JPH04111368A - 酸化物超電導体膜の形成方法 - Google Patents
酸化物超電導体膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH04111368A JPH04111368A JP2231130A JP23113090A JPH04111368A JP H04111368 A JPH04111368 A JP H04111368A JP 2231130 A JP2231130 A JP 2231130A JP 23113090 A JP23113090 A JP 23113090A JP H04111368 A JPH04111368 A JP H04111368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- axis
- plane
- lattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は酸化物超電導体膜の形成方法に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
第５図は例えばＪ ａｐａｎｅｓｅ Ｊ ｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２
８ ｐ１５８６〜ｐ１５９２（１９８９）に記載の同一
出願人により考案された組成の異なる三つのターゲット
を用いるスパッタリング法によってＭｇＯ基板上に形成
された酸化物超電導体膜、ＢＩＳ ｒＣａＣｕｏ膜のＸ
線回折パターン図である。これを見ると（００ｎ）のピ
ークしか観測されず、Ｃ軸が基板面に対して垂直に伸び
ていることが判る。
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２
８ ｐ１５８６〜ｐ１５９２（１９８９）に記載の同一
出願人により考案された組成の異なる三つのターゲット
を用いるスパッタリング法によってＭｇＯ基板上に形成
された酸化物超電導体膜、ＢＩＳ ｒＣａＣｕｏ膜のＸ
線回折パターン図である。これを見ると（００ｎ）のピ
ークしか観測されず、Ｃ軸が基板面に対して垂直に伸び
ていることが判る。
この傾向は、この方法に限らず一般的に起こる。
これは酸化物超電導体膜が基板面の格子閏隔に敏感で、
基板依存性を持つため、従来、基板としてＭｇＯのよう
に形成しようとする酸化ｖＲ超電導体膜のａ−ｂ面の格
子定数に近いものを使っているためてあり、これらの基
板を用いるとＣ軸が基板面に対して立つのである。酸化
物超電導体膜の形成は、このように現在に至るまで、殆
ど全て膜のＣ軸が基板面に対して垂直に伸びるように成
長させており、Ｃ軸が基板面に対して立っている。
基板依存性を持つため、従来、基板としてＭｇＯのよう
に形成しようとする酸化ｖＲ超電導体膜のａ−ｂ面の格
子定数に近いものを使っているためてあり、これらの基
板を用いるとＣ軸が基板面に対して立つのである。酸化
物超電導体膜の形成は、このように現在に至るまで、殆
ど全て膜のＣ軸が基板面に対して垂直に伸びるように成
長させており、Ｃ軸が基板面に対して立っている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の酸化物超電導体膜の形成方法では以上のように、
膜のＣ軸が基板面に対して垂直に伸びており、Ｃ軸方向
の超電導コヒーレンス長が短いため積層型トンネル接合
の形成には不利であるという問題点があった。
膜のＣ軸が基板面に対して垂直に伸びており、Ｃ軸方向
の超電導コヒーレンス長が短いため積層型トンネル接合
の形成には不利であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、積層型トンネル接合の形成を容易に行える酸
化物超電導膜の形成方法を提供することを目的とする。
たもので、積層型トンネル接合の形成を容易に行える酸
化物超電導膜の形成方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明の酸化物超電導膜の形成方法は、酸化物超電導
体膜を形成する基板に上記酸化物超電導体のａ−ｂ面格
子定数と異なる格子定数を有するものを用いるようにし
たものである。
体膜を形成する基板に上記酸化物超電導体のａ−ｂ面格
子定数と異なる格子定数を有するものを用いるようにし
たものである。
［作用］
この発明においては、例えば５ｒＴｉＯ，＋基板にＢｉ
ＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成するように、基板として
成膜しようとする酸化物超電導体のａ−ｂ面格子定数と
異なる格子定数を有するものを用いたので、形成される
酸化物超電導体膜のＣ軸が基板面の垂直からずれた方向
に伸びるので膜表面にａ−ｂ面がでる。ａ−ｂ面方向の
超電導コヒーレンス長さはＣ軸方向に比べて長いので積
層型トンネル接合の形成には有利となる。
ＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成するように、基板として
成膜しようとする酸化物超電導体のａ−ｂ面格子定数と
異なる格子定数を有するものを用いたので、形成される
酸化物超電導体膜のＣ軸が基板面の垂直からずれた方向
に伸びるので膜表面にａ−ｂ面がでる。ａ−ｂ面方向の
超電導コヒーレンス長さはＣ軸方向に比べて長いので積
層型トンネル接合の形成には有利となる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例のＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導
膜の形成方法について説明する。従来と同様組成の興な
る三つのターゲット（Ｂ １２ Ｓ ｒ２（： ａ２Ｃ
ｕ４５０Ｘ、Ｂ＋２Ｓｒ３Ｃａ３Ｃｕ３０ｙ、Ｂ１３Ｓ
ｒｒＣａ２Ｃｕ１０、）を用い、スパッタガス：酸素、
スパッタ圧： ３００ｉＴｏｒｒ、各ターゲットの放電
圧： １００ｗの条件で、成膜中基板を６５０℃に加
熱してスパッタリング法によりＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電
導膜を成膜した。
膜の形成方法について説明する。従来と同様組成の興な
る三つのターゲット（Ｂ １２ Ｓ ｒ２（： ａ２Ｃ
ｕ４５０Ｘ、Ｂ＋２Ｓｒ３Ｃａ３Ｃｕ３０ｙ、Ｂ１３Ｓ
ｒｒＣａ２Ｃｕ１０、）を用い、スパッタガス：酸素、
スパッタ圧： ３００ｉＴｏｒｒ、各ターゲットの放電
圧： １００ｗの条件で、成膜中基板を６５０℃に加
熱してスパッタリング法によりＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電
導膜を成膜した。
但し、基板としてＭｇｏでなく、Ｅ３ｉ５ｒＣａＣｕ○
のａ−ｂ面の格子定数と異なる格子定数を有するＳｒＴ
１ｏ３（１１０）を用いた。
のａ−ｂ面の格子定数と異なる格子定数を有するＳｒＴ
１ｏ３（１１０）を用いた。
第１区は上記のように成膜したこの一実施例のＢｉＳｒ
ＣａＣｕＯ超電導膜のＸ線回折パターン図である。これ
からＣ軸が斜めに向いていることが判る。また図中本印
で示すピークは Ｂｉ系３０人相なら（１１７）、３７
人相ならば（１１９）と指数付けがされる。第２図はＲ
ＨＥＥＤ （反射高速電子線回折）で観察して得たパタ
ーンの模式説明図である。これからもＸ線回折と同じ配
向が示唆される。第１図及び第２図を解析し、この膜の
配向をわかりやすく示したのが第３図（ａ）（ｂ）の説
明図である。なおＬｏｗ−Ｔｃ相なら傾きのところが４
１゜程度になるのでＨｉｇｈ−Ｔｃ相と仮定している。
ＣａＣｕＯ超電導膜のＸ線回折パターン図である。これ
からＣ軸が斜めに向いていることが判る。また図中本印
で示すピークは Ｂｉ系３０人相なら（１１７）、３７
人相ならば（１１９）と指数付けがされる。第２図はＲ
ＨＥＥＤ （反射高速電子線回折）で観察して得たパタ
ーンの模式説明図である。これからもＸ線回折と同じ配
向が示唆される。第１図及び第２図を解析し、この膜の
配向をわかりやすく示したのが第３図（ａ）（ｂ）の説
明図である。なおＬｏｗ−Ｔｃ相なら傾きのところが４
１゜程度になるのでＨｉｇｈ−Ｔｃ相と仮定している。
また、第５図に示す従来のＣ軸が基板面に垂直に成長し
たＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜はＬ ｏｗ −Ｔ ｃ相
とＨｉｇｈ−Ｔｃ相の中間の構造を持つＣ軸が３４人の
ものである。図中（１）はＳｒＴ １ｏ３（１１０）基
板で、（２）は５ｒＴｉＯａ（１１０）基板（１）上に
成長したＢＳ ｒＣａＣｕｏ超電導膜である。Ｃ軸が傾
いているのが判る。（３）はＳｒＴｉＯ３膜である。な
お、第１図と第２図のデータの試料は５ｒＴｉＯｚ（１
１０）基板（１）とＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜（２）
だけであるが、積層型トンネル接合として絶縁層にＳｒ
ＴｉＯ３を選ぶと格子閘隔がマツチしてうまくエピタキ
シャル成長すると考えられる。第３図（ｂ）を見ると基
板依存性が良くわかる。Ｂ１系超電導体のａまたはｂ軸
は５．４人、ＳｒＴｉＯ３は立方体で１辺３．９人であ
る。 Ｂｉ系超超電導体ａ−ｂ面の対角線の長さ（７，
６人）は３．９人Ｘ２＝＝７．８人とほぼ一致しており
、これに合わせて成長している。ａ−ｂ面の４隅が基板
の格子点と一致するにはＣ軸が図のように傾かなくては
ならない。
たＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜はＬ ｏｗ −Ｔ ｃ相
とＨｉｇｈ−Ｔｃ相の中間の構造を持つＣ軸が３４人の
ものである。図中（１）はＳｒＴ １ｏ３（１１０）基
板で、（２）は５ｒＴｉＯａ（１１０）基板（１）上に
成長したＢＳ ｒＣａＣｕｏ超電導膜である。Ｃ軸が傾
いているのが判る。（３）はＳｒＴｉＯ３膜である。な
お、第１図と第２図のデータの試料は５ｒＴｉＯｚ（１
１０）基板（１）とＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜（２）
だけであるが、積層型トンネル接合として絶縁層にＳｒ
ＴｉＯ３を選ぶと格子閘隔がマツチしてうまくエピタキ
シャル成長すると考えられる。第３図（ｂ）を見ると基
板依存性が良くわかる。Ｂ１系超電導体のａまたはｂ軸
は５．４人、ＳｒＴｉＯ３は立方体で１辺３．９人であ
る。 Ｂｉ系超超電導体ａ−ｂ面の対角線の長さ（７，
６人）は３．９人Ｘ２＝＝７．８人とほぼ一致しており
、これに合わせて成長している。ａ−ｂ面の４隅が基板
の格子点と一致するにはＣ軸が図のように傾かなくては
ならない。
さて、Ｂ１系超電導体膜ではＣ軸長さが異なる結晶構造
が２．３存在し、その中でＣ軸が３７人のものが最も転
移温度が高い。しかし、従来の超電導膜の形成方法では
Ｃ軸の制御は殆ど不可能であり、現実に３７人相のきれ
いな単結晶膜を形成したところはない。ところが、例え
ば第４図の説明図に示すように、基板を適当な角度で切
断して３７人の格子閏隔を出すとする。（４）はＭｇＯ
基板であり、各正方形は単位格子を示す。切断面を図の
ようにとると段差８ステツプでほぼ３７人となり、酸化
物超電導体の基板依存性により、これに合わせてａ軸、
ｂ軸が基板に垂直に成長し、日系超電導体では最も転移
温度の高い３７人相膜を形成できると考えられる。この
他、基板の選択、切断方法により所望の膜を成膜できる
と考えられる。
が２．３存在し、その中でＣ軸が３７人のものが最も転
移温度が高い。しかし、従来の超電導膜の形成方法では
Ｃ軸の制御は殆ど不可能であり、現実に３７人相のきれ
いな単結晶膜を形成したところはない。ところが、例え
ば第４図の説明図に示すように、基板を適当な角度で切
断して３７人の格子閏隔を出すとする。（４）はＭｇＯ
基板であり、各正方形は単位格子を示す。切断面を図の
ようにとると段差８ステツプでほぼ３７人となり、酸化
物超電導体の基板依存性により、これに合わせてａ軸、
ｂ軸が基板に垂直に成長し、日系超電導体では最も転移
温度の高い３７人相膜を形成できると考えられる。この
他、基板の選択、切断方法により所望の膜を成膜できる
と考えられる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれは、例えば ５ｒＴｉＯ
：＋基板にＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成するよう
に、基板として成膜しようとする酸化物超電導体のａ−
ｂ面格子定数と異なる格子定数を有するものを用いるよ
うにしたので、形成される酸化物超電導体膜のＣ軸が基
板面の垂直からずれた方向に伸びるので膜表面にａ−ｂ
面がでる。而してａ−ｂ面方向の超電導コヒーレンス長
さはＣ軸方向に比べて長いので積層型トンネル接合の形
成には有利となる。
：＋基板にＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成するよう
に、基板として成膜しようとする酸化物超電導体のａ−
ｂ面格子定数と異なる格子定数を有するものを用いるよ
うにしたので、形成される酸化物超電導体膜のＣ軸が基
板面の垂直からずれた方向に伸びるので膜表面にａ−ｂ
面がでる。而してａ−ｂ面方向の超電導コヒーレンス長
さはＣ軸方向に比べて長いので積層型トンネル接合の形
成には有利となる。
第１図はこの発明の一実施例による ５ｒＴｉ０３基板
上にＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成した試料のｘｗ
Ａ回折パターン図、第２図は同試料をＲＨＥＥＤて観察
して得たパターンの模式説明図、第３図（ａＸｂ）は第
１図及び第２図を解析して得られた膜の配向を示す説明
図、第４図はこの発明に係わる Ｂｉ系３７人相を得る
ために基板面を切断した所を示す説明図、第５図は従来
法によるＢ１５ｒＣａＣｕｏ超電導膜のｘＷ＆回折パタ
ーン図である。 （１）はＳｒＴｉＯ３基板、 導膜である。 なお、 図中、 示す。 同一符号は同一または相当部分を 代 （２）はＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電 第１図 第４図 第２図 θの角度 ４２５°；０−ｒ 手 続 補 正 意（自発） ２、発明の名称 酸化物超電導体膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 （７３７５）弁理士大岩増雄 （連絡先０３（２１３）３４２１持許部）４ 補正の対
象 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄 ＆ 補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
＠ （２）同第２頁第１０〜１１行の「使っているため」を
「使わざるを得ないため」に訂正する。 （３）同第８頁第８行の「基板に」を「基板表面が」に
訂正する。 （４）同Ｎ８頁第９行及び第１５行、第４頁第１１行並
びに第７頁第４〜６行の「格子定数を有する」を「格子
間隔をなす」に訂正する。 （５）同第６頁第１８行の「立方体」を「立方晶」に訂
正する。 （６）同第７頁第８行の「基板として」の後にｒその膜
形成表面が」を挿入する。 ７、 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 （１）基板に鹸化物超電導体膜を形成するものにおいて
、上記基板としてその膜形成表面が上記酸化物超電導体
のａ−ｂ面格子定数と異なる格子間隔をなすものを用い
たことを特徴とする酸化物超電導体膜の形成方法。 （２）基板がＳｒＴｉＯ３で、酸化物超電導体膜がＢ１
５ｒＣａＣａＯ超電導膜であることを特徴とする請求項
１記載の酸化物超電導体膜の形成方法。
上にＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜を形成した試料のｘｗ
Ａ回折パターン図、第２図は同試料をＲＨＥＥＤて観察
して得たパターンの模式説明図、第３図（ａＸｂ）は第
１図及び第２図を解析して得られた膜の配向を示す説明
図、第４図はこの発明に係わる Ｂｉ系３７人相を得る
ために基板面を切断した所を示す説明図、第５図は従来
法によるＢ１５ｒＣａＣｕｏ超電導膜のｘＷ＆回折パタ
ーン図である。 （１）はＳｒＴｉＯ３基板、 導膜である。 なお、 図中、 示す。 同一符号は同一または相当部分を 代 （２）はＢｉＳｒＣａＣｕＯ超電 第１図 第４図 第２図 θの角度 ４２５°；０−ｒ 手 続 補 正 意（自発） ２、発明の名称 酸化物超電導体膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 （７３７５）弁理士大岩増雄 （連絡先０３（２１３）３４２１持許部）４ 補正の対
象 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄 ＆ 補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
＠ （２）同第２頁第１０〜１１行の「使っているため」を
「使わざるを得ないため」に訂正する。 （３）同第８頁第８行の「基板に」を「基板表面が」に
訂正する。 （４）同Ｎ８頁第９行及び第１５行、第４頁第１１行並
びに第７頁第４〜６行の「格子定数を有する」を「格子
間隔をなす」に訂正する。 （５）同第６頁第１８行の「立方体」を「立方晶」に訂
正する。 （６）同第７頁第８行の「基板として」の後にｒその膜
形成表面が」を挿入する。 ７、 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 （１）基板に鹸化物超電導体膜を形成するものにおいて
、上記基板としてその膜形成表面が上記酸化物超電導体
のａ−ｂ面格子定数と異なる格子間隔をなすものを用い
たことを特徴とする酸化物超電導体膜の形成方法。 （２）基板がＳｒＴｉＯ３で、酸化物超電導体膜がＢ１
５ｒＣａＣａＯ超電導膜であることを特徴とする請求項
１記載の酸化物超電導体膜の形成方法。
Claims (2)
- （１）基板に酸化物超電導体膜を形成するものにおいて
、上記基板として上記酸化物超電導体のａ−ｂ面格子定
数と異なる格子定数を有するものを用いたことを特徴と
する酸化物超電導体膜の形成方法。 - （２）基板がＳｒＴｉＯ＿３で、酸化物超電導体膜がＢ
ｉＳｒＣａＣｕＯ超電導膜であることを特徴とする請求
項１記載の酸化物超電導体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231130A JPH04111368A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 酸化物超電導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231130A JPH04111368A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 酸化物超電導体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111368A true JPH04111368A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16918757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231130A Pending JPH04111368A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 酸化物超電導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111368A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439084A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | Josephson element |
| JPH01101677A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子装置 |
| JPH0284781A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-03-26 | Fujitsu Ltd | 高温超伝導体による接合 |
| JPH0297073A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Res Inst For Prod Dev | トンネル型ジョセフソン接合素子 |
| JPH03153089A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物超電導材料を用いたトンネル接合素子 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2231130A patent/JPH04111368A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439084A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | Josephson element |
| JPH01101677A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子装置 |
| JPH0284781A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-03-26 | Fujitsu Ltd | 高温超伝導体による接合 |
| JPH0297073A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Res Inst For Prod Dev | トンネル型ジョセフソン接合素子 |
| JPH03153089A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物超電導材料を用いたトンネル接合素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5157466A (en) | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films | |
| CA1335955C (en) | High tc superconductor - gallate crystal structures | |
| US5358927A (en) | Growth of a,b-axis oriented pervoskite thin films | |
| Jia et al. | Role of SrRuO 3 buffer layers on the superconducting properties of YBa 2 Cu 3 O 7 films grown on polycrystalline metal alloy using a biaxially oriented MgO template | |
| JPH02177381A (ja) | 超伝導体のトンネル接合素子 | |
| JPH03259576A (ja) | ジョセフソン接合 | |
| JPH05894A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜 | |
| EP0546904B1 (en) | Method for manufacturing an artificial grain boundary type Josephson junction device | |
| JPH04111368A (ja) | 酸化物超電導体膜の形成方法 | |
| JPH06321695A (ja) | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体 | |
| JPH0221676A (ja) | 超伝導体のトンネル接合 | |
| EP0459906B1 (en) | Process for preparing superconducting junction of oxide superconductor | |
| JPH026394A (ja) | 超伝導薄層 | |
| JP2819743B2 (ja) | 高温超電導薄膜の作製方法 | |
| JP2813287B2 (ja) | 超電導線材 | |
| JP3061627B2 (ja) | 酸化物超電導テープ導体の製造方法 | |
| JPH0297073A (ja) | トンネル型ジョセフソン接合素子 | |
| US5175141A (en) | Superconducting ceramic film structure and manufacturing method for the same | |
| Hojczyk et al. | New insulating materials for high-Tc superconductor device applications | |
| JPH01101677A (ja) | 電子装置 | |
| Grant et al. | Epitaxial CeO2 buffer layers and cross-overs for YBa2Cu3O7 thin films | |
| JP2003037304A (ja) | サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH05208899A (ja) | 性状が異なる領域を有する酸化物超電導薄膜と作製方法 | |
| Guilloux-Viry et al. | The structural characterization of dc sputtered in situ YBa2Cu3O7− x thin films | |
| JPH0563247A (ja) | 超電導接合構造体およびその作製方法 |