JPH04107936A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH04107936A JPH04107936A JP22713390A JP22713390A JPH04107936A JP H04107936 A JPH04107936 A JP H04107936A JP 22713390 A JP22713390 A JP 22713390A JP 22713390 A JP22713390 A JP 22713390A JP H04107936 A JPH04107936 A JP H04107936A
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- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置に関し、
ワイヤボンディングの際に載置されるヒートブロックに
突設されたワイヤ支持凸部の、サポートバーが横切る逃
げ溝に、ワイヤが垂れ下がって起こる短絡などの障害を
防止することを目的とし、中央部に位置してチップがマ
ウントされるステージと、周辺部を取り巻くように位置
するダムバーと、ステージとダムバーとの間に架設され
、かつステージを支持するサポートバーと、ステージに
向かって突出するようにダムバーに並設されたリードと
を具えたリードフレームを有する半導体装置であって、
前記リードフレームは、チップとリードとの間でワイヤ
ボンディングがなされる際、ヒートブロックに載置され
るものであって、該ヒートブロックが、ステージとダム
バーとの間に突設されてループ状に架け渡されたワイヤ
を支えるワイヤ支持凸部を有するものであり、前記リー
ドフレームは、サポートバーが、ワイヤ支持凸部を乗り
越えるように口の字形に整形されているものであるよう
に構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding semiconductor devices, this problem occurs when a wire hangs down in an escape groove crossed by a support bar of a wire support protrusion protruding from a heat block placed during wire bonding. In order to prevent failures such as short circuits, there is a stage located in the center on which the chip is mounted, a dam bar located around the periphery, and a stage installed between the stage and the dam bar. A semiconductor device having a lead frame including a support bar for support and leads arranged in parallel with a dam bar so as to protrude toward a stage, the semiconductor device comprising:
The lead frame is placed on a heat block when wire bonding is performed between a chip and a lead, and the heat block is protruded between a stage and a dam bar to form a loop shape. The lead frame has a wire support protrusion that supports the wires that are spanned, and the lead frame is configured such that the support bar is shaped into a mouth shape so that the support bar can ride over the wire support protrusion.
本発明はリードフレームに係わり、特にワイヤボンディ
ングの際にリードフレームが載置されるヒートブロック
に突設されたワイヤ支持凸部の、サポートバーが横切る
逃げ溝に、ワイヤが垂れ下がって起こる短絡などの障害
を防止するために、サポートバーの形状を改良してなる
リードフレームに関する。The present invention relates to lead frames, and in particular to problems such as short circuits caused by wires hanging down in relief grooves crossed by support bars of wire support protrusions protruding from heat blocks on which lead frames are placed during wire bonding. This invention relates to a lead frame in which the shape of the support bar is improved to prevent failure.
近年、各種半導体装置の進展は目覚ましく、いろいろな
分野にエレクトロニクス化が波及している。それに伴っ
て、半導体装置の生産量も飛躍的に拡大している。特に
半導体素子を高密度に集積した半導体集積回路からなる
半導体装置は、技術革新が急激で、シリコンウェーハの
段階から半導体装置として製品に仕上げるまでの一連の
製造プロセスにおける製造技術の重要性がますます増大
している。In recent years, various semiconductor devices have made remarkable progress, and electronics has spread to various fields. Along with this, the production volume of semiconductor devices has also increased dramatically. In particular, semiconductor devices, which consist of semiconductor integrated circuits in which semiconductor elements are integrated at high density, are experiencing rapid technological innovation, and manufacturing technology is becoming increasingly important in the series of manufacturing processes from the silicon wafer stage to the finished product as a semiconductor device. It is increasing.
半導体装置の製造プロセスの中で、ウェーハの段階から
多数の微細な半導体素子を形成するまでのいわゆるウェ
ーハプロセスは前工程とも呼ばれ、ウェーハの寸法を大
きくしてチップの寸法を小さくしたり、回路パターンを
より微細化したりして、生産性の向上が図られている。In the manufacturing process of semiconductor devices, the so-called wafer process from the wafer stage to the formation of a large number of minute semiconductor elements is also called the pre-process, and involves increasing the size of the wafer to reduce the size of the chip, or increasing the size of the chip. Efforts are being made to improve productivity by making patterns even finer.
それに対して、多数の素子が形成されたウェーハをチッ
プにスクライブしてから製品に仕上げるまでのプロセス
は後工程と呼ばれ、その中で、スクライブされたチップ
を例えばリードフレームと呼ばれる枠状の端子部材に固
着するマウント工程とか、チップの端子とリードフレー
ムの端子とを細いワイヤで結線するボンディング工程な
どの組立工程は、何れも機械的動作を伴って行われる作
業である。On the other hand, the process from scribing a wafer with a large number of elements into chips to finishing it as a product is called a post-process. Assembly processes, such as a mounting process for fixing the chip to a member and a bonding process for connecting the terminals of the chip and the terminals of the lead frame with thin wires, are all operations that involve mechanical movements.
そして、特にワイヤボンディング工程においては、装置
の加工精度を上げたり加工速度を上げたりして、生産性
の向上を図ることが行われているが、半導体装置の高密
度化に伴ってワイヤが細くなりしかも本数も増えている
ので、チップとリードの間に架け渡されるワイヤに起因
した障害の発生を防ぐことか欠かせない課題となってい
る。Particularly in the wire bonding process, efforts are being made to improve productivity by increasing the processing accuracy and processing speed of equipment, but as the density of semiconductor devices increases, wires become thinner. Moreover, as the number of wires is increasing, it has become an essential issue to prevent the occurrence of failures caused by the wires spanned between the chip and the leads.
半導体装置の組立工程において、ウェーハからスクライ
ブされた個々のチップは、枠状端子部材であるリードフ
レームのステージと呼ばれるチップの載置部に、ダイボ
ンダと呼ばれる装置によって１個ずつマウントされる。In the assembly process of semiconductor devices, individual chips scribed from a wafer are mounted one by one on a chip mounting portion called a stage of a lead frame, which is a frame-shaped terminal member, by a device called a die bonder.
そしてそのあと、チップはリードフレームに実装された
状態でワイヤボンダとも呼ばれるワイヤボンディング装
置に搬入されて所定の位置に位置決めされて停止し、チ
ップとリードフレームとの間でワイヤボンディングが行
われる。Thereafter, the chip mounted on the lead frame is carried into a wire bonding device also called a wire bonder, positioned at a predetermined position and stopped, and wire bonding is performed between the chip and the lead frame.
第３図はワイヤボンディングの一例を説明する斜視図、
第４図は第３図の要部の一部切欠き斜視図、第５図は第
３図に示したヒートブロックの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of wire bonding;
4 is a partially cutaway perspective view of the main part of FIG. 3, and FIG. 5 is a perspective view of the heat block shown in FIG. 3.
図中、ｌはリードフレーム、１１はステージ、１２はダ
ムバー、１３はサポートバー、１４はリード、２はチッ
プ、３はワイヤ、４はヒートブロック、５はキャピラリ
である。In the figure, l is a lead frame, 11 is a stage, 12 is a dam bar, 13 is a support bar, 14 is a lead, 2 is a chip, 3 is a wire, 4 is a heat block, and 5 is a capillary.
第３図〜第５図において、リードフレームＩは、中央部
にチップ２がマウントされるステージ１１が、チップ２
の厚み分だけ一段低く設けられている。3 to 5, the lead frame I has a stage 11 on which the chip 2 is mounted in the center, and a stage 11 on which the chip 2 is mounted.
It is set one step lower by the thickness of .
また、周辺部には、樹脂封止の際に樹脂の流れを堰き止
める役目をするダムバー１２が、周りを取り巻くように
設けられている。そして、ステージ１１はダムバー１２
との間に架設されたサポートバー１３によって支持され
ている。さらに、ダムバー１２がらはステージ１１に向
かって、２方とが４方とががら複数本のリード１４が突
出している。Furthermore, a dam bar 12 is provided around the periphery, which serves to dam the flow of resin during resin sealing. And stage 11 is Dambar 12
It is supported by a support bar 13 installed between. Further, a plurality of leads 14 protrude from the dam bar 12 toward the stage 11 on two and four sides.
ワイヤボンディングは、チップ２に設けられたパッド２
１とリード１４との間を、例えば２０μｍφといった細
いＡｕやＡｌなどのワイヤ３によって接続するものであ
るっ
ワイヤボンディングの方法はいろいろあるが、例えば熱
圧着ホンディングとか超音波ボンディングなどがよく知
られている。そして、リードフレームｌと相対的に三次
元に制御されて移動するキャピラリ５が、パッド２１と
リード１４の間を往復しながら、細孔から引き出された
ワイヤ３を順次ホンディングしていくようになっている
。Wire bonding is performed using pad 2 provided on chip 2.
1 and the lead 14 are connected by a thin wire 3 made of Au or Al, for example, 20 μm in diameter.There are various wire bonding methods, but well-known ones include thermocompression bonding and ultrasonic bonding. ing. Then, the capillary 5, which moves under three-dimensional control relative to the lead frame l, reciprocates between the pad 21 and the lead 14, and sequentially honds the wire 3 pulled out from the pore. It has become.
ところで、ホンディングに際しては、チップ２やリード
１４は予め加熱して置いた方がボンディング効率がよい
ので、一般にはリードフレームｌをヒートブロック４に
載せて行われる。By the way, when bonding is performed, the bonding efficiency is better if the chip 2 and the leads 14 are heated beforehand, so the lead frame 1 is generally placed on the heat block 4.
ヒートブロック４はプレートヒータの一種で、１段低（
支持されているステージ１１が納まるように中央部に中
央凹部４２が設けられている。Heat block 4 is a type of plate heater, with one stage low (
A central recess 42 is provided at the center to accommodate the supported stage 11.
一方、チップ２とリード１４の間に架け渡されるワイヤ
３は、過度な張力が掛からないように適度なアーチを描
いてホンディングされる。このアーチの形はループ形状
とも呼ばれ、キャピラリ５が予め決められたループ形状
を描くように移動しながらホンディングがなされる。On the other hand, the wire 3 that spans between the chip 2 and the lead 14 is bonded with an appropriate arch so as not to be subjected to excessive tension. This arch shape is also called a loop shape, and honding is performed while the capillary 5 moves to draw a predetermined loop shape.
ところで、ワイヤ３がとんとん細くなり、しかもリート
１４の本数が増えて、チップ２とリード１４の間隔が広
くなってワイヤ３が長くなってくると、ループ形状が潰
れてワイヤ３が垂れ下がったり横に倒れたりする。特に
このことは、ワイヤホンディングのあとの工程で行われ
る樹脂封止の際に、流入する樹脂の外圧によって、ワイ
ヤ同士の短絡とか断線とかの原因になり兼ねない。By the way, as the wire 3 becomes thinner and the number of leads 14 increases, the gap between the chip 2 and the lead 14 becomes wider, and the wire 3 becomes longer, the loop shape collapses and the wire 3 hangs down or goes sideways. or fall down. In particular, this may cause short circuits or disconnections between the wires due to the external pressure of the inflowing resin during resin sealing performed in a step after wire bonding.
そこで、第５図に示したヒートブロック４の中央凹部４
２の周りを取り巻くステージ１１とダムバー１２との隙
間には、リード１４に引っ掛からないで出っ張るように
、ワイヤ３を支える土手状のワイヤ支持凸部４１を設け
てワイヤ３のループ形状を支えることが行われている。Therefore, the central recess 4 of the heat block 4 shown in FIG.
In the gap between the stage 11 surrounding the wire 2 and the dam bar 12, a bank-like wire support protrusion 41 is provided to support the wire 3 so as to protrude without being caught on the lead 14, thereby supporting the loop shape of the wire 3. It is being done.
ところが、このワイヤ支持凸部４１はステージ１１を支
持する例えば４本といった複数本のサポートバー１３が
横切るために、その部分が途切れて逃げ溝４３になって
おり、サポートバー１３の数だけ分割された構成になっ
ている。However, since this wire support protrusion 41 is crossed by a plurality of support bars 13, for example four, that support the stage 11, the portion is interrupted and becomes an escape groove 43, and is divided into as many pieces as the number of support bars 13. The structure is as follows.
このように、ヒートブロックにはワイヤの弛みを防ぐた
めにワイヤ支持凸部が設けられているが、サポートバー
を横切る部分が逃げ溝になって切れている。As described above, the heat block is provided with a wire support convex portion to prevent the wire from becoming loose, but the portion that crosses the support bar is cut into an escape groove.
一方、リードの本数が増えてリードピッチが細か（なる
と、サポートバーに隣接するリードとの間隔も非常に狭
くなっている。On the other hand, as the number of leads increases, the lead pitch becomes finer (as a result, the distance between the leads adjacent to the support bar also becomes very narrow).
そのため、サポートバーの近傍のリードにボンディング
されたワイヤがワイヤ支持凸部の逃げ溝に垂れ下がり、
例えば引き続いて行われる樹脂封止工程の際、流れる樹
脂の外圧に抗しきれずに短絡などを起こす原因となる。Therefore, the wire bonded to the lead near the support bar hangs down into the escape groove of the wire support protrusion.
For example, during the subsequent resin sealing process, the external pressure of the flowing resin cannot be resisted, causing a short circuit.
つまり、ワイヤを支えるワイヤ支持凸部の機能が十分に
発揮できないので、ワイヤボンディングや樹脂封止など
の歩留りを低下させる問題があった。In other words, the function of the wire supporting convex portion supporting the wire cannot be fully demonstrated, resulting in a problem of lowering the yield of wire bonding, resin sealing, etc.
そこで本発明は、ワイヤ支持凸部から逃げ溝を無くする
ために、サポートバーの形状をワイヤ支持凸部が乗り越
えるように口の字形に整形してなるリードフレームを有
する半導体装置を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention aims to provide a semiconductor device having a lead frame formed by shaping a support bar into a mouth shape so that the wire support protrusion can overcome the wire support protrusion. The purpose is
上で述べた課題は、
中央部に位置してチップがマウントされるステージと、
周辺部を取り巻くように位置するダムバーと、ステージ
とダムバーとの間に架設され、かつステージを支持する
サポートバーと、ステージに向かって突出するようにダ
ムバーに並設されたリードとを具えたリードフレームを
有する半導体装置であって、
前記リードフレームは、チップとリードとの間でワイヤ
ボンディングがなされる際、ヒートブロックに載置され
るものであって、該ヒートブロックが、ステージとダム
バーとの間に突設されてループ状に架け渡されたワイヤ
を支えるワイヤ支持凸部を有するものであり、
前記リードフレームは、サポートバーが、ワイヤ支持凸
部を乗り越えるように口の字形に整形されているもので
ある
ように構成されたリードフレームによって解決される。The issues mentioned above are related to the stage located in the center where the chip is mounted, and the stage where the chip is mounted.
A lead comprising a dam bar located so as to surround a peripheral part, a support bar installed between the stage and the dam bar and supporting the stage, and a lead arranged in parallel with the dam bar so as to protrude toward the stage. A semiconductor device having a frame, wherein the lead frame is placed on a heat block when wire bonding is performed between a chip and a lead, and the heat block connects a stage and a dam bar. The lead frame has a wire support convex part protruding between the parts to support a wire stretched in a loop shape, and the lead frame has a wire support convex part formed in a mouth shape so that the support bar can overcome the wire support convex part. The solution is a lead frame that is configured to be
半導体装置の組立工程において、ワイヤボンディングの
際にリードフレームが載置される従来のヒートブロック
には、ワイヤのループ形状を保持する土手状のワイヤ支
持凸部が設けられており、そのワイヤ支持凸部の、サポ
ートバーが横切る逃げ溝にワイヤが垂れ下がって障害の
原因になっていたのに対して、本発明においては、この
逃げ溝がなくて連続した切れ目のないワイヤ支持凸部に
なるようにしている。そして、ダムバーから水平に突出
したあと下方に折曲され、ステージが一段低くなるよう
に支持している従来のサポートバーを、切れ目のないワ
イヤ支持凸部を乗り越えるようにしている。In the assembly process of semiconductor devices, a conventional heat block on which a lead frame is placed during wire bonding is provided with a bank-like wire support protrusion that holds the loop shape of the wire. In contrast, in the present invention, there is no escape groove and the wire is created as a continuous, unbroken wire support convex part. ing. A conventional support bar, which protrudes horizontally from the dam bar and then is bent downward to support the stage one step lower, is made to pass over the continuous wire support protrusion.
すなわち、ダムバーから突出したサポートバーは、ワイ
ヤ支持凸部の手前で一旦上方へ折曲し、ワイヤ支持凸部
を乗り越えたあと下方に折曲してからステージを支持す
るようにしている。That is, the support bar protruding from the dam bar is once bent upward before the wire support protrusion, and after climbing over the wire support protrusion, is bent downward to support the stage.
このようにして、ヒートブロックのワイヤ支持凸部にサ
ポートバーが横切る逃げ溝が不要となるので、ワイヤ支
持凸部を切れ目なく設けることができる。そして、サポ
ートバー近傍の、チップとリードとの間に架け渡された
ループ形状をなすワイヤが弛んで短絡するなとの障害を
防ぐことができてなる半導体装置が得られる。In this way, the wire support convex portion of the heat block does not require an escape groove for the support bar to cross, so that the wire support convex portion can be provided seamlessly. As a result, a semiconductor device can be obtained in which failures such as short circuits due to loosening of loop-shaped wires extending between the chip and the leads in the vicinity of the support bar can be obtained.
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例の斜視図、第２図は第１図の要
部の一部切欠き斜視図である。[Embodiment] FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the main part of FIG. 1.
図中、■はリードフレーム、１１はステージ、１２はダ
ムバー、１３はサポートバー、１４はリード、２はチッ
プ、３はワイヤ、４はヒートブロック、４１はワイヤ支
持凸部、４２は中央凹部である。In the figure, ■ is a lead frame, 11 is a stage, 12 is a dam bar, 13 is a support bar, 14 is a lead, 2 is a chip, 3 is a wire, 4 is a heat block, 41 is a wire support protrusion, and 42 is a central recess. be.
リードフレーム１は、ＦｅＮｉ系やＣｕ系合金などの薄
い帯条を、抜き打ち加工とかエツチングとかによって外
形加工したあと、プレス加工によって整形し構成される
。The lead frame 1 is constructed by shaping a thin strip of FeNi-based or Cu-based alloy by punching or etching, and then shaping it by pressing.
リードフレーム１の中央部にはチップ２かマウントされ
るステージ１１か設けられており、周辺部にはダムバー
１２が設けられている。また、ステージ１１はチップ２
の厚み分だけ一段低（なるように、ステージ１１とダム
バー１２の間に架設されたサポートパー１３によって支
持されており、ステージ１１に向かって複数本のり−ド
１４がダムバー１２から突出している。A stage 11 on which a chip 2 is mounted is provided at the center of the lead frame 1, and a dam bar 12 is provided at the periphery. Also, stage 11 is chip 2
It is supported by a support par 13 installed between the stage 11 and the dam bar 12, and a plurality of rods 14 protrude from the dam bar 12 toward the stage 11.
一方、リードフレーム１は、チップ２とリード１４との
間にワイヤボンディングが行われる際には、ヒートブロ
ック４に載置されて行われる。On the other hand, when wire bonding is performed between the chip 2 and the leads 14, the lead frame 1 is placed on the heat block 4.
このヒートブロック４は、リードフレーム１とチップ２
を予熱する治具であり、中央部にステージ１１が納まっ
て当接する中央凹部４２が設けられている。その中央凹
部４２を取り巻く周囲には、ステージ１１とリード１４
を逃げるように突出したワイヤ支持凸部４１が設けられ
ている。This heat block 4 consists of a lead frame 1 and a chip 2.
It is a jig for preheating, and is provided with a central recess 42 in the center of which the stage 11 fits and abuts. The stage 11 and leads 14 are arranged around the central recess 42.
A wire support convex portion 41 is provided that protrudes so as to escape from the wire support convex portion 41 .
このワイヤ支持凸部４１はボンディングされたワイヤ３
が弛むのを支えるもので、底面はステージ１１とリード
１４の隙間の形状には望倣い、上面はワイヤ３が適宜接
触して支持され、ワイヤ３のループ形状が漬れないよう
に配慮されている。This wire support convex portion 41 is connected to the bonded wire 3.
The bottom surface follows the shape of the gap between the stage 11 and the lead 14 as desired, and the top surface supports the wire 3 in appropriate contact so that the loop shape of the wire 3 is not dipped. There is.
ところで、サポートパー１３は、第２図に示したように
ワイヤ支持凸部４１を乗り越えるように口の字形に整形
されている。そして、サポートパー１３がこのような口
の字の形状に整形されていると、ワイヤ支持凸部４Ｉを
途切れない連続した土手状に構成できる。By the way, as shown in FIG. 2, the support par 13 is shaped into a mouth shape so as to pass over the wire support protrusion 41. When the support par 13 is shaped into such a square shape, the wire support convex portion 4I can be formed into an uninterrupted continuous bank shape.
その結果、ループ形状を描いてチップ２とり−ド１４の
間でボンディングされたワイヤ３は、サポートパー１３
の近傍においても、ワイヤ支持凸部４１に支えられて弛
むことがないので、短絡などの障害を防ぐことができる
。As a result, the wire 3 drawn in a loop shape and bonded between the chip 2 and the wire 14 is connected to the support pad 13.
Since it is supported by the wire support convex portion 41 and does not loosen even in the vicinity of the wire support convex portion 41, troubles such as short circuits can be prevented.
こ＼ではサポートバーがステージの４隅を支持している
場合を例示したが、ステージのどの位置を支持している
かに制約はなく、種々の変形が可能である。In this example, the support bar supports the four corners of the stage, but there are no restrictions on which position on the stage it supports, and various modifications are possible.
半導体装置の組立工程におけるワイヤボンディングの際
に、リードフレームが載置される従来のヒートブロック
のワイヤ支持凸部には、サポートパーが横切る逃げ溝が
設けられていたか、本発明になる半導体装置が有するリ
ードフレームにおいては、ワイヤ支持凸部に逃げ溝が不
要になるように、サポートパーの方をワイヤ支持凸部を
乗り越えるように口の字形に整形している。During wire bonding in the assembly process of semiconductor devices, the wire support convex portion of the conventional heat block on which the lead frame is placed is provided with an escape groove for the support par to cross, or the semiconductor device of the present invention In this lead frame, the support par is shaped into a mouth shape so that it can overcome the wire support protrusion so that the wire support protrusion does not require an escape groove.
その結果、チップとリードの間にループ形状をなして架
け渡されたワイヤが、ワイヤ支持凸部の逃げ溝に垂れ下
がって起こる短絡などの障害を防ぐことができる。As a result, it is possible to prevent problems such as short circuits caused by the wire, which is stretched in a loop shape between the chip and the leads, hanging down into the relief groove of the wire support convex portion.
従って、本発明は、特にワイヤボンディングとそれに引
き続いて行われる樹脂封止などの半導体装置の組立工程
の歩留りが向上してなる半導体装置を得ることに寄与す
るところが大である。Therefore, the present invention greatly contributes to obtaining a semiconductor device in which the yield of semiconductor device assembly processes such as wire bonding and subsequent resin encapsulation is particularly improved.
第１図は本発明の実施例の斜視図、
第２図は第１図の要部の一部切欠き斜視図、第３図はワ
イヤボンディングの一例を説明する斜視図、
第４図は第３図の要部の一部切欠き斜視図、第５図は第
３図に示したヒートブロックの拡大斜視図、
である。
図において、
■はリードフレーム、 １１はステージ、１２はダム
バー、 １３はサポートパー、Ｊ４はリード、
２はチップ、 ３はワイヤ、４はヒートブロ
ック、 ４１はワイヤ支持凸部、である。
第 １ 図
第１図０要邦の一部ＶＪ欠ぎ糾親図
第 ２ 閃
ワイヤボンデ゛イング（Ｄ−９正説明するト視図第 ３
閃
纂３図の要部の一部切欠乏科視図FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the main part of FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of wire bonding, and FIG. 3 is a partially cutaway perspective view of the main part, and FIG. 5 is an enlarged perspective view of the heat block shown in FIG. 3. In the figure, 1 is a lead frame, 11 is a stage, 12 is a dam bar, 13 is a support par, J4 is a lead, 2 is a chip, 3 is a wire, 4 is a heat block, and 41 is a wire support protrusion. Figure 1 Figure 1 Figure 0 Part of VJ missing main diagram Figure 2 Flash wire bonding (D-9 correct explanation) Figure 3
Partial cut-out view of the main part of Sengen 3 map
Claims (1)
ジ（１１）と、周辺部を取り巻くように位置するダムバ
ー（１２）と、前記ステージ（１１）とダムバー（１２
）との間に架設され、かつ該ステージ（１１）を支持す
るサポートバー（１３）と、前記ステージ（１１）に向
かって突出するように前記ダムバー（１２）に並設され
たリード（１４）とを具えたリードフレーム（１）を有
する半導体装置であって、 前記リードフレーム（１）は、前記チップ（２）とリー
ド（１４）との間でワイヤボンディングがなされる際、
ヒートブロック（４）に載置されるものであって、該ヒ
ートブロック（４）が、ステージ（１１）とダムバー（
１２）との間に突設されてループ状に架け渡されたワイ
ヤ（３）を支えるワイヤ支持凸部（４１）を有するもの
であり、 前記リードフレーム（１）は、サポートバー（１３）が
、前記ワイヤ支持凸部（４１）を乗り越えるようにПの
字形に整形されているものである ことを特徴とする半導体装置。[Claims] A stage (11) located in the center on which the chip (2) is mounted, a dam bar (12) located so as to surround the periphery, and the stage (11) and the dam bar (12).
) and supports the stage (11); and leads (14) arranged in parallel with the dam bar (12) so as to protrude toward the stage (11). A semiconductor device having a lead frame (1) comprising: When wire bonding is performed between the chip (2) and the lead (14), the lead frame (1)
It is placed on a heat block (4), and the heat block (4) connects the stage (11) and the dam bar (
The lead frame (1) has a wire support protrusion (41) that protrudes between the support bar (13) and supports the wire (3) that is stretched in a loop shape. . A semiconductor device, characterized in that the semiconductor device is shaped into a letter P so as to go over the wire support convex portion (41).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22713390A JP2873350B2 (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22713390A JP2873350B2 (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107936A true JPH04107936A (en) | 1992-04-09 |
| JP2873350B2 JP2873350B2 (en) | 1999-03-24 |
Family
ID=16855998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22713390A Expired - Lifetime JP2873350B2 (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873350B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09266223A (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
| US7224049B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-05-29 | Rohm Co., Ltd. | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP22713390A patent/JP2873350B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09266223A (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
| US7224049B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-05-29 | Rohm Co., Ltd. | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same |
| US7456049B2 (en) | 2003-11-19 | 2008-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2873350B2 (en) | 1999-03-24 |
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