JPH073131U - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH073131U JPH073131U JP3807793U JP3807793U JPH073131U JP H073131 U JPH073131 U JP H073131U JP 3807793 U JP3807793 U JP 3807793U JP 3807793 U JP3807793 U JP 3807793U JP H073131 U JPH073131 U JP H073131U
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- Japan
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- wafer
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- ion beam
- ion
- electromagnet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハディスクを傾斜させずに注入チルト角
度を付与すること。 【構成】 ウエハディスク2に装填されたウエハ3にエ
ネルギー分析用電磁石4、成形スリット5を通してイオ
ンを注入する。電磁石はイオンビームに対し、エネルギ
ー分析用のオフセット偏向角度に、7°或いは10°の
注入チルト角度を加えたビーム偏向角度を与える手段と
して動作する。ファラディカップ装置6は、可動ビーム
電流測定手段として構成されており、旋回ガイド14で
支持案内される駆動機構部材15に結合し、ウエハに対
する注入チルト角度の可変設定に対処できる。注入チル
ト角度の付与には静電偏向電極板によるステアラーを用
いてもよい。
度を付与すること。 【構成】 ウエハディスク2に装填されたウエハ3にエ
ネルギー分析用電磁石4、成形スリット5を通してイオ
ンを注入する。電磁石はイオンビームに対し、エネルギ
ー分析用のオフセット偏向角度に、7°或いは10°の
注入チルト角度を加えたビーム偏向角度を与える手段と
して動作する。ファラディカップ装置6は、可動ビーム
電流測定手段として構成されており、旋回ガイド14で
支持案内される駆動機構部材15に結合し、ウエハに対
する注入チルト角度の可変設定に対処できる。注入チル
ト角度の付与には静電偏向電極板によるステアラーを用
いてもよい。
Description
【0001】
本考案は、ウエハディスクをチルト動作させずに、ウエハに対するイオンビ− ム注入チルト角度を与えるメカニカルスキャン方式のイオン注入装置に関する。
【0002】
バッチ処理方式の高エネルギー・イオン注入装置では、図2に示すように、エ ンドステーション1の内部のウエハディスク2にウエハ3が複数枚装填されてお り、図示省略した加速管からのイオンビ−ムはエネルギー分析用偏向電磁石4の 磁場に導入され、所望エネルギーのイオンのみが成形スリット5を通りウエハに 注入される。エンドステーション1の外部に設置された駆動源から動力伝達系を 介し、ウエハディスク2をスピン回転R及びスキャン(往復並進)移動Sさせる メカニカルスキャン方式によりウエハ3の全面にイオンを注入している。
【0003】 ウエハ3に対するイオンビ−ム軌道は一定であり、これに合わせる形で、イオ ン注入量管理のためのイオンビ−ム電流測定手段としてファラディカップ装置6 が配置されている。同装置は、ウエハディスク2の背面側に設けられたモニタカ ップ7、ビーム入射側に設けられたファラディカップ8及び成形スリット5とフ ァラディカップ8の開口部間に設けられたサプレッサ電極9からなる。成形スリ ット5と共に、ファラディカップ装置6のビーム入射側と背面側の各構成要素は 点線で略示したブリッジ部材10で結合されている。ウエハディスク2は電気的 接触部材11を介して一端が接地された電流計12に接続し、モニタカップ7と ファラディカップ8は電流計に接続されており、サプレッサ電極9は直流電源1 3によって負電位にバイアスされている。ウエハ3へのイオン注入時、ウエハ3 とウエハディスク2はファラディカップ8と共にファラディカップ電極として働 く。ウエハ3に注入されたイオンビ−ム電流はウエハディスクを通り電流計12 で測定される。ウエハ3及びウエハディスク2にビームが当って放出された2次 電子はファラディカップ8で捕捉され、ウエハディスク2に戻り、電流計12に は2次電子電流は流れない。ウエハディスク2がファラディカップ装置6内に存 在しない、例えばビームの調整時、イオンビ−ムはモニタカップ7で捕捉され、 電流計12で測定される。
【0004】
ウエハ3の面が図3(a)に示すようにx,y平面にあり、これに直交するz 軸方向からイオンを注入すると、ウエハはチャンネリング効果の影響を受ける。 これを防止するために、ウエハ面をx軸を中心とする角度θの回転位置、x,y ’平面に位置するように傾斜させ、イオンビ−ムをウエハに斜めに入射しており 、この注入チルト角度θは、通常、7°或いは10°である。ウエハディスクを 有するメカニカルスキャン方式のイオン注入装置の場合、ウエハ3に対する注入 チルト角度θの付与、変更は、図3(b)に示すように、ウエハディスク2全体 を実線の角度0°の位置から角度θの点線位置に傾斜させることにより行ってい る。そして、かかるウエハディスク全体の傾斜はエンドステーション1の外部の 駆動装置から操作できるようにしている。しかし、上述したように、エンドステ ーションの外部とウエハディスク間には、ウエハディスクをスピン回転及びスキ ャン移動させる駆動系が存在するから、ウエハディスクの傾斜操作に際しては、 これら駆動系をも傾斜させることになり、傾斜操作軸はスピン回転とスキャン移 動の駆動軸、操作軸を内蔵する大口径のものとなり、エンドステーション1の壁 部に大口径の真空シール部を要し、操作機構が大型化し、真空シール機構の信頼 性を弱めることになる。
【0005】 本考案は、ウエハディスクを傾斜させずに、ウエハに対してイオンビ−ム注入 チルト角度を付与することができるイオン注入装置の提供を目的とするものであ る。
【0006】
本考案は、ウエハディスクの直前にエネルギー分析用の電磁石またはステアラ ーを有するメカニカルスキャン方式のイオン注入装置において、前記電磁石また はステアラーが、そのイオンビ−ム偏向により、ウエハに対するイオンビ−ム注 入チルト角度を与えるべく構成されていることを主たる特徴とするものである。
【0007】 さらに、本考案は、かかるイオン注入装置が、イオンビ−ム注入チルト角度に 応ずることができる可動ビーム電流測定手段を有することを特徴とする。
【0008】
電磁石のコイル電流により磁場強度を、またはステアラーの静電電極間電圧に より電界強度を調節して、イオンビ−ムの偏向角度を変更することにより、所要 のビーム注入チルト角度を与えることができる。そして、ビーム電流測定手段は 可動に構成されているから、ビーム注入チルト角度に対処できる。
【0009】
本考案の実施例について、図1のイオン注入装置の構成図を参照して説明する が、図2,3と同一符号は同等部分を示す。エンドステーション1の内部のウエ ハディスク2にウエハ3を複数枚装填し、図示省略した加速管からのイオンビ− ムはエネルギー分析用偏向電磁石4の磁場に導入され、所望エネルギーのイオン のみが成形スリット5を通りウエハに注入される。エネルギー分析用偏向電磁石 4はウエハ3へのイオン注入に当り、注入されるべきエネルギーのイオン、注入 イオンとは異なるエネルギーのイオンが注入され、ウエハにエネルギー・コンタ ミネーションが生ずるのを防止するために、一般に注入イオンに対し10°〜1 5°のオフセット偏向角度を与えるように磁場強度が選定されるが、このオフセ ット偏向角度のビーム軌道がウエハに対する注入チルト角度θ=0°の位置であ り、このときイオンビ−ムはウエハ3の面に垂直に入射される。
【0010】 ウエハ3へのイオン注入に際し、チャンネリング効果の影響を避けるために、 通常、7°或いは10°の注入チルト角度でイオンビ−ムはウエハ面に斜めに入 射される。そこで、エネルギー分析用偏向電磁石4は、注入イオンビームに対し 、オフセット偏向角度に注入チルト角度を加えたビーム偏向角度を与える手段と して動作し、これは、磁場強度の調節、即ち磁場を発生する電磁石コイルの電流 の大きさを調節することにより所要のビーム偏向角度、所要の注入チルト角度を 可変設定することができる。
【0011】 成形スリット5及びビーム電流測定手段であるファラディカップ装置6は、オ フセット偏向角度位置、注入チルト角度0°の原点位置から、所要の注入チルト 角度設定に合わせて偏向電磁石4の偏向中心点を旋回中心点Pとして旋回移動で きるように構成する。旋回中心点Pに係る円弧線上に旋回ガイド14が設けられ ており、同ガイドにファラディカップ装置6の駆動機構部材15が嵌合し、同ガ イドは同部材を支持案内しており、同駆動機構部材はアーム部材16を介してフ ァラディカップ装置6のモニタカップ7、そして点線で略示したブリッジ部材1 0によって成形スリット5、ファラディカップ8、サプレッサ電極9に結合して いる。旋回ガイド14と駆動機構部材15は例えばラック・ピニオン機構体とし て構成されており、ガイドに形成されたラックに駆動機構部材に設けられたピニ オンが噛合し、同ピニオンは同部材内の駆動モ−タ例えばパルスモ−タによって 駆動される。
【0012】 したがって、駆動機構部材15に設けられた駆動パルスモ−タエンドステーシ ョン1の外部から電気的に制御して歩進駆動させることにより、同部材は矢印で 示すようにガイド14に案内されて移動し、成形スリット5及びファラディカッ プ装置6を注入チルト角度7°或いは10°のビーム軌道に適合する位置に旋回 移動させることができる。
【0013】 注入チルト角度を0°より変更すると、ビーム軌道はウエハディスク2のスピ ン回転の中心より遠ざかることになるが、これに対し、スキャン(往復並進)移 動動作の原点をシフトさせることにより、常にスキャン幅は一定でイオン注入を 行う。因みに、注入チルト角度を0°から10°に変更したときのスキャン位置 のシフト量は約150mm程度である。
【0014】 上述の実施例では、注入チルト角度の付与手段としてエネルギー分析用偏向電 磁石4を用いるものを示したが、磁場による偏向ではなく、静電偏向電極板によ るステアラーを用い、電場によりウエハ3に対するイオンビ−ムの注入チルト角 度を与えるようにしてもよい。
【0015】
本考案は、以上説明したように構成したので、ウエハディスク全体の傾斜操作 を行わせることなく、イオンビ−ム注入チルト角度の可変設定を容易に行うこと ができ、ウエハディスクに対する操作駆動系がスピン回転、スキャン移動系だけ であるからエンドステーションに設けられる真空シール部も小口径のもので済み 、信頼性が向上する。
【0016】 ビーム電流測定手段は位置可動のものとして構成されているから、イオンビ− ム注入チルト角度の可変設定に容易に対処することができる。
【図1】本考案の実施例の構成図である。
【図2】従来のウエハディスクを有するイオン注入装置
の構成図である。
の構成図である。
【図3】ウエハに対するイオンビ−ム注入チルト角度付
与についての説明図である。
与についての説明図である。
1 エンドステーション 2 ウエハディスク 3 ウエハ 4 エネルギー分析用電磁石 5 成形スリット 6 ファラディカップ装置(ビーム電流測定手段) 10 ブリッジ部材 14 旋回ガイド 15 駆動機構部材
Claims (2)
- 【請求項1】 ウエハディスクへのイオンビ−ム導入路
にエネルギー分析用電磁石またはステアラーを有するメ
カニカルスキャン方式のイオン注入装置において、前記
電磁石またはステアラーが、そのイオンビ−ム偏向によ
り、ウエハに対するイオンビ−ム注入チルト角度を与え
るべく構成されていることを特徴とするイオン注入装
置。 - 【請求項2】 イオンビ−ム注入チルト角度に応ずるこ
とができる可動ビーム電流測定手段を有することを特徴
とする請求項1記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3807793U JPH073131U (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3807793U JPH073131U (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH073131U true JPH073131U (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=12515433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3807793U Pending JPH073131U (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH073131U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9384944B2 (en) | 2014-04-23 | 2016-07-05 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implanter and ion implantation method |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP3807793U patent/JPH073131U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9384944B2 (en) | 2014-04-23 | 2016-07-05 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implanter and ion implantation method |
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