JPH0410636A - 超音波ボンディングツール - Google Patents
超音波ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH0410636A JPH0410636A JP2114508A JP11450890A JPH0410636A JP H0410636 A JPH0410636 A JP H0410636A JP 2114508 A JP2114508 A JP 2114508A JP 11450890 A JP11450890 A JP 11450890A JP H0410636 A JPH0410636 A JP H0410636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- diameter
- hole
- tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78317—Shape of other portions
- H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01088—Radium [Ra]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ加工による半導体装置の組み立て装置
用超音波ボンディングツールに関するものである。
用超音波ボンディングツールに関するものである。
超音波ボンディングツールは、ボンディングワイヤーを
ボンディングツール穴に通してベレット上ボンディング
面において加圧を行った状態で超音波振動を加えながら
ボンディングするものである。従来使用していたボンデ
ィングツールはワイヤー通し穴を放電加工により作製し
ており、ワイヤー径20μmに対して通し穴径は40μ
mのものを使用していた。ボンディングツールについて
は特公昭60−19659号公報に記載されている。
ボンディングツール穴に通してベレット上ボンディング
面において加圧を行った状態で超音波振動を加えながら
ボンディングするものである。従来使用していたボンデ
ィングツールはワイヤー通し穴を放電加工により作製し
ており、ワイヤー径20μmに対して通し穴径は40μ
mのものを使用していた。ボンディングツールについて
は特公昭60−19659号公報に記載されている。
集積回路の高密度化により20μm径以下0ワイヤーに
よるボンディング要求が高まっている。
よるボンディング要求が高まっている。
これに対して従来の加工法である放電加工ではボンディ
ングツールのワイヤー通し穴径が27μm以下のものが
できず、ワイヤー径に対し穴径が大きすぎるために、ワ
イヤーのふらつきによりボンディング時の位置精度が悪
くなり、ボンディングのはずれや、ワイヤーのショート
を発生する。このように20μm以下の径のワイヤーに
よるボンディングが困難であった。本発明のレーザ加工
によるボンディングツールは、この問題点を改善するも
のである。
ングツールのワイヤー通し穴径が27μm以下のものが
できず、ワイヤー径に対し穴径が大きすぎるために、ワ
イヤーのふらつきによりボンディング時の位置精度が悪
くなり、ボンディングのはずれや、ワイヤーのショート
を発生する。このように20μm以下の径のワイヤーに
よるボンディングが困難であった。本発明のレーザ加工
によるボンディングツールは、この問題点を改善するも
のである。
本発明のレーザ加工による超音波ボンディングツールは
、ワイヤー通し穴の穴径をワイヤーの出側において、ワ
イヤー径より5〜15μm大きくしたものであり、さら
にそれに加えてワイヤー通し穴の内面の平均粗さ(Ra
)を5μm以下にすることによって、2011m以下の
径のワイヤーによるボンディングを可能とし、ボンディ
ング時の位置精度向上を容易化することを特徴とする。
、ワイヤー通し穴の穴径をワイヤーの出側において、ワ
イヤー径より5〜15μm大きくしたものであり、さら
にそれに加えてワイヤー通し穴の内面の平均粗さ(Ra
)を5μm以下にすることによって、2011m以下の
径のワイヤーによるボンディングを可能とし、ボンディ
ング時の位置精度向上を容易化することを特徴とする。
第1図に本発明のボンディングツールの概略を示す。ボ
ンディングツール1の斜側面にワイヤー2の通り穴3を
通過したボンディングワイヤー2はツールエツジの圧着
面4で圧着される。この際にワイヤー通し人出側径5を
ワイヤー2の直径より5〜15μm大きくするか、また
は、さらに通し穴の内面の平均粗さ(Ra)を5μm以
下にすることによってワイヤーの通過に対して抵抗が少
なく傷が防止され、スムーズにワイヤー通し穴を通過さ
せることができる。さらにワイヤーのふらつきをおさえ
、20μm以下の径のボンディングワイヤーによるボン
ディング加工時の位置精度向上を容易化することが可能
となり、集積回路の高密度化の要求に応じることが可能
となる。本発明ボンディングツールの加工法は、0.7
〜1.06μmの波長のレーザビームをアパーチャによ
ってトリミングすることにより従来不可能であった小径
で内面の平均粗さ(Ra)の低いワイヤー通し穴加工を
可能とする。本発明の加工を行う装置の概略を第2図に
示す。レーザ本体6から水平方向に発したレーザビーム
7はベンディングミラー8でその方向を垂直に変えレン
ズ9を介してXY−Z−θテーブル11上に設置された
ボンディングツール1の表面に集光照射され、ツール1
が加工される。サイドノズル10は加工の際の蒸発の促
進、溶融物の除去のためAr等のガスを加工点に吹きつ
けるためのものである。
ンディングツール1の斜側面にワイヤー2の通り穴3を
通過したボンディングワイヤー2はツールエツジの圧着
面4で圧着される。この際にワイヤー通し人出側径5を
ワイヤー2の直径より5〜15μm大きくするか、また
は、さらに通し穴の内面の平均粗さ(Ra)を5μm以
下にすることによってワイヤーの通過に対して抵抗が少
なく傷が防止され、スムーズにワイヤー通し穴を通過さ
せることができる。さらにワイヤーのふらつきをおさえ
、20μm以下の径のボンディングワイヤーによるボン
ディング加工時の位置精度向上を容易化することが可能
となり、集積回路の高密度化の要求に応じることが可能
となる。本発明ボンディングツールの加工法は、0.7
〜1.06μmの波長のレーザビームをアパーチャによ
ってトリミングすることにより従来不可能であった小径
で内面の平均粗さ(Ra)の低いワイヤー通し穴加工を
可能とする。本発明の加工を行う装置の概略を第2図に
示す。レーザ本体6から水平方向に発したレーザビーム
7はベンディングミラー8でその方向を垂直に変えレン
ズ9を介してXY−Z−θテーブル11上に設置された
ボンディングツール1の表面に集光照射され、ツール1
が加工される。サイドノズル10は加工の際の蒸発の促
進、溶融物の除去のためAr等のガスを加工点に吹きつ
けるためのものである。
本実施例に使用したボンディングツールは超硬鋼製(W
C)である。レーザはアレキサンドライトレーザ(波長
0.7’55μm)で、パルスモード、アパーチャサイ
ズφ2mm、1パルス当たりのエネルギー0.15J、
1秒当たりのパルス数3発、全パルス数15発、レンズ
の焦点距離は30mm、焦点位置はツールの上表面とし
た。この結果、ツール先端の入側の穴径60μm、出側
の穴径15μm、通し穴内面の平均粗さ(Ra)3μm
の通し穴の加工を行うことができた。このツールにより
10μmの径のボンディングワイヤーを使用して40μ
mピッチのボンディングパソド群にワイヤーボンディン
グを行った結果、ツールのボンディング面からワイヤー
がはずれることなくボンディングが可能であった。又位
置誤差の標準偏差は第3図に示されるように2.6μm
であり、40μmピッチのボンディング(ワイヤー径1
0μm使用)の必要とする位置精度の標準偏差3.3μ
m以下を満たしており(従来方法では4゜3μmであっ
た)、パッド間のショートも発生せず良好なボンディン
グが可能となった。
C)である。レーザはアレキサンドライトレーザ(波長
0.7’55μm)で、パルスモード、アパーチャサイ
ズφ2mm、1パルス当たりのエネルギー0.15J、
1秒当たりのパルス数3発、全パルス数15発、レンズ
の焦点距離は30mm、焦点位置はツールの上表面とし
た。この結果、ツール先端の入側の穴径60μm、出側
の穴径15μm、通し穴内面の平均粗さ(Ra)3μm
の通し穴の加工を行うことができた。このツールにより
10μmの径のボンディングワイヤーを使用して40μ
mピッチのボンディングパソド群にワイヤーボンディン
グを行った結果、ツールのボンディング面からワイヤー
がはずれることなくボンディングが可能であった。又位
置誤差の標準偏差は第3図に示されるように2.6μm
であり、40μmピッチのボンディング(ワイヤー径1
0μm使用)の必要とする位置精度の標準偏差3.3μ
m以下を満たしており(従来方法では4゜3μmであっ
た)、パッド間のショートも発生せず良好なボンディン
グが可能となった。
本発明によれば、従来不可能であった27μm以下の穴
径のワイヤー通し穴をもち、かつワイヤーの挿入が容易
で、ワイヤーにキズがつきにくいボンディングツールが
得られ、20μm以下の径のワイヤーによるボンディン
グが可能となり、集積回路の高密度化の要求に対し高精
度で応じることができる。
径のワイヤー通し穴をもち、かつワイヤーの挿入が容易
で、ワイヤーにキズがつきにくいボンディングツールが
得られ、20μm以下の径のワイヤーによるボンディン
グが可能となり、集積回路の高密度化の要求に対し高精
度で応じることができる。
第1図は本発明のボンディングツールを示す側断面図、
第2図はレーザを利用してボンディングツールを加工す
る装置の例を示す模式図、第3図はワイヤー通り穴出側
穴径と位置誤差の標準偏差の関係を示すグラフである。 1・・・ボンディングツール、 2・・・ボンディングワイヤー 3・・・ワイヤー通り穴、4・・・圧着面、5・・・ワ
イヤー通り人出側径、 6・・・レーザ本体、7・・・レーザビーム、8・・・
ベンディングミラー 9・・・レンズ、0 ・・・ サイ ドノズル、 1 ・・・ θテーブル。
第2図はレーザを利用してボンディングツールを加工す
る装置の例を示す模式図、第3図はワイヤー通り穴出側
穴径と位置誤差の標準偏差の関係を示すグラフである。 1・・・ボンディングツール、 2・・・ボンディングワイヤー 3・・・ワイヤー通り穴、4・・・圧着面、5・・・ワ
イヤー通り人出側径、 6・・・レーザ本体、7・・・レーザビーム、8・・・
ベンディングミラー 9・・・レンズ、0 ・・・ サイ ドノズル、 1 ・・・ θテーブル。
Claims (2)
- (1)ボンディングワイヤー通り穴を有する超音波ボン
ディングツールにおいて、通り穴出側穴径はボンディン
グワイヤーの直径より5〜15μm大きな直径であるこ
とを特徴とする超音波ボンディングツール。 - (2)通り穴内面の平均粗さ(Ra)が5μm以下であ
ることを特徴とする請求項1に記載の超音波ボンディン
グツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2114508A JPH088286B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 超音波ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2114508A JPH088286B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 超音波ボンディングツール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0410636A true JPH0410636A (ja) | 1992-01-14 |
JPH088286B2 JPH088286B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14639516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2114508A Expired - Lifetime JPH088286B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 超音波ボンディングツール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH088286B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114508A patent/JPH088286B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH088286B2 (ja) | 1996-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5731244A (en) | Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits | |
TWI260843B (en) | Focusing an optical beam to two foci | |
WO2017210899A1 (zh) | 用于切割蓝宝石的方法及装置 | |
US20090004828A1 (en) | Laser beam machining method for wafer | |
JP4694900B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
US20020170891A1 (en) | Laser machining system and method | |
US20130087949A1 (en) | Ablation method for die attach film | |
JPS6239539B2 (ja) | ||
JP4711774B2 (ja) | 平板状ワークの加工方法 | |
JPH07336055A (ja) | レーザ加工方法及びその装置 | |
JPH0410636A (ja) | 超音波ボンディングツール | |
JPH0817985A (ja) | 集積回路リードフレームタイバーのレーザ除去装置 | |
JP2003134628A (ja) | 電線の被覆材除去方法及び被覆材除去装置 | |
JPH0263693A (ja) | レーザ加工方法 | |
JPH04200888A (ja) | レーザ切断方法 | |
JPH1140523A (ja) | 基板切断装置および基板切断方法 | |
JP3910008B2 (ja) | 極薄金属板のレーザ切断加工装置 | |
JPH02263448A (ja) | 半導体装置の組立て装置用ボンディングツールとその加工法 | |
JPH06335791A (ja) | レーザ集光装置 | |
JPH07211424A (ja) | 半田付け方法および半田付け装置 | |
JPS59127984A (ja) | レ−ザ光を用いたリ−ド線の被覆除去方法 | |
JPH0428490A (ja) | セラミックスのレーザ穴加工法 | |
JPS59223181A (ja) | 積層板の抵抗溶接装置 | |
JPS5933075B2 (ja) | レ−ザ加工方法および装置 | |
JP2023158489A (ja) | ウエーハの生成方法 |