JPH04114918A - 導電性酸化錫膜の製法 - Google Patents
導電性酸化錫膜の製法Info
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- JPH04114918A JPH04114918A JP23603390A JP23603390A JPH04114918A JP H04114918 A JPH04114918 A JP H04114918A JP 23603390 A JP23603390 A JP 23603390A JP 23603390 A JP23603390 A JP 23603390A JP H04114918 A JPH04114918 A JP H04114918A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
大発明は、化学気相成長方法に関し、さらに詳しくは、
例えば、透明導電膜、導電膜、表面保護膜、触媒膜、半
導体膜、ブリコーテイング膜などとして有用な酸化錫膜
の、例えば、ガラス、セラミックス、金属、プラスチッ
クスなどの非処理物表面への形成方法に関する。
例えば、透明導電膜、導電膜、表面保護膜、触媒膜、半
導体膜、ブリコーテイング膜などとして有用な酸化錫膜
の、例えば、ガラス、セラミックス、金属、プラスチッ
クスなどの非処理物表面への形成方法に関する。
（従来の技術）
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ、化学気相成長法）法は、高性能膜を量産
できる方法として広く実用化されている。
ｓｉｔｉｏｎ、化学気相成長法）法は、高性能膜を量産
できる方法として広く実用化されている。
電子材料としてデバイスなどに利用する場合、高性能化
や多機能化、高密度集積化の点からプロセスの低温化が
望まれている。
や多機能化、高密度集積化の点からプロセスの低温化が
望まれている。
従来４００℃程度の温度で良質な酸化錫膜を得るために
は、原料としてアルキル金属などの有機金属を用いたＭ
○（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ） ＣＶＤ法か、プラ
ズマＣＶＤ法を用いるしかなかった。
は、原料としてアルキル金属などの有機金属を用いたＭ
○（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ） ＣＶＤ法か、プラ
ズマＣＶＤ法を用いるしかなかった。
しかしながら、前者においては原料の反応性が高く室温
の空気と触れるだけで発火する場合があるなど、その取
り扱いに難点がある。
の空気と触れるだけで発火する場合があるなど、その取
り扱いに難点がある。
また後者のプラズマＣＶＤ法によるときは、イオン衝撃
の悪影響があり、反応の制御性に劣るという難点がある
。
の悪影響があり、反応の制御性に劣るという難点がある
。
一／−
（発明の目的）
本発明は上記難点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、低融点金属やプラスチックスも非処
理物として利用できる低温での反応が可能な新たな化学
気相成長法を提供するにあり、その特徴は、錫のβジケ
トンを３００℃以下の低温で分解して膜を成長させると
ころにある。
的とするところは、低融点金属やプラスチックスも非処
理物として利用できる低温での反応が可能な新たな化学
気相成長法を提供するにあり、その特徴は、錫のβジケ
トンを３００℃以下の低温で分解して膜を成長させると
ころにある。
（発明の構成）
本発明においては、錫のβジケトン（例えばビスアセチ
ルアセトナート錫）またはビスアセチルアセトナート錫
の誘導体を原料として用いる。
ルアセトナート錫）またはビスアセチルアセトナート錫
の誘導体を原料として用いる。
発明者はβジケトンの中に、分解による膜形成が低温（
３００℃以下）で進行するものがあることを見いだした
。
３００℃以下）で進行するものがあることを見いだした
。
錫のβジケトンは室温で空気に触れても発火することも
なく安全である。また、大気開放下で反応器を使用する
ことができ、取り扱いが容易である。
なく安全である。また、大気開放下で反応器を使用する
ことができ、取り扱いが容易である。
第１図は大気開放型の反応器を使用する例を示す。
原料である錫のβジケトンは、気化器１０に収容され、
気化器１０中で加熱により気化されＮ２ガスをキャリア
ガスとして、流量制御弁１２を経由して反応器１４に導
入される。錫のβジケトンが液体の場合、バブラ１６に
収容され、バブラ１６中で加熱により気化されＮ２をキ
ャリアガスとして、流量制御弁１８を経由して反応器１
４に導入してもよい。２０はヒーターで反応器１４内を
１００〜５００℃程度の反応温度にまで昇温する。
気化器１０中で加熱により気化されＮ２ガスをキャリア
ガスとして、流量制御弁１２を経由して反応器１４に導
入される。錫のβジケトンが液体の場合、バブラ１６に
収容され、バブラ１６中で加熱により気化されＮ２をキ
ャリアガスとして、流量制御弁１８を経由して反応器１
４に導入してもよい。２０はヒーターで反応器１４内を
１００〜５００℃程度の反応温度にまで昇温する。
第２図は密閉型の反応器を使用する例を示す。
必要に応じて０２は流量制御弁２２を経由して反応器１
４に導入される。
４に導入される。
２４は真空ポンプで、減圧下で成膜する場合に用いる。
以下に実施例を示す。
実施例１
ビスアセチルアセトナート錫を６０℃に加熱し、発生し
たガスを大気開放型反応容器中に導入した。キャリアガ
スはＮ２ガスであり、流量４００ｃｍ３７ｍ１ｎであっ
た。反応温度２５０℃で反応させた一 ゲ ところ、透明性の高い多結晶の５ｎＯｚ薄膜が４０人／
ｍｉｎの成膜速度で得られた。
たガスを大気開放型反応容器中に導入した。キャリアガ
スはＮ２ガスであり、流量４００ｃｍ３７ｍ１ｎであっ
た。反応温度２５０℃で反応させた一 ゲ ところ、透明性の高い多結晶の５ｎＯｚ薄膜が４０人／
ｍｉｎの成膜速度で得られた。
実施例２
反ｇｍ族！
反応温度による抵抗率の変化を調べた。第１表にビスア
セチルアセトナート錫の気化温度６０℃、キャリアガス
（Ｎ２ガス）流量４０００ｍ３７ｍ１ｎで、得られた反
応温度による酸化膜の抵抗率の変化を示す。
セチルアセトナート錫の気化温度６０℃、キャリアガス
（Ｎ２ガス）流量４０００ｍ３７ｍ１ｎで、得られた反
応温度による酸化膜の抵抗率の変化を示す。
反応温度が低いほど抵抗率が小さくなるのは、反応温度
の低下とともに、非化学量論が増大し酸素欠陥が増加し
、これが自由電子（キャリア）濃度を増大させるためで
あると考えられる。
の低下とともに、非化学量論が増大し酸素欠陥が増加し
、これが自由電子（キャリア）濃度を増大させるためで
あると考えられる。
第１表
い上も安全な錫のβジケトンを用いて、酸化錫膜を低温
で有効に成長させることができる。
で有効に成長させることができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
図１．２に本発明方法を実施する一装置の概略を示す。
第１図は大気開放下で成膜する場合、第２図は密閉系で
、常圧あるいは減圧下で成膜する例を示す。 １０・・・気化器、１２・・・流量制御弁、１４・・・
反応器、１６・・・バブラ、１８・・・流量制御弁、２
０・・・ヒーター２２・・・流量制御弁、２４・・・真
空ポンプ。
、常圧あるいは減圧下で成膜する例を示す。 １０・・・気化器、１２・・・流量制御弁、１４・・・
反応器、１６・・・バブラ、１８・・・流量制御弁、２
０・・・ヒーター２２・・・流量制御弁、２４・・・真
空ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、錫のβジケトンを５００℃以下の低温で分解して非
処理物表面に酸化錫膜を成長させることを特徴とする化
学気相成長方法。 ２、錫のβジケトンを、不活性なガス雰囲気下で加熱し
、発生した蒸気を用いて非処理物表面に酸化錫膜を成長
させる特許請求の範囲第１項記載の化学気相成長方法。 ３、錫のβジケトンが、ビスアセチルアセトナート錫ま
たはビスアセチルアセトナート錫の誘導体である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23603390A JPH04114918A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 導電性酸化錫膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23603390A JPH04114918A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 導電性酸化錫膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114918A true JPH04114918A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16994767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23603390A Pending JPH04114918A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 導電性酸化錫膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114918A (ja) |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23603390A patent/JPH04114918A/ja active Pending
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