JPH04116959A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH04116959A JPH04116959A JP2237487A JP23748790A JPH04116959A JP H04116959 A JPH04116959 A JP H04116959A JP 2237487 A JP2237487 A JP 2237487A JP 23748790 A JP23748790 A JP 23748790A JP H04116959 A JPH04116959 A JP H04116959A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζ友 ファクシミリやデジタル複写機などの画像
人力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のであム 従来の技術 返電 ファクシミリやデジタル複写機などのの画像入力
装置に用いられるイメージセンサ（よ 小型軽量化や高
性能化を図る目的で、フォトトランジスタやフォトダイ
オードからなる光検知素子アレイとバイポーラトランジ
スタやＭＯＳ、ＣＣＤなどの走査回路を内蔵した単結晶
シリコンの半導体イメージセンサチップを用いた密着型
イメージセンサが主に使用されていも この単結晶シリコンの半導体イメージセンサチップの実
装は フェースアップのワイヤーボンディング実装とフ
ェースダウンのフリップチップ実装やマイクロバンブボ
ンディング実装が提案され一部実用化されていも 以下図面を参照しなか仮 上記した従来の密着型イメー
ジセンサの一例について説明すも第５諷 第６図は従来
のワイヤーボンディング実装とマイクロバンブボンディ
ング実装を行った密着型イメージセンサの断面図であａ 第５医 第６図において２１は絶縁基板、 ２２は絶縁
基板２１上に形成した回路導体層 ２３は半導体イメー
ジセンサチップ、 ２４は半導体イメージセンサチップ
２３に内蔵した光検知素子アレイ、 ２５は半導体イメ
ージセンサチップ２３を接着、固定するためのダイボン
ド剋 ２６は半導体イメージセンサチップ２３と回路導
体層２２を電気的に接続する金属線＠ ２７は半導体
イメージセンサチップ２３を保護するためのカバーガラ
ス２８は半導体イメージセンサチップ２３のボンデング
パット上に形成したバンブ、 １１は情報光で原稿から
の反射光であａ 以下第５図にもとずいて、フェースアップのワイヤーボ
ンディング実装した密着型イメージセンサについて詳細
に述べも アルミナやガラス等の絶縁基板２１の表面に金や銀−白
金などの貴金属により所望する回路導体層２２を形成し
た回路基板上Ｊ：、、単結晶シリコン型センサからなる
半導体イメージセンサチップ２３をフェースアップで複
数個直線状又は千鳥状に高精度に配列して組入リエポキ
シ系の導電性を有するダイボンド剤２５により回路基板
上に接着固定し ダイボンド後各半導体イメージセンサ
チップ２３のボンディングパットと回路導体層２２とを
ワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金属細
線２６で接続し しかる後接着剤を用いてカバーガラス
２７と回路基板２２を接着固定したハーメチック封止構
造を有したセンサ基板をクリップ端子で電気回路部品実
装済プリント基板とを電気的に接続してい九 以上のように構成した密着形イメージセンサ（よ原稿か
らの反射光である情報光１１をカバーガラス２７を透過
して半導体イメージセンサチップ２３に内蔵した光検知
素子アレイ２４に照射し 情報光１１の強弱に応じた電
気信号を時系列的に得ていた （例えは 特開昭第６０
−４２９７４号公報） 次に第６図にもとずいて、フェースダウンのマイクロバ
ンブボンディング実装した密着型イメージセンサについ
て詳細に述べも ガラス等透光性を有する絶縁基板２１の表面に金や銀−
白金などの貴金属により所望する回路導体層２２を形成
した透光性回路基板上へ 単結晶シリコン型センサから
なる半導体イメージセンサチップ２３のボンディングパ
ット上に金やアルミ等の導電性のバンブ２８を形成し
透光性回路基板上にバンブ付半導体イメージセンサチッ
プ２３を透光性のダイボンド剤２５を介してフェースダ
ウンで複数個直線状又は千鳥状に高精度に配列し加圧接
着固定することにより、回路導体層２２と半導体イメー
ジセンサチップ２３の電気的接続を行ったセンサ基板を
クリップ端子を用いて電気回路部品実装済プリント基板
とを電気的に接続してい九 以上のように構成した密着形イメージセンサは原稿から
の反射光である情報光１１を回路導体層付き透光性の絶
縁基板２１を透過して半導体イメージセンサチップ２３
に内蔵した光検知素子アレイ２４に照射し 情報光１１
０強弱に応じた時系列の電気信号を得てい島 （例えば
特開平第２−４４７４２号公報） 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のようなフェースアップのワイヤーボ
ンディング実装した構成でζよ カバーガラスと絶縁基
板との接着封止材料に有機樹脂を用いた場合、有機樹脂
の水分浸透性が高いため耐湿性が乏しく、低融点ガラス
を用いた場合、カバーガラスと絶縁基板との熱膨張係数
の差で低融点ガラスに歪が入りマイクロクラックや剥離
が生じてしまい耐熱衝撃に乏しいなど信頼性に問題があ
りへ またカバーガラスが成形品であるため高価で低コ
スト化が図りにくいという問題点を有していた 次にフェースダウンのマイクロバンプボンディング実装
した構成では 回路導体層基板との電気的接続をとるに
必要な透光性絶縁接着剤の圧縮応力が熱衝撃や高温高温
状態で劣化し 電気的接続不良が発生するという問題点
を有してい九 またフリップチップ実装の場合にζよ
半導体イメージセンサチップと絶縁基板との熱膨張係数
の差や絶縁基板に外部応力がかかった場合、直接バンプ
に歪を与え電気的接続不良が発生するなど信頼性が乏し
いという問題点を有していた 本発明は上記問題点に鑑へ 低コストで高信頼性の密着
型イメージセンサを提供するものであも課題を解決する
ための手段 上記問題点を解決するために本発明の密着型イメージセ
ンサＣ上 回路導体層を有する透光絶縁性の基板上に
半導体イメージセンサチップを複数個直線状に透光性接
着剤で接着固定し 半導体イメージセンサチップと回路
導体層を電気的に接続したもので、情報光を透光性の絶
縁基板側から半導体イメージセンサチップ裏面を通し光
検知素子アレイに照射して時系列の電気信号を得るもの
であする。
人力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のであム 従来の技術 返電 ファクシミリやデジタル複写機などのの画像入力
装置に用いられるイメージセンサ（よ 小型軽量化や高
性能化を図る目的で、フォトトランジスタやフォトダイ
オードからなる光検知素子アレイとバイポーラトランジ
スタやＭＯＳ、ＣＣＤなどの走査回路を内蔵した単結晶
シリコンの半導体イメージセンサチップを用いた密着型
イメージセンサが主に使用されていも この単結晶シリコンの半導体イメージセンサチップの実
装は フェースアップのワイヤーボンディング実装とフ
ェースダウンのフリップチップ実装やマイクロバンブボ
ンディング実装が提案され一部実用化されていも 以下図面を参照しなか仮 上記した従来の密着型イメー
ジセンサの一例について説明すも第５諷 第６図は従来
のワイヤーボンディング実装とマイクロバンブボンディ
ング実装を行った密着型イメージセンサの断面図であａ 第５医 第６図において２１は絶縁基板、 ２２は絶縁
基板２１上に形成した回路導体層 ２３は半導体イメー
ジセンサチップ、 ２４は半導体イメージセンサチップ
２３に内蔵した光検知素子アレイ、 ２５は半導体イメ
ージセンサチップ２３を接着、固定するためのダイボン
ド剋 ２６は半導体イメージセンサチップ２３と回路導
体層２２を電気的に接続する金属線＠ ２７は半導体
イメージセンサチップ２３を保護するためのカバーガラ
ス２８は半導体イメージセンサチップ２３のボンデング
パット上に形成したバンブ、 １１は情報光で原稿から
の反射光であａ 以下第５図にもとずいて、フェースアップのワイヤーボ
ンディング実装した密着型イメージセンサについて詳細
に述べも アルミナやガラス等の絶縁基板２１の表面に金や銀−白
金などの貴金属により所望する回路導体層２２を形成し
た回路基板上Ｊ：、、単結晶シリコン型センサからなる
半導体イメージセンサチップ２３をフェースアップで複
数個直線状又は千鳥状に高精度に配列して組入リエポキ
シ系の導電性を有するダイボンド剤２５により回路基板
上に接着固定し ダイボンド後各半導体イメージセンサ
チップ２３のボンディングパットと回路導体層２２とを
ワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金属細
線２６で接続し しかる後接着剤を用いてカバーガラス
２７と回路基板２２を接着固定したハーメチック封止構
造を有したセンサ基板をクリップ端子で電気回路部品実
装済プリント基板とを電気的に接続してい九 以上のように構成した密着形イメージセンサ（よ原稿か
らの反射光である情報光１１をカバーガラス２７を透過
して半導体イメージセンサチップ２３に内蔵した光検知
素子アレイ２４に照射し 情報光１１の強弱に応じた電
気信号を時系列的に得ていた （例えは 特開昭第６０
−４２９７４号公報） 次に第６図にもとずいて、フェースダウンのマイクロバ
ンブボンディング実装した密着型イメージセンサについ
て詳細に述べも ガラス等透光性を有する絶縁基板２１の表面に金や銀−
白金などの貴金属により所望する回路導体層２２を形成
した透光性回路基板上へ 単結晶シリコン型センサから
なる半導体イメージセンサチップ２３のボンディングパ
ット上に金やアルミ等の導電性のバンブ２８を形成し
透光性回路基板上にバンブ付半導体イメージセンサチッ
プ２３を透光性のダイボンド剤２５を介してフェースダ
ウンで複数個直線状又は千鳥状に高精度に配列し加圧接
着固定することにより、回路導体層２２と半導体イメー
ジセンサチップ２３の電気的接続を行ったセンサ基板を
クリップ端子を用いて電気回路部品実装済プリント基板
とを電気的に接続してい九 以上のように構成した密着形イメージセンサは原稿から
の反射光である情報光１１を回路導体層付き透光性の絶
縁基板２１を透過して半導体イメージセンサチップ２３
に内蔵した光検知素子アレイ２４に照射し 情報光１１
０強弱に応じた時系列の電気信号を得てい島 （例えば
特開平第２−４４７４２号公報） 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のようなフェースアップのワイヤーボ
ンディング実装した構成でζよ カバーガラスと絶縁基
板との接着封止材料に有機樹脂を用いた場合、有機樹脂
の水分浸透性が高いため耐湿性が乏しく、低融点ガラス
を用いた場合、カバーガラスと絶縁基板との熱膨張係数
の差で低融点ガラスに歪が入りマイクロクラックや剥離
が生じてしまい耐熱衝撃に乏しいなど信頼性に問題があ
りへ またカバーガラスが成形品であるため高価で低コ
スト化が図りにくいという問題点を有していた 次にフェースダウンのマイクロバンプボンディング実装
した構成では 回路導体層基板との電気的接続をとるに
必要な透光性絶縁接着剤の圧縮応力が熱衝撃や高温高温
状態で劣化し 電気的接続不良が発生するという問題点
を有してい九 またフリップチップ実装の場合にζよ
半導体イメージセンサチップと絶縁基板との熱膨張係数
の差や絶縁基板に外部応力がかかった場合、直接バンプ
に歪を与え電気的接続不良が発生するなど信頼性が乏し
いという問題点を有していた 本発明は上記問題点に鑑へ 低コストで高信頼性の密着
型イメージセンサを提供するものであも課題を解決する
ための手段 上記問題点を解決するために本発明の密着型イメージセ
ンサＣ上 回路導体層を有する透光絶縁性の基板上に
半導体イメージセンサチップを複数個直線状に透光性接
着剤で接着固定し 半導体イメージセンサチップと回路
導体層を電気的に接続したもので、情報光を透光性の絶
縁基板側から半導体イメージセンサチップ裏面を通し光
検知素子アレイに照射して時系列の電気信号を得るもの
であする。
作用
本発明は上記した構成によってわかるように回路導体層
付き透光絶縁性基板や半導体イメージセンサチップ等の
構成材料に熱膨張係数差があっても電気接続にフレキシ
ビリティ−のある金属細線を用いているため置 耐熱衝
撃性や耐高温高湿性が向上するとともに外部応力に対し
ても強くなるなど信頼性が良くなも また半導体イメージセンサチップの裏面から情報光を照
射することにより、半導体イメージセンサチップの保護
は 安価な樹脂でモールドすることでカバーガラスが不
用になり、耐湿性や機械的振動など信頼性向上と低コス
ト化が図られることとなも 実施例 以下本発明の一実施の密着型イメージセンサについて、
図面を参照しながら説明すも 第１＠ 第２皿 第３＠ 第４図は本発明の実施例にお
ける密着型イメージセンサの断面図を示すものであム 第１＠ 第２＠ 第３医 第４図において１は透光性の
絶縁基板 ２は透光性絶縁基板ｌ上に形成した回路導体
層 ３は半導体イメージセンサチップ、 ４は半導体イ
メージセンサチップ３に内蔵した光検知素子アレイ、
５は半導体イメージセンサチップ３を接着固定するため
の透光絶縁性のダイボンド剋 ６は半導体イメージセン
サチップ３と回路導体層２を電気的に接続する金属線Ｉ
Ｌ９は半導体イメージセンサチップ３を保護するための
絶縁樹脂 １０は光遮蔽ｊＬ １１は情報光で原稿か
らの反射光であム 以上のように構成された密着型イメージセンサについて
、以下第１＠ 第２＠ 第３＠ 第４図を用いその製造
方法を説明すも （実施例１） 半導体プロセスを用いて４００〜８００μｍの厚みがあ
る単結晶シリコン基板表面上圏 フォトトランジスタや
フォトダイード等の光検知素子アレイ４とＣＣＤ、ＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等からなる走査回路を内蔵した半導
体イメージセンサを作成すも 次にこの単結晶シリコン
基板の裏面と人工皮革のパッド間に 酸化シリコン粉入
り水酸化ナトリウム水溶液の研磨剤を介在させた状態で
押し付けて回転運動を行ｕＬ 単結晶シリコン基板の
厚みが５〜１００μｍまで機械的・化学的に研磨した丸
高精度ダイシング技術を駆使して切断加工することに
より半導体イメージセンサチップ３を作成すも また
ガラスなどの透光性絶縁基板１上に金や銀−白金等の貴
金属をスクリーン印刷法または薄膜形成法とフォトリソ
法を用い回路導体層２を形成すも この透光性絶縁基板
ｌ上の所定の位置にアクリル系の光硬化型樹脂やシリコ
ーン系の熱硬化型樹脂などの透光絶縁性ダイボンド５を
スクリーン印刷やデイスペンサ等で所定量を塗布し そ
の上に先の半導体イメージセンサチップ３をフェースア
ップで複数個直線状に配列して接着・固定してダイボン
ドすも その眞 半導体イメージセンサ３のボンディン
グバットと回路導体層２とをワイヤーボンド法により金
やアルミなどの金属細線６で接続して実装を完了すムこ
の密着型イメージセンサ（よ 原稿からの反射光である
情報光１１を透光性絶縁基板１を通して半導体イメージ
センサ３裏面から光検知素子アレイ４に照射して、時系
列の電気信号を得ていも以上のように本実施例によれば
ワイヤーボンド実装した半導体イメージセンサチップ
の裏面から情報光を照射して電気信号変換することによ
り、信頼性が高（低コストの密着型イメージセンサを得
ることができも また 研磨後の単結晶シリコン裏面を
フッ酸と硝酸の混液でエツチングすることにより、裏面
の凹凸が小さくなりなることにより情報光の散乱がなく
均一な光が光検知素子に入射されも （実施例２） 実施例１におけ本 ワイヤーボンド実装済み半導体イメ
ージセンサチップ３表面をエポキシ系やシリコーン系の
絶縁樹脂９で所定量塗布し硬化させも 以上のように半
導体イメージセンサチップ３表面や金属細線を絶縁樹脂
でモールドして保護することにより、機械的振動や外部
応力に対する信頼性がより向上すも また 絶縁樹脂に
光遮蔽の絶縁樹脂を用いることにより、半導体イメージ
センサチップ表面からの光を遮断することにより疑似信
号成分が小さくなるためセンサ特性がより向上すム （実施例３） 実施例１におけゑ 研磨後の単結晶シリコン裏面にアル
ミや金など金属性の光遮蔽膜をスパッタリング法や抵抗
加熱法等の真空蒸着を用い可視光が遮断される膜厚まで
蒸着した抵 フォトリソ法とエツチング法を用いて情報
光入射領域以外の裏面に光遮蔽膜１０を形成すも 以上
のように半導体イメージセンサチップ裏面に光遮蔽膜を
形成した事により、情報光が走査回路に照射されないた
数 走査回路の光による誤動作が無くなも（実施例４） 実施例１におけべ 光検知素子と走査回路を内蔵し単結
晶シリコン基板の裏面を研磨して、シリコン基板の厚み
を３００μｍに削も この単結晶シリコン基板の裏面に
フォトリソプロセスを用いて光検知素子アレイ直下の情
報光入射領域以外にレジストを形成し フッ酸と硝酸の
混液でエツチングして情報光入射領域の単結晶シリコン
基板の厚みを１０μｍにして凹状の半導体イメージセン
サチップ３にすも 以上のように情報光入射領域を薄く
した凹状したことにより、構造約に丈夫になるためダイ
ボンド工程で発生する半導体イメージセンサチップの破
損が減少するととも凶 光検知素子アレイ直下のチップ
厚みをより薄くできるので情報光がシリコン基板中で減
衰しなくなりセンサ特性の感度が高くなも 発明の効果 以上のように本発明ζ上 回路導体層を有する透光絶縁
性基板上に半導体イメージセンサチップを透光絶縁性の
ダイボンド剤で接着固定し 半導体イメージセンサチッ
プと回路導体層を金属細線で電気的に接続したもので、
情報光を透光絶縁性基板側を通して半導体イメージセン
サチップの裏面から光検知素子に照射し時系列の電気信
号を得ることにより、信頼性や歩留りが高く低コストの
密着型イメージセンサを実現することができも
付き透光絶縁性基板や半導体イメージセンサチップ等の
構成材料に熱膨張係数差があっても電気接続にフレキシ
ビリティ−のある金属細線を用いているため置 耐熱衝
撃性や耐高温高湿性が向上するとともに外部応力に対し
ても強くなるなど信頼性が良くなも また半導体イメージセンサチップの裏面から情報光を照
射することにより、半導体イメージセンサチップの保護
は 安価な樹脂でモールドすることでカバーガラスが不
用になり、耐湿性や機械的振動など信頼性向上と低コス
ト化が図られることとなも 実施例 以下本発明の一実施の密着型イメージセンサについて、
図面を参照しながら説明すも 第１＠ 第２皿 第３＠ 第４図は本発明の実施例にお
ける密着型イメージセンサの断面図を示すものであム 第１＠ 第２＠ 第３医 第４図において１は透光性の
絶縁基板 ２は透光性絶縁基板ｌ上に形成した回路導体
層 ３は半導体イメージセンサチップ、 ４は半導体イ
メージセンサチップ３に内蔵した光検知素子アレイ、
５は半導体イメージセンサチップ３を接着固定するため
の透光絶縁性のダイボンド剋 ６は半導体イメージセン
サチップ３と回路導体層２を電気的に接続する金属線Ｉ
Ｌ９は半導体イメージセンサチップ３を保護するための
絶縁樹脂 １０は光遮蔽ｊＬ １１は情報光で原稿か
らの反射光であム 以上のように構成された密着型イメージセンサについて
、以下第１＠ 第２＠ 第３＠ 第４図を用いその製造
方法を説明すも （実施例１） 半導体プロセスを用いて４００〜８００μｍの厚みがあ
る単結晶シリコン基板表面上圏 フォトトランジスタや
フォトダイード等の光検知素子アレイ４とＣＣＤ、ＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等からなる走査回路を内蔵した半導
体イメージセンサを作成すも 次にこの単結晶シリコン
基板の裏面と人工皮革のパッド間に 酸化シリコン粉入
り水酸化ナトリウム水溶液の研磨剤を介在させた状態で
押し付けて回転運動を行ｕＬ 単結晶シリコン基板の
厚みが５〜１００μｍまで機械的・化学的に研磨した丸
高精度ダイシング技術を駆使して切断加工することに
より半導体イメージセンサチップ３を作成すも また
ガラスなどの透光性絶縁基板１上に金や銀−白金等の貴
金属をスクリーン印刷法または薄膜形成法とフォトリソ
法を用い回路導体層２を形成すも この透光性絶縁基板
ｌ上の所定の位置にアクリル系の光硬化型樹脂やシリコ
ーン系の熱硬化型樹脂などの透光絶縁性ダイボンド５を
スクリーン印刷やデイスペンサ等で所定量を塗布し そ
の上に先の半導体イメージセンサチップ３をフェースア
ップで複数個直線状に配列して接着・固定してダイボン
ドすも その眞 半導体イメージセンサ３のボンディン
グバットと回路導体層２とをワイヤーボンド法により金
やアルミなどの金属細線６で接続して実装を完了すムこ
の密着型イメージセンサ（よ 原稿からの反射光である
情報光１１を透光性絶縁基板１を通して半導体イメージ
センサ３裏面から光検知素子アレイ４に照射して、時系
列の電気信号を得ていも以上のように本実施例によれば
ワイヤーボンド実装した半導体イメージセンサチップ
の裏面から情報光を照射して電気信号変換することによ
り、信頼性が高（低コストの密着型イメージセンサを得
ることができも また 研磨後の単結晶シリコン裏面を
フッ酸と硝酸の混液でエツチングすることにより、裏面
の凹凸が小さくなりなることにより情報光の散乱がなく
均一な光が光検知素子に入射されも （実施例２） 実施例１におけ本 ワイヤーボンド実装済み半導体イメ
ージセンサチップ３表面をエポキシ系やシリコーン系の
絶縁樹脂９で所定量塗布し硬化させも 以上のように半
導体イメージセンサチップ３表面や金属細線を絶縁樹脂
でモールドして保護することにより、機械的振動や外部
応力に対する信頼性がより向上すも また 絶縁樹脂に
光遮蔽の絶縁樹脂を用いることにより、半導体イメージ
センサチップ表面からの光を遮断することにより疑似信
号成分が小さくなるためセンサ特性がより向上すム （実施例３） 実施例１におけゑ 研磨後の単結晶シリコン裏面にアル
ミや金など金属性の光遮蔽膜をスパッタリング法や抵抗
加熱法等の真空蒸着を用い可視光が遮断される膜厚まで
蒸着した抵 フォトリソ法とエツチング法を用いて情報
光入射領域以外の裏面に光遮蔽膜１０を形成すも 以上
のように半導体イメージセンサチップ裏面に光遮蔽膜を
形成した事により、情報光が走査回路に照射されないた
数 走査回路の光による誤動作が無くなも（実施例４） 実施例１におけべ 光検知素子と走査回路を内蔵し単結
晶シリコン基板の裏面を研磨して、シリコン基板の厚み
を３００μｍに削も この単結晶シリコン基板の裏面に
フォトリソプロセスを用いて光検知素子アレイ直下の情
報光入射領域以外にレジストを形成し フッ酸と硝酸の
混液でエツチングして情報光入射領域の単結晶シリコン
基板の厚みを１０μｍにして凹状の半導体イメージセン
サチップ３にすも 以上のように情報光入射領域を薄く
した凹状したことにより、構造約に丈夫になるためダイ
ボンド工程で発生する半導体イメージセンサチップの破
損が減少するととも凶 光検知素子アレイ直下のチップ
厚みをより薄くできるので情報光がシリコン基板中で減
衰しなくなりセンサ特性の感度が高くなも 発明の効果 以上のように本発明ζ上 回路導体層を有する透光絶縁
性基板上に半導体イメージセンサチップを透光絶縁性の
ダイボンド剤で接着固定し 半導体イメージセンサチッ
プと回路導体層を金属細線で電気的に接続したもので、
情報光を透光絶縁性基板側を通して半導体イメージセン
サチップの裏面から光検知素子に照射し時系列の電気信
号を得ることにより、信頼性や歩留りが高く低コストの
密着型イメージセンサを実現することができも
第１図は本発明の第１の実施例における密着型イメージ
センサの断面図 第２図は本発明の第２の実施例におけ
る密着型イメージセンサの断面医第３図は本発明の第３
の実施例における密着型イメージセンサの断面図 第４
図は本発明の第４の実施例における密着型イメージセン
サの断面阻第５＠ 第６図は従来例における密着型イメ
ージセンサの断面図であ翫 １・・・透光性の絶縁基板 ２・・・回路導体［３・・
・半導体イメージセンサチップ、 ４・・・半導体イメ
ージセンサチップに内蔵した光検知素子アレイ、５・・
・透光絶縁性のダイボンド剋 ６・・・金属線ＩＬ９・
・・絶縁樹脂 １０・・・光遮蔽Ｋ １１・・・情報
光 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 第 図 第 図 第 図 第 図
センサの断面図 第２図は本発明の第２の実施例におけ
る密着型イメージセンサの断面医第３図は本発明の第３
の実施例における密着型イメージセンサの断面図 第４
図は本発明の第４の実施例における密着型イメージセン
サの断面阻第５＠ 第６図は従来例における密着型イメ
ージセンサの断面図であ翫 １・・・透光性の絶縁基板 ２・・・回路導体［３・・
・半導体イメージセンサチップ、 ４・・・半導体イメ
ージセンサチップに内蔵した光検知素子アレイ、５・・
・透光絶縁性のダイボンド剋 ６・・・金属線ＩＬ９・
・・絶縁樹脂 １０・・・光遮蔽Ｋ １１・・・情報
光 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (4)
- （１）回路導体層を有する透光性絶縁基板上に半導体イ
メージセンサチップを複数個直線状に透光絶縁性ダイボ
ンド剤で接着固定し、前記半導体イメージセンサチップ
と前記回路導体層を電気的に接続した構成において、前
記透光性絶縁基板側から情報光を半導体イメージセンサ
チップの裏面に照射する事を特徴とする密着型イメージ
センサ。 - （２）半導体イメージセンサチップ表面を絶縁樹脂でモ
ールドした事を特徴とする請求項１記載の密着型イメー
ジセンサ。 - （３）半導体イメージセンサチップと透光性絶縁基板の
間に少なくとも情報光が半導体イメージセンサチップの
光検知素子アレイに入射する領域以外に光遮蔽膜を形成
する事を特徴とする請求項１記載の密着型イメージセン
サ。 - （４）少なくとも半導体イメージセンサチップの光検知
素子アレイ直下のチップ厚みを、周辺より薄くした事を
特徴とする請求項１記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237487A JPH04116959A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237487A JPH04116959A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116959A true JPH04116959A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17016054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237487A Pending JPH04116959A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116959A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251816A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Sony Corp | Solid pickup equipment |
| JPS6297370A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS62221139A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237487A patent/JPH04116959A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251816A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Sony Corp | Solid pickup equipment |
| JPS6297370A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS62221139A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
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