JPH04117071A - 垂直偏向回路 - Google Patents
垂直偏向回路Info
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- JPH04117071A JPH04117071A JP23276590A JP23276590A JPH04117071A JP H04117071 A JPH04117071 A JP H04117071A JP 23276590 A JP23276590 A JP 23276590A JP 23276590 A JP23276590 A JP 23276590A JP H04117071 A JPH04117071 A JP H04117071A
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、陰極線管（以下ＣＲＴと称す）及び偏向コ
イルを使用したテレビジョン受像機及びデイスプレィモ
ニタ等の映像表示システムにおける垂直偏向回路に関す
るものである。
イルを使用したテレビジョン受像機及びデイスプレィモ
ニタ等の映像表示システムにおける垂直偏向回路に関す
るものである。
第３図は実開平１−１７２７７７号に示された従来の垂
直偏向回路を示す図であり、図において、１は垂直同期
信号Ｖが加えられる垂直同期信号処理部、２は垂直同期
信号処理部１の出力信号が供給される発振部、３は発振
部２の出力に同期した砺波電圧を発生する砺波発生回路
、４は発振部２の出力に同期して動作するポンプアップ
回路、５はポンプアップ回路４の出力を電源として砺波
発生回路３の出力を増幅する垂直出力アンプ、６は垂直
出力アンプ５の出力端にンースＳが接続されたスイッチ
ング素子として働くパワーＭＯ３ＦＥＴ、 ７はパワ
ーＭＯ８ＦＥＴ ＆の寄生ダイオード、８はパワー Ｍ
ＯＳＦＥＴ ６のドレインＤに接続された垂直偏向コイ
ル、９ａは垂直偏向コイルに直列接続された直流阻止用
のコンデンサ、１０ａはコンデンサ９ａとアース間に接
続されたフィードバック用の抵抗、１０ｃは垂直偏向コ
イル８に対して差動接続されたダンピング用の抵抗、１
１はパワーＭＯ３ＦＥＴ ６のゲー）Ｇに接続された直
流電源、１０ｂは垂直偏向コイル８に接続された抵抗、
９ｂは抵抗１０ｂに直列接続されたコンデンサで、抵抗
ＩＱｂと共にダンパ回路として動作する。
直偏向回路を示す図であり、図において、１は垂直同期
信号Ｖが加えられる垂直同期信号処理部、２は垂直同期
信号処理部１の出力信号が供給される発振部、３は発振
部２の出力に同期した砺波電圧を発生する砺波発生回路
、４は発振部２の出力に同期して動作するポンプアップ
回路、５はポンプアップ回路４の出力を電源として砺波
発生回路３の出力を増幅する垂直出力アンプ、６は垂直
出力アンプ５の出力端にンースＳが接続されたスイッチ
ング素子として働くパワーＭＯ３ＦＥＴ、 ７はパワ
ーＭＯ８ＦＥＴ ＆の寄生ダイオード、８はパワー Ｍ
ＯＳＦＥＴ ６のドレインＤに接続された垂直偏向コイ
ル、９ａは垂直偏向コイルに直列接続された直流阻止用
のコンデンサ、１０ａはコンデンサ９ａとアース間に接
続されたフィードバック用の抵抗、１０ｃは垂直偏向コ
イル８に対して差動接続されたダンピング用の抵抗、１
１はパワーＭＯ３ＦＥＴ ６のゲー）Ｇに接続された直
流電源、１０ｂは垂直偏向コイル８に接続された抵抗、
９ｂは抵抗１０ｂに直列接続されたコンデンサで、抵抗
ＩＱｂと共にダンパ回路として動作する。
１２は垂直同期信号処理部１９発振部２．鋸波発生回路
３．ポンプアップ回路４および垂直出力アンプ５がワン
チップ上に一体化された半導体集積回路である。
３．ポンプアップ回路４および垂直出力アンプ５がワン
チップ上に一体化された半導体集積回路である。
次に動作について説明する。
先ず、パワーＭＯ８ＦＥＴ ６が省略されて垂直出力ア
ンプ５の出力端と垂直偏向コイル８とが直接に接続され
ている場合の動作について説明する。垂直同期信号Ｖが
入力されると、発振部２はこの垂直同期信号に同期する
ことから、その発振周波数は垂直同期信号と同じ周波数
となる。また、発振部２は一定の位相で信号を出力し、
この出力によシ鋸波発生回路３及びポンプアップ回路４
が動作する。砺波発生回路３において発生された砺波電
圧は、垂直出力アンプ５において電流に変換され、この
変換電流が垂直偏向コイル８に供給されることによって
、鋸波状の電流が垂直偏向コイル８に流れる。
ンプ５の出力端と垂直偏向コイル８とが直接に接続され
ている場合の動作について説明する。垂直同期信号Ｖが
入力されると、発振部２はこの垂直同期信号に同期する
ことから、その発振周波数は垂直同期信号と同じ周波数
となる。また、発振部２は一定の位相で信号を出力し、
この出力によシ鋸波発生回路３及びポンプアップ回路４
が動作する。砺波発生回路３において発生された砺波電
圧は、垂直出力アンプ５において電流に変換され、この
変換電流が垂直偏向コイル８に供給されることによって
、鋸波状の電流が垂直偏向コイル８に流れる。
一方、ポンプアップ回路４は、垂直出力アンプ５の電源
となるもので、第４図の垂直帰線期間ＴＲだけ、電源電
圧Ｖａｔ−第４図のように持ち上げるものである。この
結果、垂直出力アンプ５の出力電圧ｖｂは第４図に示す
ように、垂直帰線期間ＴＲにおけるレベルが大幅に高め
られることになる。
となるもので、第４図の垂直帰線期間ＴＲだけ、電源電
圧Ｖａｔ−第４図のように持ち上げるものである。この
結果、垂直出力アンプ５の出力電圧ｖｂは第４図に示す
ように、垂直帰線期間ＴＲにおけるレベルが大幅に高め
られることになる。
この結果、垂直帰線期間ＴＲにおけるコンデンサ９ａに
対する充電電流が高められて、垂直偏向コイル８に流れ
る垂直偏向電流波形が安定したものとなる。ここで、垂
直偏向コイル８には直流阻止用のコンデンサ９ＪＬとフ
ィードバック用の抵抗１０ａとが直列接続されておシ、
この部分から直流レベルを安定させるための帰還と交流
レベルすなわち波高値、波形リニアリティを補正するた
めの帰還とが砺波発生回路３に供給されて、垂直偏向電
流の安定化を図っている。
対する充電電流が高められて、垂直偏向コイル８に流れ
る垂直偏向電流波形が安定したものとなる。ここで、垂
直偏向コイル８には直流阻止用のコンデンサ９ＪＬとフ
ィードバック用の抵抗１０ａとが直列接続されておシ、
この部分から直流レベルを安定させるための帰還と交流
レベルすなわち波高値、波形リニアリティを補正するた
めの帰還とが砺波発生回路３に供給されて、垂直偏向電
流の安定化を図っている。
次にパワーＭＯ３ＦＥＴ ６が垂直出力アンプ５と偏向
コイル８との間に設けられた場合の動作について説明す
る。パワーＭＯ８ＦＥＴ ６のゲート電圧は第４図に示
すＶｃ電圧より少し高く設定されている。
コイル８との間に設けられた場合の動作について説明す
る。パワーＭＯ８ＦＥＴ ６のゲート電圧は第４図に示
すＶｃ電圧より少し高く設定されている。
従って、パワーＭＯ８ＦＥＴ ＆は走査期間ではＯＮ状
態となって、この垂直偏向回路は前述と同様な動作を行
うことになる。次に、垂直帰線期間ＴＨになると、パワ
ーＭＯ８ＦＥＴ ６のソースＳが垂直出力アンプ５の出
力端に接続されているため、このパワーＭＯ８ＦＥＴ
６はＯＦＦ状態となる。パワーＭＯ８了６がＯＦＦにな
ると、垂直偏向コイル８に流れていた電流はダンピング
用の抵抗１０ｃ及び１０ｂ−コンデンサ９ｂ−抵抗１０
ａ−コンデンサ９ａのループで流れ、その電流は急速に
零になる。そして、この電流が零になると、パワーＭＯ
８ＦＥＴ ６の内部に寄生する寄生ダイオード７によっ
て垂直出力アンプ５と偏向コイル８が導通となるので、
再び前述の動作に戻ることになる。つまシ、第５図−）
に示すように、パワーＭＯ８ＦＥＴ ６がない場合は、
垂直出力アンプ５の出力電圧ｖｂにおける垂直帰線期間
ＴＲにおいて一様に変化する電流Ｉｇが流れていたが、
パワーＭＯ８ＦＥＴ ６を設は九場合は、垂直帰線期間
ＴＲの始まりとともにパワーＭＯ８ＦＥＴ ６がＯＦＦ
されることによって、偏向帰線型Ｒが第５図（ｂ）にＩ
ｂとして示すように、急速に零に向かりて変化すること
になる≧そして、この偏向帰線電流が零に達した以降に
おいては、パワーＭＯ８ＦＥＴ６はＯＦＦ状態を続ける
が、その内部に寄生する寄生ダイオード７に対して順方
向の電位状態となることから、この寄生ダイオード７を
介して偏向帰線電流が流れることになる。従って、偏向
帰線期間の開始時点から偏向帰線電流が零に達するまで
の期間において、パワーＭＯ８ＦＥＴ ６がＯＦＦされ
ることによって、偏向帰線電流が急速に零に向かって変
化した分だけ偏向帰線期間が、第５図（ａ）の場合よシ
も、第５図へ）に示した場合の方が短くなることになる
。なお垂直偏向回路は出力電流に限界があシ、また耐電
圧を高めるためにも垂直帰線期間を短くすることが望ま
れる。
態となって、この垂直偏向回路は前述と同様な動作を行
うことになる。次に、垂直帰線期間ＴＨになると、パワ
ーＭＯ８ＦＥＴ ６のソースＳが垂直出力アンプ５の出
力端に接続されているため、このパワーＭＯ８ＦＥＴ
６はＯＦＦ状態となる。パワーＭＯ８了６がＯＦＦにな
ると、垂直偏向コイル８に流れていた電流はダンピング
用の抵抗１０ｃ及び１０ｂ−コンデンサ９ｂ−抵抗１０
ａ−コンデンサ９ａのループで流れ、その電流は急速に
零になる。そして、この電流が零になると、パワーＭＯ
８ＦＥＴ ６の内部に寄生する寄生ダイオード７によっ
て垂直出力アンプ５と偏向コイル８が導通となるので、
再び前述の動作に戻ることになる。つまシ、第５図−）
に示すように、パワーＭＯ８ＦＥＴ ６がない場合は、
垂直出力アンプ５の出力電圧ｖｂにおける垂直帰線期間
ＴＲにおいて一様に変化する電流Ｉｇが流れていたが、
パワーＭＯ８ＦＥＴ ６を設は九場合は、垂直帰線期間
ＴＲの始まりとともにパワーＭＯ８ＦＥＴ ６がＯＦＦ
されることによって、偏向帰線型Ｒが第５図（ｂ）にＩ
ｂとして示すように、急速に零に向かりて変化すること
になる≧そして、この偏向帰線電流が零に達した以降に
おいては、パワーＭＯ８ＦＥＴ６はＯＦＦ状態を続ける
が、その内部に寄生する寄生ダイオード７に対して順方
向の電位状態となることから、この寄生ダイオード７を
介して偏向帰線電流が流れることになる。従って、偏向
帰線期間の開始時点から偏向帰線電流が零に達するまで
の期間において、パワーＭＯ８ＦＥＴ ６がＯＦＦされ
ることによって、偏向帰線電流が急速に零に向かって変
化した分だけ偏向帰線期間が、第５図（ａ）の場合よシ
も、第５図へ）に示した場合の方が短くなることになる
。なお垂直偏向回路は出力電流に限界があシ、また耐電
圧を高めるためにも垂直帰線期間を短くすることが望ま
れる。
従来の垂直偏向回路は以上のように構成されているので
、垂直帰線期間ＴＲをパワーＭＯ８ＦＥＴ ６を設けな
い場合の１／２以下に短くすることが困難である等の課
題があった。
、垂直帰線期間ＴＲをパワーＭＯ８ＦＥＴ ６を設けな
い場合の１／２以下に短くすることが困難である等の課
題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、集積化された垂直偏向回路を使用して、垂直帰
線期間をよシ短くすることのできる垂直偏向回路を得る
ことを目的とする。
もので、集積化された垂直偏向回路を使用して、垂直帰
線期間をよシ短くすることのできる垂直偏向回路を得る
ことを目的とする。
この発明に係る垂直偏向回路は、垂直出力アンプの出力
側に別のポンプアップ回路を付加することにより、垂直
帰線期間を短くしたものである。
側に別のポンプアップ回路を付加することにより、垂直
帰線期間を短くしたものである。
この発明における垂直偏向回路は、上記別のポンプアッ
プ回路により、垂直帰線期間において垂直偏向コイルに
高電圧を加えることによシ実質的に垂直帰線期間を短く
する。
プ回路により、垂直帰線期間において垂直偏向コイルに
高電圧を加えることによシ実質的に垂直帰線期間を短く
する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図においては第３図と対応する部分には同一符号を付し
て説明を省略する。
図においては第３図と対応する部分には同一符号を付し
て説明を省略する。
第１図において、１３は垂直出力アンプ５の出力側に設
けられパワーＭＯ８ＦＥＴ ６と並列接続されたポンプ
アップ回路である。このポンプアップ回路１３は、垂直
出力アップ５の出力端、即ちパワー ＭＯＳＦＥＴ ６
のソースＳｔ−抵抗１０ｄ、１０ｅ を介してトランジ
スタ１４ａのペースに接続し、このトランジスタ１４ｍ
のコレクタ７１ｒ１抵抗１０ｆを介してトランジスタ１
４ｂのベースに接続すると共に抵抗１０ｇを介してトラ
ンジスタ１４ｂのエミッタに接続し、さらにこのトラン
ジスタ１４ｂのコレクタを垂直偏向コイル８に接続した
構成を有している。１５はポンプアップ回路１３に高電
圧Ｖｅｔ与える電源である。
けられパワーＭＯ８ＦＥＴ ６と並列接続されたポンプ
アップ回路である。このポンプアップ回路１３は、垂直
出力アップ５の出力端、即ちパワー ＭＯＳＦＥＴ ６
のソースＳｔ−抵抗１０ｄ、１０ｅ を介してトランジ
スタ１４ａのペースに接続し、このトランジスタ１４ｍ
のコレクタ７１ｒ１抵抗１０ｆを介してトランジスタ１
４ｂのベースに接続すると共に抵抗１０ｇを介してトラ
ンジスタ１４ｂのエミッタに接続し、さらにこのトラン
ジスタ１４ｂのコレクタを垂直偏向コイル８に接続した
構成を有している。１５はポンプアップ回路１３に高電
圧Ｖｅｔ与える電源である。
次に動作について説明する。
基本的な動作は、第３図の従来回路と同様であるが、こ
の実施例ではさらに垂直帰線期間ＴＲ０間だけポンプア
ップ回路１３よシ高電圧Ｖｅを垂直偏向コイル８に加え
るようにしている。まず、垂直Ｒａ期間ＴＲを検出する
のは、パワーＭＯ８ＦＥＴ６のンースＳに接続した抵抗
１０ｄ 、 １０ｅであシ、この比を適正に選ぶことに
より、トランジスタ１４ａは、垂直帰線期間ＴＲのみ０
Ｎ−ｊる。これにより抵抗１０ｆを介してトランジスタ
１４ｂのベース電圧は第２図のＶｃのように変化し、従
ってトランジスタ１４ｂも垂直帰線期間ＴＲのみＯＮす
る。
の実施例ではさらに垂直帰線期間ＴＲ０間だけポンプア
ップ回路１３よシ高電圧Ｖｅを垂直偏向コイル８に加え
るようにしている。まず、垂直Ｒａ期間ＴＲを検出する
のは、パワーＭＯ８ＦＥＴ６のンースＳに接続した抵抗
１０ｄ 、 １０ｅであシ、この比を適正に選ぶことに
より、トランジスタ１４ａは、垂直帰線期間ＴＲのみ０
Ｎ−ｊる。これにより抵抗１０ｆを介してトランジスタ
１４ｂのベース電圧は第２図のＶｃのように変化し、従
ってトランジスタ１４ｂも垂直帰線期間ＴＲのみＯＮす
る。
このトランジスタ１４ｂのＯＮにより゛電源１５から垂
直偏向コイル８に高電圧Ｖｅが加えられる。この結果、
垂直偏向コイル８に流れる電流Ｉｂは、垂直帰線期間Ｔ
Ｒ中に第１図の矢印の反対方向から矢印の向きに急速に
流れを変えることが可能となシ、このため垂直帰線期間
は実質的に短い時間で終了する。
直偏向コイル８に高電圧Ｖｅが加えられる。この結果、
垂直偏向コイル８に流れる電流Ｉｂは、垂直帰線期間Ｔ
Ｒ中に第１図の矢印の反対方向から矢印の向きに急速に
流れを変えることが可能となシ、このため垂直帰線期間
は実質的に短い時間で終了する。
なお、垂直帰線期間Ｔ１０間、パワーＭＯ８ＦＥＴ６の
ドレインＤには高電圧Ｖｅが加わるが、パワー ＭＯＳ
ＦＥＴ ６はＯＦＦの状態になっているので、集積回路
１２部分には高電圧Ｖｅが加えられず、この集積回路１
２が破壊されることはない。また垂直帰線期間ＴＲ以外
はポンプアップ回路１３はＯＦＦになっているので、従
来回路過多の動作となる。
ドレインＤには高電圧Ｖｅが加わるが、パワー ＭＯＳ
ＦＥＴ ６はＯＦＦの状態になっているので、集積回路
１２部分には高電圧Ｖｅが加えられず、この集積回路１
２が破壊されることはない。また垂直帰線期間ＴＲ以外
はポンプアップ回路１３はＯＦＦになっているので、従
来回路過多の動作となる。
以上のように、この発明によれば、従来回路の垂直出力
アンプの出力側にポンプアップ回路を付加する構成とし
たので、垂直帰線期間を実質的に１／２以下に短くでき
る垂直偏向回路が得られる効果がある。
アンプの出力側にポンプアップ回路を付加する構成とし
たので、垂直帰線期間を実質的に１／２以下に短くでき
る垂直偏向回路が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による垂直偏向回路を示す
回路図、第２図は第１図に示す回路における各部の電圧
を示す波形図・、第３図は従来の垂直偏向回路を示す回
路図、第４図及び第５図は第３図に示す回路における各
部の電流、電圧を示す波形図である。 ５は垂直出力アンプ、６はパワーＭＯ８ＦＥＴ （スイ
ッチング素子）、８は垂直偏向コイル、１３はポンプア
ップ回路。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 代理人 弁理士 １） 澤 博 昭 （外２名） １３°ボレブアノプ回路 第 ？ 図 第 図 第 図
回路図、第２図は第１図に示す回路における各部の電圧
を示す波形図・、第３図は従来の垂直偏向回路を示す回
路図、第４図及び第５図は第３図に示す回路における各
部の電流、電圧を示す波形図である。 ５は垂直出力アンプ、６はパワーＭＯ８ＦＥＴ （スイ
ッチング素子）、８は垂直偏向コイル、１３はポンプア
ップ回路。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 代理人 弁理士 １） 澤 博 昭 （外２名） １３°ボレブアノプ回路 第 ？ 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 陰極線管および偏向コイルを使用した映像システムに使
用される垂直偏向回路において、上記垂直偏向回路にお
ける垂直出力アンプと上記垂直偏向コイルとの間に設け
られ、走査期間に導通し垂直帰線期間の始まりと共に非
導通となり、電流が零に達したとき再び導通となるスイ
ッチング素子と、上記スイッチング素子と並列に接続さ
れ、上記垂直帰線期間に上記垂直偏向コイルに高電圧を
与えるように成されたポンプアップ回路とを備えた垂直
偏向回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23276590A JPH0828823B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 垂直偏向回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23276590A JPH0828823B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 垂直偏向回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117071A true JPH04117071A (ja) | 1992-04-17 |
| JPH0828823B2 JPH0828823B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16944393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23276590A Expired - Fee Related JPH0828823B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 垂直偏向回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828823B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP23276590A patent/JPH0828823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828823B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |