JPH04110473A - 基体に膜を被覆する方法 - Google Patents

基体に膜を被覆する方法

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JPH04110473A
JPH04110473A JP22941590A JP22941590A JPH04110473A JP H04110473 A JPH04110473 A JP H04110473A JP 22941590 A JP22941590 A JP 22941590A JP 22941590 A JP22941590 A JP 22941590A JP H04110473 A JPH04110473 A JP H04110473A
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plasma
sheet
film
gas
base body
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JP22941590A
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English (en)
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Etsuo Ogino
悦男 荻野
Hidemi Nakai
日出海 中井
Etsuzo Matsumura
松村 悦三
Ken Okada
岡田 謙
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Chugai Ro Co Ltd
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Chugai Ro Co Ltd
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、建築用の窓カラスや自動車用の窓ガラスのよ
うに大きな基体に安定して膜を被覆するのに適した、と
りわけ電気絶縁性を有する膜を被覆するのに適した方法
に関する。
「従来の技術」 従来より減圧さねた真空セハ1内てJ、!、体に膜をり
に覆する方法としては、真空蒸着法、反応Plスパッタ
リング法、プラズマCVD法等があるが、ノリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の誘出体lW膜あるいは硬質カー
ボン膜等の保護膜等を形成する場合には、成膜速度およ
び膜品質の面でプラズマCVD法が優れている。
特に真空第25巻筒10−号(+982イ1発団)に記
載された複合陰14ji Ii、llゾラスマ発11)
じ1・1′と)1力勾iIi!型プラズマ発生装置を組
合セたアーク放電プラズマからなるシートプラズマは、
高密度プラズマであるためにCVD法への応用が活発に
行われて〜八る。従来、前記シー)・プラズマを用いた
プラズマCVD法で基板1ごj模を被覆する方法として
は、特開平1−252781号公報に、1つのソートプ
ラズマを真空槽内に生起させ、前記ソートプラズマに平
行となるように基板を固定するかプラズマ流の方向に力
]シて01角の方向に基板を移動させ、前記真空をJ内
に原料ガスおよび反応ガスを導入することによって前記
基板」−に薄膜を被覆する方法が開示されている。
「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、この従来のアーク放電型シーY・プラズ
マによるCVD法においては、建築用あるいは自動車用
の大面積ガラスH板に膜を被覆する場合、基板のサイズ
と同等以上のシートプラズマを生成させる必要がある。
特に建築用ガラスコニ(板のように、長さが2mを越え
るカラス基板」、(こ月シ\を被覆するためには、長さ
が2m以−ヒの〕−トブラズマな生成させなくて(ふな
らな〜1゜このような大面積シートプラズマは、プラズ
マ流をプラズマ発生源から陽極に誘導するための人口′
L径空芯コイルによる磁場とそのプラズマを圧縮するた
めの角型永久磁石の磁場を強くするごとによって生成し
なければならず、CVDプロセスとして応用する場合、
プラズマ生成室の圧力は067Pa (パスカル)程度
の圧力が必要となり、したがってプラズマ中の電子とガ
ス分子との衝突による電子のエネルギーロスが生じ、シ
ーlプラズマのプラズマ密度がプラズマ発生7Fから陽
極に向(プて徐々1こ減少するという問題があった。
即ち、従来のシー)・プラズマCVD法においては、シ
ートプラズマのプラズマ発生源と陽極間との間ではプラ
ズマの密度が不均一であって、プラズマ発生源と陽極と
を粘ぶ方向とは直角の方向に基板を移動さ七ながらj模
の被覆を行っていたので、基板上に形成された薄膜の膜
厚およびぬ質に不均一性が生じるといった欠白があった
本発明は、−]二記した問題を1v1′決するためにな
されたものであって、どりわけ建築用および自動i11
の窓ガラスのような大面積の基板ガラスに膜を均一に被
覆するのに好適な方法を提供するものである。
「課題を解決するだめの手段」 本発明は、減圧された雰囲気が調節できる真空槽に設置
された、プラズマ発生源と陽極とを有するプラズマ発生
装置″lEfにより、真空槽内にプラズマを発生さゼ前
記発生さぜたプラズマを磁場手段によってシートプラズ
マに変形し、前記シーI・プラズマの一方の側に配設さ
れたガス導入管より原料ガスを含むガスを導入するとと
もに、基体を前記シートプラズマを挾んで前記ガス導入
管の反対側で、かつ、前記基体の表面を前記シートプラ
ズマのシート面に対向させて、前記プラズマ発生源と前
記陽極とを結ぶ方向に移動さ(Jながら、前記シートプ
ラズマ中を通過した前記原料ガス成分を前記π体表面に
折山させる、基体に膜を被覆する方法である。また、0
11記ンー)・プラズマを、複数個のプラズマ発41−
装置i!、lから発41シさ+lた複数個のプラズマな
磁場手段によりそれぞれシー1状に変形さ七、前記シー
ト状に変形させた複数個のプラズマを同一面内で隣接さ
一1iで形成し、より大きな面積のシートプラズマとす
ることは、大面積の基板に均一に膜を被覆するう犬で好
ましい。
本発明においては、アーク放電によるプラズマを用いる
が、かかるアーク放電プラズマは、アーク放電プラズマ
発生用のプラズマ発生源と陽極とからなるプラズマ発生
装置を用いてアーク放電を生起さぜる。プラズマ発生装
mlしては、複合陰極型プラズマ発生装置、叉は圧力勾
l!I′i!型プラズマ発生装置、又は両者を絹み合わ
せたプラズマ発止装置が好ましい。このようなプラズマ
発生装置については、真空第25巻第]○号(1,98
2年発刊)に記載されているものを用いることができる
複合陰極型プラズマ発生装置i!とは、第3図に示すよ
うに熱容景の小さい補助陰極20と、LaB6からなる
主陰極21とを4丁し、放電ガス導入口22より放電用
のガスを導入してη11記補助陰極に初期放電を集中さ
せ、そねを利用して主陰極を加転し、主陰極が最終陰極
としてアーク放電を行うようにしたプラズマ発生装置で
ある。
また、圧力勾配型プラズマ発生装丁!(とは、陰極と陽
極との間に中間電極を介在させ、陰極領域を130Pa
程度に、陽極領域を0.4Pa程度に保って放電を行う
ものであり、陽極OFf域からのイオンの逆渡による陰
極の損傷がない上に、中間電極のない放電形式のものと
比較して、放電電子流をつくりだすためのキャリアガス
のガス効率が飛躍的に高く、大電流放電が可能であるき
いう利点を有しているものである。
複合陰極型プラズマ発生装置および圧力勾配型プラズマ
発生装[Uの両省を絹み合わせたプラズマ発生装置、す
なわち陰極として複合陰(手を用いるとともに中間電極
をも配置したプラズマ発生装置は、上記利点を同時に得
ることが出来るのて、本発明に用いるアーク放電プラズ
マの発生装置としてとくに好ましい。
「作用」 本発明において、シートプラズマはプラズマ中に供給さ
れた薄膜を形成するだめの原料ガスおよび反応ガスの解
II−反応を促進する作用をする。
即ち、プラズマ中で解削されたガス分子は、活性ラジカ
ルあるいはイオンの形で基板表面まで輸送され、ある種
の反応過稈を経て薄膜を形成する。
ここで、本発明に用いられるプラズマは1.!ik板の
移動方向と垂直の方向に均一なプラズマ密度を有するの
で、基板上に均一な厚みおよび均一な膜質の薄膜が形成
される。
また、本発明において使用される高密度ソートプラズマ
は、アーク放電を利用しているため、従来のプラズマC
VD法に用いられていたグロー放電プラズマに比べて、
プラズマの密度が50〜]○O倍高く、ガスの電離度は
数10%となるために従来のプラズマCVDに比較して
2〜5倍以上の真速成膜を実現出来る。原料ガス、反応
ガスの多くは、反応性の富いイオンや中1!トの活性状
態になるために基板上での反応性が高まり、従来のよう
な高温の基板加熱をしなくても高品質の膜を被覆するこ
とができる。
「実施例」 以下に、実施例に基ついて本発明を説明する。
第1図及び第2図は、本発明の実施に用いられる装置の
(取略図である。しかし本発明の実施は第1図、第2図
に示される装置に限られるものではない。減圧された雰
■1気が廖;1節できる真空1ij−p lに、プラズ
マ発生源4と陽極5をガラス基板3の移動方向に対向さ
せて配置してなるプラズマ発生装置を2糺設け、空芯コ
イル6を空芯コイル6により形成される磁場がプラズマ
発生源4から陽極5に向かうように設置した。そしてこ
れによりプラズマ発生源4から発生したアーク放電によ
る2本の高密度プラズマ流を成膜室]3に引きだした。
さらに引き出したプラズマをシート状iこするために、
一対の永久磁石7をプラズマ発生源4と成膜室]3との
間で、N極面を対向さセるようにして第1図(a)の上
下方向から挾み、かつ永久磁石7のN極あるいはS極面
を膜を形成するガラス基板3と平行になるように配置し
、プラズマをガラス基板3と平行な方向に押しつふし、
シートプラズマ11を形成する。この時、プラズマの広
がった状態は第1図(b)のように、2つのシートプラ
ズマ11a、、11.)+が端部で重なり連続的に連な
った1つのシートプラズマとなる。2つのシー]・プラ
ズマを連続したより大きな面積を有するシートプラズマ
にするために、プラズマ発生源の間隔は30cm〜10
0cmであることが望ましい。間隔が大きすぎると連F
jA シたシートプラズマが形成されず、甚板に均一な
被覆をおこなえなくなる。
間隔が短ずぎると大面積に渡って均一で連UC的なプラ
ズマを形成するために、多くのプラズマ発4」源および
磁場発生装置ζtが必要になるので好y]:L <ない
一方、薄膜を形成するだめの原料ガスおよび反応ガスを
供給するガス供給ノズル9は、ンートフラズマ]1に対
して基板とは反対の位にtにll’i!置し、ガラス基
板3の移動方向とは垂直な方向に、複数の微小口径のノ
ズルを多数有するガス供給ノズルを用いるここができる
シートプラズマを生成するためのガスとしては、特に限
定されないが力文電の安冗性の点から、A rNHes
  H2等のガスを用いることが望ましい。かかる放電
用ガスはガス導入口10から導入される。
薄膜を形成するためのガスとしては特に限定はなく、液
体状の原料を水素等のキャリアガスといっしょにプラズ
マ中に供給するという方法を用いてもよい。例えば、原
料ガスとしてはンランガス、炭化水素ガス、炭酸ガス、
何機金属のカスがλトげられ、反応ガスとしては酸素、
窒素、水素等が挙げられる。本発明においてガラスフ1
1.板3十に形成される薄膜としては、金属膜、合金膜
、全屈酸化物膜、窒化物膜、硫化物膜、珪化物膜、炭化
物膜、硼化物膜、あるいはこれらのうぢ1または2種類
以上を含む混合物からなる薄膜等が形成できる。
本発明において、ガラス基板3を第1図において右方向
または左方向に搬送させながら膜の被覆をおこなう。
第1図のようなガラスジ、L板8と平行なシートプラズ
マで膜を被覆する場合、プラズマを引キ(11ずための
空芯コイル6のために)ガラス」:l、板3の肪)を被
覆する面とシーI・プラズマ、すなわちガス供給ノズル
9との距離が大きくなる。一般にガス供給ノズルと基板
との距離が大きくなると成膜速度が小さくなるごとが知
られており、このため高速成j摸を目的とする場合は、
上記したI:’[1′!AIは小さいことが好ましい。
高い成膜速度で大面積)1(、板に膜を被覆するために
、シートプラズマのブラスマ発仕源ど陽極のほぼ中央の
部分を)1(、板の方向へ凸状に変形させて、シートプ
ラズマとIB(板との距離を小さくするこ七ができる。
このような曲率をもったシートプラズマを形成する方法
としては、第2図にボずようにプラズマ発生源4、空芯
コイル6、永久磁石7および陽極5をガラス基板3に対
しである角度θをつけて設置することによって可能とな
る。取り付は角度0の大きさとしては、シー)・プラズ
マの長さ、ずなわぢプラズマ発律源と陽極との距離によ
って一義的に定めることはてきないが、シートプラズマ
の長さが50am程度の場合は、10°〜45°[−度
が好ましい。これ以上の角度(こなると放電の不安に性
をイ]−じ、高品質の薄膜を得る」二で好ましくない。
またノー)・プラズマを磁場によって、ガス供給バイブ
と基板間距離を短くすることができるので、膜の被覆速
度を大きくすることができる。本発明において、Uik
板とシートプラズマとの距¥il+は3cm以」二であ
ることが好ましく、こね以」二短いと基板の湿度が大幅
に」二列してしまい、膜特性の再現性を得る上で支障と
なる。ガス供給ノズルとノズルとプラズマ七の距離は5
cm以上であることが好ましく、これ以上短い場合はガ
ス供給ノズルの湿度が大幅に」−4し、ガスがノズル内
部で熱的に分解し、ガス吹き出し口がつまるという支1
+?、1が生してしまうので好ましくない。
本発明においては、1 例えばS10.j模の場合、8
1ト■4ガスとO2カフ、 カラ80 オニ/ゲスl−
0−,7,、/sec以上の成膜速度が得られ、従来の
グローh’1電を用いたプラズマCVD法に比へて2〜
5倍以」−の高速で良質の膜が被覆できる。
実施例1 第21>1に”5いて、1′1、′空(・、11・1の
1・、11.・内2は貞′)、・ポツプ(図示せず)に
より]ノ1気[二1(図示−1iず)から真空刊気され
る。成膜室13のガラス基板13の(ボ送方向の一方の
上流0[1jの真空Qijtlの壁(紙面に垂直方向の
壁)面には、中間電極12が内蔵されたプラズマ発生源
4、空芯コイル6、プラズマをシート状にするための永
久磁石]2が、下流側の真空槽の壁(紙面には垂nイ方
向の壁)面には、陽極5および空芯コイル6が、真空)
1.l−1壁に対して30゜(第2図の図中の0−30
°)の角度でフランジに取り付けられている。プラズマ
発生源4および陽極5は、大電流型「]1流電源8に接
続されており、プラズマ発生源4は前記直流爪源8より
負の電圧が印加さねる。また、プラズマ発41層尻14
には放電ガス導入用パイプIOが設けられておりArH
e等の′h!l電ガスが導入される。基板ガラス3はプ
ラズマの上部を第2図の右方向あるいは左方向に搬送さ
ね、ちょうど成j必室13の位置に搬送さ4また時にN
 膜が被覆されるようになっている。ガス供給ノズル9
は成膜3ド13のシートプラズマの下側に設けられてい
る。
真空槽1内を真空Jul気ポンプによって6.65X1
0−’Paの圧力にtll気した後、放電ガス導入パイ
プ10から、放電ガスとしてArを約30scam導入
し、それぞれのプラズマ発生装置i9+に5OAの電流
を供給し、プラズマ発l:J−源4から約60am!!
il[iた陽極5との間で2つのシートプラズマを隣接
して生起さセた。この時のプラズマ14は空芯コイル6
および永久磁石7によって、基板の方向に凸面をもった
厚みの簿い形状をしており、第2図の装置を上部からみ
た場合は第1図(b)のように2つのプラズマ発生源か
ら形成されたそれぞれのソーlプラズマが、周辺部でV
A接することによって大面積の領域に広がったシー)・
プラズマとした。このプラズマは第」図(1〕)の真空
(・j11内2の幅方向(紙面た垂直な方向)にほぼ゛
真空槽内いっばいに広がっており、その長さは約1mで
あっブこ。
このプラズマ均一性を評価するためにラングミュア−プ
ローブ法によってプラズマ密度の分布を11111定し
た。プラズマ密度のill定は、21′12図で示され
る曲率を有するシートプラズマの01点の発光部分を、
第2図の紙面ど垂直な方向に測定点をずらしておこなっ
た。その結果、真空]・j)壁近傍を除いて、プラズマ
密度分布が6.5±0.8XIO”/cm’の範囲には
り)る非常に高密度で均一な分布をもったプラズマであ
り、肉眼で見ても連続した一体のシートプラズマであっ
た。
実施例2 実施例1で用いた装置で30X80cmサイズのガラス
基板に膜の被覆を行った。  真空(jljl ]内を
真空+ul気ポンプによって6.65X10−’Paの
圧力に打1気した後、実施例1と同じようにしてアルゴ
ンガスによりシートプラズマを生起させた。第2図のプ
ラズマの発光部]4から約100mmの距離に固定され
たガス供給ノズル9から、それぞれ別個の装置の外部に
設けられた流m Mlによって流Iが制御されたゴOO
sccmのSiH4ガスと500sc’cmのO,ガス
をプラズマ14の中に供給した。この時の真空(・、1
11内2の圧力は、真空51指示(直で0.29Paで
あった。
に のような状態で、カラス基板を第2図の左方向から右方
向に500mm/m i nの搬送速度で移動させ、ガ
ラス基板にSiC2膜を形成した。ガスの供給および電
力の供給を停屯した後、真空1:jニー)内2を大気圧
に戻し、被覆されたガラス上(板を工四出し、表面粗さ
別により被覆した5102膜の厚みを測定した。その結
果、ガラス基板中央部において釣2950オングストロ
ームであった。また、膜厚分布は30cmX80cmの
り、L板内において±3%におさまっていた。さらに、
エリプソメータによって5i02膜の光学定数を測定し
たところ、お[1]定波長633nmにおいて、屈折率
が1.46で、消衰係数が0.00の1Bg吸収でスト
イキオメトリツクな薄膜であった。
「発明の効果」 本発明によれば、膜厚均一性の良い膜を富い被覆速度で
、かつ、大面積の基板に被覆することができる。このた
め、建築用や自動市川の窓ガラスに用いらねる熱線反a
d膜イマjきガラスや断熱機能膜付きガラスの膜の被覆
を効率よ〈実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明を実施するのに用いた装置
のII!i!略図、第3図はオ発明にお1.−)るプラ
ズマ発注源の陰極として用いられるILT合陰極の一例
の概略断面図である。 1・・・真空Jl1 3・・・ガラスM板 4・・・プラズマ発注源 5・・・陽極 6・・・空芯コイル 7・・・永久磁石 8・・・プラズマ発生圧「11流電源 9・・・ガス供給ノズル 10・・・放電ガス川パイプ 11・・・シートプラズマ 12・・・中間電極 20・・・補助陰極 21・・・主陰極 22・・・h!!、電ガス導入し1 手続補正書 (方式) %式% 発明の名称 基体に膜を被覆する方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所  大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号名
称(400)日本板硝子株式会社 代表者  中 島 達 二

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)減圧された雰囲気が調節できる真空槽に設置された
    、プラズマ発生源と陽極とを有するプラズマ発生装置に
    より、前記真空槽内にプラズマを発生させ前記発生させ
    たプラズマを磁場手段によってシートプラズマに変形し
    、前記シートプラズマの一方の側に配設されたガス導入
    管より原料ガスを含むガスを導入するとともに、基体を
    前記シート状プラズマを挟んで前記ガス導入管の反対側
    で、かつ、前記基体の表面を前記シートプラズマのシー
    ト面に対向させて、前記プラズマ発生源と前記陽極とを
    結ぶ方向に移動させながら、前記シートプラズマ中を通
    過した前記原料ガス成分を前記基体表面に析出させる、
    基体に膜を被覆する方法。 2)前記シートプラズマが、複数個のプラズマ発生装置
    から発生させた複数個のプラズマを磁場手段によりそれ
    ぞれシート状に変形させ、前記シート状に変形させた複
    数個のプラズマを同一面内で隣接させて形成した、より
    大きな面積のシートプラズマであることを特徴とする特
    許請求範囲第1項記載の方法。
JP22941590A 1990-08-30 1990-08-30 基体に膜を被覆する方法 Pending JPH04110473A (ja)

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