメチルアクリレート、シクロヘキシ
ルメチルメタクリレート、シクロヘキンルメチルアクリ
ルアミド、シクロヘキシルメチルメタクリレート、N−
シクロヘキシルメチル−N−メチルアクリルアミド、N
−フクロヘキシルメチル−N−メチルメタクリルアミド
、フェニルアクリレート、フェニルメタクリレート、フ
ェニルアクリルアミド、フェニルメタクリルアミド、N
−メチル−Nフェニルアクリルアミド、N−メチル−N
フェニルメタクリルアミド、ベンンルアクリレート、ペ
ンシルメタクリレート、ヘンノルアクリルアミド、ペン
シルメタクリルアミド、N−ヘンノル−N−メチルアク
リルアミド、N−ベンジルN−メチルメタクリルアミド
、1−ノルホルニルアクリレート、l−ノルホルニルメ
タクリレート、1−ノルボルニルアクリルアミド、1−
ノルボルニルメタクリルアミド、N−メチル−N−(1
ノルボルニル)アクリルアミド、N−メチル−N(1−
ノルボルニル)メタクリルアミド、シクロオクチルアク
リレート、シクロオクチルメタクリレート、シクロオク
チルアクリルアミド、シクロオクチルメタクリルアミド
、N−シクロオクチル−N−メチルアクリルアミド、N
−シクロオクチル−N−メチルメタクリルアミド、アダ
マンチルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、
アダマンチルアクリルアミド、アダマンチルメタクリル
アミド、N−アダマンチル−N−メチルアクリルアミド
、N−アダマンチル−N−メチルメタクリルアミド、1
−ナフチルアクリレート、1ナフチルメタクリレート、
1−ナフチルアクリルアミド、l−ナフチルメタクリル
アミド、N−メチルーN−(1−ナフチル)アクリルア
ミド、N−メチル−N−(1−ナフチル)メタクリルア
ミド、2−ナフチルアクリレート、2−ナフチルメタク
リレート、2T−ナフチルアクリルアミド、2−ナフチ
ルメタクリルアミド、N−メチル−N−(2−ナフチル
)アクリルアミド、N−メチルN−(2−ナフチル)メ
タクリルアミド、n −ドデソルアクリレート、n−ド
デシルメタクリレート、n−ドデシルアクリルアミド、
n−ドデシルメタクリルアミド、N−n−FデフルーN
メチルアクリルアミド、N−n−トチノル−Nメチルメ
タクリルアミド、シクロトデンルアクリレート、シクロ
ドデシルメタクリレート、ンクロトデシルアクリルアミ
ト、シクロドデシルメタクリルアミド、N−シクロトデ
ソルーN−メチルアクリルアミド、N−ソクロドデシル
=N−メチルメタクリルアミド、n−ヘキサデシルアク
リレート、n−ヘキサデシルメタクリレート、n−ヘキ
サデシルアクリルアミド、n−ヘキサデシルメタクリル
アミド、N−n−へキサデノルーN−メチルアクリルア
ミド、N−n−へキサデフルーN−メチルメタクリルア
ミド、n−オフタデノルアクリレート、D−オフタデノ
ルメタクリレート、nオクタデンルアクリルアミト、n
−オフタデノルメタクリルアミド、N−n−オフタデノ
ル−Nメチルアクリルアミド、N−n−オフタデツルN
−メチルメタクリルアミド、シーn−オクチルアクリル
アミド、ノーn−オクチルメタクリルアミド、ノーn−
デノルアクリルアミト、シーnデシルメタクリルアミド
、ジーn−トデノルアクリルアミト、シーn−オクチル
アクリルアミドなとか挙げられる。
一般式(V)のモノマーとしては、例えば、9−アント
ラセンメチル了クリレート、9−アントラセンメチルメ
タクリレート、9−アントラセンメチルアクリルアミド
、9−アントラセンメチルメタクリルアミド、9−フェ
ナントレンメチルアクリレート、9−フェナントレンメ
チルメタクリレート、9−フェナントレンメチルアクリ
ルアミド、9−フェナントレンメチルメタクリルアミド
、N−メチル−N−(9−フェナントレンメチル)アク
リルアミド、N−メチル−N−(9−フェナントレンメ
チル)メタクリルアミド、1−ピレンメチルアクリレー
ト、1−ピしンメチルメタクリレート、l−ピレンメチ
ルアクリルアミド、l−ピレンメチルメタクリルアミド
、N−メチル−N−(1−ピレンメチル)アクリルアミ
ド、Nメチル−N−(1−ピレンメチル)メタクリルア
ミド、4−アクリロイルオキシメチルフタロノアニン及
びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛
錯体、4−メタクリロイルオキシメチルフタロシアニン
及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜
鉛錯体、4−アクリルアミドメチルフタロシアニン及び
そのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛錯
体、4−メタクリルアミドメチルフタロシアニン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛錯体
、N−メチル−4−アクリルアミドメチルフタロシアニ
ン及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は
亜鉛錯体、N−メチル−4−メタクリルアミドメチルフ
タロンアニン及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄
又は銅又は亜鉛錯体、5−(4’−アクリロイルオキツ
メチル)フェニル−21H,23H−ポルフィン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(DI
)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウム錯
体、5−(4’−メタクリロイルオキシメチル)フェニ
ル−2LH,23H−ポルフィン及びそのマグネシウム
又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄CDI)又はイツトリ
ウム又はエルビウム又はユーロピウム錯体、5− (4
’−アクリルアミドメチル)フェニル−21H,23H
−ポルフィン及びそのマグネシウム又はマンガン又は亜
鉛又は塩化鉄(I[)又はイツトリウム又はエルビウム
又はユーロピウム錯体、5− (4’−メタクリルアミ
ドメチル)フェニル−21H,23H−ポルフィン及び
そのマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(I
[I)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウ
ム錯体、5−(4’−アクリロイルオキンメチル)フェ
ニル−1o、 15.20− トリフェニル−21H,
23H−ポルフィン及びそのマグネシウム又はマンガン
又は亜鉛又は塩化鉄(I)又はイツトリウム又はエルビ
ウム又はユーロピウム錯体、5(4’−メタクリロイル
オキシメチル)フェニル10、15.20− トリフェ
ニル−21823H−ポルフィン及びそのマグネシウム
又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(III)又はイツト
リウム又はエルビウム又はユーロピウム錯体、5−(4
’−アクリルアミドメチル)フェニル−10,15,2
0−トリフェニル−21H,23H−ポルフィン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(I[
)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウム錯
体、5−(4’−メタクリルアミドメチル)フェニル−
10,1520−)リフェニル−21H,23H−ポル
フィン及びそのマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は
塩化鉄(III)又はイツトリウム又はエルビウム又は
ユーロピウム錯体なとが挙げられる。
ラセンメチル了クリレート、9−アントラセンメチルメ
タクリレート、9−アントラセンメチルアクリルアミド
、9−アントラセンメチルメタクリルアミド、9−フェ
ナントレンメチルアクリレート、9−フェナントレンメ
チルメタクリレート、9−フェナントレンメチルアクリ
ルアミド、9−フェナントレンメチルメタクリルアミド
、N−メチル−N−(9−フェナントレンメチル)アク
リルアミド、N−メチル−N−(9−フェナントレンメ
チル)メタクリルアミド、1−ピレンメチルアクリレー
ト、1−ピしンメチルメタクリレート、l−ピレンメチ
ルアクリルアミド、l−ピレンメチルメタクリルアミド
、N−メチル−N−(1−ピレンメチル)アクリルアミ
ド、Nメチル−N−(1−ピレンメチル)メタクリルア
ミド、4−アクリロイルオキシメチルフタロノアニン及
びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛
錯体、4−メタクリロイルオキシメチルフタロシアニン
及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜
鉛錯体、4−アクリルアミドメチルフタロシアニン及び
そのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛錯
体、4−メタクリルアミドメチルフタロシアニン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は亜鉛錯体
、N−メチル−4−アクリルアミドメチルフタロシアニ
ン及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄又は銅又は
亜鉛錯体、N−メチル−4−メタクリルアミドメチルフ
タロンアニン及びそのマグネシウム又はマンガン又は鉄
又は銅又は亜鉛錯体、5−(4’−アクリロイルオキツ
メチル)フェニル−21H,23H−ポルフィン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(DI
)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウム錯
体、5−(4’−メタクリロイルオキシメチル)フェニ
ル−2LH,23H−ポルフィン及びそのマグネシウム
又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄CDI)又はイツトリ
ウム又はエルビウム又はユーロピウム錯体、5− (4
’−アクリルアミドメチル)フェニル−21H,23H
−ポルフィン及びそのマグネシウム又はマンガン又は亜
鉛又は塩化鉄(I[)又はイツトリウム又はエルビウム
又はユーロピウム錯体、5− (4’−メタクリルアミ
ドメチル)フェニル−21H,23H−ポルフィン及び
そのマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(I
[I)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウ
ム錯体、5−(4’−アクリロイルオキンメチル)フェ
ニル−1o、 15.20− トリフェニル−21H,
23H−ポルフィン及びそのマグネシウム又はマンガン
又は亜鉛又は塩化鉄(I)又はイツトリウム又はエルビ
ウム又はユーロピウム錯体、5(4’−メタクリロイル
オキシメチル)フェニル10、15.20− トリフェ
ニル−21823H−ポルフィン及びそのマグネシウム
又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(III)又はイツト
リウム又はエルビウム又はユーロピウム錯体、5−(4
’−アクリルアミドメチル)フェニル−10,15,2
0−トリフェニル−21H,23H−ポルフィン及びそ
のマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は塩化鉄(I[
)又はイツトリウム又はエルビウム又はユーロピウム錯
体、5−(4’−メタクリルアミドメチル)フェニル−
10,1520−)リフェニル−21H,23H−ポル
フィン及びそのマグネシウム又はマンガン又は亜鉛又は
塩化鉄(III)又はイツトリウム又はエルビウム又は
ユーロピウム錯体なとが挙げられる。
一般式(II)の共重合体は、第8図に示した一般式(
VI)のモノマーと第6図に示した一般式(IV)のモ
ノマーと第7図に示した一般式(V)のモノマーとを共
重合することにより得られる。
VI)のモノマーと第6図に示した一般式(IV)のモ
ノマーと第7図に示した一般式(V)のモノマーとを共
重合することにより得られる。
尚、一般式(VI)におけるR 、、 Y +、 A
−、一般式(IV)におけるR、Yl、A2及び一般式
(V)におけるR 3. Y 3. A 3は、一般式
(I[)と同じ意味である。
−、一般式(IV)におけるR、Yl、A2及び一般式
(V)におけるR 3. Y 3. A 3は、一般式
(I[)と同じ意味である。
一般式(VI)のモノマーとしては例えば、2−アクリ
ロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムブロマイド
、2−アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウ
ムブロマイド、2−メタクリロイルオキシエチルトリメ
チルアンモニウムクロライド、2−メタクリロイルオキ
シエチルトリメチルアンモニウムブロマイド、2−メタ
クリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチル
サルフエイト、3−アクリルアミドプロピルトリメチル
アンモニウムクロライト、3−アクリルアミドプロピル
トリメチルアンモニウムブロマイド、3−アクリルアミ
トプロピルトリメチルアンモニウムメチルサルフェイト
、3−メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウ
ムクロライト(略称・+IIAPTAc) 、3−メタ
クリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムプロマイ
ト、3−メタクリルアミトプロピルトリメチルアンモニ
ウムメチルサルフェイト、等が挙げられる。
ロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムブロマイド
、2−アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウ
ムブロマイド、2−メタクリロイルオキシエチルトリメ
チルアンモニウムクロライド、2−メタクリロイルオキ
シエチルトリメチルアンモニウムブロマイド、2−メタ
クリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチル
サルフエイト、3−アクリルアミドプロピルトリメチル
アンモニウムクロライト、3−アクリルアミドプロピル
トリメチルアンモニウムブロマイド、3−アクリルアミ
トプロピルトリメチルアンモニウムメチルサルフェイト
、3−メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウ
ムクロライト(略称・+IIAPTAc) 、3−メタ
クリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムプロマイ
ト、3−メタクリルアミトプロピルトリメチルアンモニ
ウムメチルサルフェイト、等が挙げられる。
一般式(IV)及び(V)のモノマーとしては、共重合
体(I)の場合と同しものか挙げられる。
体(I)の場合と同しものか挙げられる。
他方、界面活性剤としては、一般式(I)の親水性基か
アニオンを与えるアニオン性両親媒性高分子電解質に対
しては、例えは第9図に示した一般式(■)〜(X)で
表されるカチオン性化合物か使用される。
アニオンを与えるアニオン性両親媒性高分子電解質に対
しては、例えは第9図に示した一般式(■)〜(X)で
表されるカチオン性化合物か使用される。
なお、一般式(■)において、
R5はC,−C,、のアルキル基、
R6はC1〜Cuのアルキル基、
X2はl’又はBrてあり、
一般式(■)において、
R7はC,−C,、のアルキル基、
R8はH又はCH3、
X3はCI、Br又はIてあり、
一般式(IX)において、
R9はC3〜Cuのアルキル基、
R10はC3〜CIIのアルキル基又はヘンシル基、X
4はCl又はBr。
4はCl又はBr。
X5はCl0SBr、I又はCH3SO4てあり、一般
式(X)において、 R11は03〜C11のアルキル基、 R12はC3〜C11のアルキル基又はペンシル基、X
6、X7、XaはCA’又はBr。
式(X)において、 R11は03〜C11のアルキル基、 R12はC3〜C11のアルキル基又はペンシル基、X
6、X7、XaはCA’又はBr。
X、はCl5Br、I又はCH25○4てあり、nは2
〜6の整数である。
〜6の整数である。
一般式(■)の具体的な界面活性剤としては、例えば、
n−デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、n−デ
シルトリメチルアンモニウムブロマイド、n−ドデシル
トリメチルアンモニウムクロライド、n−ドデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、n−ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムクロライド、n−ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、n−オクタデジルトリ
メチルアンモニウムクロライド、n−オクタデジルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、シーnドデシルジメチ
ルアンモニウムクロライド、ジーn−ドデンルジメチル
アンモニウムブロマイト等が挙げられる。
n−デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、n−デ
シルトリメチルアンモニウムブロマイド、n−ドデシル
トリメチルアンモニウムクロライド、n−ドデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、n−ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムクロライド、n−ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、n−オクタデジルトリ
メチルアンモニウムクロライド、n−オクタデジルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、シーnドデシルジメチ
ルアンモニウムクロライド、ジーn−ドデンルジメチル
アンモニウムブロマイト等が挙げられる。
また、一般式(■)の具体的な界面活性剤としては、例
えば、n−デシルピリンニウムクロライド、n−デシル
ピリンニウムプロマイト、n−トデシルピリシニウムク
ロライト、n−ドデシルピリンニウムブロマイド、n−
ドデシルピリンニウムアイオダイド、n−テトラデシル
ピリンニウムクロライト、n−テトラデシルピリンニウ
ムブロマイド、n−ヘキサデノルピリノニウムクロライ
ト、n−ヘキサデシルピリンニウムプロマイト、n−ヘ
キサデシルピリジニウムアイオダイト、nオクタデシル
ピリジニウムクロライト、n−オクタデシルピリジニウ
ムプロマイト、n=ドデシルピコリニウムクロライト、
n−トデンルビコリニウムブロマイド、n−オフタデノ
ルピコリニウムクロライト、n−オクタデシルピコリニ
ウムブロマイド、n−オフタデツルピコリニウムアイオ
ダイド等か挙げられる。
えば、n−デシルピリンニウムクロライド、n−デシル
ピリンニウムプロマイト、n−トデシルピリシニウムク
ロライト、n−ドデシルピリンニウムブロマイド、n−
ドデシルピリンニウムアイオダイド、n−テトラデシル
ピリンニウムクロライト、n−テトラデシルピリンニウ
ムブロマイド、n−ヘキサデノルピリノニウムクロライ
ト、n−ヘキサデシルピリンニウムプロマイト、n−ヘ
キサデシルピリジニウムアイオダイト、nオクタデシル
ピリジニウムクロライト、n−オクタデシルピリジニウ
ムプロマイト、n=ドデシルピコリニウムクロライト、
n−トデンルビコリニウムブロマイド、n−オフタデノ
ルピコリニウムクロライト、n−オクタデシルピコリニ
ウムブロマイド、n−オフタデツルピコリニウムアイオ
ダイド等か挙げられる。
一般式(IX)の具体的な界面活性剤としては、例えは
、N−n−トデノルーN −メチル−44′−ヒビリン
ニウム シクロライト、N−n−トチノル−N1−メチ
ル−4,4+−ヒビリンニウム ブロマイドアイオダイ
ド、N−n−ドデシル−N1−メチル−44’−ビピリ
シニウムブロマイトメチルサルフェイト、N−n−トデ
シルーN’−ペンツルー4 4’−ビピリジニウムシク
ロライト、N−n−ドデシル−N’−ペンシル−4,4
1−ヒビリンニウム ンブロマイド、N−n−トデンル
ーN1−ペンシルー4,4′ビピリジニウム りロライ
トブロマイド、N−n−へキサデシルーN’−メチル−
4,4′−ヒビリンニウム シクロライト、N−n−ヘ
キサデシル−N’−メチル−4,4′−ビビリシニウム
ブロマイトアイオダイト、N−n−ヘキサデシルN’−
メチル−441−ビピリジニウム ブロマイトメチルサ
ルフェイト、N−n−ヘキサデシル−N’−ヘンシル−
4,4′−ビピリジニウム シクロライト、N−n−ヘ
キサデフルーN−ペンシル−441−ヒビリンニウム
シクロライト、N−n−オクタデシルーN’−メチル4
.4′−ヒビリンニウム シクロライ)・、Nn−オク
タデシル−N’−メチル−4,4′−ヒビリンニウム
ブロマイドアイオダイド、N−nオクタデシル−N’−
メチル−44’−ヒビリンニウム ブロマイトメチルサ
ルフェイト、Nn−才クタデシル−N’−ヘンンルー4
.41−ビピリジニウム シクロライト、N、N’−ノ
ーn−ドデシル−4,4′−ビピリジニウム ジクロラ
イド、N、N’−シーn−ドデシル−44′−ビピリジ
ニウム シブロマイド、N、N’ジーn−ヘキサチンル
ー4,41−ビピリジニウム ジクロライド、N、N’
−シーn−ヘキサデシル−4,4′−ビピリジニウム
シブロマイド等が挙げられる。ここに多数例示した界面
活性剤はいずれも電子受容性基を持つものであり、かつ
、発色団となる電子受容性基(A)を持つものである。
、N−n−トデノルーN −メチル−44′−ヒビリン
ニウム シクロライト、N−n−トチノル−N1−メチ
ル−4,4+−ヒビリンニウム ブロマイドアイオダイ
ド、N−n−ドデシル−N1−メチル−44’−ビピリ
シニウムブロマイトメチルサルフェイト、N−n−トデ
シルーN’−ペンツルー4 4’−ビピリジニウムシク
ロライト、N−n−ドデシル−N’−ペンシル−4,4
1−ヒビリンニウム ンブロマイド、N−n−トデンル
ーN1−ペンシルー4,4′ビピリジニウム りロライ
トブロマイド、N−n−へキサデシルーN’−メチル−
4,4′−ヒビリンニウム シクロライト、N−n−ヘ
キサデシル−N’−メチル−4,4′−ビビリシニウム
ブロマイトアイオダイト、N−n−ヘキサデシルN’−
メチル−441−ビピリジニウム ブロマイトメチルサ
ルフェイト、N−n−ヘキサデシル−N’−ヘンシル−
4,4′−ビピリジニウム シクロライト、N−n−ヘ
キサデフルーN−ペンシル−441−ヒビリンニウム
シクロライト、N−n−オクタデシルーN’−メチル4
.4′−ヒビリンニウム シクロライ)・、Nn−オク
タデシル−N’−メチル−4,4′−ヒビリンニウム
ブロマイドアイオダイド、N−nオクタデシル−N’−
メチル−44’−ヒビリンニウム ブロマイトメチルサ
ルフェイト、Nn−才クタデシル−N’−ヘンンルー4
.41−ビピリジニウム シクロライト、N、N’−ノ
ーn−ドデシル−4,4′−ビピリジニウム ジクロラ
イド、N、N’−シーn−ドデシル−44′−ビピリジ
ニウム シブロマイド、N、N’ジーn−ヘキサチンル
ー4,41−ビピリジニウム ジクロライド、N、N’
−シーn−ヘキサデシル−4,4′−ビピリジニウム
シブロマイド等が挙げられる。ここに多数例示した界面
活性剤はいずれも電子受容性基を持つものであり、かつ
、発色団となる電子受容性基(A)を持つものである。
また、一般式(X)の具体的な界面活性剤としては、例
えば、l、3−ビス(N−(N’−n−トデンルー4,
41−ヒピリノル))プロパンテトラクロライト、1.
3−ヒス(N−(N’−n=トデソル−4,41−ヒビ
リシル))プロパンテトラブロマイド、1,4−ヒス(
N−(N’n −ドデシル−4,4′−ビピリジル))
ブタンテトラプロマイト、1,6−ヒス(N−(N’n
−ドデシル−4,4′−ビピリジル))ヘキサンテトラ
フロマイト、1.3−ヒス<N−(N’−n−へキサデ
フルー4.4′−ビピリジル))プロパンテトラプロマ
イト、1.4−ヒス(N−(N’−n−ヘキサデシル−
4,4′−ビピリジル))ブタンテトラブロマイド、1
.6−ヒス(N−(N’−n−ヘキサデシル−44’−
ヒビリシル))ヘキサンテトラブロマイド等が挙げられ
る。ここに多数例示した界面活性剤も全て電子受容性基
を持つものてあり、かつ、発色団となる電子受容性基(
A)を持つものである。
えば、l、3−ビス(N−(N’−n−トデンルー4,
41−ヒピリノル))プロパンテトラクロライト、1.
3−ヒス(N−(N’−n=トデソル−4,41−ヒビ
リシル))プロパンテトラブロマイド、1,4−ヒス(
N−(N’n −ドデシル−4,4′−ビピリジル))
ブタンテトラプロマイト、1,6−ヒス(N−(N’n
−ドデシル−4,4′−ビピリジル))ヘキサンテトラ
フロマイト、1.3−ヒス<N−(N’−n−へキサデ
フルー4.4′−ビピリジル))プロパンテトラプロマ
イト、1.4−ヒス(N−(N’−n−ヘキサデシル−
4,4′−ビピリジル))ブタンテトラブロマイド、1
.6−ヒス(N−(N’−n−ヘキサデシル−44’−
ヒビリシル))ヘキサンテトラブロマイド等が挙げられ
る。ここに多数例示した界面活性剤も全て電子受容性基
を持つものてあり、かつ、発色団となる電子受容性基(
A)を持つものである。
一般式(II)の親水性基かカチオンを与えるカチオン
性両親媒性高分子電解質に対しては、界面活性剤として
は、例えば第10図に示した一般式(XI)〜(XVI
I)て表されるアニオン性化合物か使用される。
性両親媒性高分子電解質に対しては、界面活性剤として
は、例えば第10図に示した一般式(XI)〜(XVI
I)て表されるアニオン性化合物か使用される。
なお一般式(XI)において、
R13はC3〜C1おのアルキル基であり、一般式(X
II)において、 R14はH又はC1〜Cuのアルキル基であり、一般式
(XII[)において、 R15はC,−C,、のアルキル基であり、一般式(X
IV)において、 Rlgは07〜CI7のアルキル基であり、一般式(X
V)において、 R17、R18はC4〜C@のアルキル基であり、一般
式(X■)において、 RIGはC1〜C11のアルキル基であり、一般式(X
■)において、 R20はC,−C,8のアルキル基であり、mは1〜4
の整数である。
II)において、 R14はH又はC1〜Cuのアルキル基であり、一般式
(XII[)において、 R15はC,−C,、のアルキル基であり、一般式(X
IV)において、 Rlgは07〜CI7のアルキル基であり、一般式(X
V)において、 R17、R18はC4〜C@のアルキル基であり、一般
式(X■)において、 RIGはC1〜C11のアルキル基であり、一般式(X
■)において、 R20はC,−C,8のアルキル基であり、mは1〜4
の整数である。
一般式(XI)の具体的な界面活性剤としては、1−ヘ
キサンスルホン酸ナトリウム、l−ペンタンスルホン酸
ナトリウム、1−オクタンスルホン酸ナトリウム、1−
ノナンスルホン酸ナトリウム、1−デカンスルホン酸ナ
トリウム、1−ウンデカンスルホン酸す[・リウム、■
−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1−トリデカンスル
ホン酸ナトリウム、1−テトラデカンスルホン酸ナトリ
ウム、1−ペンタデカンスルホン酸ナトリウム、1−ヘ
キサデカンスルホン酸ナトリウム、1−ペンタデカンス
ルホン酸ナトリウム、1−オクタデカンスルホン酸ナト
リウム等が挙げられる。
キサンスルホン酸ナトリウム、l−ペンタンスルホン酸
ナトリウム、1−オクタンスルホン酸ナトリウム、1−
ノナンスルホン酸ナトリウム、1−デカンスルホン酸ナ
トリウム、1−ウンデカンスルホン酸す[・リウム、■
−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1−トリデカンスル
ホン酸ナトリウム、1−テトラデカンスルホン酸ナトリ
ウム、1−ペンタデカンスルホン酸ナトリウム、1−ヘ
キサデカンスルホン酸ナトリウム、1−ペンタデカンス
ルホン酸ナトリウム、1−オクタデカンスルホン酸ナト
リウム等が挙げられる。
一般式(X[)の具体的な界面活性剤としては、ベンセ
ンスルホン酸ナトリウム、4−トルエンスルホン酸ナト
リウム、4−エチルベンセンスルホン酸ナトリウム、4
−n−オクチルベンゼンスルホン酸ナトリウム、4−n
−Fデシルペンセンスルホン酸ナトリウム、4−n−テ
トラデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等か挙げられ
る。
ンスルホン酸ナトリウム、4−トルエンスルホン酸ナト
リウム、4−エチルベンセンスルホン酸ナトリウム、4
−n−オクチルベンゼンスルホン酸ナトリウム、4−n
−Fデシルペンセンスルホン酸ナトリウム、4−n−テ
トラデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等か挙げられ
る。
一般式(XI[)の具体的な界面活性剤としては、ナト
リウム−n−オクチルスルホアセテート、ナトリウム−
n−トデシルスルホアセテート、ナトリウム−n−ヘキ
サデシルスルホアセテート等か挙げられる。
リウム−n−オクチルスルホアセテート、ナトリウム−
n−トデシルスルホアセテート、ナトリウム−n−ヘキ
サデシルスルホアセテート等か挙げられる。
一般式(X■)の具体的な界面活性剤としては、2−(
N−へプチルカルホニルーN−メチル了ミノ)エタンス
ルホン酸ナトリウム、2−(N−オクチルカルボニル−
N−メチルアミン)エタンスルホン酸ナトリウム、2−
(N−ノニルカルボニル−N−メチルアミン)エタンス
ルホン酸す[・リウム、2−(N−デシルカルホニルー
N−メチルアミノ)エタンスルホン酸ナトリウム、2−
(N−ウンデシルカルボニル−N−メチルアミン)エタ
ンスルホン酸ナトリウム、2−(N−ドブノル力ルホニ
ルーN−メチルアミン)エタンスルホン酸ナトリウム、
2−(N−へキサデノル力ルポニルーN−メチルアミン
)エタンスルホン酸ナトリウム、2−(N−ヘブタデシ
ル力ルホニルーNメチルアミン)エタンスルホン酸ナト
リウム等が挙げられる。
N−へプチルカルホニルーN−メチル了ミノ)エタンス
ルホン酸ナトリウム、2−(N−オクチルカルボニル−
N−メチルアミン)エタンスルホン酸ナトリウム、2−
(N−ノニルカルボニル−N−メチルアミン)エタンス
ルホン酸す[・リウム、2−(N−デシルカルホニルー
N−メチルアミノ)エタンスルホン酸ナトリウム、2−
(N−ウンデシルカルボニル−N−メチルアミン)エタ
ンスルホン酸ナトリウム、2−(N−ドブノル力ルホニ
ルーN−メチルアミン)エタンスルホン酸ナトリウム、
2−(N−へキサデノル力ルポニルーN−メチルアミン
)エタンスルホン酸ナトリウム、2−(N−ヘブタデシ
ル力ルホニルーNメチルアミン)エタンスルホン酸ナト
リウム等が挙げられる。
一般式(XV)の具体的な界面活性剤としては、ナトリ
ウム シ(n−ヘキシル)スルホサクシネート、ナトリ
ウム シ(2−エチルヘキシル)スルホサクシネート(
Aerosol OT)等が挙げられる。
ウム シ(n−ヘキシル)スルホサクシネート、ナトリ
ウム シ(2−エチルヘキシル)スルホサクシネート(
Aerosol OT)等が挙げられる。
一般式(XVT)の具体的な界面活性剤としては、n−
オクチル硫酸ナトリウム、n−トデノル硫酸ナトリウム
、n−へキサデシル硫酸ナトリウム等が挙げられる。
オクチル硫酸ナトリウム、n−トデノル硫酸ナトリウム
、n−へキサデシル硫酸ナトリウム等が挙げられる。
一般式(X■)の具体的な界面活性剤としては、2−
(2−n−オクチルオキジエトキン)エチル硫酸ナトリ
ウム、2−(2−n−ドデシルオキシエトキシ)エチル
硫酸ナトリウム等が挙げられる。
(2−n−オクチルオキジエトキン)エチル硫酸ナトリ
ウム、2−(2−n−ドデシルオキシエトキシ)エチル
硫酸ナトリウム等が挙げられる。
既述のように、両親媒性高分子電解質の水溶液に、この
ような界面活性剤を添加すると、高分子電解質の親水基
とそれと反対の電荷を持った界面活性剤の親水基とかイ
オン結合し、沈澱する。この沈澱物を乾燥させれば、粉
末としてイオンコンプレックスか得られる。
ような界面活性剤を添加すると、高分子電解質の親水基
とそれと反対の電荷を持った界面活性剤の親水基とかイ
オン結合し、沈澱する。この沈澱物を乾燥させれば、粉
末としてイオンコンプレックスか得られる。
また、場合によりイオンコンプレックス(1)と混合し
て用いられる電子受容体(2)の例を以下に示す。1
2−ジシアノベンセン、1.3−ジシアノベンセン、1
.4−ジノアノヘンセン、1.4ノクロロ−23−ノン
アノヘンセン、2.3ンノアノ−14−ノンアノヘンセ
ン、2クロロ−1,4−ジノアノヘンセン、2.3−シ
クロロ−1,4−ノンアノベンセン、1.4−ツノアノ
−2,3−ンメチルヘンセン、1. 3. 5トリシア
ノベンセン、l、3.4.6−チトラシアノヘンセン、
2,3−シンアノナフタレン、2.3−ジシアノ−1,
4−ジクロロナフタレン、2.3−ジシアノ−1,4−
ンメトキノナフタレン、2.3−シシ了ノー6.7−ン
メチルナフタレン、1.4−シソアノナフタレン、l、
4−フシアノ−6,フーシメチルナフタレン、1.4ジ
ノアノ−5−メチルナフタレン、1,4−シンアノ−6
−メチルナフタレン、14−シンアノ5−メトキシナフ
タレン、1.4−ジシアノ6−メトキンナフタレン、1
,4−シンアノ−5エトキシナフタレン、1.4−ジシ
アノ−6エトキシナフタレン、1,4−シンアノ−5−
ブトキシナフタレン、1.4−ンシアノー6−ブトキノ
ナフタレン、1.4−’\ンゾキノン、2−メチル−1
,4−ベンゾキノン、2.5−ジメチル1.4−ペン°
ゾキノン、2.6−シメチルーI4−ベンゾキノン、2
. 3. 5. 6−テトラメチル−1,4−ヘンゾキ
ノン、1.4−ナフトキノン、2,3〜ンクロロー1.
4−ナフトキノン、6−メチル−1,4−ナフトキノン
、6−メドキシー1,4−ナフトキノン、6,7−ジメ
チル〜1.4−ナフトキノン、ツメチルフタレート、ノ
エチルフタレート、ジメチルイソフタレート、ジエチル
イソフタレート、ジメチルテレフタし一ト、ノエチルテ
レフタレート、フタル酸無水物、テトラクロロフタル酸
無水物、テトラブロモフタル酸無水物、ピロメリッ)・
酸無水物、ナフタレン−1゜8−ジカルボン酸無水物、
ナフタレン−145,8−テトラカルボン酸無水物。以
上に例示した電子受容体(2)は全て発色団となる電子
受容性基(A)を持つものである。
て用いられる電子受容体(2)の例を以下に示す。1
2−ジシアノベンセン、1.3−ジシアノベンセン、1
.4−ジノアノヘンセン、1.4ノクロロ−23−ノン
アノヘンセン、2.3ンノアノ−14−ノンアノヘンセ
ン、2クロロ−1,4−ジノアノヘンセン、2.3−シ
クロロ−1,4−ノンアノベンセン、1.4−ツノアノ
−2,3−ンメチルヘンセン、1. 3. 5トリシア
ノベンセン、l、3.4.6−チトラシアノヘンセン、
2,3−シンアノナフタレン、2.3−ジシアノ−1,
4−ジクロロナフタレン、2.3−ジシアノ−1,4−
ンメトキノナフタレン、2.3−シシ了ノー6.7−ン
メチルナフタレン、1.4−シソアノナフタレン、l、
4−フシアノ−6,フーシメチルナフタレン、1.4ジ
ノアノ−5−メチルナフタレン、1,4−シンアノ−6
−メチルナフタレン、14−シンアノ5−メトキシナフ
タレン、1.4−ジシアノ6−メトキンナフタレン、1
,4−シンアノ−5エトキシナフタレン、1.4−ジシ
アノ−6エトキシナフタレン、1,4−シンアノ−5−
ブトキシナフタレン、1.4−ンシアノー6−ブトキノ
ナフタレン、1.4−’\ンゾキノン、2−メチル−1
,4−ベンゾキノン、2.5−ジメチル1.4−ペン°
ゾキノン、2.6−シメチルーI4−ベンゾキノン、2
. 3. 5. 6−テトラメチル−1,4−ヘンゾキ
ノン、1.4−ナフトキノン、2,3〜ンクロロー1.
4−ナフトキノン、6−メチル−1,4−ナフトキノン
、6−メドキシー1,4−ナフトキノン、6,7−ジメ
チル〜1.4−ナフトキノン、ツメチルフタレート、ノ
エチルフタレート、ジメチルイソフタレート、ジエチル
イソフタレート、ジメチルテレフタし一ト、ノエチルテ
レフタレート、フタル酸無水物、テトラクロロフタル酸
無水物、テトラブロモフタル酸無水物、ピロメリッ)・
酸無水物、ナフタレン−1゜8−ジカルボン酸無水物、
ナフタレン−145,8−テトラカルボン酸無水物。以
上に例示した電子受容体(2)は全て発色団となる電子
受容性基(A)を持つものである。
本発明のフォトクロミック・プラスチック成形物は、イ
オンコンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2
]と共にプラスチック成形物中に分散させることにより
得られる。その方法としては、例えは、■成形物を構成
するモノで−〔例えは、メチルメタクリレートその他の
アクリル系モノマースチレン、通称CR−39(ンエチ
レンクリコールヒスアリルカーポネート)〕にイオンコ
ンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2)と共
に溶解させておき、このモノマーを重合してプラスチッ
ク(高分子)成形物とする原液着色法、■成形物を構成
する熱硬化性樹脂の未硬化液(一般に主剤)にイオンコ
ンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2)と共
に溶解させておき、その後、樹脂を硬化させてプラスチ
ック成形物とする方法、■成形物を構成する熱可塑性プ
ラスチックとイオンコンプレックス(1)を場合により
電子受容体(2)と共に溶融混合する方法、■成形物を
構成する熱可塑性プラスチックのペレットにイオンコン
プレックスf1)を場合により電子受容体(2)と共に
添加混合し、成形物を成形する方法、■成形物を構成す
る熱可塑性プラスチックとイオンコンプレックス(1)
を場合により電子受容体(2)と共に所定の溶媒に溶解
し、ガラスその他の基板(所定の物体でもよい)に塗布
した後、その溶媒を蒸発させてフィルム(本発明で言う
成形物の1種)を得る溶媒キャスト法などが挙げられる
。
オンコンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2
]と共にプラスチック成形物中に分散させることにより
得られる。その方法としては、例えは、■成形物を構成
するモノで−〔例えは、メチルメタクリレートその他の
アクリル系モノマースチレン、通称CR−39(ンエチ
レンクリコールヒスアリルカーポネート)〕にイオンコ
ンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2)と共
に溶解させておき、このモノマーを重合してプラスチッ
ク(高分子)成形物とする原液着色法、■成形物を構成
する熱硬化性樹脂の未硬化液(一般に主剤)にイオンコ
ンプレックス(1)を単独で又は電子受容体(2)と共
に溶解させておき、その後、樹脂を硬化させてプラスチ
ック成形物とする方法、■成形物を構成する熱可塑性プ
ラスチックとイオンコンプレックス(1)を場合により
電子受容体(2)と共に溶融混合する方法、■成形物を
構成する熱可塑性プラスチックのペレットにイオンコン
プレックスf1)を場合により電子受容体(2)と共に
添加混合し、成形物を成形する方法、■成形物を構成す
る熱可塑性プラスチックとイオンコンプレックス(1)
を場合により電子受容体(2)と共に所定の溶媒に溶解
し、ガラスその他の基板(所定の物体でもよい)に塗布
した後、その溶媒を蒸発させてフィルム(本発明で言う
成形物の1種)を得る溶媒キャスト法などが挙げられる
。
成形物を構成するプラスチック材料としては、例えば、
ポリメチルメタクリレート、各種アクリル樹脂、アルキ
ッド樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサル
ホン、ポリイミド、ポリエーテルケトン、エボキン樹脂
、不飽和ポリエステル、ポリウレタン、CI’1−39
のポリマー等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂か挙げら
れる。
ポリメチルメタクリレート、各種アクリル樹脂、アルキ
ッド樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサル
ホン、ポリイミド、ポリエーテルケトン、エボキン樹脂
、不飽和ポリエステル、ポリウレタン、CI’1−39
のポリマー等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂か挙げら
れる。
プラスチック成形物の形態は、レンズ、板、塊、フィル
ム、塗膜なと自由に選択される。
ム、塗膜なと自由に選択される。
イオンコンプレックス(1)の成形物に対する添加量と
しては、一般に0.01〜5重量%程度か適当てあり、
また、電子受容体(2)を混合する場合には、その成形
物に対する添加量としては、一般に0、0001〜3重
量%程度か適当である。
しては、一般に0.01〜5重量%程度か適当てあり、
また、電子受容体(2)を混合する場合には、その成形
物に対する添加量としては、一般に0、0001〜3重
量%程度か適当である。
優れたフォトクロミック特性か発現される条件としては
、疎水性凝集相中の発色団となる電子供与性基(D)と
、界面活性剤又は電子受容体の電子受容性基(Ac)
この電子受容性基は発色団となる電子受容性基
(A)でもよい□との組合せである。これらの組合せに
より着色時の色を種々に変えることかできる。
、疎水性凝集相中の発色団となる電子供与性基(D)と
、界面活性剤又は電子受容体の電子受容性基(Ac)
この電子受容性基は発色団となる電子受容性基
(A)でもよい□との組合せである。これらの組合せに
より着色時の色を種々に変えることかできる。
他方、一般に電子移動速度は電子供与体と電子受容体と
の間のエネルギー準位かある特定値のとき最大となり、
エネルギー準位かその特定値より大きくても小さくても
電子移動速度は遅くなる。
の間のエネルギー準位かある特定値のとき最大となり、
エネルギー準位かその特定値より大きくても小さくても
電子移動速度は遅くなる。
この特定値は環境(マトリックスニブラスチック成形物
)によっても異なるので、プラスチック材料の種類を選
ぶことにより、着色又は消色速度を変えることかできる
。
)によっても異なるので、プラスチック材料の種類を選
ぶことにより、着色又は消色速度を変えることかできる
。
以下、参考例及び実施例により本発明をより具体的に説
明するか、本発明はこれらに限られるものではない。
明するか、本発明はこれらに限られるものではない。
〔参考例1 両親媒性高分子電解質の合成〕(1)
ピレンモノマーの合成 〈第1段階〉 5、09gの1−ピレンカルホキンアルデヒド(1−P
yrenecarboxaldehyde)を1.5g
の活性化したラネーニッケル(Raney Ni)と共
にオートクレブに仕込み、その後、予めドライアイス−
メタツルで冷やした蒸留ジメチルホルムアミド80m1
と液体アンモニア20m1を少量ずつ交互にオートクレ
ーブに添加した。
ピレンモノマーの合成 〈第1段階〉 5、09gの1−ピレンカルホキンアルデヒド(1−P
yrenecarboxaldehyde)を1.5g
の活性化したラネーニッケル(Raney Ni)と共
にオートクレブに仕込み、その後、予めドライアイス−
メタツルで冷やした蒸留ジメチルホルムアミド80m1
と液体アンモニア20m1を少量ずつ交互にオートクレ
ーブに添加した。
次にH2ガスをオートクレーブの圧力か82kg/cm
3になるまで加えた。そして、65〜75°Cに加熱し
、その温度て内圧92〜96kg/cm2という条件下
に3時間反応させた。
3になるまで加えた。そして、65〜75°Cに加熱し
、その温度て内圧92〜96kg/cm2という条件下
に3時間反応させた。
反応生成液よりろ過てRaney Niを除き、ろ液を
エバポレーターにより濃縮した。残留物を加熱沸騰させ
た水浴中で、500m1の1M塩酸水溶液て3回抽出し
た。得られた塩酸水溶液を放冷し、析出した塩酸塩をろ
過し、乾燥させた。収量2.08g(収率 35,1%
) ・’H−NMR(DMSO−d6)データ(free
amine form)4、4(s、 2H) 7.9
−8.6(m、 9H’)・C,7H,4HC1に対す
る元素分析計算値C:84.25% H:5.72%
N:4.68%・実測値 C・8406%1H15,7
2%;N:4.68%〈第2段階〉 第1段階で得られた塩酸塩2.37g(8,85X 1
0−3mol)をそのままヘンセンの入った3つロフラ
スコに入れ、少量のヒドロキノンを加えた。それからト
リエチルアミン24.7cc(1,77x 10−’
mol)を加え、しばらく撹拌した後、ベンセンで希釈
した。それからメタクリル酸クロライド10m1(1,
04XIOmol)を徐々に滴下した。そのまま終夜撹
拌し、吸引ろ過によりトリエチルアミン塩酸塩を除いた
。
エバポレーターにより濃縮した。残留物を加熱沸騰させ
た水浴中で、500m1の1M塩酸水溶液て3回抽出し
た。得られた塩酸水溶液を放冷し、析出した塩酸塩をろ
過し、乾燥させた。収量2.08g(収率 35,1%
) ・’H−NMR(DMSO−d6)データ(free
amine form)4、4(s、 2H) 7.9
−8.6(m、 9H’)・C,7H,4HC1に対す
る元素分析計算値C:84.25% H:5.72%
N:4.68%・実測値 C・8406%1H15,7
2%;N:4.68%〈第2段階〉 第1段階で得られた塩酸塩2.37g(8,85X 1
0−3mol)をそのままヘンセンの入った3つロフラ
スコに入れ、少量のヒドロキノンを加えた。それからト
リエチルアミン24.7cc(1,77x 10−’
mol)を加え、しばらく撹拌した後、ベンセンで希釈
した。それからメタクリル酸クロライド10m1(1,
04XIOmol)を徐々に滴下した。そのまま終夜撹
拌し、吸引ろ過によりトリエチルアミン塩酸塩を除いた
。
ろ液(ヘンセン層)を飽和食塩水で4回、次いて1M塩
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンセン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンセン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンセン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンセン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
最後に、ヘンセン層からろ過により硫酸マグネシウムを
除き、ヘンセンをエバボレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量1.71g (収率64
.5%)でピレンモノマーを得た。
除き、ヘンセンをエバボレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量1.71g (収率64
.5%)でピレンモノマーを得た。
生成物は淡黄色の針状晶(mp、145−146.5°
C)てあった。
C)てあった。
・’H−NMR(CDC13)データ
3、0(s、 3H)、 5.2(d、 2H)、 5
.3(s、 IH)、 5.7(s、 1)1)。
.3(s、 IH)、 5.7(s、 1)1)。
6、2(s、 IH)、 7.9−8.4(m、 9H
)・C,、H,、NOに対する元素分析計算値C:84
.25%;H:5.72%;N:4.60%・実測値
C・84.25%:l(:5.72%:N:4.68%
(2)シクロヘキシルメチルメタクリルアミドの合成シ
クロヘキシルメチルアミン25g(2,21XIOmo
l)を、500 mlのベンゼンの入った3つ目フラス
コに仕込み、その後、トリエチルアミン33.6g(3
,32x 10−’ mol’)を加え、アイスハス中
で冷却しながら、しばらく攪拌し、それからメタクリル
酸クロライド34.7g (3,32Xl0−’mol
)を徐々に滴下した。アイスバス中でそのまま30分攪
拌し、その後、室温で12時間攪拌した後、吸引ろ過に
よりトリエチルアミン塩酸塩を除いた。
)・C,、H,、NOに対する元素分析計算値C:84
.25%;H:5.72%;N:4.60%・実測値
C・84.25%:l(:5.72%:N:4.68%
(2)シクロヘキシルメチルメタクリルアミドの合成シ
クロヘキシルメチルアミン25g(2,21XIOmo
l)を、500 mlのベンゼンの入った3つ目フラス
コに仕込み、その後、トリエチルアミン33.6g(3
,32x 10−’ mol’)を加え、アイスハス中
で冷却しながら、しばらく攪拌し、それからメタクリル
酸クロライド34.7g (3,32Xl0−’mol
)を徐々に滴下した。アイスバス中でそのまま30分攪
拌し、その後、室温で12時間攪拌した後、吸引ろ過に
よりトリエチルアミン塩酸塩を除いた。
ろ液(ヘンセン層)を飽和食塩水で4回、次いて1M塩
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンセン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンセン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンセン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンセン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
そして、ベンゼン層からろ過により硫酸マグネシウムを
除き、ベンセンをエバポレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量23.1g(収率57.3
%)でシクロヘキシルメチルメタクリルアミドを得た。
除き、ベンセンをエバポレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量23.1g(収率57.3
%)でシクロヘキシルメチルメタクリルアミドを得た。
生成物は無色の針状晶(mp。
52〜53℃)であった。
・’ H−NMR(CDCl 、 ’)データ0、7−
1.9(m、 l IH)、 2.0(s、 3H’)
、 3. l−3,3(t、 2H)5.3(s、 I
H15,7(s、 IH)、 6.0(s、 LH)・
CzlLiNOに対する元素分析計算値Cニア2.88
%、8110.56%:N7.73%・実測値 Cニア
2.79%:H:10.56%、N・7.73%(3)
両親媒性高分子電解質の合成 前項(1)で合成したピレンモノマーを1mmol、前
項(2)で合成したシクロヘキンルメチルメタクリルア
ミトを60mmol、2−アクリルアミド−2−メチル
プロパンスルホン酸(AMPSモノマー)を39mmo
l、更に重合開始剤としてアブイソブチロニトリルを
0.5 mmol用意し、これらを全モノマー濃度か1
0wt%となるような量のジメチルホルムアミド(溶媒
)に溶かした。
1.9(m、 l IH)、 2.0(s、 3H’)
、 3. l−3,3(t、 2H)5.3(s、 I
H15,7(s、 IH)、 6.0(s、 LH)・
CzlLiNOに対する元素分析計算値Cニア2.88
%、8110.56%:N7.73%・実測値 Cニア
2.79%:H:10.56%、N・7.73%(3)
両親媒性高分子電解質の合成 前項(1)で合成したピレンモノマーを1mmol、前
項(2)で合成したシクロヘキンルメチルメタクリルア
ミトを60mmol、2−アクリルアミド−2−メチル
プロパンスルホン酸(AMPSモノマー)を39mmo
l、更に重合開始剤としてアブイソブチロニトリルを
0.5 mmol用意し、これらを全モノマー濃度か1
0wt%となるような量のジメチルホルムアミド(溶媒
)に溶かした。
この溶液を、重合アンプルに入れロータリーポンプで3
度脱気し、更に拡散ポンプで2度脱気した後、アンプル
を封じた。このアンプルを60°Cの恒温槽中に置き、
約10時間放置することにより、前記モノマーを重合し
た。生成液をアンプルから取り出した後、エーテルて3
度再沈澱させることにより、ポリマー粉末を得た。
度脱気し、更に拡散ポンプで2度脱気した後、アンプル
を封じた。このアンプルを60°Cの恒温槽中に置き、
約10時間放置することにより、前記モノマーを重合し
た。生成液をアンプルから取り出した後、エーテルて3
度再沈澱させることにより、ポリマー粉末を得た。
この粉末を水に溶かすと完全に溶けた。得られた水溶液
にNaOH水溶液を加え、この混合液を約30日間透析
した。この間、1日に2度水を取り替えた。透析により
低分子は除去された。その後、水溶液を濃縮し、凍結乾
燥した。
にNaOH水溶液を加え、この混合液を約30日間透析
した。この間、1日に2度水を取り替えた。透析により
低分子は除去された。その後、水溶液を濃縮し、凍結乾
燥した。
こうして、アニオン性両親媒性高分子電解質を得た。
〔参考例2 イオンコンプレックスの合成〕参考例
1て合成した両親媒性高分子電解質1、50gを500
ccの純水に溶かした。
1て合成した両親媒性高分子電解質1、50gを500
ccの純水に溶かした。
他方、界面活性剤であるN−n−ヘキサデシルN1−メ
チル−4,4′−ビピリジニウム ブロマイドメチルサ
ルフェイト3.52gも500ccの純水に溶かした。
チル−4,4′−ビピリジニウム ブロマイドメチルサ
ルフェイト3.52gも500ccの純水に溶かした。
この界面活性剤は電子受容性界面活性剤てあり、かつ発
色団となる電子受容性基(A)を持つものである。
色団となる電子受容性基(A)を持つものである。
後者に前者を少しずつ滴下し、生した沈澱を遠心分離機
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
こうして白っぽい粉末状のイオンコンプレックスか得ら
れた。
れた。
〔実施例1− 第1発明にかかる成形物の製造〕参考例
2て合成したイオンコンプレックス0.1gと、ポリメ
チルメタクリレート(PMMA) 5 gをクロロホル
ムに溶解し、この溶液をガラス基板上に塗布した後、乾
燥させてPMMAキャスティング・フィルム(本発明で
いうプラスチック成形物の一種)を得た。
2て合成したイオンコンプレックス0.1gと、ポリメ
チルメタクリレート(PMMA) 5 gをクロロホル
ムに溶解し、この溶液をガラス基板上に塗布した後、乾
燥させてPMMAキャスティング・フィルム(本発明で
いうプラスチック成形物の一種)を得た。
このフィルムは無色透明であったか、30℃にて太陽光
線に曝すと、薄い茶色に着色した。しかし、太陽光線に
曝すのを止めると、すぐに元の無色透明なフィルムに戻
った。
線に曝すと、薄い茶色に着色した。しかし、太陽光線に
曝すのを止めると、すぐに元の無色透明なフィルムに戻
った。
このフィルムの420nmにおける光線透過率の変化は
、30°Cて95%(着色前)→79%(着色時)、5
°で95%(着色前)→76%(着色時)であり、減光
率の温度依存性はほとんどなかった。
、30°Cて95%(着色前)→79%(着色時)、5
°で95%(着色前)→76%(着色時)であり、減光
率の温度依存性はほとんどなかった。
〔参考例3−− 両親媒性高分子電解質の合成〕(1)
ピレンモノマーの合成 参考例1の(1)と全く同様に合成した。
ピレンモノマーの合成 参考例1の(1)と全く同様に合成した。
(2)アダマンチルメタクリルアミドの合成アダマンチ
ルアミン20g(1,07x IO−’ mol)を、
300 mlのベンゼンの入った3つ目フラスコに仕込
み、その後、トリエチルアミン13.1g(]、29X
10m01)を加え、アイスバス中で冷却しながら、
しばらく攪拌し、それからメタクリル酸クロライド13
.0g (1,25xlO−’mol)を徐々に滴下し
た。アイスバス中てそのまま30分攪拌し、その後、室
温で12時間攪拌した後、吸引ろ過によりトリエチルア
ミン塩酸塩を除いた。
ルアミン20g(1,07x IO−’ mol)を、
300 mlのベンゼンの入った3つ目フラスコに仕込
み、その後、トリエチルアミン13.1g(]、29X
10m01)を加え、アイスバス中で冷却しながら、
しばらく攪拌し、それからメタクリル酸クロライド13
.0g (1,25xlO−’mol)を徐々に滴下し
た。アイスバス中てそのまま30分攪拌し、その後、室
温で12時間攪拌した後、吸引ろ過によりトリエチルア
ミン塩酸塩を除いた。
ろ液(ベンゼン層)を飽和食塩水で4回、次いて1M塩
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンゼン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンゼン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
酸水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か中性に
なるまで洗浄した。更に、ベンゼン層を1M炭酸水素ナ
トリウム水溶液で5回、その後、飽和食塩水で洗浄液か
中性になるまで洗浄した。その後、ベンゼン層を無水硫
酸マグネシウムで終夜乾燥させた。
そして、ベンセン層からろ過により硫酸マグネシウムを
除き、ヘンセンをエバボレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量10.2g (収率43
.5%)でアダマンチルメタクリルアミドを得た。生成
物は無色の針状晶(mp、 104−105℃)であっ
た。
除き、ヘンセンをエバボレートした。得られた固体をヘ
キサンで2回再結晶し、収量10.2g (収率43
.5%)でアダマンチルメタクリルアミドを得た。生成
物は無色の針状晶(mp、 104−105℃)であっ
た。
・’ H−NMR(CDCl 3)データ1、6−2.
0(m、 15H)、 2.0(s、 3H)、 5.
2(s、 LH)5、3(s、 IH)、 5.6(S
、 IH)・C,、H2,Noに対する元素分析計算値
C・76、67%;H:9.65%;N・6.39%・
実測値 Cニア6.76%;H:9.73%;N:6.
46%(3)両親媒性高分子電解質の合成 前項(1)で合成したピレンモノマーを3 mmoL前
項(2)で合成したアダマンチルメタクリルアミドを5
0mmol、2−アクリルアミド−2−メチルプロパン
スルホン酸(AMPSモノマー)を47mmol、更に
重合開始剤としてアゾイソブチロニトリルを0.5mm
ol用意し、これらを全モノマー濃度か10wt%とな
るような量のジメチルホルムアミド(溶媒)に溶かした
。
0(m、 15H)、 2.0(s、 3H)、 5.
2(s、 LH)5、3(s、 IH)、 5.6(S
、 IH)・C,、H2,Noに対する元素分析計算値
C・76、67%;H:9.65%;N・6.39%・
実測値 Cニア6.76%;H:9.73%;N:6.
46%(3)両親媒性高分子電解質の合成 前項(1)で合成したピレンモノマーを3 mmoL前
項(2)で合成したアダマンチルメタクリルアミドを5
0mmol、2−アクリルアミド−2−メチルプロパン
スルホン酸(AMPSモノマー)を47mmol、更に
重合開始剤としてアゾイソブチロニトリルを0.5mm
ol用意し、これらを全モノマー濃度か10wt%とな
るような量のジメチルホルムアミド(溶媒)に溶かした
。
この溶液を、重合アンプルに入れロータリーポンプで3
度脱気し、更に拡散ポンプて2度脱気しり後、アンプル
を封じた。このアンプルを60°Cの恒温槽中に置き、
約10時間放置することにより、前記モノマーを重合し
た。生成液をアンプルから取り出した後、エーテルで3
度再沈澱させることにより、ポリマー粉末を得た。
度脱気し、更に拡散ポンプて2度脱気しり後、アンプル
を封じた。このアンプルを60°Cの恒温槽中に置き、
約10時間放置することにより、前記モノマーを重合し
た。生成液をアンプルから取り出した後、エーテルで3
度再沈澱させることにより、ポリマー粉末を得た。
この粉末を水に溶かすと完全に溶けた。得られた水溶液
にNaOH水溶液を加え、この混合液を約10日間透析
した。この間、1日に2度水を取り替えた。透析により
低分子は除去された。その後、水溶液を濃縮し、凍結乾
燥した。
にNaOH水溶液を加え、この混合液を約10日間透析
した。この間、1日に2度水を取り替えた。透析により
低分子は除去された。その後、水溶液を濃縮し、凍結乾
燥した。
こうして、アニオン性両親媒性高分子電解質を得た。
〔参考例4− イオンコンプレックスの合成〕参考例
3て合成した両親媒性高分子電解質1.08gを500
ccの純水に溶かした。
3て合成した両親媒性高分子電解質1.08gを500
ccの純水に溶かした。
他方、界面活性剤であるセチルトリメチルアンモニウム
ブロマイド2.57gも500ccの純水に溶かした。
ブロマイド2.57gも500ccの純水に溶かした。
尚、この界面活性剤は電子受容性基を持たないものであ
る。
る。
後者に前者を少しずつ滴下し、生した沈澱を遠心分離機
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
こうして得られたイオンコンプレックス(白っぽい粉末
)のNMRを第11図に示す。
)のNMRを第11図に示す。
〔実施例2− 第2発明の成形物の製造〕参考例4て合
成したイオンコンプレックス0.1gと、発色団となる
電子受容性基(A)を持つ電子受容体であるナフタレン
−1,8−ジカルボン酸無水物40+Bと、ポリメチル
メタクリレート(PMMA) 5 gをクロロホルムに
溶解し、この溶液をガラス基板上に塗布した後、乾燥さ
せてPMMAキャスティング・フィルム(本発明でいう
プラスチック成形物の一種)を得た。
成したイオンコンプレックス0.1gと、発色団となる
電子受容性基(A)を持つ電子受容体であるナフタレン
−1,8−ジカルボン酸無水物40+Bと、ポリメチル
メタクリレート(PMMA) 5 gをクロロホルムに
溶解し、この溶液をガラス基板上に塗布した後、乾燥さ
せてPMMAキャスティング・フィルム(本発明でいう
プラスチック成形物の一種)を得た。
このフィルムは無色透明であったか、30°Cにて太陽
光線に曝すと、薄い茶色に着色した。しかし、太陽光線
に曝すのを止めると、すぐに元の無色透明なフィルムに
戻った。
光線に曝すと、薄い茶色に着色した。しかし、太陽光線
に曝すのを止めると、すぐに元の無色透明なフィルムに
戻った。
このフィルムの420nmにおける光線透過率の変化は
、30°Cて96%(着色前)−84%(着色時)、5
°で96%(着色前)→82%(着色時)であり、減光
率の温度依存性はほとんどなかった。
、30°Cて96%(着色前)−84%(着色時)、5
°で96%(着色前)→82%(着色時)であり、減光
率の温度依存性はほとんどなかった。
〔参考例5 イオンコンプレックスの合成〕参考例3
て合成した両親媒性高分子電解質1、08gを5ooc
cの純水に溶かした。
て合成した両親媒性高分子電解質1、08gを5ooc
cの純水に溶かした。
他方、界面活性剤であるジドデシルジメチルアンモニウ
ムブロマイド3.26gも500ccの純水に溶かした
。この界面活性剤は電子受容体ではない。
ムブロマイド3.26gも500ccの純水に溶かした
。この界面活性剤は電子受容体ではない。
後者に前者を少しずつ滴下し、生した沈澱を遠心分離機
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
で集め、透析膜に入れて塩抜きした。その後、水溶液を
濃縮し、凍結乾燥した。
こうして得られたイオンコンプレックス(白っぽい粉末
)のNMRを第12図に示す。
)のNMRを第12図に示す。
〔実施例3 第2発明の成形物の製造〕参考例5て合
成したイオンコンプレックス0.1gと、発色団となる
電子受容性基(A)を持つ電子受容体である無水ピロメ
リット酸50mgを、1Occのメタクリル酸メチルモ
ノマーに溶解し、これに重合開始剤として過酸化ベンゾ
イル20mgを添加した。
成したイオンコンプレックス0.1gと、発色団となる
電子受容性基(A)を持つ電子受容体である無水ピロメ
リット酸50mgを、1Occのメタクリル酸メチルモ
ノマーに溶解し、これに重合開始剤として過酸化ベンゾ
イル20mgを添加した。
次いて、脱気、窒素置換した後、加熱してモノマーを重
合して無色透明なプラスチック成形物を合成した。この
成形物から厚さ2mmの板を切断し、表面を研磨した後
、30°Cにて太陽光線に曝すと、薄い青色に着色した
。しかし、太陽光線に曝すのを止めると、すぐに元の無
色透明な板に戻った。
合して無色透明なプラスチック成形物を合成した。この
成形物から厚さ2mmの板を切断し、表面を研磨した後
、30°Cにて太陽光線に曝すと、薄い青色に着色した
。しかし、太陽光線に曝すのを止めると、すぐに元の無
色透明な板に戻った。
この板の680nmにおける光線透過率の変化は、30
°Cて96%(着色前)→60%(着色時)、5°で9
6%(着色前)→55%(着色時)であり、減光率の温
度依存性はほとんどなかった。
°Cて96%(着色前)→60%(着色時)、5°で9
6%(着色前)→55%(着色時)であり、減光率の温
度依存性はほとんどなかった。
以上の通り、本発明によれば、夏なとの高温環境下(実
施例では30°C)でも優れたフォトクロミック性を示
し、かつ、減光率の温度依存性の少ないフォトクロミッ
ク・プラスチック成形物か提供される。
施例では30°C)でも優れたフォトクロミック性を示
し、かつ、減光率の温度依存性の少ないフォトクロミッ
ク・プラスチック成形物か提供される。
本発明で使用するイオンコンプレックスは、「発色団と
なる電子供与性疎水性基(D)を一部に含む疎水性基の
凝集相の周りを親水性基か包み込んでいるミクロ相構造
」を保持したままの両親媒性高分子電解質を含んでおり
、親水性基及び界面活性剤の2重層かマクイロカプセル
の皮膜のように振る舞う。従って、フォトクロミック特
性は、発色団となる疎水性基(D)か周囲の疎水性マト
リックスから保護され、また、凝集層により分子運動が
抑制されるのて通常は不安定なイオンランカル(発色団
)でも比較的安定に保たれ、そのため着色状態か持続す
る。
なる電子供与性疎水性基(D)を一部に含む疎水性基の
凝集相の周りを親水性基か包み込んでいるミクロ相構造
」を保持したままの両親媒性高分子電解質を含んでおり
、親水性基及び界面活性剤の2重層かマクイロカプセル
の皮膜のように振る舞う。従って、フォトクロミック特
性は、発色団となる疎水性基(D)か周囲の疎水性マト
リックスから保護され、また、凝集層により分子運動が
抑制されるのて通常は不安定なイオンランカル(発色団
)でも比較的安定に保たれ、そのため着色状態か持続す
る。
また、発色団かDとAから2個出現する場合には、その
組合せにより種々の色を出すことかてきる。尚、CR−
39ポリマーのようなプラスチックでは、紫外線吸収剤
を添加しないと耐久性に劣るか、本発明で使用するイオ
ンコンプレックスは紫外線吸収効果か高いので、外に紫
外線吸収剤を添加する必要かない利点もある。
組合せにより種々の色を出すことかてきる。尚、CR−
39ポリマーのようなプラスチックでは、紫外線吸収剤
を添加しないと耐久性に劣るか、本発明で使用するイオ
ンコンプレックスは紫外線吸収効果か高いので、外に紫
外線吸収剤を添加する必要かない利点もある。
第1A図は、第1発明の1実施例にかかるイオンコンプ
レックス+++の構造を示す概念図である。 第1B図は、第2発明の1実施例にかかるイオンコンプ
レックス(1)と電子受容体(2)の構造を示す概念図
である。 第1C図は、第1発明の他の実施例(界面活性剤1bか
発色団となる基へを持つ例)にかかるイオンコンプレッ
クス(1)の構造を示す概念図である。 第1D図は、第2発明の他の実施例(電子受容体(2)
か発色団となる基Aを持つ例)にかかるイオンコンプレ
ックス(1)と電子受容体(2)の構造を示す概念図で
ある。 第2図は、第1発明の他の実施例(電解質1aと界面活
性剤1bの電荷の関係か第1A図と逆の例)にかかるイ
オンコンプレックス(1)の構造を示す概念図である。 第3〜8図は、分子式を示す図である。 第9〜10図は、界面活性剤の分子式を示す図である。 第11−12図は、NMRのチャートを示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1a+・ −疎水性基 la2 〜 親水性基 界面活性剤 ノ イオンコンプレックス 電子受容体 発色団となる電子供与性疎水性基 発色団となる電子受容性基 −敏氏(=) 一枢(WL) 一般K<x> 一般瓦(X) 篭q図 一般;<(XL) 一般く(ニ) 一般K(ニ) 一投入CM) −やミに) 一捜入いyう ん、−0S03晃 一般札αM少 R2パOCH,C14,←O8ら總 mν 舅lO図 第11図 手 続 補 正 書 平成3年 9月20日 平成 2年 特許願 第236240号 発明の名称 フォトクロミック・プラスチック成形物補正をする者 事件との関係
レックス+++の構造を示す概念図である。 第1B図は、第2発明の1実施例にかかるイオンコンプ
レックス(1)と電子受容体(2)の構造を示す概念図
である。 第1C図は、第1発明の他の実施例(界面活性剤1bか
発色団となる基へを持つ例)にかかるイオンコンプレッ
クス(1)の構造を示す概念図である。 第1D図は、第2発明の他の実施例(電子受容体(2)
か発色団となる基Aを持つ例)にかかるイオンコンプレ
ックス(1)と電子受容体(2)の構造を示す概念図で
ある。 第2図は、第1発明の他の実施例(電解質1aと界面活
性剤1bの電荷の関係か第1A図と逆の例)にかかるイ
オンコンプレックス(1)の構造を示す概念図である。 第3〜8図は、分子式を示す図である。 第9〜10図は、界面活性剤の分子式を示す図である。 第11−12図は、NMRのチャートを示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1a+・ −疎水性基 la2 〜 親水性基 界面活性剤 ノ イオンコンプレックス 電子受容体 発色団となる電子供与性疎水性基 発色団となる電子受容性基 −敏氏(=) 一枢(WL) 一般K<x> 一般瓦(X) 篭q図 一般;<(XL) 一般く(ニ) 一般K(ニ) 一投入CM) −やミに) 一捜入いyう ん、−0S03晃 一般札αM少 R2パOCH,C14,←O8ら總 mν 舅lO図 第11図 手 続 補 正 書 平成3年 9月20日 平成 2年 特許願 第236240号 発明の名称 フォトクロミック・プラスチック成形物補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 「発色団となる電子供与性疎水性基を一部に含む疎
水性基の凝集相のまわりを親水性基が包み込んでいるミ
クロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質と、そ
の外側にイオン結合された電子受容性界面活性剤とから
なるイオンコンプレックス を含むことを特徴とするフォトクロミック・プラスチッ
ク成形物。 2 「発色団となる電子供与性疎水性基を一部に含む疎
水性基の凝集相のまわりを親水性基が包み込んでいるミ
クロ相分離構造」を有する両親媒性高分子電解質と、そ
の外側にイオン結合された界面活性剤とからなるイオン
コンプレックス及び電子受容体 を含むことを特徴とするフォトクロミック・プラスチッ
ク成形物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2236240A JPH04117483A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | フォトクロミック・プラスチック成形物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2236240A JPH04117483A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | フォトクロミック・プラスチック成形物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117483A true JPH04117483A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=16997860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2236240A Pending JPH04117483A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | フォトクロミック・プラスチック成形物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04117483A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8153344B2 (en) | 2004-07-16 | 2012-04-10 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles, aqueous compositions thereof and articles prepared therewith |
US8563213B2 (en) | 2004-07-16 | 2013-10-22 | Transitions Optical, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles |
US8563212B2 (en) | 2004-07-16 | 2013-10-22 | Transitions Optical, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles, non-aqueous dispersions thereof and articles prepared therewith |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP2236240A patent/JPH04117483A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8153344B2 (en) | 2004-07-16 | 2012-04-10 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles, aqueous compositions thereof and articles prepared therewith |
US8563213B2 (en) | 2004-07-16 | 2013-10-22 | Transitions Optical, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles |
US8563212B2 (en) | 2004-07-16 | 2013-10-22 | Transitions Optical, Inc. | Methods for producing photosensitive microparticles, non-aqueous dispersions thereof and articles prepared therewith |
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