JPH04112769U - 基板の粗面化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】基板の粗面化装置において、粗面化の不均一性
を無くすこと。 【構成】基板１の表面に砥粒及び／又は砥液２を複数の
方向に同時に射出して粗面化するノズル３と、ノズル３
による射出中に基板１を回転させる回転台４と、ノズル
３による射出中にノズル３の基板１に対する射出角度を
変化させる手段とを有する。 【効果】基板１の表面には、粗面化のための砥粒及び／
又は砥液２が均一に射出されることになり、基板１の表
面は一様な面粗度を有する表面とすることができる。ま
た、ノズル３は複数の方向に同時に砥粒及び／又は砥液
２を射出するので、固定式としても良く、構成が簡単と
なる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、基板の粗面化装置に関するものであり、例えば、銅張り積層板の銅 めっき前の基板表面の粗面化に利用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来、コンピュータ等の電子機器の心臓部となる電子回路基板には、ＬＳＩ、 ＩＣ等が高密度に実装されている。このうち、プラスチックＰＧＡは、中心部に ＬＳＩやＩＣを載せたインテリジェントな回路基板である。この回路基板は、現 在、ＴＶ、コンピュータからカメラに至るまで広範囲に利用されている。

【０００３】 図３は従来のプラスチックＰＧＡを製造する工程を示している。ステップで は材料を断裁し、ステップではスルーホール穴明けを行い、ステップではＩ Ｃを実装するキャビティ部を加工し、ステップでは粗面化処理を行い、ステッ プではパネル銅めっきを行い、ステップでは回路パターンを形成し、ステッ プではニッケルめっきを行い、ステップでは金めっきを行い、ステップで は切断を行うものである。ここで、粗面化処理は、次工程である銅めっきの 前処理として行われる。この粗面化処理の目的は、銅めっきの密着性を上げるた めに、めっきされる表面の粗面化を行うものである。通常、表面の粗面化が行わ れると、ミクロ的に表面積が増加し、また、アンカー効果が向上するため、密着 力が上がると考えられている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

プリント配線板による回路形成、とりわけ、プラスチックＰＧＡにおいては、 銅めっきの高信頼性が商品性能に大きく関与してきた。この信頼性の中で熱に対 する信頼性が耐熱性であり、このうち、はんだ耐熱性とボンディングに対するめ っき膨れが問題となる。この考案が解決しようとする課題は、キャビティ部の熱 による膨れ不良の軽減である。

【０００５】 従来のプラスチックＰＧＡは図３に示すような工程で製造されていたが、この 工程では膨れ不良が発生することが多かった。ここで、膨れ不良とは、プラスチ ックＰＧＡにＩＣをセットする後加工（通常、ＩＣのボンディング等が後加工の 対象となる。）での耐熱性のテストによって、キャビティ内部に生じる基板とめ っきとの剥離現象である。ここで言う耐熱性テストはＪＩＳ等の規格とは別のも のであり、温風乾燥炉を用いて一定の高温に保持し、剥離を目視で検査する。こ のようなキャビティ部の膨れ不良を軽減するためには、銅めっき密着力を高める ことが考えられる。そのためには、粗面化処理のステップにおいて、表面をミ クロ的に粗面化する必要がある。

【０００６】 従来、一般的に使用されている基板の粗面化装置を図４に示す。粗面化される 基板１は搬送ローラ６の上を矢印ａに示すように、一定の速度で流れてくる。こ のとき、基板１の上方には複数本のノズル３が配置されており、各ノズル３から は砥粒及び／又は砥液２が射出され、これが基板１の表面にあたり、粗面化がな される。このとき、ノズル３は基板１の進行方向とは垂直な方向に矢印ｆに示す ように振られている。ただし、このとき、基板１の左端、右端と中央部では、粗 面化の度合いは違ってくる。

【０００７】 本考案はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは 、基板の粗面化装置において、粗面化の不均一性を無くすことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

本考案に係る基板の粗面化装置にあっては、上記の課題を解決するために、図 １又は図２に示すように、基板１の表面に砥粒及び／又は砥液２を複数の方向に 同時に射出して粗面化するノズル３と、ノズル３による射出中に基板１を回転さ せる回転台４と、ノズル３による射出中にノズル３の基板１に対する射出角度を 変化させる手段とを有することを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】

本考案の粗面化装置では、図１又は図２に示すように、基板１に砥粒及び／又 は砥液２をノズル３で射出する際に、基板１を回転台４により回転させると共に 、ノズル３の基板１に対する角度を変化させるようにしたので、基板１の位置に よる粗面化の不均一性が生じることは無い。また、本考案では、ノズル３から複 数の方向に同時に砥粒及び／又は砥液２を射出するようにしたので、ノズル３は 固定されていても良く、構成が簡単になるという作用もある。さらに、ノズル３ を可動式とすれば、射出方向を様々に変えることができ、基板１の位置による粗 面化の不均一性を十分に低減することができるものである。

【００１０】

【実施例】

図１は本考案の一実施例の斜視図である。図中、１は基板であり、プラスチッ クＰＧＡのウェハーである。この基板１の表面には、ノズル３から砥粒及び／又 は砥液２が射出される。ノズル３は、粗面化の不均一性を無くすために、複数の 方向（図示実施例では４方向）に同時に砥粒及び／又は砥液２を射出しており、 ノズル３と基板１の相対的な角度を空間的に変えている。また、基板１は回転台 ４の上で矢印ｃに示すように回転しながら、搬送ローラ６により矢印ａに示すよ うに一定速度で搬送されて行く。したがって、複数の方向のうち、どの方向の射 出をノズル３から受けるかは回転台４の回転位置によって異なり、ノズル３と基 板１の相対的な角度は様々に変化する。

【００１１】 図２は本考案の他の実施例の斜視図である。本実施例では、回転台５そのもの が傾斜しており、この傾斜回転台５が矢印ｄに示すように回転することにより、 ノズル３と基板１の相対的な位置や角度の関係は複雑に変化し、これによって、 基板１の粗面化の不均一性が解消される。ノズル３は、粗面化の不均一性を無く すために、複数の方向（図示実施例では４方向）に同時に砥粒及び／又は砥液２ を射出しており、これにより、基板１の粗面化の不均一性は顕著に低減される。

【００１２】 図５はプラスチックＰＧＡのウェハー（上述の基板１）を示す平面図である。 図中のウェハーは、２５５ｍｍ×２５５ｍｍの大きさに断裁されており、図６に 示すようなプラスチックＰＧＡを複数チップ（例えば、５×５＝２５個）含んで いる。上述の粗面化処理の段階では、複数のチップに対して同時に粗面化処理を 行うものである。図７はプラスチックＰＧＡの完成品を示す斜視図であり、図中 、１はプラスチック基板、１１はキャビティ部、１２はレジンダム、１３は個々 のピングリッドである。

【００１３】 実施例で用いた基板１の種類は、ガラス変性ポリイミド（板厚ｔ＝１．０又は ｔ＝１．６ｍｍ）並びにガラス耐熱ポリイミド（板厚ｔ＝１．６ｍｍ）である。 ただし、これ以外の厚さにも適用可能である。キャビティ部１１の形状は、穴の 大きさが１１．５×１１．５ｍｍ、深さが０．４７ｍｍから０．６３ｍｍに適用 可能である。ただし、これ以外の形状でも適用可能である。

【００１４】 本考案の粗面化装置を用いれば、基板の表面には一様な面粗度を持っためっき 面が形成される。このため、次工程で行われる銅めっきは均一に形成され、密着 力の弱い部分が無くなり、結果的に銅めっきの熱による膨れ不良が無くなる。

【００１５】

【考案の効果】

本考案の粗面化装置によれば、基板の表面に砥粒及び／又は砥液を複数の方向 に同時に射出して粗面化するノズルと、ノズルによる射出中に基板を回転させる 回転台と、ノズルによる射出中にノズルの基板に対する射出角度を変化させる手 段とを有するものであるから、基板の表面には粗面化のための砥粒及び／又は砥 液が均一に射出されることになり、基板の表面は一様な面粗度を有する表面とす ることができるという効果がある。また、特に、本考案では、ノズルから複数の 方向に同時に砥粒及び／又は砥液を射出するようにしたので、ノズルは固定され ていても良く、構成が簡単になり、安価に構成できるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の粗面化装置の一実施例を示す斜視図で
ある。

【図２】本考案の粗面化装置の他の実施例を示す斜視図
である。

【図３】従来のプラスチックＰＧＡの製造方法を示す工
程図である。

【図４】従来の一般的な粗面化装置を示す斜視図であ
る。

【図５】プラスチックＰＧＡのウェハーを示す平面図で
ある。

【図６】プラスチックＰＧＡの１チップを示す斜視図で
ある。

【図７】プラスチックＰＧＡの完成品を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 砥粒及び／又は砥液 ３ ノズル ４ 回転台 ５ 傾斜回転台 ６ 搬送ローラ

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に砥粒及び／又は砥液を複数
   の方向に同時に射出して粗面化するノズルと、ノズルに
   よる射出中に基板を回転させる回転台と、ノズルによる
   射出中にノズルの基板に対する射出角度を変化させる手
   段とを有することを特徴とする基板の粗面化装置。