JPH04101116A - Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明はＴ　Ｆ　Ｔ　（ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａ
ｓｉｓｉｔｏｒ）をＰＬＺＴ光シャッタの駆動回路とし
て用いたＰＬＺＴ光シャッタアレー装置に係り、更に詳
しくはＰＬＺＴ　（透明なセラミック）による光シヤツ
タアレーをアクティブマトリックス方式で駆動可能とす
るＰＬＺＴ光シャッタアレー装置に関するものである。

［従　来　例コ 近年、ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰＬ
ＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャッ
タやデイスプレィに用いられようとしている。

そのＰＬＺＴを用いて光シヤツタアレーを作製する場合
、複数の光シャッタを駆動する方法としてはＰＬＺＴの
性質から単純マトリックスで行なうことができないこと
から、例えば第３図および第４図に示されるように、Ｐ
ＬＺＴ基板１に光シャッタ２を形成し、かつ、同一面に
その光シャッタ２を駆動するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌ
ｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の能動素子３を形成し、そ
の光シャッタ２をアクティブマトリックス方式で駆動す
ることが考えられる。なお１図中、４は光シャッタ２の
共通電極（ＧＮＤ）で、５はＰＬＺＴ基板１と能動素子
３の間の絶縁層で、６は能動素子３のゲート電極で、７
は絶縁体層で、８は半導体層で、９は能動素子３のドレ
イン電極で、１０は能動素子３のソース電極（光シャッ
タ２の画素電極に該当する）である。

そして、各能動素子３のドレイン電極９にデータライン
１１を介して信号電圧が印加され、そのゲート電極６に
走査ライン１２を介して電圧が印加されると、当該能動
素子３のドレインとソース間の抵抗値が下げられ、その
能動素子３はオン状態にされる。すなわち、その信号電
圧が能動素子３を介して光シャッタ２の電極に印加され
るため、その光シャッタ２の電極間に電界が生し、光シ
ャッタ２の光が透過制御される。

しかし、上記ＰＬＺＴ光シャッタアレー装置にあっては
、ＰＬＺＴ基板１がセラミックであり、平滑な面を得る
ことが困難であることから、その面に形成したＴＦＴの
故障率が高く、歩留まりが悪かった。

そこで、第４図に示すＰＬＺＴ光シャッタアレー装置が
提案されている。

この図において、ＰＬＯ丁基板基板１複数の光シャッタ
が形成され、つまり光シャッタ２の電極１３が形成され
る。一方、そのＰＬＺＴ基板１とは別に、絶縁性基板（
透明部材）１４にはその光シャッタ２に対応してＴＦＴ
の能動素子３が形成され、さらに図示しないがその能動
素子３のゲート電極６およびドレイン電極９を引き出す
配線パターンが形成される。そして、このＴＦＴを形成
した絶縁性基板１４と上記ＰＬＺＴ基板１が貼り合せら
れ、かつ、その能動素子３のソース電極１０と光シャッ
タ２の電極１３がバンプ１５，１６を介して接続される
。また、ＴＦＴの能動素子３の形成面がＰＬＺＴ基板１
の電極形成面に貼り合せられることから、ＴＦＴ側には
保護膜（絶縁部材）１７が設けられており、そのＴＦＴ
の配線パターン（ドレイン電極１０およびゲート電極６
）がその光シャッタ２の電極と短絡しないようになって
いる。なお、図中、第３図と同一部分には同一符号を付
し重複説明を省略する。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記第４図に示すＰＬＺＴ光シャッタア
レー装置にあっては、ＰＬＯ丁基板基板１ＦＴを貼り合
せたとき、ゲート電極６およびドレイン電極９と光シャ
ッタの電極（能動素子３のソース電極ｔｏ）１３の間の
保護膜１７の欠陥による不良により、その間が短絡する
こともあり、歩留まりが良くないという問題点があった
。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は平滑な面を有する絶縁性基板にＴＦＴを形成し、そ
のＴＦＴとＰＬＺＴ基板を貼り合せたとき、能動素子の
電極間の短絡を防止することができ１歩留まりの向上を
図ることができるようにしたＰＬＺＴ光シャッタアレー
装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ光シャ
ッタアレー装置は、　ＰＬＺＴ基板にはマトリックス状
に複数の光シャッタが形成されており、絶縁性基板には
その複数の光シャッタに対応してＴＦＴによる能動素子
が形成されているとともに、この能動素子の電極を引き
出す配線パターンが形成され、かつ、各能動素子の他の
電極位置に孔が形成されており、このＴＦＴの能動素子
形成面の裏面を上記光シャッタの電極形成面に貼り合せ
たとき、その光シャッタの一方の電極と上記能動素子の
他の電極を上記孔を介したバンプで接続し、それら能動
素子にて上記複数の光シャッタをアクティブマトリック
ス方式で駆動可能としたことを要旨とする。

［作　　用］ 上記構成としたので、　ＰＬＺＴ基板の光シヤツタ電極
形成面と絶縁性基板の能動素子形成面が対向していない
ため、光シャッタの画素電極と能動素子の電極の間が絶
縁膜による欠陥等に不良になることもない、すなわち絶
縁性を考慮する必要がない。

［実　施　例］ 以下、この発明の実施例を第１図に基づいて説明する。

なお、図中、第４図と同一部分には同一符号を付し重複
説明を省略する。また、ＰＬＺＴ光シャッタアレー装置
の概略的回路は第２図を参照されたい。

第１図において、このＰＬＺＴ光シャッタアレー装置で
は、ＴＦＴの能動素子３を絶縁性基板（透明部材）１４
に形成するとき、第４図に示す例と逆の面に形成してい
る。また、絶縁性基板１４には、各能動素子３のソース
電極１０に対応する位置に孔１８が形成されており、そ
のＴＦＴの能動素子３を形成した絶縁性基板１４とＰＬ
ＺＴ基板１を貼り合せたとき、そのソース電極ｌＯと光
シャッタ２の画素電極１３がその孔１８を介してパップ
１５．１６で接続可能になっている。

なお、能動素子３のゲート電極６を引き出す配線パター
ン（データライン１１）およびそのドレイン電極９を引
き出す配線パターン（走査ライン１２）は、絶縁性基板
１４の能動素子３の形成面に形成される。

このように、ＰＬＺＴ基板１にはマトリック状に複数の
光シャッタが形成される。一方、絶縁性基板１４にはＴ
ＦＴの能動素子３、その電極の引き出し配線パターンお
よびその電極に対応する位置に孔１８が形成される。そ
して、そのＴＦＴの能動素子３の形成面の裏面がＰＬＺ
Ｔ基板１の電極形成面に貼り合せられる。このとき、そ
の能動素子３のソース電極１０は孔１８を介したバンプ
１５，１６で光シャッタ２の電極１３に接続される。

したがって、その貼り合せ面には能動素子３および配線
パターン（データライン１１および走査ライン１２）が
ないため、ゲート電極６、ドレイン電極９と光シャッタ
２の電極が重なることもなく。

つまりその間に短絡が生しないため、能動素子３の電極
間の短絡を防止することができ、ＰＬＺＴ光シャッタア
レー装置の歩留まりの向上を図ることができる。

また、ＴＦＴによる能動素子３を形成する絶縁性基板１
４は、ＰＬＺＴ基板１より面を平滑にすることができる
ことから、ＴＦＴ作製の歩留まりの向上を図ることがで
きる。

［発明の効果コ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ光シャッタア
レー装置によれば、ＰＬＺＴ基板にマトリックス状に複
数の光シャッタを形成し、一方絶縁性基板にその光シャ
ッタに対応するＴＦＴの能動素子を形成するとともに、
その能動素子の電極を引き出す配線パターン（データラ
インおよび走査ライン）を形成し、かつ、各能動素子の
他の電極に対応する位置に孔を形成し、この絶縁性基板
のＴＦＴ形成面の裏面を上記ＰＬＺＴ基板に貼り合せる
とき、その他の電極と光シャッタの一方の電極をその孔
を介してバンプで接続するようにしたので、光シャッタ
の電極と能動素子の電極（配線パターン）が重なり合う
こともなく、すなわち短絡を防止することができ、歩留
まりの向上を図ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すＰＬＺＴ光シャッタ
アレー装置の概略的部分断面図、第２図はアクティブマ
トリックス方式のＰＬｉＴＬｉ中ッタアレー装置の概略
的同略図、第３図および第４図は従来のＰＬＺＴ光シャ
ッタアレー装置の概略釣部分断１ｍ図である。 図中、１はＰＬＺＴ基板、２は光シャッタ、３は能動素
子（電界効果トランジスタ）、６はゲート市極（能動素
子３の）、７は絶縁体ノー（能動素子３の）、８は半導
体層（能動素子３の）、９はドレイン電極（能動素子３
の）］Ｏはソース電極（能動素子３の）、１１はデータ
ライン（配線パターン）、１２は走査ライン（配線パタ
ーン）、１３は電極（光シャッタ２の）、１４は絶縁性
基板、１５．１５はバンプ、１８は孔である。 特許出願人　　株式会社　富士通ゼネラル代理人　弁理
士　　大　原　拓　也 第 図 第２図 第３図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＰＬＺＴ基板にはマトリックス状に複数の光シャ
   ッタが形成されており、絶縁性基板にはその複数の光シ
   ャッタに対応してＴＦＴによる能動素子が形成されてい
   るとともに、該能動素子の電極を引き出す配線パターン
   が形成され、かつ、各能動素子の他の電極位置に孔が形
   成されており、該ＴＦＴの能動素子形成面の裏面を前記
   光シャッタの電極形成面に貼り合せたとき、その光シャ
   ッタの一方の電極と前記能動素子の他の電極を前記孔を
   介したバンプで接続し、それら能動素子にて前記複数の
   光シャッタをアクティブマトリックス方式で駆動可能と
   したことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレー装置。
2. （２）前記能動素子は電界効果トランジスタであり、そ
   のソース電極を前記孔を介したバンプで前記光シャッタ
   の電極に接続し、そのゲート電極およびドレイン電極を
   引き出す配線パターンを前記能動素子の形成面に形成す
   るようにした請求項（１）記載のＰＬＺＴ光シャッタア
   レー装置。