JPH0411449A - 画像形成または画像読取り装置 - Google Patents
画像形成または画像読取り装置Info
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- JPH0411449A JPH0411449A JP2113075A JP11307590A JPH0411449A JP H0411449 A JPH0411449 A JP H0411449A JP 2113075 A JP2113075 A JP 2113075A JP 11307590 A JP11307590 A JP 11307590A JP H0411449 A JPH0411449 A JP H0411449A
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- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 17
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、発光ダイオード(略称LED>ヘッドなどの
画像形成装置または原稿を光学的に読取る画像読取り装
置に関するものである。
画像形成装置または原稿を光学的に読取る画像読取り装
置に関するものである。
[従来の技術]
複数のLED素子が一直線状に配列されて構成されるL
EDアレイを、複数個、前記−直線方向に隣接して配置
して構成したLEDヘッドにおいて、各LED素子を発
光駆動するための電流を与えるスイッチング素子である
トランジスタのスイッチング動作時のキャリアの蓄積時
間にばらつきがあると、各LED素子の発光出力特性が
同一であっても、各発光出力にばらつきが生じ、これに
よって印画品質の低下を招く、トランジスタのスイッチ
ング時間が異なる理由は、たとえばNPN導電形式のバ
イポーラトランジスタにおいて、そのエミッタからベー
スに電流が流込むことによって、ベース内にキャリアの
蓄積がおこり、この蓄積したキャリアの量は、トランジ
スタ毎に異なり、したがって導通状態から急に遮断状態
となったときの時間遅れにばらつきが生じるからである
。このばらつきの時間は、たとえば数μ秒〜数十μ秒の
範囲である。各LED素子の印画のための発光時間は、
たとえば15〜100μ秒であり、したがってトランジ
スタの蓄積時間のばらつきは無視できず、前述のように
印画品質の低下を招くことになる。
EDアレイを、複数個、前記−直線方向に隣接して配置
して構成したLEDヘッドにおいて、各LED素子を発
光駆動するための電流を与えるスイッチング素子である
トランジスタのスイッチング動作時のキャリアの蓄積時
間にばらつきがあると、各LED素子の発光出力特性が
同一であっても、各発光出力にばらつきが生じ、これに
よって印画品質の低下を招く、トランジスタのスイッチ
ング時間が異なる理由は、たとえばNPN導電形式のバ
イポーラトランジスタにおいて、そのエミッタからベー
スに電流が流込むことによって、ベース内にキャリアの
蓄積がおこり、この蓄積したキャリアの量は、トランジ
スタ毎に異なり、したがって導通状態から急に遮断状態
となったときの時間遅れにばらつきが生じるからである
。このばらつきの時間は、たとえば数μ秒〜数十μ秒の
範囲である。各LED素子の印画のための発光時間は、
たとえば15〜100μ秒であり、したがってトランジ
スタの蓄積時間のばらつきは無視できず、前述のように
印画品質の低下を招くことになる。
[発明が解決すべき課題]
本発明の目的は、印画または画像読取りの品質を向上す
ることができるようにした画像形成または画像読取り装
置を掃供することである。
ることができるようにした画像形成または画像読取り装
置を掃供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、印画出力または受光検出しベルが所定範囲内
にある印画素子または受光素子を直線状に配列した第1
アレイと、 キャリア蓄積時間が所定範囲内にあり、かつ各印画素子
または各受光素子に対応して各々設けられたスイッチン
グ素子から成る第2アレイと、該第2アレイのスイッチ
ング素子を介して各印画素子を駆動もしくは受光素子の
出力を導出する制御手段とから成る画像形成または画像
読取り装置である。
にある印画素子または受光素子を直線状に配列した第1
アレイと、 キャリア蓄積時間が所定範囲内にあり、かつ各印画素子
または各受光素子に対応して各々設けられたスイッチン
グ素子から成る第2アレイと、該第2アレイのスイッチ
ング素子を介して各印画素子を駆動もしくは受光素子の
出力を導出する制御手段とから成る画像形成または画像
読取り装置である。
[作 用]
本発明に従えば、いわゆるスタティック駆動方式の画像
形成または画像読取り装置では、印画素子または受光素
子の複数の第1アレイと5各第1アレイ毎に個別的に対
応するスイッチング素子の複数の第2アレイとが設番プ
られ、第27しイのスイッチング素子を制御手段によっ
て予め定める時間、−斉に導通させて、各印画素子を駆
動し、または受光素子の受光検出出力を導出し、各第1
アレイは、その各アレイに含まれる印画素子の平均の印
画出力または受光素子の平均の受光検出しベルが、予め
定める近似した値の範囲に定められ、この第2アレイに
含まれるスイッチング素子の平均の各蓄積時間は、予め
定める近似した値の範囲に選ばれ、その蓄積時間のばら
つきを、そのスイッチング素子の導通すべき期間のたと
えば10%未満とする。これによって各印画素子の印画
出力をほぼ等しくシ、または、受光素子の受光検出出力
をほぼ等しくし、このようにして印画品質または画像読
取り品質の向上を図ることができる。
形成または画像読取り装置では、印画素子または受光素
子の複数の第1アレイと5各第1アレイ毎に個別的に対
応するスイッチング素子の複数の第2アレイとが設番プ
られ、第27しイのスイッチング素子を制御手段によっ
て予め定める時間、−斉に導通させて、各印画素子を駆
動し、または受光素子の受光検出出力を導出し、各第1
アレイは、その各アレイに含まれる印画素子の平均の印
画出力または受光素子の平均の受光検出しベルが、予め
定める近似した値の範囲に定められ、この第2アレイに
含まれるスイッチング素子の平均の各蓄積時間は、予め
定める近似した値の範囲に選ばれ、その蓄積時間のばら
つきを、そのスイッチング素子の導通すべき期間のたと
えば10%未満とする。これによって各印画素子の印画
出力をほぼ等しくシ、または、受光素子の受光検出出力
をほぼ等しくし、このようにして印画品質または画像読
取り品質の向上を図ることができる。
また本発明に従うダイナミック駆動方式の画像形成また
は画像読取り装置に従えば、印画素子琥たは受光素子の
複数のアレイと、各アレイ毎に個別的に対応して設けら
れる複数のスイッチング素子と、このスイッチング素子
を順次的に導通している期間において、そのスイッチン
グ素子に対応するアレイに含まれる印画素子に印画駆動
電流を与え、または受光素子からの受光検出出力を導出
するようにし、このスイッチング素子のスイッチング動
作の蓄積時間のばらつきは、予め定める近似した値の範
囲に定められ、これによって各印画素子の印画出力をほ
ぼ等しくし、あるいはまた受光素子の受光検出出力をほ
ぼ等しくし、これによって印画または画像読取りの品質
の向上を図ることができる。
は画像読取り装置に従えば、印画素子琥たは受光素子の
複数のアレイと、各アレイ毎に個別的に対応して設けら
れる複数のスイッチング素子と、このスイッチング素子
を順次的に導通している期間において、そのスイッチン
グ素子に対応するアレイに含まれる印画素子に印画駆動
電流を与え、または受光素子からの受光検出出力を導出
するようにし、このスイッチング素子のスイッチング動
作の蓄積時間のばらつきは、予め定める近似した値の範
囲に定められ、これによって各印画素子の印画出力をほ
ぼ等しくし、あるいはまた受光素子の受光検出出力をほ
ぼ等しくし、これによって印画または画像読取りの品質
の向上を図ることができる。
さらにまた本発明に従えば、このようなダイナミック駆
動方式の画像形成または画像読取り装置において、スイ
ッチング素子の蓄積時間のばらつきが存在していても、
そのスイッチング素子を導通制御する制御信号の持続期
間を、スイッチング素子の蓄積時間が長い程、短くなる
ように予めメモリなどにストアして設定しておき、これ
によって印画素子の印画出力をほぼ等しくし、あるいは
誹だ受光素子からの受光検出出力をほぼ等しくし、こう
して印画または画像読取りの品質の向上を図ることがで
きる。
動方式の画像形成または画像読取り装置において、スイ
ッチング素子の蓄積時間のばらつきが存在していても、
そのスイッチング素子を導通制御する制御信号の持続期
間を、スイッチング素子の蓄積時間が長い程、短くなる
ように予めメモリなどにストアして設定しておき、これ
によって印画素子の印画出力をほぼ等しくし、あるいは
誹だ受光素子からの受光検出出力をほぼ等しくし、こう
して印画または画像読取りの品質の向上を図ることがで
きる。
[実施pA]
第1図は、本発明の一実施例のプロ・ツク図である。い
わゆるマルチチップタイプのスタティック駆動方式LE
Dヘッドにおいて、LEDアレイA1、、A2.・・・
、A40が一直線状に隣接して配置される。各ア)/イ
ム1〜A40には、複数のLED素子IP1〜IP64
.2P1〜2P64.・・・40P1〜40P64が一
直線状にそれぞれ配列される。
わゆるマルチチップタイプのスタティック駆動方式LE
Dヘッドにおいて、LEDアレイA1、、A2.・・・
、A40が一直線状に隣接して配置される。各ア)/イ
ム1〜A40には、複数のLED素子IP1〜IP64
.2P1〜2P64.・・・40P1〜40P64が一
直線状にそれぞれ配列される。
半導体集積回路によって実現されるアレイBIB2.・
・・、B2Oには、各アレイA1−A40毎に個別的に
対応して設けられる。アレイB1において、スイッチン
グ素子であるトランジスタQ1〜Q 64は、各LED
素子I P 1〜IP64に個別的に対応して直列に設
けられ、これらのトランジスタQ1〜Q64はマイクロ
コンピュータなどによって実現される制御手段1の端子
VLLがらライン2を介して電力が供給される。残余の
アレイB2〜B40もまた同様な構成となっており、ラ
イン2に共通に接続される。各トランジスタQ1〜Q6
4のベースには、ANDゲート01〜G64から制御信
号が与えられる。各ゲートG1〜G 64には、制御手
段1の端子STBからライン3を介してストローブ信号
が与えられる。
・・、B2Oには、各アレイA1−A40毎に個別的に
対応して設けられる。アレイB1において、スイッチン
グ素子であるトランジスタQ1〜Q 64は、各LED
素子I P 1〜IP64に個別的に対応して直列に設
けられ、これらのトランジスタQ1〜Q64はマイクロ
コンピュータなどによって実現される制御手段1の端子
VLLがらライン2を介して電力が供給される。残余の
アレイB2〜B40もまた同様な構成となっており、ラ
イン2に共通に接続される。各トランジスタQ1〜Q6
4のベースには、ANDゲート01〜G64から制御信
号が与えられる。各ゲートG1〜G 64には、制御手
段1の端子STBからライン3を介してストローブ信号
が与えられる。
制御手段1からの印画すべきデータ信号は、端子りから
ライン4を介して、アレイBl〜B40にそれぞれ備え
られているシフトレジスタSL。
ライン4を介して、アレイBl〜B40にそれぞれ備え
られているシフトレジスタSL。
S2.・・・、S40に直列ビットで与えられる。各シ
フトレジスタ81〜340のストア内容は、制御手段1
の出力端子りからライン5を介して与えられるラッチ信
号によって、ラッチ回路Ll、L2 ・・・ L40に
それぞれ転送されてラッチされる。ラッチ回路Llにス
トアされている各LED素子IP1〜IP64毎のスト
ア内容は、ANDゲートG1〜G64に個別的に与えら
れ、このことは他のアレイB2〜B40でも同様である
。
フトレジスタ81〜340のストア内容は、制御手段1
の出力端子りからライン5を介して与えられるラッチ信
号によって、ラッチ回路Ll、L2 ・・・ L40に
それぞれ転送されてラッチされる。ラッチ回路Llにス
トアされている各LED素子IP1〜IP64毎のスト
ア内容は、ANDゲートG1〜G64に個別的に与えら
れ、このことは他のアレイB2〜B40でも同様である
。
第2図を参照して、制御手段1の端子りからライン4に
は、第2図(1)で示される印画すべきデータか各ライ
ン分ずつ順次的に導出され、シフトレジスタ81〜S4
0には、第2図(2)で示されるようにストアされる。
は、第2図(1)で示される印画すべきデータか各ライ
ン分ずつ順次的に導出され、シフトレジスタ81〜S4
0には、第2図(2)で示されるようにストアされる。
そこで第2図(3)に示されるラッチ信号が制御手段1
の出力端子りから導出され、ライン5を経て各ラッチ回
路し1〜L40に同時に与えられ、1:れによってシフ
トレジスタ81〜S40にそれぞれストアされている内
容は、各ラッチ回路L1〜L40に転送されてストアさ
れる。制御手段1は出力端子STBからライン3を介し
て第2図(4)で示されるローレベルのストローブ信号
を予め定める期間Tだけ導出する。これによってAND
ゲートG1〜G64を経てラッチ回路L1のストア内容
がトランジスタQ1〜Q64に与えられ、アレイAlに
含まれるLED素子IPI〜IP64がストア内容に従
って駆動される。その他のアレイB2〜B40に関して
も、アレイB1と同様な動作が行われる。
の出力端子りから導出され、ライン5を経て各ラッチ回
路し1〜L40に同時に与えられ、1:れによってシフ
トレジスタ81〜S40にそれぞれストアされている内
容は、各ラッチ回路L1〜L40に転送されてストアさ
れる。制御手段1は出力端子STBからライン3を介し
て第2図(4)で示されるローレベルのストローブ信号
を予め定める期間Tだけ導出する。これによってAND
ゲートG1〜G64を経てラッチ回路L1のストア内容
がトランジスタQ1〜Q64に与えられ、アレイAlに
含まれるLED素子IPI〜IP64がストア内容に従
って駆動される。その他のアレイB2〜B40に関して
も、アレイB1と同様な動作が行われる。
LEDアレイA1〜A40は、その各アレイA1〜A4
0に含まれるLED素子IP1〜40P64は予め定め
る電流を与えて駆動したとき、その平均の発光出力が、
予め定める近似した値の範囲。
0に含まれるLED素子IP1〜40P64は予め定め
る電流を与えて駆動したとき、その平均の発光出力が、
予め定める近似した値の範囲。
たとえば10%未満、好ましくは5%未満のばらつきで
予め定める近似した値の範囲にあるように、選ばれて用
いられる。
予め定める近似した値の範囲にあるように、選ばれて用
いられる。
第3図(1)で示されるように、ANDゲートG1から
トランジスタQ1のベースに第3図(1)て示される期
間Tたけ持続する制御信号が与えられたとき、トランジ
スタQ1は、スイッチング時間W1だけ導通し、このス
イッチング時間W1は、キャリアの蓄積時間だけ、前記
期間Tよりも大きく、前記期間Tを超える値である。残
余のトランジスタQ2〜Q64のスイッチング時間は、
トランジスタQ1の蓄積時間W1と等しいかまたは異な
っており、これらのトランジスタQ1〜Q64の蓄積時
間は、ばらつきの値ΔWの範囲でばらついている。期間
Tはたとえば15〜100μ秒である。
トランジスタQ1のベースに第3図(1)て示される期
間Tたけ持続する制御信号が与えられたとき、トランジ
スタQ1は、スイッチング時間W1だけ導通し、このス
イッチング時間W1は、キャリアの蓄積時間だけ、前記
期間Tよりも大きく、前記期間Tを超える値である。残
余のトランジスタQ2〜Q64のスイッチング時間は、
トランジスタQ1の蓄積時間W1と等しいかまたは異な
っており、これらのトランジスタQ1〜Q64の蓄積時
間は、ばらつきの値ΔWの範囲でばらついている。期間
Tはたとえば15〜100μ秒である。
本発明に従えば、アレイB1〜B40に含まれるスイッ
チング素子Q1〜Q64の蓄積時間、したがってそのば
らつきΔWは、予め定める近似した値の範囲に定められ
、たとえばこのばらつきの時間ΔWは、前記期間Tの1
0%未満、好ましくは5%未満に定められ、たとえば1
〜10μ秒である。これによって、駆動されるLED#
子IP1〜40P64の発光出力をほぼ均等にすること
がてき、そのため印画品質の向上を図ることができる。
チング素子Q1〜Q64の蓄積時間、したがってそのば
らつきΔWは、予め定める近似した値の範囲に定められ
、たとえばこのばらつきの時間ΔWは、前記期間Tの1
0%未満、好ましくは5%未満に定められ、たとえば1
〜10μ秒である。これによって、駆動されるLED#
子IP1〜40P64の発光出力をほぼ均等にすること
がてき、そのため印画品質の向上を図ることができる。
第4図は、本発明の他の実施例のブロック図である。こ
のマルチチップタイプのLEDヘッドは、いわゆるダイ
ナミック駆動方式であって、LEDアレイA1〜A40
が設けられ、各アレイA1〜A40には、LED索子I
P1〜IP64,2Pl〜2P64.・・・、40P1
〜40P64がそれぞれ設けられていることは、前述の
実施例と同様である。特にこの実施例では、各アレイA
1〜A40にそれぞれ含まれているLED素子IP1〜
IP64.2P1〜2P64.・・・、40P1〜40
P64の一方端子であるカソードは、ラインE1〜E4
0に接続される。スイッチング素子であるl・ランジス
タTRI〜TR40は、ラインEl〜E40に直列に接
続される。このトランジスタTRI〜TR40のベース
は、個別的にライン11を介してマイクロコンピュータ
などによって実現される制御回路12に接続される。
のマルチチップタイプのLEDヘッドは、いわゆるダイ
ナミック駆動方式であって、LEDアレイA1〜A40
が設けられ、各アレイA1〜A40には、LED索子I
P1〜IP64,2Pl〜2P64.・・・、40P1
〜40P64がそれぞれ設けられていることは、前述の
実施例と同様である。特にこの実施例では、各アレイA
1〜A40にそれぞれ含まれているLED素子IP1〜
IP64.2P1〜2P64.・・・、40P1〜40
P64の一方端子であるカソードは、ラインE1〜E4
0に接続される。スイッチング素子であるl・ランジス
タTRI〜TR40は、ラインEl〜E40に直列に接
続される。このトランジスタTRI〜TR40のベース
は、個別的にライン11を介してマイクロコンピュータ
などによって実現される制御回路12に接続される。
各アレイA1−A40毎にそれぞれ含まれるLED素子
IP1〜IP64.2P1〜2P64・・、 40P1
〜4QP64の他方端子であるアノードは、ライン11
〜/64をそれぞれ介して、駆動回路13に接続される
。
IP1〜IP64.2P1〜2P64・・、 40P1
〜4QP64の他方端子であるアノードは、ライン11
〜/64をそれぞれ介して、駆動回路13に接続される
。
この駆動回路13には、シフトレジスタ14が備えられ
、このシフトレジスタ】4に第5図(1)で示されるよ
うにして、アレイ八1に含まれるり。
、このシフトレジスタ】4に第5図(1)で示されるよ
うにして、アレイ八1に含まれるり。
ED素子IP1− I2O3のための印画データが制御
手段12の出力端子りからライン15を介して与えられ
てストアされる。制御手段12の出力端子りからライン
16を介して駆動回路13に含まれるラッチ回路17に
第5図(2〉で示されるラッチ信号が与えられることに
よって、シフトレジスタ14にストアされているデータ
はう・ソチ回f817に転送されてラッチされてストア
される。
手段12の出力端子りからライン15を介して与えられ
てストアされる。制御手段12の出力端子りからライン
16を介して駆動回路13に含まれるラッチ回路17に
第5図(2〉で示されるラッチ信号が与えられることに
よって、シフトレジスタ14にストアされているデータ
はう・ソチ回f817に転送されてラッチされてストア
される。
そこで処理回路12の出力端子STBからライン18を
介してANDゲート01〜G64に第5図く3)で示さ
れるストローブ信号が与えられることによって、ラッチ
回路17にストアされているデータは、ANDゲー)G
i〜G4およびスイッチングトランジスタQIOI−Q
164を介して定電流源を駆動し、ライン1l−164
に導出される。処理回路12は、う、イン11を介して
トランジスタTRI、TR2,TR40のベースに、時
間Tだけ持続する制御信号を第5図(4)、第5図(5
)および第5図(6)で示されるように与える。しまた
かってトランジスタTRIが導通している期間中におい
て、アレイA1が選択され、LED累子IP1〜1P6
4は駆動回路13のデータによって個々に駆動されて発
光する。このトランジスタTRIが導通L7ている期間
中において、次のアレイA2のためのデータが制御手段
12からライン15を介してシフトレジスタ〕4にスト
アされ、その後、トランジスタTR2が導通されるとき
アレイA2が選択され、同様に、+−E D素子2P1
〜2P64が駆動される。以下同様にして、アレイA4
0に含まれるLED素子40P1〜40P64が駆動さ
れる。
介してANDゲート01〜G64に第5図く3)で示さ
れるストローブ信号が与えられることによって、ラッチ
回路17にストアされているデータは、ANDゲー)G
i〜G4およびスイッチングトランジスタQIOI−Q
164を介して定電流源を駆動し、ライン1l−164
に導出される。処理回路12は、う、イン11を介して
トランジスタTRI、TR2,TR40のベースに、時
間Tだけ持続する制御信号を第5図(4)、第5図(5
)および第5図(6)で示されるように与える。しまた
かってトランジスタTRIが導通している期間中におい
て、アレイA1が選択され、LED累子IP1〜1P6
4は駆動回路13のデータによって個々に駆動されて発
光する。このトランジスタTRIが導通L7ている期間
中において、次のアレイA2のためのデータが制御手段
12からライン15を介してシフトレジスタ〕4にスト
アされ、その後、トランジスタTR2が導通されるとき
アレイA2が選択され、同様に、+−E D素子2P1
〜2P64が駆動される。以下同様にして、アレイA4
0に含まれるLED素子40P1〜40P64が駆動さ
れる。
この実施例において、LEDアレイA1− A40は、
その各アレイA1〜A40に含まれるLED素子IP1
〜40P64は予め定める電流を与えて駆動したとき、
その平均の発光出力か、予め定める近似した値の範囲、
たとえば10%未満、好ましくは5%未満のばらつきで
予め定める近似した値の範囲にあるように、選ばれて用
いられる。
その各アレイA1〜A40に含まれるLED素子IP1
〜40P64は予め定める電流を与えて駆動したとき、
その平均の発光出力か、予め定める近似した値の範囲、
たとえば10%未満、好ましくは5%未満のばらつきで
予め定める近似した値の範囲にあるように、選ばれて用
いられる。
トランジスタTRI〜TR40は、そのベースに持続期
間Tを有する制御信号が与えられたとき、導通している
スイッチング動作の蓄積時間、したがってそのばらつき
がその持続期間Tの10%未満、好ましくは5%未満で
ある近似した値の範囲となるように定められる。これに
よってすべてのLED素子IP1〜40P64の発光出
力をほぼ均等にすることができ、印画品質の向上を図る
ことができる。
間Tを有する制御信号が与えられたとき、導通している
スイッチング動作の蓄積時間、したがってそのばらつき
がその持続期間Tの10%未満、好ましくは5%未満で
ある近似した値の範囲となるように定められる。これに
よってすべてのLED素子IP1〜40P64の発光出
力をほぼ均等にすることができ、印画品質の向上を図る
ことができる。
本発明力値の実施例として、第4図においてトう〉ジス
タT R1〜TR40の各M積時間に個別的に対応して
制御手段12のメモリ19に第6図で示される制御信号
の持続期間W1〜W40を予めストアして設定しておく
。この持続期間W1〜W40は、トランジスタT R1
〜T R40の蓄積時間が長い程、短くなるように定め
られる。制御1段12は、このメモリ19のストア内容
を用いて、各トランジスタTRI〜TR40のベースに
制御信号を与える。こうして各1〜ランジスタTR1〜
TR40に個別的に対応したアトイA1〜A40毎のL
E D素子IPIへ1.P64,2P1〜2P64
・・・ 40P1へ一40P64に与えられる電流の駆
動時間をほぼ均等にし、発光出力を等しくすることがで
きる。
タT R1〜TR40の各M積時間に個別的に対応して
制御手段12のメモリ19に第6図で示される制御信号
の持続期間W1〜W40を予めストアして設定しておく
。この持続期間W1〜W40は、トランジスタT R1
〜T R40の蓄積時間が長い程、短くなるように定め
られる。制御1段12は、このメモリ19のストア内容
を用いて、各トランジスタTRI〜TR40のベースに
制御信号を与える。こうして各1〜ランジスタTR1〜
TR40に個別的に対応したアトイA1〜A40毎のL
E D素子IPIへ1.P64,2P1〜2P64
・・・ 40P1へ一40P64に与えられる電流の駆
動時間をほぼ均等にし、発光出力を等しくすることがで
きる。
さらにまた本発明の他の実施例として、トランジスタT
R1〜TR40のベースに直列に仮想線で示す抵抗R
1〜R40を直列に接続し、各トランジスタTRI〜T
R40の蓄積時間が長い程、この抵抗R1〜R,40
の抵抗値を大きく設定して、そのトランジスタTRI〜
TR40で流れるt流値を均等にするようにしてもよい
。
R1〜TR40のベースに直列に仮想線で示す抵抗R
1〜R40を直列に接続し、各トランジスタTRI〜T
R40の蓄積時間が長い程、この抵抗R1〜R,40
の抵抗値を大きく設定して、そのトランジスタTRI〜
TR40で流れるt流値を均等にするようにしてもよい
。
本発明においてスイッチング素子として、バイポーラ形
トランジスタだけでなく、電界効果トランジスタ、およ
びその他の構成であってもよい。
トランジスタだけでなく、電界効果トランジスタ、およ
びその他の構成であってもよい。
またLEDヘッドだけでなく、発熱抵抗体を備えるサー
マルヘッドなどの画像形成装置に関連して本発明を実施
することができ、あるいはまた複数の受光素子を有する
画像読取り装置に関連してもまた本発明を実施すること
ができる。この複数の受光素子を有する画像読取り装置
では、複数の受光素子をそれぞれ含む複数の各アレイに
おいて、受光素子に予め定める程度の光を与えたときに
得られる複数の受光素子の平均の受光検出レベルが、予
め定める近似した値の範囲になるように、アレイが選ば
れ、受光素子の受光検出出力を導出するスイッチング素
子は、前述の実施例と同様に、そのスイッチング動作の
蓄積時間が予め定める近似した値の範囲に選ばれて定め
られる。
マルヘッドなどの画像形成装置に関連して本発明を実施
することができ、あるいはまた複数の受光素子を有する
画像読取り装置に関連してもまた本発明を実施すること
ができる。この複数の受光素子を有する画像読取り装置
では、複数の受光素子をそれぞれ含む複数の各アレイに
おいて、受光素子に予め定める程度の光を与えたときに
得られる複数の受光素子の平均の受光検出レベルが、予
め定める近似した値の範囲になるように、アレイが選ば
れ、受光素子の受光検出出力を導出するスイッチング素
子は、前述の実施例と同様に、そのスイッチング動作の
蓄積時間が予め定める近似した値の範囲に選ばれて定め
られる。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、印画素子または受光素子
に関連して設けられるスイッチング素子の蓄積時間のば
らつきを、予め定める近似した値の範囲に定めることに
よって、印画または画像読取りの品質の向上を図ること
ができる。また本発明によれば、そのスイッチング素子
の蓄積時間にばらつきが存在しても、そのスイッチング
素子を導通制御する制御信号の持続期間を、スイッチン
グ素子の蓄積時間が長い程、短くなるように予め設定す
るようにしたので、このことによってもまた、印画また
は画像読取りの品質の向上を図ることができる。
に関連して設けられるスイッチング素子の蓄積時間のば
らつきを、予め定める近似した値の範囲に定めることに
よって、印画または画像読取りの品質の向上を図ること
ができる。また本発明によれば、そのスイッチング素子
の蓄積時間にばらつきが存在しても、そのスイッチング
素子を導通制御する制御信号の持続期間を、スイッチン
グ素子の蓄積時間が長い程、短くなるように予め設定す
るようにしたので、このことによってもまた、印画また
は画像読取りの品質の向上を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図に示される画像形成装置の動作を説明するための波形
図、第3図はトランジスタQ1の動作を説明するための
波形図、第4図は本発明の他の実施例のブロック図、第
5図は第4図に示される画像形成装置の動作を説明する
ための図、第6図は本発明の他の実施例のメモリ19の
ストア内容を示す図である。 1・・・処理回路、12・・・制御手段、13・・・駆
動回路、A1−A40・・・アレイ、B1〜B40・・
・アレイ、IP1〜40P64・・・LED素子、Q1
〜Q64、TR1〜TR40・・・トランジスタ代理人
弁理士 画数 圭一部
図に示される画像形成装置の動作を説明するための波形
図、第3図はトランジスタQ1の動作を説明するための
波形図、第4図は本発明の他の実施例のブロック図、第
5図は第4図に示される画像形成装置の動作を説明する
ための図、第6図は本発明の他の実施例のメモリ19の
ストア内容を示す図である。 1・・・処理回路、12・・・制御手段、13・・・駆
動回路、A1−A40・・・アレイ、B1〜B40・・
・アレイ、IP1〜40P64・・・LED素子、Q1
〜Q64、TR1〜TR40・・・トランジスタ代理人
弁理士 画数 圭一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 印画出力または受光検出レベルが所定範囲内にある印
画素子または受光素子を直線状に配列した第1アレイと
、 キャリア蓄積時間が所定範囲内にあり、かつ各印画素子
または各受光素子に対応して各々設けられたスイッチン
グ素子から成る第2アレイと、該第2アレイのスイッチ
ング素子を介して各印画素子を駆動もしくは受光素子の
出力を導出する制御手段とから成る画像形成または画像
読取り装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2113075A JPH0411449A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 画像形成または画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2113075A JPH0411449A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 画像形成または画像読取り装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0411449A true JPH0411449A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14602848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2113075A Pending JPH0411449A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 画像形成または画像読取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0411449A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001057936A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Matrice d'elements electroluminescents |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2113075A patent/JPH0411449A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001057936A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Matrice d'elements electroluminescents |
US6590347B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-07-08 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-emitting element matrix array |
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