JPH0395846A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0395846A JPH0395846A JP1230699A JP23069989A JPH0395846A JP H0395846 A JPH0395846 A JP H0395846A JP 1230699 A JP1230699 A JP 1230699A JP 23069989 A JP23069989 A JP 23069989A JP H0395846 A JPH0395846 A JP H0395846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- charge
- sensor
- ion implantation
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 28
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空容器内で回転および並進させられるデ
ィスクに装着されたウェーハにイオンビームを照射して
イオン注入を行うイオン注入装置に関し、特にそのウェ
ーハのチャージ量を計測する手段の改良に関する。
ィスクに装着されたウェーハにイオンビームを照射して
イオン注入を行うイオン注入装置に関し、特にそのウェ
ーハのチャージ量を計測する手段の改良に関する。
この種のイオン注入装置の従来例を第３図に示す。
このイオン注入装置は、いわゆるメカニカルスキャン方
式のものであり、真空容器２内でディスク駆動ブロック
ＩＯに支持されて矢印八のように回転および矢印Ｂのよ
うに並進させられるディスク４の周縁部に装着された複
数枚のウェーハ６にイオンビーム８を順次照射して各ウ
ヱーハ６にイオン注入を行うよう構成されている。１２
はディスク４を回転させると共にディスク駆動ブロック
ｌＯをディスク４と共に並進させる駆動軸、１４は並進
のガイド軸である。
式のものであり、真空容器２内でディスク駆動ブロック
ＩＯに支持されて矢印八のように回転および矢印Ｂのよ
うに並進させられるディスク４の周縁部に装着された複
数枚のウェーハ６にイオンビーム８を順次照射して各ウ
ヱーハ６にイオン注入を行うよう構成されている。１２
はディスク４を回転させると共にディスク駆動ブロック
ｌＯをディスク４と共に並進させる駆動軸、１４は並進
のガイド軸である。
ディスク４上の各ウェーハ６の表面は、特に当該表面が
絶縁物の場合、イオンビーム照射（イオン注入）に伴っ
て正にチャージアップ（帯電）するが、このときのチャ
ージ量が大きいとイオン注入に悪影響を及ぼす（例えば
ウェーハ表面で絶縁破壊が生じる）ので、このチャージ
量を計測する必要がある。
絶縁物の場合、イオンビーム照射（イオン注入）に伴っ
て正にチャージアップ（帯電）するが、このときのチャ
ージ量が大きいとイオン注入に悪影響を及ぼす（例えば
ウェーハ表面で絶縁破壊が生じる）ので、このチャージ
量を計測する必要がある。
そのため従来は、ディスク４上のイオン注入直後のウェ
ーハ６に対向する所に、ウェーハ表面のチャージ量を計
測する電極１６ａを幾つか有するチャージアップセンサ
１６を設け、これを支持板ｌ８によって真空容器２の内
面（底面）から固定支持している。
ーハ６に対向する所に、ウェーハ表面のチャージ量を計
測する電極１６ａを幾つか有するチャージアップセンサ
１６を設け、これを支持板ｌ８によって真空容器２の内
面（底面）から固定支持している。
ところが、イオン注入中はディスク４は前述したように
矢印Ｂ方向に並進させられるので、チャージアップセン
サ１６を上記のように真空容器２に固定支持した従来の
イオン注入装置では、ディスク４上のウェーハ６とチャ
ージアップセンサｌ６とが正しく対向するのは片道の並
進中に１回しかなく、従ってイオン注入中の極めて限定
された期間内でしかチャージ量を計測することができな
いという問題がある。
矢印Ｂ方向に並進させられるので、チャージアップセン
サ１６を上記のように真空容器２に固定支持した従来の
イオン注入装置では、ディスク４上のウェーハ６とチャ
ージアップセンサｌ６とが正しく対向するのは片道の並
進中に１回しかなく、従ってイオン注入中の極めて限定
された期間内でしかチャージ量を計測することができな
いという問題がある。
そこでこの発明は、ディスクの並進動作に影響されるこ
となく、イオン注入中常時、ウェーハのチャージ量を計
測することができるようにしたイオン注入装置を提供す
ることを主たる目的とする。
となく、イオン注入中常時、ウェーハのチャージ量を計
測することができるようにしたイオン注入装置を提供す
ることを主たる目的とする。
上記目的を達戒するため、この発明のイオン注入装置は
、前記ディスク上の所定位置のウェーハに対向する所に
、ウェーハ表面のチャージ量を計測する電極をｌ以上有
するチャージアップセンサを設け、これを支持部材によ
って前記ディスクと共に並進する構造物から支持し、そ
れによってこのチャージアップセンサがディスクと共に
並進するようにしたことを特徴とする。
、前記ディスク上の所定位置のウェーハに対向する所に
、ウェーハ表面のチャージ量を計測する電極をｌ以上有
するチャージアップセンサを設け、これを支持部材によ
って前記ディスクと共に並進する構造物から支持し、そ
れによってこのチャージアップセンサがディスクと共に
並進するようにしたことを特徴とする。
上記構或によれば、チャージアップセンサがディスクと
共に並進するので、ディスクの並進動作に影響されるこ
となく、イオン注入中常時、ウ工一ハのチャージ量を計
測することができる。
共に並進するので、ディスクの並進動作に影響されるこ
となく、イオン注入中常時、ウ工一ハのチャージ量を計
測することができる。
Ｃ実施例〕
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示すものであり、（Ａ）はその正面図、（Ｂ）
はその右側面図である。第３図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては従来例との
相違点を主に説明する．この実施例においては、前述し
たようなディスク４上のイオン注入直後のウェーハ６に
対向する所に、ウェーハ表面のチャージ量を計測する電
極２６ａを複数個有するチャージアップセンサ２６を設
け、これを支持部材２８によって前記ディスク４と共に
並進するディスク駆動ブロック１０等から支持し、それ
によってこのチャージアップセンサ２６がディスク４と
共に並進するようにしている。
部分的に示すものであり、（Ａ）はその正面図、（Ｂ）
はその右側面図である。第３図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては従来例との
相違点を主に説明する．この実施例においては、前述し
たようなディスク４上のイオン注入直後のウェーハ６に
対向する所に、ウェーハ表面のチャージ量を計測する電
極２６ａを複数個有するチャージアップセンサ２６を設
け、これを支持部材２８によって前記ディスク４と共に
並進するディスク駆動ブロック１０等から支持し、それ
によってこのチャージアップセンサ２６がディスク４と
共に並進するようにしている。
チャージアップセンサ２６は、例えば、第２図に示すよ
うに、支持部材２８に絶縁物２６ｂを介して５個の（第
２図では３個のみ表れている）電極２６ａを取り付けて
それらがディスク４上のウェーハ６に小さな隙間をあけ
て対向するようにすると共に、各電極２６ａにリード線
２６ｃをそれぞれ接続した構造をしている。
うに、支持部材２８に絶縁物２６ｂを介して５個の（第
２図では３個のみ表れている）電極２６ａを取り付けて
それらがディスク４上のウェーハ６に小さな隙間をあけ
て対向するようにすると共に、各電極２６ａにリード線
２６ｃをそれぞれ接続した構造をしている。
電極２６ａの数や配置は任意であるが、この例では第１
図にも示すように、ウェーハ６の中心の回転方向に３個
、その直交方向に２個、それぞれ配置している。
図にも示すように、ウェーハ６の中心の回転方向に３個
、その直交方向に２個、それぞれ配置している。
各リード線２６ｃは、例えば、フィードスルー（図示省
略）を介してディスク駆動ブロック１０内に引き込まれ
て駆動軸１２内を通して真空容器２外へ引き出される。
略）を介してディスク駆動ブロック１０内に引き込まれ
て駆動軸１２内を通して真空容器２外へ引き出される。
このようなチャージアップセンサ２６に帯電したウェー
ハ６が近づくと、ウェーハ表面のチャージ量に応じて、
各電極２６ａに反対極性の電荷が集まる現象（即ち静電
誘導）が起こるので、これによってウェーハ表面の各場
所でのチャージ量を計測することができる。
ハ６が近づくと、ウェーハ表面のチャージ量に応じて、
各電極２６ａに反対極性の電荷が集まる現象（即ち静電
誘導）が起こるので、これによってウェーハ表面の各場
所でのチャージ量を計測することができる。
支持部材２８は、この例では、板状かつ断面コ字状をし
ていてディスク４を上下から隙間をあけて挟んだ構造を
しており、その下面側の端部はディスク駆動ブロック１
０に固定されており、その上面側の端部はディスク４上
の回転軸に回転軸受３０を介して支持されている。
ていてディスク４を上下から隙間をあけて挟んだ構造を
しており、その下面側の端部はディスク駆動ブロック１
０に固定されており、その上面側の端部はディスク４上
の回転軸に回転軸受３０を介して支持されている。
もっとも、この支持部材２日の形状や構造は任意であり
、またディスク駆動ブロック１０側からのみ支持しても
良い。
、またディスク駆動ブロック１０側からのみ支持しても
良い。
上記構造によれば、ディスク４と共に並進するディスク
駆動ブロック１０と共に支持部材２８が並進する。即ち
チャージアップセンサ２６がディスク４と共に一定の関
係を保ちつつ並進するので、ディスク４の並進動作に影
響されることなく、イオン注入中常時、各ウェーハ６の
チャージ量を各ウェーハ６に対して同じ位置で計測する
ことができる。従って、イオン注入中のウェーハ６のチ
ャージアップを従来例に比べて詳しくかつ正確に計測す
ることができる。
駆動ブロック１０と共に支持部材２８が並進する。即ち
チャージアップセンサ２６がディスク４と共に一定の関
係を保ちつつ並進するので、ディスク４の並進動作に影
響されることなく、イオン注入中常時、各ウェーハ６の
チャージ量を各ウェーハ６に対して同じ位置で計測する
ことができる。従って、イオン注入中のウェーハ６のチ
ャージアップを従来例に比べて詳しくかつ正確に計測す
ることができる。
なお、ディスク４を回転および並進させる機構の構造は
、この発明の本質に影響するものではなく、従って上記
例以外のものでも良い。
、この発明の本質に影響するものではなく、従って上記
例以外のものでも良い。
以上のようにこの発明によれば、チャージアップセンサ
がディスクと共に並進するようにしたので、ディスクの
並進運動に影響されることなく、イオン注入中常時、ウ
ェーハのチャージ量をウェーハに対して同じ位置で計測
することができる。
がディスクと共に並進するようにしたので、ディスクの
並進運動に影響されることなく、イオン注入中常時、ウ
ェーハのチャージ量をウェーハに対して同じ位置で計測
することができる。
従って、イオン注入中のウェーハのチャージアッブを従
来例に比べて詳しくかつ正確に計測することができる。
来例に比べて詳しくかつ正確に計測することができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示すものであり、（Ａ）はその正面図、（Ｂ）
はその右側面図である。第２図は、第１図中のチャージ
アップセンサ部分の拡大図である。第３図は、従来のイ
オン注入装置の一例を部分的に示すものであり、（Ａ）
はその正面図、（Ｂ）はその右側面図である。 ２・・・真空容器、４・・・ディスク、６・・・ウ工一
ハ、８・・・イオンビーム、１０・・・ディスク駆動ブ
ロック、２６・・・チャージアップセンサ、２６ａ・・
・電極、２８・．・支持部材。
部分的に示すものであり、（Ａ）はその正面図、（Ｂ）
はその右側面図である。第２図は、第１図中のチャージ
アップセンサ部分の拡大図である。第３図は、従来のイ
オン注入装置の一例を部分的に示すものであり、（Ａ）
はその正面図、（Ｂ）はその右側面図である。 ２・・・真空容器、４・・・ディスク、６・・・ウ工一
ハ、８・・・イオンビーム、１０・・・ディスク駆動ブ
ロック、２６・・・チャージアップセンサ、２６ａ・・
・電極、２８・．・支持部材。
Claims (1)
- （１）真空容器内で回転および並進させられるディスク
に装着されたウェーハにイオンビームを照射してイオン
注入を行うイオン注入装置において、前記ディスク上の
所定位置のウェーハに対向する所に、ウェーハ表面のチ
ャージ量を計測する電極を１以上有するチャージアップ
センサを設け、これを支持部材によって前記ディスクと
共に並進する構造物から支持し、それによってこのチャ
ージアップセンサがディスクと共に並進するようにした
ことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230699A JPH0395846A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230699A JPH0395846A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395846A true JPH0395846A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16911932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1230699A Pending JPH0395846A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0395846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112810B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion implanting apparatus and ion implanting method using the same |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1230699A patent/JPH0395846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112810B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion implanting apparatus and ion implanting method using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3374857B2 (ja) | イオン注入装置における高効率走査のための方法及び装置 | |
| JP4383179B2 (ja) | 可動部材の多方向走査及びそのためのイオンビーム監視構成体 | |
| JP3153784B2 (ja) | イオンビーム走査方法および装置 | |
| CN101438368A (zh) | 防止寄生的子波束影响离子植入的技术 | |
| JP2926253B2 (ja) | イオン注入装置およびウエハへのイオン照射量を制御する方法 | |
| JPH0395846A (ja) | イオン注入装置 | |
| TWI812791B (zh) | 離子植入裝置及射束駐留裝置 | |
| JP7234066B2 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| US20230260741A1 (en) | Ion implanter and ion implantation method | |
| JPH0618120B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPS5478091A (en) | Ion implanting unit | |
| JPH09283074A (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| JPH0757683A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6139356A (ja) | イオン打込装置 | |
| JPH0575956U (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH03261059A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH073131U (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH10283973A (ja) | ウエハメカニカルスキャン方法及びイオン注入装置 | |
| JPS61200662A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6321088Y2 (ja) | ||
| JPH08195184A (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| JPH0539555Y2 (ja) | ||
| JPS61211951A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH02260361A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS62115640A (ja) | イオン注入装置 |